JPS6241403B2 - - Google Patents
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- JPS6241403B2 JPS6241403B2 JP54106243A JP10624379A JPS6241403B2 JP S6241403 B2 JPS6241403 B2 JP S6241403B2 JP 54106243 A JP54106243 A JP 54106243A JP 10624379 A JP10624379 A JP 10624379A JP S6241403 B2 JPS6241403 B2 JP S6241403B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵
抗体に関するものである。その目的とする所は、
立上がり電圧が低く、電圧非直線性に優れかつ、
直流負荷やサージ電流に対する特性変化が小さ
く、誘電特性の優れた通信機器用の電圧非直線抵
抗体を提供する所にある。 電圧非直線抵抗体（以下バリスタと称す）は通
常(1)式の特性で示される非オーム性の対称型電圧
−電流特性を示すものを云う。 Ｉ／ｉ＝（Ｖ／Ｖi）〓 (1) Ｉは素子を流れる電流通値、Ｖは素子にかかる
電圧で電流がｉアンペアの時の電圧Ｖiを立上が
り電圧と称する。通常この値はImAの時の電圧を
採る。αは非直線係数と称し、この値の大きいも
のほど特性的に優れていると云える。 従来この様な特性を示すものとして、シリコン
カーバイト・バリスタ、セレン・バリスタ、亜酸
化鉛整流器、シリコン整流器などの素子が知られ
ており、電圧安定化素子、サージ吸収素子として
使用されている。しかしながらこれらの素子は非
直線係数αが小さい、立上がり電圧が任意の値に
調整できない、小型にできにくい、サージ耐量が
小さい、価格が安くならない等の欠点を有してお
り、用途は限定されていた。 最近酸化亜鉛を主成分とし、これに酸化ビスマ
ス、酸化コバルト酸化マンガン等を添加し、焼結
したセラミツクバリスタがこれらの欠点を除去す
るものとして開発されてきた。その詳細は例えば
ジヤパニーズ・ジヤーナル・オブ・アプライド・
フイジツクス（Japanese Journal of Applied
Physics）誌1971年６号736−746ページ所載の論
文〔M.Matsuoka，“Non−ohmic Properties of
Zine Oxide Ceramics”Japan J.Appl Phys，10
736−746（1971）〕が述べている。 この方法で確かに優れた非直線性を示すバリス
タが得られることが示されている。 しかしながら最近の半導体化された電子機器等
のサージ保護素子としては立上がり電圧が50V以
下で非直線係数が20以上のものが要望されてい
る。しかしながら従来の酸化亜鉛バリスタでは立
上がり電圧が50V以下のものではαが10以下のも
のしか実用に耐えるものがなかつた。 また仮にαの初期値が大きくても多数回のサー
ジ電流や直流負荷を印加すると立上がり電圧が低
下し、αも小さくなつてしまうという特性劣化の
問題があつた。 酸化亜鉛を主成分としたセラミツクバリスタの
負荷寿命特性やサージ耐量を改善する試みとし
て、焼結体表面にガラスフリツトを塗布する方法
ないしは、特開昭52−54994，52−54995等に記載
されたような酸化銀を含有させたホウケイ酸ビス
マスガラスフリツトを添加する方法がある。そし
