JPS6242535A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6242535A JPS6242535A JP18227985A JP18227985A JPS6242535A JP S6242535 A JPS6242535 A JP S6242535A JP 18227985 A JP18227985 A JP 18227985A JP 18227985 A JP18227985 A JP 18227985A JP S6242535 A JPS6242535 A JP S6242535A
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- JP
- Japan
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- wafer
- oxide film
- chamber
- semiconductor device
- microwaves
- Prior art date
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- Pending
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
マイクロ波を用い、従来の熱による酸化膜成長ではなく
、低温プロセスによって速い成長速度でウェハ酸化膜を
成長させる方法である。
、低温プロセスによって速い成長速度でウェハ酸化膜を
成長させる方法である。
本発明は半導体装置の製造方法に関するもので、さらに
詳しく言えば低温プロセスにより速い速度でウェハに酸
化膜を成長する方法に関するものである。
詳しく言えば低温プロセスにより速い速度でウェハに酸
化膜を成長する方法に関するものである。
シリコン酸化膜は半導体製造技術で重要な役割を果して
いるものであり、シリコン酸化膜を成長させる技術は半
導体素子製造のための主要な技術の一つである。
いるものであり、シリコン酸化膜を成長させる技術は半
導体素子製造のための主要な技術の一つである。
シリコン酸化膜を形成するには、熱酸化の如くシリコン
ウェハ（以下単にウェハという）自体が酸化される方式
と、気相成長やスパッタリングのようにウェハ自体は酸
化されず、ウェハ表面にシリコン酸化膜を堆積する方式
とがある。
ウェハ（以下単にウェハという）自体が酸化される方式
と、気相成長やスパッタリングのようにウェハ自体は酸
化されず、ウェハ表面にシリコン酸化膜を堆積する方式
とがある。
熱酸化は特性が良く、酸化方法としてはスチーム酸化法
、ドライ ０２酸化法、ウェット０２酸化法などがある
。なお、熱酸化膜は、主として不純物拡散のマスク、素
子の表面を保護するパンシベーション膜、ＭＯＳ ｌ−
ランジスタのゲート酸化膜のような能動素子の一部、な
どとして用いられる。
、ドライ ０２酸化法、ウェット０２酸化法などがある
。なお、熱酸化膜は、主として不純物拡散のマスク、素
子の表面を保護するパンシベーション膜、ＭＯＳ ｌ−
ランジスタのゲート酸化膜のような能動素子の一部、な
どとして用いられる。
ドライ ０２酸化には第２図に示す装置が用いられ、ド
ライ ０２ ｆＩＩ化での酸化速度（酸化時間と膜厚の
関係）は第３図の線図に示される。第２図において、２
１はＳｉウェハ、２２は炉芯管、２３は酸化炉、２４は
０２を濾過するためのフィルタ、２５はニードルパルプ
、２６は流量計を示し、第３図において・横軸には時間
を分でとり、縦軸には酸化膜厚をμｍでとる。
ライ ０２ ｆＩＩ化での酸化速度（酸化時間と膜厚の
関係）は第３図の線図に示される。第２図において、２
１はＳｉウェハ、２２は炉芯管、２３は酸化炉、２４は
０２を濾過するためのフィルタ、２５はニードルパルプ
、２６は流量計を示し、第３図において・横軸には時間
を分でとり、縦軸には酸化膜厚をμｍでとる。
スチーム酸化装置は第４図に示され、２７はヒータ、２
８は高純度脱イオン水であり、スチーム酸化での酸化速
度は第５図に示される。
８は高純度脱イオン水であり、スチーム酸化での酸化速
度は第５図に示される。
（発明が解決しようとする問題点〕
上記した熱酸化法による酸化膜の成長は、常圧、高温で
のプロセスで高温を用いるにもかかわらず酸化膜の成長
速度がきわめて遅い、ドライ ０２酸化による場合、１
０００℃、６０分間で５００人程定法ある。そして、１
０００℃の高温処理をなすと、基盤に形成された不純物
拡散領域の不純物が再拡散する問題もある。
のプロセスで高温を用いるにもかかわらず酸化膜の成長
速度がきわめて遅い、ドライ ０２酸化による場合、１
０００℃、６０分間で５００人程定法ある。そして、１
０００℃の高温処理をなすと、基盤に形成された不純物
拡散領域の不純物が再拡散する問題もある。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、高温
を用いることなく、早い成長速度で酸化膜を成長する方
法を提供することを目的とする。
を用いることなく、早い成長速度で酸化膜を成長する方
法を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
第１図は本発明実施例の断面図で、同図において、１１
はマグネトロン、１２は導波管、１３はマイクロ波透過
窓、１４は０２ガス導入口、１５は排気口、１６はウェ
ハである。
はマグネトロン、１２は導波管、１３はマイクロ波透過
窓、１４は０２ガス導入口、１５は排気口、１６はウェ
ハである。
第１図において、ウェハ１６上に酸化膜を成長するには
、真空に排気されるチャンバ１７内に試料例えばウェハ
１６を配置し、チャンバ１７には０２ガスを供給すると
共にウェハ１６に対して平行にマイクロ波を導入する。
、真空に排気されるチャンバ１７内に試料例えばウェハ
１６を配置し、チャンバ１７には０２ガスを供給すると
共にウェハ１６に対して平行にマイクロ波を導入する。
（作用〕
上記した方法において、０．３〜Ｑ、５ Ｔｏｒｒの真
空度のチャンバ１７には０２ガスが供給される一方で、
ウェハ１６にはマイクロ波が加えられ、ウェハ１６のま
