JPS6245142A - 円板物体の位置決め装置 - Google Patents

円板物体の位置決め装置

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JPS6245142A
JPS6245142A JP60183972A JP18397285A JPS6245142A JP S6245142 A JPS6245142 A JP S6245142A JP 60183972 A JP60183972 A JP 60183972A JP 18397285 A JP18397285 A JP 18397285A JP S6245142 A JPS6245142 A JP S6245142A
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JP
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wafer
notch
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photoelectric element
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JP60183972A
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English (en)
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Takahiro Akamatsu
赤松 孝弘
Hiroshi Nakazato
博 中里
Takashi Matsumura
松村 尊
Kenji Fukui
健司 福井
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Control Of Position Or Direction (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
[発明の属する分[] 本発明は、半導体ウェハ等の円板状物体の微小切欠きを
検出することによりこの円板状物体を所定の向きに位置
決めする装置に関する。本発明は、特に、7スクアライ
ナ等の露光装置や・り1ハブローバ等の測定装置、検査
装置等に対して半導体ウェハを載置する際に使用する位
置決め装置に適用して好適なものである。 [従来技術] 従来、この種の装置は、ウェハの周囲の一部に設けられ
た切欠きを用いて位置決めを行なうように構成されてい
る。普通、この切欠きは円板状のウェハの周囲を直線状
に切欠いたらので、オリエンテーションフラット(以下
、オリフラと呼ぶ)と呼ばれている。 オリフラを用いて位置決めする一例として、特開昭58
−18713号1円板物体の位置決め装置Jに光電素子
を用いてウェハ端部変化を求め、そのgiヅ)値によっ
てオリフラの中心を求めて位置決めを行なう装置が示さ
れている1、また、特開昭57−198642号「ウェ
ハ位置検出装置」には光電素子によってウェハ端部位置
を各回転位置ぐ比較し、回転位置変化に対Jるウェハ端
部位置の極1直を求めることによってウェハ位置を検出
する装置が示されている。 ところが、近年、オリフラに加えて微小切欠き(以下、
ノツチと呼ぶ)をもったウェハが出てきた。このノツチ
は、オリフラとともにウェハに備えられることが多い。 第7図は、オリフラおよびノツチを右づ゛るウェハの平
面図を示す。同図において、21はウェハ、22はノツ
チ、23はオリフラである。その場合、上記の二側の公
知例に係る装置では、ノツチとオリフラを区別すること
ができずノツチ部での位置決めをプることは困難である
。 また、第8図に示すように、両側にフォトセンサ25を
備えたビン24をウェハ21に押しつけなからウェハ2
1を回転し、ノツチにビン24が入って両方のフォトセ
ンサが同時に遮光されたどさ、それを検出して位置決め
を行なう装置もある。しかし、この場合には、ビン24
および26を常に接触さCながらウェハ21を回転する
必要があるため、ウェハ21に強い外力が加わることと
なる。従って、ウェハを破損しやすく、また高速にウェ
ハを回転することができないため位置決めに時間がかか
るという欠点があった。 [発明の目的] 本発明は、上述従来形の問題点に鑑み、ノツチを備えた
ウェハ等の円板状物体においてノツチ部での位置決めを
行なうことができ、その際、ウェハに加わる外力を最小
に抑えてウェハを破損することがなく、さらに高速に位