てこれらの方法によつて、高温負荷寿命特性の改
善および８×20μsec程度のパルス巾の短いサー
ジに対する寿命特性は改善されている。 しかしながら実用上は、この様な巾の短いパル
スに対する特性と同時に10000μsecないしは
100000μsec程度のパルス巾で10〜50アンペアの
パルスが多数回印加される頻度も格段に高い。こ
の様な長いパルスに対しては従来のバリスタの立
上がり電圧の変化は大きく、実用上限界を越えた
ものしかなかつた。サージパルス印加による特性
変化は通常1mAの電流値における電圧変化率△
Ｖ／ＶnAで評価されてきた。しかし、ガラスフリ
ツトを添加する方法によつても△Ｖ／Ｖ1nAの値
のみならず更に電流の小さい領域例えば10μＡで
の電圧変化率△Ｖ／Ｖ10〓Aが大きすぎる欠点が
あつた。 直流負荷に対してもサージパルスに対すると同
様の立上がり電圧の減少が生ずる欠点があり、バ
ルスタの実用上の難点の１つであつた。 これらのサージパルスた直流負荷に対する△
Ｖ／Ｖ1nAは実用上±５％以下、△Ｖ／Ｖ10〓Aは
±20％以下が望ましい。 またバリスタの誘電率（ε）および誘電損失
（tanδ）の値を調整することも重要である。即
ち、高周波化された通信機等の電気回路中にバリ
スタを挿入した場合には、従来のバリスタでは素
子の容量や誘電損失（tanδ）が大きくなりす
ぎ、従つて、バリスタのインピーダンスは小さく
なりすぎる欠点があつた。電気回路構成上から、
誘電率および誘電損失の値はそれぞれ、1000以下
および10％以下が望まれている。 本発明はこのような欠点を除去したバリスタが
酸化亜鉛を主成分とし、酸化ビスマス、酸化コバ
ルト、酸化マンガン、酸化バナジウム、酸化サマ
リウム、と共は、チタン酸鉛を含有するホウケイ
酸鉛亜鉛ガラスフリツトを添加して得られること
を明らかにしたものである。本発明では優れた特
性が得られれた原因は、以下の実施の一例を挙げ
て具体的に明らかにする様に酸化亜鉛にビスマ
ス、コバルト、マンガン等の各酸化物を加え更に
バナジウム、サマリウムの各酸化物とチタン酸鉛
を含有させたホウケイ酸鉛亜鉛ガラスフリツトと
を同時に添加したことによる。 更にバナジウム、サヤリウムの各酸化物および
チタン酸鉛含有ホウケイ酸鉛亜鉛ガラスフリツト
の効果を述べると、以下の様になる。即ち、バナ
ジウムは負荷試験、パルス試験での1mアンペア
および10μアンペアに於る電圧変化率△Ｖ／Ｖ1n
Ａ，△Ｖ／Ｖ10〓Aの向上に有効であり、サマリウ
ムは、非直線係数の向上および負荷試験およびパ
ルス試験での△Ｖ／Ｖ1nA，△Ｖ／Ｖ10〓Aの向上
に有効である。また、チタン酸鉛含有ホウケイ酸
鉛亜鉛ガラスは、立上がり電圧を低くし、負荷試
験およびパルス試験での△Ｖ／Ｖ1nA，△Ｖ／Ｖ1
０〓Ａを小さくするのに有効である。 以下実施例に基づいて、説明する。 参照例 １ 原料は純度99.8％以上の酸化亜鉛（ZnO）を主
成分とし添加物として、酸化ビスマス（Bi2O3）、
酸化コバルト（CoO）、酸化マンガン（MnO）、
酸化サマリウム（Sm2O3）、酸化バナジウム
（V2O5）、酸化鉛（PbO）、酸化チタン（TiO2）、
酸化ケイ素（SiO2）、をそれぞれ第１表に示す様
にボールミルで46時間混合し、酸化ホウ素
（B2O3）は他の成分をボールミルで混合した後ら
いかい機で４時間乾式混合した。これにバインダ
ーとしてポリビニールアルコール（PVA）を加
え造粒機、直径約46mm厚み１mmにプレスし、1100
℃〜1300℃で１時間焼結した。これに銀焼付電極
