JPS6243154A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6243154A JPS6243154A JP18240785A JP18240785A JPS6243154A JP S6243154 A JPS6243154 A JP S6243154A JP 18240785 A JP18240785 A JP 18240785A JP 18240785 A JP18240785 A JP 18240785A JP S6243154 A JPS6243154 A JP S6243154A
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- semiconductor chip
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- layer
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
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- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
0) 産業上の利用分野
本発明は半導体チップを収納するパッケージに特徴を有
する半導体装置に関する。
する半導体装置に関する。
(ロ)従来の技術
一般に特にセラミックパッケージの場合、積層構造をな
し、その従来例の平面図を第4図に示し。
し、その従来例の平面図を第4図に示し。
その分解斜視図を第3図に示す。同図のパッケージは底
板となる第16(1)、ボンデング枠となる第21)(
2+、及びガード枠となる第3 n(3+からなる3層
構造であり、第2層(2)と第6層(3)の中央の開口
部の)と(5)とによって形成される凹部内に半1体チ
ップ(しく1示せず)が収納され、このチップのボンデ
ングパッドと上記i 2脂f21の開口部(D)周囲の
インナーリード(旬とがボンデング配線されるのである
。
板となる第16(1)、ボンデング枠となる第21)(
2+、及びガード枠となる第3 n(3+からなる3層
構造であり、第2層(2)と第6層(3)の中央の開口
部の)と(5)とによって形成される凹部内に半1体チ
ップ(しく1示せず)が収納され、このチップのボンデ
ングパッドと上記i 2脂f21の開口部(D)周囲の
インナーリード(旬とがボンデング配線されるのである
。
斯様なパブケージに半導体チップを組み込む時パッケー
ジの第21)+21のインナーリードの内1例えば28
pinのパッケージの方角部の1.14゜15.28番
ビンの対角する一対のインナーリードを特殊な形状、こ
の場合丸tP形状(PI )(P2)として、これをオ
ートダイボンダーで読みとり1位置検出を行なう平で、
パッケージの凹部内の適正な位置に半導体チップを自動
的にグイボンデングしていた。
ジの第21)+21のインナーリードの内1例えば28
pinのパッケージの方角部の1.14゜15.28番
ビンの対角する一対のインナーリードを特殊な形状、こ
の場合丸tP形状(PI )(P2)として、これをオ
ートダイボンダーで読みとり1位置検出を行なう平で、
パッケージの凹部内の適正な位置に半導体チップを自動
的にグイボンデングしていた。
この時の位置合せは1通常の半導体装置の場合。
電気的配線が可能であれば、それほど問題とならないが
、イメージセンサの如きセンサ装置の場合外的な被セン
ナ物、例えば光学偉を正確な位置でセンスしなければな
らないので、この場合、パッケージと固定基板との位置
合せには高い精度が要求される。この為、第3図、第4
図の如き従来パッケージではプリント基板に設けられる
位置合せ用の2本のビン(図示せず)と嵌合するべき穴
(Hj)(H2)が底板となる第1 @(1)に設けら
れている。又、第21)1.第3層のこの位置には、渠
1@の位置合せ用の穴(at)(Hz)を貫通する上記
各ビンを逃す為の切り欠き(イ)囚が設けられている。
、イメージセンサの如きセンサ装置の場合外的な被セン
ナ物、例えば光学偉を正確な位置でセンスしなければな
らないので、この場合、パッケージと固定基板との位置
合せには高い精度が要求される。この為、第3図、第4
図の如き従来パッケージではプリント基板に設けられる
位置合せ用の2本のビン(図示せず)と嵌合するべき穴
(Hj)(H2)が底板となる第1 @(1)に設けら
れている。又、第21)1.第3層のこの位置には、渠
1@の位置合せ用の穴(at)(Hz)を貫通する上記
各ビンを逃す為の切り欠き(イ)囚が設けられている。
(ハ)発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上述の如き従来のパッケージ構造では、
特にセラミックパッケージの場合では。
特にセラミックパッケージの場合では。
第1鳩、第2層、並びに第3層の各層間に位置ずれが発
生しやすい。従って、たとえ半導体チップと第2層(2
+、及び第1 m(1)とプリント基板との位置合せが
正確に行なわれたとしても、この第1@+1)と第1)
+2]との位置ずれにより、プリント基板に対する半導
体チップの相対的位置がずれてしまい、イメージセンナ
装置の場合には、適正な光学軸上にイメージセンスを行
なう半導体チップを配置できなくなり、イメージセンス
機能を損なう不都合がちった。
生しやすい。従って、たとえ半導体チップと第2層(2
+、及び第1 m(1)とプリント基板との位置合せが
正確に行なわれたとしても、この第1@+1)と第1)