置決めを行なうことが可能な円板物体の位置決め装置を
提供することを目的とする。さらに、ノツチとオリフラ
の両者を備えたつ1ハ等の円板状物体の位置決めにおい
ては、ノツプとオリフラの両者を正確に区別して、ノツ
チ部での位置決めを行なうことができる円板物体の位置
決め装置を提供することを目的とする。 [実施例の説明] 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。 第1図は、本発明の一実施例に係る位置決め装置の外観
を示す。同図において、1はウェハ、2はウェハ駆動ロ
ーラ、4はウェハ1をIIy、首するテーブルeある。 テーブル4はウェハ1を浮上さ「るための]−アベアリ
ング機構を持っており、ざらに傾斜させることができる
。5は全体を保持する基台、6 J3よび7はウェハ1
の最終位置決め用押しつけローうである。この押しつけ
ローラ6および7は81台5に装備されて43す、押し
つけ時は内側に、その他のときは外側へ移動可能である
。押しつけローラ7の上部にはウェハ回転ローラ8が取
付番プである。このウェハ回転ローラ8は、テーブル4
を傾斜させた場合にウェハ駆動ローラ2とどもにウェハ
1を保持する。9はノツプ−センナユニットであり、微
小切欠きが位置すべぎ所定箇所に配置されている。 第2図は、上記実施例の装置の要部の平面図および側面
図を示す。ここで、第2図aはテーブル4を傾斜させて
ノツチを゛検出している状態にお()る平面図、第2図
すおよび第2図Cはとらに第2図aの状態における側面
図である。特に、第2図すはノツチセンナユニット9の
部分を詳しく示し、第2図Cはウェハ駆動ローラ2の部
分を詳しく示す。また、第2図d J5よび第2図eは
、それぞれ、ノツチの検出が終了しテーブル4を水平に
して機械的な位置決めを行なう状態における平面図およ
び側面図を示す。 第2図にJ3いて、10は照明光源、11は押しつ(ノ
ピン、12は集光レンズ、101は光電素子でおる。 これらの部分はすべてノツヂヒンサユニット9に取付け
てあり、ノツチの検出時および機械的な位置決めのため
の押しつ番プ時は内側へ、その他の場合は外側へと移動
可能である。 照明光源10はウェハ1の端部(外周部)を下部五り照
明するためのものであり、光電素子101はこれと対向
する上部に設けられている。この照明光源10より出た
光は集光レンズ12により集光される。この場合、ウェ
ハ端部における遮光の変化を光電素子101において1
n(ifに検出覆るため、光はウェハ面上にて長手方向
がウェハの半径方向となるような長方形に集光される。 光電素子101JJよび集光された光の長手方向の寸法
はウェハの外径バラツキおよびノツプ、オリフラによる
遮光の変化を充分に満足する寸法になっている。 第2図Cにおいて、114はパルスジ1ネレータ、11
5はウェハ1を回転するための駆動装置を構成する1−
夕である。このモータ115の回転軸には歯車14が取
付りられており、ウェハ駆動ローラ2に取付(プられた
歯車15と噛合しでいる。ずなわら、モータ115を駆
動することにより、ウェハ駆動ローラ2を回づことがで
きる。同時に歯車15はパルスジェネレータ114に取
【〕られた歯車すると噛合している。これらの山車1
5およびするとパルスジ1ネレータ114は、例えばウ
ェハ駆動1コーラ2が1回転すると、パルスジェネレー
タ114が600個のパルスを発生するというように適
当に選択されている。従って、パルスジェネレータ11
4のパルスをカラン1〜することによりウェハ駆1j+
ローラ2の回転Fli−tなわちウェハの回転量を検出
することができる。 第3図は、本実施例の装置の制御系の構成を示すブロッ
ク図である。同図により、ウェハを回転しノツチを光重
検出する際の制御系の各部の機能を説明する。 まず、光電素子101より出力される光電流をプリアン
プ102により増幅する。これにより、光電素子101
で検出した光ωの変化は電圧の変化に変換して出力され
る。この信号をピーク値検出回路104に入力し、信号
の最大値を検出する。次に、レベルシフタ122はこの
最大値(i号を所定の値だけレベルシフ1へし、その結
果を]ンバレータ103の一端へ入力する。コンパレー
タ103のらう一端には、プリアンプ102の出力信号
が直接人力されており、両者の大小に応じた信号出力が
]ンバレータ103より得られる。レベルシフタ122
のレベルシフト世については後述する。 モータ115はウェハ駆動ローラ2を回転する動力とな
るものであり、スイッチ117によりモータ115の回
転の向きと速度すなわちウェハの回転速度を高速あるい
は低速逆回転の2段階に切換えることができる。七−タ