をもうけて試料とした。 立上がり電圧Ｖ1nAおよび非直線係数αの値は
DC法ないしはカーブトレーサによつて試料の電
圧電流特性を測定して算定した。 直流通電試験は80℃の周囲温度で1.5W／cm2の
電力を100時間印加罪後の10μＡおよび1mAに於
る電圧変化率で評価した。 パルス試験は電流20Aの矩形波（パルス巾パル
ス巾20000μsec）を104回印加し、10μＡおよび
1mAにおける電圧変化率で評価した。それらの
結果を合わせて、第１表に掲げる。 【表】 【表】 参照例 ２ 前記参照例１と対比すべく別の参照例を次のよ
うに実施した。まず主成分である酸化亜鉛および
添加物のうち、酸化ビスマス、酸化コバルト、酸
化マンガン、酸化バナジウム、酸化サマリウム、
酸化鉛、酸化チタンの各酸化物およびホウケイ酸
鉛亜鉛ガラスの組成比をそれぞれ第３表および第
４表に示した量として実施した。その結果も第３
表および第４表に併記する。なお、使用したガラ
スフリツトの名称およびその組成の詳細は第２表
に示したとおりである。 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 実施例 原料として、純度99.8％以上の酸化亜鉛
（ZnO）、酸化ビスマス（Bi2O3）、酸化コパルト
（CoO）、酸化マンガン（MnO）、酸化サマリウム
（Sm2O3）、酸化バナジウム（V2O5）を第６表に示
す比率で秤量した原料総重量に対してPbTiO3を
含有するホウケイ酸鉛亜鉛ガラスフリツトを第６
表に示す重量比率で秤量し純水を用いて、ボール
ミルで混合後ポリビニールアルコールバインダー
として、造粒した。これを整粒し、直径約16mm厚
み約１mmにプレスし、1100℃〜1300℃で１時間焼
結した。これに銀焼付電極をもうけて試料とし
た。 立上がり電圧Ｖ1nAおよび非直線係数αの値は
DC法ないしはカーブトレーサによつて試料の電
圧電流特性を測定して、算定した。 直流通電試験は1.5W／cm2の電力80℃の周囲温
度で100時間印加後の10μＡおよび1mAに於る電
圧変化率で評価した。 パルス試験は電流20Aの矩形波（20000μsec）
を104回印加し、10μＡおよび1mAにおける電圧
変化率で評価した。εおよびtanδの値は1MHzの
値で評価した。こうして得られた結果も第６表に
併記した。第５表には本実施例で使用したガラス
フリツトの名称と組成をSiO2，B2O3，ZnO，
PbO、およびPbTiO3の各成分の重量比率を示
す。 第６表で示した例で明らかな様にチタン醸鉛を
含有するホウケイ酸鉛亜鉛ガラスを、酸化ビスマ
ス酸化コバルト、酸化マンガン、酸化サマリウム
酸化バナジウムと共に酸化亜鉛に添加して得られ
る本発明のバリスタはαが20以上Ｖ1nAが100V以
下直流負荷通電試験およびパルス印加試験による
電圧変化率は△Ｖ／Ｖ10〓Aで15％以下△Ｖ／Ｖ1
ｎＡが５％以下εが100以下tanδが10％以下の優れ
た特性を示すことがわかる。 この様に優れた特性が得られたのは酸化亜鉛に
単にビスマス、コバルト、マンガン、サマリウ
ム、バナジウム、チタン、鉛、ケイ素、ホウ素の
各酸化物を加えたことによるのではないことは参
照例１の各例が示している。即ち、上記各酸化物
をそれぞれ別々にして添加した場合αはいずれも
20以下でＶ1nAも100V以上で、 【表】 【表】 【表】 ある。 また一方ホウケイ酸鉛・亜鉛ガラスを添加した
ことのみによるものでもないことは、参照例２の