+2]との位置ずれにより、プリント基板に対する半導
体チップの相対的位置がずれてしまい、イメージセンナ
装置の場合には、適正な光学軸上にイメージセンスを行
なう半導体チップを配置できなくなり、イメージセンス
機能を損なう不都合がちった。
に)問題点を解決するための手段
本発明の半導体装置は、多1構造のパッケージを有し、
該パッケージは半導体チップの位置決めを行なう為のマ
ークあるいはガイド部と、該パブケージとtEO定基板
基板位置合せ部とを同−判に設は念ものである。
該パッケージは半導体チップの位置決めを行なう為のマ
ークあるいはガイド部と、該パブケージとtEO定基板
基板位置合せ部とを同−判に設は念ものである。
(ホ)作 用
本発明の半導体装置によれば、半導体チップ及び固定基
板の両者とのパブケージの位置合せ手段バ、パッケージ
を構成する判の円の同−一に共に設けられているので、
パッケージの各層間の相対的位置ずれの影響を受けずに
半導体チップと固定基板間の位置合せが行なえろ。
板の両者とのパブケージの位置合せ手段バ、パッケージ
を構成する判の円の同−一に共に設けられているので、
パッケージの各層間の相対的位置ずれの影響を受けずに
半導体チップと固定基板間の位置合せが行なえろ。
(へ)実施例
第1図に本発明半導体装置に用いられるパッケージの一
実施例の分解斜視図を示す。同図のパッケージは従来例
と同様に第1層ell、第2層(支)、及び第3r@艶
の5層構造をなすセラミックパッケージであり、従来例
と異なる所は、半導体チップ(図示せず)との位置決め
を行なう為のマークとしての特定のインナーリード(ト
)の2つの丸印(Pt)(P2)を設けた第2IilT
:Aと同一層に、固定基板としてのプリント基板との位
置決めを行なう為の2つの穴(Hl)(H2)を設けた
点にある。
実施例の分解斜視図を示す。同図のパッケージは従来例
と同様に第1層ell、第2層(支)、及び第3r@艶
の5層構造をなすセラミックパッケージであり、従来例
と異なる所は、半導体チップ(図示せず)との位置決め
を行なう為のマークとしての特定のインナーリード(ト
)の2つの丸印(Pt)(P2)を設けた第2IilT
:Aと同一層に、固定基板としてのプリント基板との位
置決めを行なう為の2つの穴(Hl)(H2)を設けた
点にある。
詳しくは、半導体チップが収納される凹部を形作る該第
2層(支)の開口部の)の周囲の対角位置のインナーリ
ード(υに、半導体チップのダイボンド時の位置合せマ
ークとなる丸印(PI)CF2)が設けられると共に、
斯るパッケージの長手方向の両端部に該当する該第II
の箇所にプリント基板から植立している位置合せ用のビ
ン(図示せず)が嵌合する穴(Hl)(H2)が設けら
れているのである。尚、ガード枠となる第1層0のと底
板となる第31)(+Q)の長手方向の両端部には上述
の第2層の穴(Hl)(H2)を貫通するプリント基板
のビンを逃がす為の切り欠も(K)(イ)が設けられて
いる。
2層(支)の開口部の)の周囲の対角位置のインナーリ
ード(υに、半導体チップのダイボンド時の位置合せマ
ークとなる丸印(PI)CF2)が設けられると共に、
斯るパッケージの長手方向の両端部に該当する該第II
の箇所にプリント基板から植立している位置合せ用のビ
ン(図示せず)が嵌合する穴(Hl)(H2)が設けら
れているのである。尚、ガード枠となる第1層0のと底
板となる第31)(+Q)の長手方向の両端部には上述
の第2層の穴(Hl)(H2)を貫通するプリント基板
のビンを逃がす為の切り欠も(K)(イ)が設けられて
いる。
従って、上述の如き構造のパブケージを用いて例えばイ
メージセンナ装置を構成した場合、半導体チップのダイ
ボンド精度を士&簡、プリント基も→baa)−の精度
でしか、イメージセンナの撮像中心と光学軸との位置合
せができ々かったがこれを±(& + b ) w+に
改善できるのである。尚ここでの定数の代表的な値は、
ILWα1.bMQ。
メージセンナ装置を構成した場合、半導体チップのダイ
ボンド精度を士&簡、プリント基も→baa)−の精度
でしか、イメージセンナの撮像中心と光学軸との位置合
せができ々かったがこれを±(& + b ) w+に
改善できるのである。尚ここでの定数の代表的な値は、
ILWα1.bMQ。
1、Qwmα2である。
上述の実施例に於いては、パッケージの第21囚と半導
体チップとの位置合せをオートダイボンダを用いた時の
位置合せマークによって行なっているが、第2図に示す
如(、!21)1■の開口部の)の周端の隣り合う2辺
にガイド片(G)(Glを設け、このガイド片(G)(
(1に半導体チップの2側辺を当接せしめてこれ等の位
置合せを行なうようにする事も可能である。
体チップとの位置合せをオートダイボンダを用いた時の
位置合せマークによって行なっているが、第2図に示す
如(、!21)1■の開口部の)の周端の隣り合う2辺
にガイド片(G)(Glを設け、このガイド片(G)(
(1に半導体チップの2側辺を当接せしめてこれ等の位
置合せを行なうようにする事も可能である。
(ト)効 果
本発明の半導体)〜・償ば、vtp−の説明から明らか
な如く、積1i’4構造のパqケージの間一層に、半導
体チップの位置決めの7)のマークあるいはガイド部と
共に、り・1定基板との位置合せ部とを設けているので
、パッケージの各顔量の相対的位i古ずれがあったとし
ても、この位置ずれの悪影響を受ける事なく、半導体チ
ップと固定基板間の位置合せを正確に行なう事ができる
。従って本鞘明によればイメージセンサの如きセンサ装
置の位置合せ精度の大巾な向とが図れ、この種装置の依