115の回転はパルスジ1ネレータ114に伝えられ、
パルスジェネレータ114はウェハの回転に応じたパル
スを出力する。 カウンタ105はノツチを検出するために使用されるカ
ウンタである。アンドゲート121の作用により、コン
パレータ103の出力が’ H”レベルの時のみ、パル
スジェネレータ114の出力パルスがカウンタ105に
入力され4数が行なわれる。コンパレータ106は、こ
の計数値と設定器107に予め設定されている上限値お
よび下限値とをそれぞれ比較し、計数値がその上限値と
下限値の範囲内ならば計数を行なった時点に検知しでい
たウェハ端部にノツチが存在していたことを承り検出信
号を出力する。 アップダウンカウンタ108はノツチの中心位置を求め
るために使用されるカウンタである。このアップダウン
カウンタ108へ入力されるパルスは、カウンタ105
に入力されるパルスと同一のもので・あるが、スイッチ
110を切換えることにより、直接入力と1/2に分周
されたらのとのいずれか一方を選択できる。また、スイ
ッチ110の切換信号は同時にアップダウンカウンタ1
08の7ツブダウン切換ら行なっている。Vなわら、カ
ラン1〜アップ時は1/2分周器を通したらのを51数
し、カウントダウン時はt1接tl数を行なう。これは
、後述づるようにノツプ〜の中心に位置決めするためで
ある。アップダウンカウンタ108からは、カウントダ
ウン時、その値が零となったときにキ1?り一信号が出
力される。 カウンタ111は、ウェハが1回転したことを検知する
ためのものである。カウンタ111ft、パルスジェネ
レータ114の出力パルスをδle!する。設定器11
3には、予めウェハが1回転した場合にパルスジェネレ
ータ114が出力づるパルス数よりも若干大ぎい値を設
定しておく。コンパレータ112は、このカウンタ11
1の値と設定器113の設定値とを比較し、カウンタ1
11の値の方が大きいとき1回転したことを示す検知信
号を出力する。 シーケンサ120は上記のカウンタ、モータ等の制御を
すべて行なう。 以上のような構成において、第1図〜第3図、第4図の
フローチャートおよび第5図のタイムチjz −l−を
参照しながら、ウェハを位置決めするまでの全体のD作
について説明する。なお、第5図a−gは、それぞれ第
3図のブロック図のa−gの位置にJ3ける電圧変化を
示づタイムチャートである。以下、これらの信号を、そ
れぞれ、信号a。 信号b、・・・・・・、信号qと呼ぶ。また、第5図a
〜Qのタイムチp−1−はすべて、時間を横軸としてい
る。この横軸は、ウェハが一定速度で回転している間に
おいては、ウェハの回転方向の位置を示す軸とみなすこ
とらできる。 まず、テーブル4を斜め位置にセット°し、エアベアリ
ング機構によりエアフローを行なう。ノツヂセンサコニ
ット9、押しつけローラ6および7ははち内側となる位
置にセットしておく。この状態でウェハ1が搬入されテ
ーブル4上に載置されると、エフベアリング効果により
ウェハ1は滑り、ウェハ回転ローラ8とウェハ駆動ロー
ラ2の両者に当って停止する(ステップS1)。 次に、ピーク値検出回路104、カウンタ105および
アップダウンカウンタ111の内容を零にクリアし、ス
イッチ117を高圧VH側にしてウェハ1の高速回転を
行なう。このとぎウェハ1とウェハ駆動ローラ2の間の
スリップを防止するため、モータ115の回転は急加速
へ5急減速をしないようにする。すなわち、モータ11
5に対する印加電圧は徐々に昇圧し一定の電圧にもって
いく。し−タ115の回転を止めるときも同様である。 第5図qは、このようななだらかな加減速駆動を行なう
ためにモータ115に与える電圧を示している。 このようにウェハ1を回転すると、その外周部のノツチ
およびオリフラにより、照明光源10から照光される光
の遮光間は変化づる。その光量変化を光電素子101に
より電気信号の変化に変換する。 第5図aは、この電気信号をプリアンプ102により増
幅した(pの信号aを示ず。同図aにおいて、急激なピ
ークはノツチ部分を示し、なだらかなピークはオリフラ
部分を示している。この信号aはピーク値検出回路10
4により変化If1の最大値(ピーク値)が検出8れる
(ステップ32)。 ウェハの回転量に応じたパルスジェネレータ114から
の出力パルスは、カウンタ111に人力し計数りる。コ
ンパレータ112は、このカウンタ111のa]数値と
設定器113に設定されている値とを比較する。前述し
たように、設定器113の設定1「1としては、ウェハ
が1回転したときにパルスジェネレータ114から出力
されるパルス数に若干のパルス数を加えた値を、予め設
