JPS60147124A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS60147124A JPS60147124A JP59003761A JP376184A JPS60147124A JP S60147124 A JPS60147124 A JP S60147124A JP 59003761 A JP59003761 A JP 59003761A JP 376184 A JP376184 A JP 376184A JP S60147124 A JPS60147124 A JP S60147124A
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- JP
- Japan
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- oxygen
- hydrogen
- atmosphere
- oxidation
- chemical equivalent
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半導体装置の製造方法に関し、％に半導体基板
を高温で酸化するにあたシ自由に酸化速度を変化させて
酸化膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関
する。
を高温で酸化するにあたシ自由に酸化速度を変化させて
酸化膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関
する。
（従来技術）
半導体装置は非常に多くの処理プロセスを経て製造され
る。それらの工程の中に通常何回かの高温で酸化する工
程が含まれる。
る。それらの工程の中に通常何回かの高温で酸化する工
程が含まれる。
この酸化膜を形成する方法は従来乾燥酸素気流中による
方法、又は、水を沸騰させて、その水蒸気←はとんど飽
和）１導入する方法、あるいは酸素と水素を化学当量分
混合して反応させ、発生した水蒸気（はとんど飽和）を
導入する方法が主として行なわれている。
方法、又は、水を沸騰させて、その水蒸気←はとんど飽
和）１導入する方法、あるいは酸素と水素を化学当量分
混合して反応させ、発生した水蒸気（はとんど飽和）を
導入する方法が主として行なわれている。
しかし、乾燥酸素による方法は酸化速度が非常に遅く、
一方水蒸気による方法は酸化速度が非常に速いという大
きな条件の差がある。”又、従来の拡散工程では不純物
のデポジット工程と押込み酸化工程が行なわれ、しかも
上記酸化方法が用いられているのが一般的である。従っ
て、特定温度で一定時間処理するとき、半導体素子の電
気的特性を左右する不純物の熱拡散条件と酸化膜厚形成
条件をそれぞれ独立して選択する自由を持てなかった。
一方水蒸気による方法は酸化速度が非常に速いという大
きな条件の差がある。”又、従来の拡散工程では不純物
のデポジット工程と押込み酸化工程が行なわれ、しかも
上記酸化方法が用いられているのが一般的である。従っ
て、特定温度で一定時間処理するとき、半導体素子の電
気的特性を左右する不純物の熱拡散条件と酸化膜厚形成
条件をそれぞれ独立して選択する自由を持てなかった。
（発明の目的）
本発明の目的は、上記欠点を除去し、広範囲に酸化速度
を制御でき、それによシ半導体素子の不純物熱拡散条件
と酸化速度条件を分離独立して選ぶことができ、又特定
条件の選択により単結晶歪の抑制にも寄与できる半導体
装置の製造方法を提供することにある。
を制御でき、それによシ半導体素子の不純物熱拡散条件
と酸化速度条件を分離独立して選ぶことができ、又特定
条件の選択により単結晶歪の抑制にも寄与できる半導体
装置の製造方法を提供することにある。
（発明の構成）
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板を高温で
酸化して酸化膜を形成する半導体装置の製造方法におい
て、酸化雰囲気として導入するガス全一定量の酸素に対
して水素量ｅＯから化学当量まで自由に選択して酸化す
る工程を含むことによシ構成される。
酸化して酸化膜を形成する半導体装置の製造方法におい
て、酸化雰囲気として導入するガス全一定量の酸素に対
して水素量ｅＯから化学当量まで自由に選択して酸化す
る工程を含むことによシ構成される。
（実施例）
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の実施に使用する酸化装置の斜視図であ
る。第１図において、石英よシなる炉心管３の一方には
酸素導入管１及び水素導入管２が設置され、炉心管３の
外側には加熱用の電気ヒーター４が設けられている。こ
の図には表示されていないがガス導入管には調節弁が設
けられガス導大量を加減出来るようになされている。
る。第１図において、石英よシなる炉心管３の一方には
酸素導入管１及び水素導入管２が設置され、炉心管３の
外側には加熱用の電気ヒーター４が設けられている。こ
の図には表示されていないがガス導入管には調節弁が設
けられガス導大量を加減出来るようになされている。
本発明の一実施例は次の工程によシ実施することができ
る。
る。
先ず、乾燥酸素を酸素導入管１よシ一定量送入し、一方
水素導入管２より酸素に対し化学当量分までの水素の選
定された量を送シ込みその導入管の噴出口に点火し酸素
と反応させる。その後電気ヒーターに通電し特定の温度
に昇温させる。すなわち一定量の酸素に対し水素量ｅＯ
から化学当量まで選択することにより乾燥酸素雰囲気よ
り飽和水蒸気雰囲気まで段階的に調節することができる
。
水素導入管２より酸素に対し化学当量分までの水素の選
定された量を送シ込みその導入管の噴出口に点火し酸素
と反応させる。その後電気ヒーターに通電し特定の温度
に昇温させる。すなわち一定量の酸素に対し水素量ｅＯ
から化学当量まで選択することにより乾燥酸素雰囲気よ
り飽和水蒸気雰囲気まで段階的に調節することができる
。
雰囲気、温度が一定に保持されたならば開放端よりサセ
プタに保持されたウェーハを送入しウェーハ表面に酸化
膜を形成する。
プタに保持されたウェーハを送入しウェーハ表面に酸化
膜を形成する。
今−例として特定の温度’ｔ１０００℃とし、処理時間
’に３０分とし、酸化膜全形成する時、乾燥酸 ？素１
０リットル／分気流中では酸化膜の形成速度は遅く形成
される酸化膜厚は４８０人である。
’に３０分とし、酸化膜全形成する時、乾燥酸 ？素１