頼性の向上に寄与する所は大きい。
な如く、積1i’4構造のパqケージの間一層に、半導
体チップの位置決めの7)のマークあるいはガイド部と
共に、り・1定基板との位置合せ部とを設けているので
、パッケージの各顔量の相対的位i古ずれがあったとし
ても、この位置ずれの悪影響を受ける事なく、半導体チ
ップと固定基板間の位置合せを正確に行なう事ができる
。従って本鞘明によればイメージセンサの如きセンサ装
置の位置合せ精度の大巾な向とが図れ、この種装置の依
頼性の向上に寄与する所は大きい。
第1図は、本発明の半導体装置に用いられるパッケージ
構造の一実施例を示す分解斜視図、第2図は本発明装置
に用いられるパッケージ構造の他。 の実施例を示す要部斜視図、第3図及び第4因は従来の
パッケージを示す分解斜視図、及び平面図である。 (1)(101・・・第1j凶、(2)■・・・第2輸
、(3)■・・・第3麺。 (Pl)(P2)・・・丸印、(Hl)(H2)・・・
穴。 (G)(G)・・・ガイド片。
構造の一実施例を示す分解斜視図、第2図は本発明装置
に用いられるパッケージ構造の他。 の実施例を示す要部斜視図、第3図及び第4因は従来の
パッケージを示す分解斜視図、及び平面図である。 (1)(101・・・第1j凶、(2)■・・・第2輸
、(3)■・・・第3麺。 (Pl)(P2)・・・丸印、(Hl)(H2)・・・
穴。 (G)(G)・・・ガイド片。
Claims (1)
- (1)多層構造体をなすパッケージの中央の凹部内に半
導体チップを収納し、該パッケージを固定基板に固定す
る半導体装置に於いて、該パッケージは半導体チップの
位置決めを行なう為のマークあるいはガイド部と、該パ
ッケージと上記固定基板との位置合せ部と、を同一層に
設けた事を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18240785A JPS6243154A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18240785A JPS6243154A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6243154A true JPS6243154A (ja) | 1987-02-25 |
Family
ID=16117758
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18240785A Pending JPS6243154A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6243154A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4924297A (en) * | 1987-07-22 | 1990-05-08 | Director General, Agency Of Industrial Science And Technology | Semiconductor device package structure |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5519837A (en) * | 1978-07-27 | 1980-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor container |
JPS5661147A (en) * | 1979-10-23 | 1981-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
JPS5638467B2 (ja) * | 1977-03-14 | 1981-09-07 | ||
JPS5910264A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-19 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP18240785A patent/JPS6243154A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5638467B2 (ja) * | 1977-03-14 | 1981-09-07 | ||
JPS5519837A (en) * | 1978-07-27 | 1980-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor container |
JPS5661147A (en) * | 1979-10-23 | 1981-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
JPS5910264A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-19 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4924297A (en) * | 1987-07-22 | 1990-05-08 | Director General, Agency Of Industrial Science And Technology | Semiconductor device package structure |
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