定しておく。従って、ウェハが1回転以上すると、コン
パレータ112より検知信号が出力され、これによりシ
ーケンサ120はウェハが1回転以上したことを検知す
る(ステップS3)。それと同時にシーケンサ120は
カウンタ111を再びクリアづる。 この時点でシーケンサ120はビーク1直検出回路10
4の動作を停止し、ピーク値をボールドする。 第5図すは、ピーク値検出回路104の出力信号を示し
ている。このピーク値は、レベルシフタ122に入力さ
れ、あるレベルだけシフトダウンされる。 第5図CのにJ5いて実線で示した信号が、レベルシフ
トされた信F4cを示している。このピーク値をレベル
シフトした(直が、以後、スライスレベルとしてノツチ
検出に用いられる(ステップ34)。 このノツプ−検出の際には、侵述するように、まず光電
素子101の出力とスライスレベルとを比較してぞの大
小関係を1q、光電素子101の出力を21己化する。 この2値化の結果のパルスよりノツチおよびオリフラを
検出する。従って、スライスレベルは、ウェハの外径バ
ラツキにかかわらず、2値化により生成したパルスによ
りノツチやオリフラ部分の区別が可能となるような値で
ある必要があり、レベルシフ1〜最もそれに基づき設定
する。 なお、ステップS3において、未だウェハが1回転して
いないと判別した場合は、再びステップS2に戻り1回
転するまで、ピーク値の検出をする。 さらに、ウェハの回転は続いており、上述のスライスレ
ベル(信号C)と光電素子101からの信号a(第5図
Cの点線部分)とをコンパレータ103により比較する
。このとき、ノツチやオリフラにより光電素子101の
出力レベルが増大し、スライスレベルを越えた間、コン
パレータ103は”11”レベルを出力する。第5図d
は、このとさのコンパレータ103の出力を示す。この
出力信号dはアントゲ−1−121に入力し、パルスジ
ェネレータ114からの出力パルスがカウンタ105お
よびアップダウンカウンタ108に加えられるのを制御
する。すなわら、ノツチやオリフラが充電素子101の
下を通過している間のみ、コンパレータ103の出力は
゛H″レベルとなりアンドゲート121が開くため、カ
ウンタ105およびアップダウンカウンタ108が計数
される。第5図eは、カウンタ105の人力信号を示す
。 このとき、スイッf110は1/2分周器109側にな
ってd3す、アップダウンカウンタ10Bはカウントア
ツプ可能となっている。従って、パルスジェネレータ1
14から2パルス出力されるとアップダウンカウンタ1
08の内容(3艮1力Cクンドアツブする。第5図fは
、このときのアップダウンカウンタ108への入力を承
り。信号eのパルス部分が信@rでは半分のカラン1〜
数どなっている。 また、コンパレータ106は、カウンタ105の内容と
予め設定器107に設定された上限(f+ J3よび下
限値とをそれぞれ比較する。この上限(nはノツチが光
電素子101の下を通過したときにカウンタ105に人
力されるパルス数に所定値を加えた値であり、下限値は
同様に上記のパルス数から所定値を減じた値である。 ノツチまたはオリフラが光電素子101の下を通過した
後にアンドゲート121が閉じられるが、その際、カウ
ンタ105の内容が設定器107に予め設定された上記
の上限値および下限値の間に人っていればノツチと判断
される。「ノツチである」ことを示すコンパレータ10
6からの信号はシーケンサ120に入力し、シーケンサ
120はこれによりノツチを検出する(ステップ35)
。らし、ノツチが検出される前にコンパレータ112よ
り1回転の検知信号が出力された場合は、ウェハが1回
転したにしかかわらずノツチがみつからなかったことを
示し、この場合は再びステップS2より繰返す、。 なお、このとぎ、既に設定されているスライスレベルは
変更しないことにづれば、ステップ82〜S4のスライ
スレベルを決定ザる処理を再度行むう必要はない。従っ
て、この場合はステップS2に分岐するのでなく、ステ
ップS5のノツチ検出を繰返す処理を行なう。 ステップS5でノツチが検出されると、シーケンサ12
0は第5図Qに示ずようにし一夕115を減速停止し、
ウェハの回転を停止する。次にスイッチ117を低圧V
Lに切換えて、し−夕115を低速逆転する。すなわち
、モータ115には今までと逆向きの電圧をかける(第
5図g)。これにより、充電素子101は先程下を通過
したノツチの後縁を検知する。このとき、スイッチ11
0はパルスジェネレータ114の出力パルスが直接アッ
プダウンカウンタ108に入力されるとなっており、ア
ップダウンカウンタ108はダウンカウント可能となっ