第３表中No.１〜No.63の例が示している。 これらの各例では参照例１と同様αが20以下で
Ｖ1nAも100Vを越えている。また、通電およびパ
ルス試験による変化率も△Ｖ／Ｖ10〓Aが15％以
上でまた△Ｖ／Ｖ1nA５％以上と大きな値であ
る。 第３表中のNo.64〜74の参照例はPbTiO3と、ホ
ウケイ酸鉛・亜鉛ガラスを同時に添加した結果を
示すが、PbTiO3とホウケイ酸鉛・亜鉛ガラスを
他の添加物と共に添加してもＶ1nAは100V以上で
あり、また、直流通電試験およびパルス試験によ
る変化率も大きな値である。また、PbTiO3だけ
を更に添加した場合は第３表のNo.75〜No.80の例で
示す様にαは10以下となり、また通電およびパル
ス試験による変化率も30％以上と大きく実用にな
らない。 更に主成物である酸化亜鉛に、酸化ビスマス、
酸化コバルト、酸化マンガン、酸化サマリウムお
よび酸化バナジウムを添加したのみのものでも参
照例である第１表中のNo.36〜〜No.58が示す様に優
れた特性は得られていない。 またホウケイ酸鉛・亜鉛ガラスと、酸化チタ
ン、および酸化鉛を他の成分と共に添加した第４
表の参照例はこの３つの酸化物を同時に添加した
ことによつても本願の示す様な優れた特性が得ら
れるわけではないことを示す。 以上述べた様に、その実施の一例を第５表及び
第６表に示した本発明は、ビスマス、コバルト、
マンガン、サマリウム、バナジウムの各酸化物と
共にチタン酸鉛を含有するホウケイ酸鉛亜鉛ガラ
スを添加して、初めて、Ｖ1nAが50V以下で直流
通電試験やサージ電流に対する特性変化が小さ
く、非直線係数が20以上で誘電率や誘電損失が実
用上有効な範囲の優れた特性の電圧非直線抵抗体
を明らかにしたものである。 それらの有効範囲は、酸化ビスマス、酸化コバ
ルト、酸化マンガン、酸化サマリウム、および酸
化バナジウムをBi2O3，CoO，MnO，Sm2O3、お
よびV2O5の形で、それぞれ、0.1〜2.0モル％0.1
〜3.0モル％、0.1〜3.0モル％、0.1〜0.5モル％お
よび0.1〜0.5モル％でチタン酸鉛含有ホウケイ酸
鉛亜鉛ガラス0.1〜10wt％である。ガラスフリツ
ト中のチタン酸鉛の含有量としては20wt％程度
までが一応有効と認められる。あまり高率にする
とガラス化が困難になるので好ましくない。0wt
％では明らかに効果がないが1wt％を越えると有
効と認められる。
抗体に関するものである。その目的とする所は、
立上がり電圧が低く、電圧非直線性に優れかつ、
直流負荷やサージ電流に対する特性変化が小さ
く、誘電特性の優れた通信機器用の電圧非直線抵
抗体を提供する所にある。 電圧非直線抵抗体（以下バリスタと称す）は通
常(1)式の特性で示される非オーム性の対称型電圧
−電流特性を示すものを云う。 Ｉ／ｉ＝（Ｖ／Ｖi）〓 (1) Ｉは素子を流れる電流通値、Ｖは素子にかかる
電圧で電流がｉアンペアの時の電圧Ｖiを立上が
り電圧と称する。通常この値はImAの時の電圧を
採る。αは非直線係数と称し、この値の大きいも
のほど特性的に優れていると云える。 従来この様な特性を示すものとして、シリコン
カーバイト・バリスタ、セレン・バリスタ、亜酸
化鉛整流器、シリコン整流器などの素子が知られ
ており、電圧安定化素子、サージ吸収素子として
使用されている。しかしながらこれらの素子は非
直線係数αが小さい、立上がり電圧が任意の値に
調整できない、小型にできにくい、サージ耐量が
小さい、価格が安くならない等の欠点を有してお
り、用途は限定されていた。 最近酸化亜鉛を主成分とし、これに酸化ビスマ