わりに酸素プラズマが発生し、それによって酸化膜が成
長するのである。
空度のチャンバ１７には０２ガスが供給される一方で、
ウェハ１６にはマイクロ波が加えられ、ウェハ１６のま
わりに酸素プラズマが発生し、それによって酸化膜が成
長するのである。
・以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図に示す装置に戻ると、チャンバ１７は排気口１５
から真空排気することによって、０２ガスを導入口１４
から導入する状態で０．３〜０．５ Ｔｏｒｒの真空に
保つ。ウェハ１６は酸化したい面を上にしてチャンバ１
７に配置する。マグネトロン１１で発振されたマイクロ
波は導波管１２、透過窓１３を通りウェハ１６に対して
平行に導入される。
から真空排気することによって、０２ガスを導入口１４
から導入する状態で０．３〜０．５ Ｔｏｒｒの真空に
保つ。ウェハ１６は酸化したい面を上にしてチャンバ１
７に配置する。マグネトロン１１で発振されたマイクロ
波は導波管１２、透過窓１３を通りウェハ１６に対して
平行に導入される。
第１図に示す装置でウェハ１６上に酸化膜を成長する場
合、１分間に１００人程定法成長速度で酸化膜が形成さ
れた。図示の装置では１枚ずつのウェハを処理する枚葉
式で、従来の方式ではバッチ方式で処理されるのに対し
て不利な点があるが、それは酸化膜の成長速度が数十倍
と高いことによってカバーされる。
合、１分間に１００人程定法成長速度で酸化膜が形成さ
れた。図示の装置では１枚ずつのウェハを処理する枚葉
式で、従来の方式ではバッチ方式で処理されるのに対し
て不利な点があるが、それは酸化膜の成長速度が数十倍
と高いことによってカバーされる。
本発明の利点は低温で酸化膜が成長しうろことであり、
例えばＭＯＳデバイスのゲート酸化膜の形成に有利であ
る。すなわち、ＭＯＳデバイスにおいて、既に形成され
たソース・ドレイン領域の不純物が高温処理により再拡
散するおそれなしに、所望の膜厚のゲート酸化膜が同速
に形成されるのである。
例えばＭＯＳデバイスのゲート酸化膜の形成に有利であ
る。すなわち、ＭＯＳデバイスにおいて、既に形成され
たソース・ドレイン領域の不純物が高温処理により再拡
散するおそれなしに、所望の膜厚のゲート酸化膜が同速
に形成されるのである。
以上述べてきたように、本発明によれば、マイクロ波を
用いることにより、熱によらずに低温で酸化膜を高速に
成長することが可能となり、半導体装置の製造歩留りを
改善する効果があり、既にウェハに素子領域が形成され
ている場合に、本発明の方法は低温での処理であるので
、当該素子領域に影響を与えることがないので、信頼性
の向上にも有効である。
用いることにより、熱によらずに低温で酸化膜を高速に
成長することが可能となり、半導体装置の製造歩留りを
改善する効果があり、既にウェハに素子領域が形成され
ている場合に、本発明の方法は低温での処理であるので
、当該素子領域に影響を与えることがないので、信頼性
の向上にも有効である。
第１図は本発明実施例の断面図、
第２図はドライ ０２酸化の装置の断面図、第３図はド
ライ ０２ ｍ化での酸化速度を示す線図、 第４図はスチーム酸化装置の断面図、 第５図はスチーム酸化での酸化速度を示す線図である。 第１図において、 １１はマグネトロン、 １２は導波管、 １３はマイクロ波透過窓、 １４は０２ガスの導入口、 １５は排気口、 １６はウェハ、 １７はチャンバである。 木売８８突廻例断面回 第１図 Ｈ５イＯ，ａｌＬｔＬ−＠ 第２図
ライ ０２ ｍ化での酸化速度を示す線図、 第４図はスチーム酸化装置の断面図、 第５図はスチーム酸化での酸化速度を示す線図である。 第１図において、 １１はマグネトロン、 １２は導波管、 １３はマイクロ波透過窓、 １４は０２ガスの導入口、 １５は排気口、 １６はウェハ、 １７はチャンバである。 木売８８突廻例断面回 第１図 Ｈ５イＯ，ａｌＬｔＬ−＠ 第２図
Claims (1)
- 真空に排気される一方で酸素ガスが供給されるチャンバ
（１７）内に試料（１６）を配置し、該試料に対し平行
にマイクロ波を導入することにより試料表面に酸化膜を
成長することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18227985A JPS6242535A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18227985A JPS6242535A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242535A true JPS6242535A (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=16115491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18227985A Pending JPS6242535A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242535A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6171890B1 (en) | 1993-07-27 | 2001-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP18227985A patent/JPS6242535A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6171890B1 (en) | 1993-07-27 | 2001-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US6599359B2 (en) | 1993-07-27 | 2003-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
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