ている。ここで、アップダウンカウンタ108には、ノ
ツチが通過するどきに発生したパルス数の1/2の値が
入っている。従って、ノツf゛の1ν縁を検知した時点
より、アップダウンカウンタ108の内容をパルスジェ
ネレータの出力で減Qしてゆき、7ツブグウンカウンタ
108の内容が零となりキ17り一信号が出力された時
点で、し−タ115を停止Mる。これにより、ノツチの
中心を九電本子101の真下、づなわら押しつけビン1
1の位置にすることができる(ステップS6)、。 以上の手順rウェハのノツチの位置決めは(1な〕が、
さらに高精度にθ位置決めおよび1ビンタリングを行な
うため、機械的に押しつtノ動作を行なう1、 まず、上述のようなノツチの位置決めの後、ウェハ1を
テーブル4に吸着し固定する。次にノツチはンリユニッ
ト9、押しつ【ノローラ6おJ、び7を外側へ動かす。 これは、テーブル4を水平にするときの妨げにはならな
いようにするためである。 そうしてJ3いて、デープル4を水平に号る。次に、押
しつけビン11をよずノツチ部に挿入する。挿入完了模
、ウェハを再びエアフローにJ、リテーブル4上でエア
ベアリングさせる。そして、押しつけローラ6d3よび
7をウェハに押しつけることにより、θ位置決めおよび
中心位置決めを行なう。第2図dおにびCは、以上のよ
うな押しつ()動作の様子を示している。 次に、ウェハ1をデープル4に吸着し固定した後、押し
つけビン11、押しつけローラ6 a3よび7を外側へ
動かし開放づる(ステップ87)。 以ににより、本装置での位置決め動作は完了し、ウェハ
は露光装置、検査装置等のウェハ設iff台へ位置決め
された状態のまま搬出される。(ステップ38)。 本実施例によれば、ウェハを1回転した際の光電素子の
出力の最大値からスライスレベルを決定し、光電素子1
01の出力をこのスライスレベルと比較して2碩化して
いる。従って、ノツチとオリフラの両者を備えたウェハ
であっても、ウェハの外径バラツキにかかわらず、安定
してノツチおよびオリフラを検出することができる。 また、ノツチかオリフラかの判別は、ウェハを駆動する
ウェハ駆動ローラ2と連動して回転するパルスジェネレ
ータ114からの出力パルスにより、2値化された結果
のパルスの巾を計数し、その計数値と予め設定された設
定値とを比較することにより行なっている。この計数値
は、ウェハの回転速度とは無関係に常に一定値となるた
め、正確にノツチのみを検出することが可能である。 さらに、上記の設定値をオリフラのパルス11】の51
数値と等しくなるように設定するだけで、ノツプ−では
なくオリフラが検出できるという効果らある。 ウェハはスライスレベル検出時およびノツチ検出時まで
は高速で回転される。そして、ノツチが検出されると減
速停止し、次に低速で逆転し、ノツチの後縁が検出され
た時点から、予め求められた値だけパルスエンコーダの
パルス数を計数し停止してノツチの中心の位置決めを行
なっている。 従って、比較的短時間で位置決めを行なうことができる
し、高速回転から減速停止するときにウェハどウェハ駆
動ローラ間でスリップが起っても影響が生じない。 さらに、本実施例では、ウェハを照光している照明光源
10より出た光は、集光レンズ12により、ウェハ而」
−にて長手方向がウェハの半径方向となるよう<1長方
形に集光されるため、この光を観測することでウェハの
端部の形状の変化を正確に得ることができ、正しく位置
決めを行なうことができる。 なお、このような集光レンズとして、シリンドリカルレ
ンズ等を用いれば、照明光源10から出た光を簡lit
に長方形に集光することができる。第3図は、集光レン
ズとしてシリンドリカルレンズを用いた位置決め装置の
ウェハ端部検出系の斜視図である。 水実茄例では、全体のシーケンス制御にシーケンサ12
0を用いており、ざらにウェハ1回転の検出、ノツチ判
定およびノツチ中心検出等にそれぞれハードウェアによ
るカウンタやコンパレータ、設定器を設けているが、こ
れに限ることなく、マイクロコンピュータを使用するこ
ともできる。りなわら、シーケンス制御、ウェハ1回転
の検出、ノツチ判定およびノツチ中心検出等はマイクロ
コンピュータのソフトウェアとマイクロコンピュータに
接続されたメモリーヒのソフト的なカウンタにより行な
うこともできる。 また、本実施例にJ3いては、ウェハの端部の形状の変
化を検出する光電素子101としてフォトディテクタを
使用しているが、これはCODのようなフォトアレイで
も良いし、lT■のような1次元以上の光電素子に置き
代えても良い。さらに、七−夕としてパルスモータを使
用することもできる。このような場合、パルスエンコー