ス、酸化コバルト酸化マンガン等を添加し、焼結
したセラミツクバリスタがこれらの欠点を除去す
るものとして開発されてきた。その詳細は例えば
ジヤパニーズ・ジヤーナル・オブ・アプライド・
フイジツクス（Japanese Journal of Applied
Physics）誌1971年６号736−746ページ所載の論
文〔M.Matsuoka，“Non−ohmic Properties of
Zine Oxide Ceramics”Japan J.Appl Phys，10
736−746（1971）〕が述べている。 この方法で確かに優れた非直線性を示すバリス
タが得られることが示されている。 しかしながら最近の半導体化された電子機器等
のサージ保護素子としては立上がり電圧が50V以
下で非直線係数が20以上のものが要望されてい
る。しかしながら従来の酸化亜鉛バリスタでは立
上がり電圧が50V以下のものではαが10以下のも
のしか実用に耐えるものがなかつた。 また仮にαの初期値が大きくても多数回のサー
ジ電流や直流負荷を印加すると立上がり電圧が低
下し、αも小さくなつてしまうという特性劣化の
問題があつた。 酸化亜鉛を主成分としたセラミツクバリスタの
負荷寿命特性やサージ耐量を改善する試みとし
て、焼結体表面にガラスフリツトを塗布する方法
ないしは、特開昭52−54994，52−54995等に記載
されたような酸化銀を含有させたホウケイ酸ビス
マスガラスフリツトを添加する方法がある。そし
てこれらの方法によつて、高温負荷寿命特性の改
善および８×20μsec程度のパルス巾の短いサー
ジに対する寿命特性は改善されている。 しかしながら実用上は、この様な巾の短いパル
スに対する特性と同時に10000μsecないしは
100000μsec程度のパルス巾で10〜50アンペアの
パルスが多数回印加される頻度も格段に高い。こ
の様な長いパルスに対しては従来のバリスタの立
上がり電圧の変化は大きく、実用上限界を越えた
ものしかなかつた。サージパルス印加による特性
変化は通常1mAの電流値における電圧変化率△
Ｖ／ＶnAで評価されてきた。しかし、ガラスフリ
ツトを添加する方法によつても△Ｖ／Ｖ1nAの値
のみならず更に電流の小さい領域例えば10μＡで
の電圧変化率△Ｖ／Ｖ10〓Aが大きすぎる欠点が
あつた。 直流負荷に対してもサージパルスに対すると同
様の立上がり電圧の減少が生ずる欠点があり、バ
ルスタの実用上の難点の１つであつた。 これらのサージパルスた直流負荷に対する△
Ｖ／Ｖ1nAは実用上±５％以下、△Ｖ／Ｖ10〓Aは
±20％以下が望ましい。 またバリスタの誘電率（ε）および誘電損失
（tanδ）の値を調整することも重要である。即
ち、高周波化された通信機等の電気回路中にバリ
スタを挿入した場合には、従来のバリスタでは素
子の容量や誘電損失（tanδ）が大きくなりす
ぎ、従つて、バリスタのインピーダンスは小さく
なりすぎる欠点があつた。電気回路構成上から、
誘電率および誘電損失の値はそれぞれ、1000以下
および10％以下が望まれている。 本発明はこのような欠点を除去したバリスタが
酸化亜鉛を主成分とし、酸化ビスマス、酸化コバ
ルト、酸化マンガン、酸化バナジウム、酸化サマ
リウム、と共は、チタン酸鉛を含有するホウケイ
酸鉛亜鉛ガラスフリツトを添加して得られること
を明らかにしたものである。本発明では優れた特
性が得られれた原因は、以下の実施の一例を挙げ
て具体的に明らかにする様に酸化亜鉛にビスマ