０リットル／分気流中では酸化膜の形成速度は遅く形成
される酸化膜厚は４８０人である。
一方、飽和型水蒸気中（水素９リットル／分。
酸素５リットル／分）では酸化速度は非常に速く、その
膜厚は３２００Ａとなる。従って、乾燥酸素と飽和型水
蒸気中で生成する酸化膜厚比は６．７倍となる。ここで
、この中間の膜厚を得る条件としては水素ｔ−ｏから９
リットル／分の間全自由に選択することにより４８０人
から３２００人までの間の望む膜厚を自由に得ることが
できる。
膜厚は３２００Ａとなる。従って、乾燥酸素と飽和型水
蒸気中で生成する酸化膜厚比は６．７倍となる。ここで
、この中間の膜厚を得る条件としては水素ｔ−ｏから９
リットル／分の間全自由に選択することにより４８０人
から３２００人までの間の望む膜厚を自由に得ることが
できる。
また１本実施例では純度の高い酸素と水素をしかも正確
な流量で導入出来るので清浄な雰囲気を安定して形成す
ることができ、特性の均一性からも有利な方法である。
な流量で導入出来るので清浄な雰囲気を安定して形成す
ることができ、特性の均一性からも有利な方法である。
従って、従来は半導体素子の不純物熱拡散条件と酸化速
度条件全分離独立して選ぶことが出来なかつ友が本発明
によれば、酸化膜生成速度を上記範囲内で自由に選択出
来るので、前記両条件を分離独立して導ぶことが可能と
なり几。例えば拡散後素子特性を変えずに酸化膜を形成
し交いときは、上記した条件で酸化速度の速い条件を選
べばよい。
度条件全分離独立して選ぶことが出来なかつ友が本発明
によれば、酸化膜生成速度を上記範囲内で自由に選択出
来るので、前記両条件を分離独立して導ぶことが可能と
なり几。例えば拡散後素子特性を変えずに酸化膜を形成
し交いときは、上記した条件で酸化速度の速い条件を選
べばよい。
一方単結晶の歪は半導体装置では大きな問題であり、そ
の発生は酸化条件にも大きく左右される。
の発生は酸化条件にも大きく左右される。
本発明によれば酸化速度全大幅に変えることが出本るの
で、これに関連する特定条件を選択すれば結晶歪も適度
に抑制することができる。
で、これに関連する特定条件を選択すれば結晶歪も適度
に抑制することができる。
（発明の効果）
以上説明したとおり、本発明によれば、広範囲に酸化速
度を制御することができ、それにょシ半導体素子の不純
物熱拡散条件と酸化速度条件全分離独立して選ぶことが
でき、又特定条件の選択により単結晶の歪も抑制するこ
とができ、特性の優れ九半導体装置を得ることが出来る
。
度を制御することができ、それにょシ半導体素子の不純
物熱拡散条件と酸化速度条件全分離独立して選ぶことが
でき、又特定条件の選択により単結晶の歪も抑制するこ
とができ、特性の優れ九半導体装置を得ることが出来る
。
第１図は本発明の実施に使用する酸化装置の斜視図であ
る。 ｌ・・・・・・酸素導入管、２・・・・・・水素導入管
、２′・・・・・・燃焼口、３・・・・・・炉心管、４
・・・・・・電気ヒーター、５・・・・・・ウェーハ、
６・・・・・・サセプタ。
る。 ｌ・・・・・・酸素導入管、２・・・・・・水素導入管
、２′・・・・・・燃焼口、３・・・・・・炉心管、４
・・・・・・電気ヒーター、５・・・・・・ウェーハ、
６・・・・・・サセプタ。
Claims (1)
- 半導３体基板を高温で酸化して酸化膜を形成する半導体
装置の製造方法において、酸化雰囲気として導入するガ
スを一定量の酸素に対して水素量を０から化学当量まで
自由に選択して酸化する工程を含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59003761A JPS60147124A (ja) | 1984-01-12 | 1984-01-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59003761A JPS60147124A (ja) | 1984-01-12 | 1984-01-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60147124A true JPS60147124A (ja) | 1985-08-03 |
Family
ID=11566156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59003761A Pending JPS60147124A (ja) | 1984-01-12 | 1984-01-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60147124A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62160718A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-16 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 半導体デバイスの製造方法 |
| JPH02177539A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-10 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 保管用保護被膜付きシリコンウエハ及びシリコンウエハの保管用保護被膜の形成方法 |
-
1984
- 1984-01-12 JP JP59003761A patent/JPS60147124A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62160718A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-16 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 半導体デバイスの製造方法 |
| JPH02177539A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-10 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 保管用保護被膜付きシリコンウエハ及びシリコンウエハの保管用保護被膜の形成方法 |
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