ダ114は不要となる。 [発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、ウエハ等の円板
物体の端部の形状の変化を検出する光電素子の出力を所
定のスライスレベルで2値化し、それにより15ノられ
たパルスの+l」を所定値と比較づることによりノツプ
部分に対応するパルスであるか否かを判定して、微小切
欠きに対応するものど判定したパルスの中心に対応する
円板上の位置を所定箇所に合せて円板物体を停止するよ
うにしているので、ノツチ部における位置決めを行なう
ことができる。また、外力を加えながら円板物体を回転
させることもないので、円板物体を破10することがな
く、ノツプを検出するまでは円板物体を高速で回転さU
oることができるので、比較的短時間で位置決めを行な
うことができる。さらに、ノツチとオリフラの両省を備
えた円板物体の位置決めにおいては、ノツチとオリフラ
の両省を正確に区別してノツチ部での位置決めを行なう
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例に係る位置決め装置の外観
図、 第2図は、−に記実施例の装置の平面図および側面図、 第3図は、上記実施例の装置の制御系を示づブロック図
、 第4図は、上記実施例のVt首の動作のシーケンスを示
すノ[]−チャート、 第55図は、第3図の各部の信号の波形を示すタイムチ
1フー8図、 第6図は、集光レンズとしてシリンドリカルレンズを用
いた位置決め装置のウェハ端部検出系の斜視図、 第7図は、ノツチおよびオリフラを備えたウェハの平面
図、 第8図は、ビンをウェハに押しつけながら位置決めを行
なう様子を示す平面図である。 9:ノツチセンサユニット、10:照明光源、12:集
光レンズ、101:光電素子、102:ブリアンプ、1
03,106,112 :コンパレータ、104:ピー
ク値検出回路、 10!1,108,111 :カウンタ、107,11
3 :設定置、110.117 :スイッチ、   1
09:1/2分周器、114:バルスジIネレータ、1
15:モータ、1する;ドライバ、     120:
シーケンサ、122ニレベルシフタ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、周囲の一部に微小切欠きを設けた円板物体を回転す
    る手段と、 該微小切欠きが位置すべき所定箇所に配置され、該円板
    物体を回転した際に該円板物体の端部の形状の変化を検
    出する一対の照明光源および光電素子と、 該円板物体の回転時の該光電素子の出力を所定のスライ
    スレベルで2値化する手段と、 該2値化手段により得られたパルスの巾を所定値と比較
    することにより該微小切欠きに対応するパルスであるか
    否かを判定する手段と、 該判定手段により該微小切欠きに対応するものと判定し
    たパルスの中心に対応する円板物体上の位置を上記所定
    箇所に合せて該円板物体を停止させる回転制御手段とを
    具備することを特徴とする円板物体の位置決め装置。 2、前記2値化手段は、前記円板物体が少なくとも1回
    転した際の前記光電素子の出力のピーク値を求め、該ピ
    ーク値から自動的に決定したスライスレベルを基に2値
    化を行なうものである特許請求の範囲第1項記載の円板
    物体の位置決め装置。
JP60183972A 1985-08-23 1985-08-23 円板物体の位置決め装置 Pending JPS6245142A (ja)

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JP60183972A JPS6245142A (ja) 1985-08-23 1985-08-23 円板物体の位置決め装置
US06/898,222 US4853880A (en) 1985-08-23 1986-08-20 Device for positioning a semi-conductor wafer

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04320043A (ja) * 1991-04-18 1992-11-10 Hitachi Electron Eng Co Ltd Vノッチウエハの位置決め機構

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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