ス、コバルト、マンガン等の各酸化物を加え更に
バナジウム、サマリウムの各酸化物とチタン酸鉛
を含有させたホウケイ酸鉛亜鉛ガラスフリツトと
を同時に添加したことによる。 更にバナジウム、サヤリウムの各酸化物および
チタン酸鉛含有ホウケイ酸鉛亜鉛ガラスフリツト
の効果を述べると、以下の様になる。即ち、バナ
ジウムは負荷試験、パルス試験での1mアンペア
および10μアンペアに於る電圧変化率△Ｖ／Ｖ1n
Ａ，△Ｖ／Ｖ10〓Aの向上に有効であり、サマリウ
ムは、非直線係数の向上および負荷試験およびパ
ルス試験での△Ｖ／Ｖ1nA，△Ｖ／Ｖ10〓Aの向上
に有効である。また、チタン酸鉛含有ホウケイ酸
鉛亜鉛ガラスは、立上がり電圧を低くし、負荷試
験およびパルス試験での△Ｖ／Ｖ1nA，△Ｖ／Ｖ1
０〓Ａを小さくするのに有効である。 以下実施例に基づいて、説明する。 参照例 １ 原料は純度99.8％以上の酸化亜鉛（ZnO）を主
成分とし添加物として、酸化ビスマス（Bi2O3）、
酸化コバルト（CoO）、酸化マンガン（MnO）、
酸化サマリウム（Sm2O3）、酸化バナジウム
（V2O5）、酸化鉛（PbO）、酸化チタン（TiO2）、
酸化ケイ素（SiO2）、をそれぞれ第１表に示す様
にボールミルで46時間混合し、酸化ホウ素
（B2O3）は他の成分をボールミルで混合した後ら
いかい機で４時間乾式混合した。これにバインダ
ーとしてポリビニールアルコール（PVA）を加
え造粒機、直径約46mm厚み１mmにプレスし、1100
℃〜1300℃で１時間焼結した。これに銀焼付電極
をもうけて試料とした。 立上がり電圧Ｖ1nAおよび非直線係数αの値は
DC法ないしはカーブトレーサによつて試料の電
圧電流特性を測定して算定した。 直流通電試験は80℃の周囲温度で1.5W／cm2の
電力を100時間印加罪後の10μＡおよび1mAに於
る電圧変化率で評価した。 パルス試験は電流20Aの矩形波（パルス巾パル
ス巾20000μsec）を104回印加し、10μＡおよび
1mAにおける電圧変化率で評価した。それらの
結果を合わせて、第１表に掲げる。 【表】 【表】 参照例 ２ 前記参照例１と対比すべく別の参照例を次のよ
うに実施した。まず主成分である酸化亜鉛および
添加物のうち、酸化ビスマス、酸化コバルト、酸
化マンガン、酸化バナジウム、酸化サマリウム、
酸化鉛、酸化チタンの各酸化物およびホウケイ酸
鉛亜鉛ガラスの組成比をそれぞれ第３表および第
４表に示した量として実施した。その結果も第３
表および第４表に併記する。なお、使用したガラ
スフリツトの名称およびその組成の詳細は第２表
に示したとおりである。 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 【表】 実施例 原料として、純度99.8％以上の酸化亜鉛
（ZnO）、酸化ビスマス（Bi2O3）、酸化コパルト
（CoO）、酸化マンガン（MnO）、酸化サマリウム
（Sm2O3）、酸化バナジウム（V2O5）を第６表に示
す比率で秤量した原料総重量に対してPbTiO3を
含有するホウケイ酸鉛亜鉛ガラスフリツトを第６
表に示す重量比率で秤量し純水を用いて、ボール
ミルで混合後ポリビニールアルコールバインダー
として、造粒した。これを整粒し、直径約16mm厚
み約１mmにプレスし、1100℃〜1300℃で１時間焼
結した。これに銀焼付電極をもうけて試料とし
た。 立上がり電圧Ｖ1nAおよび非直線係数αの値は
DC法ないしはカーブトレーサによつて試料の電
圧電流特性を測定して、算定した。 直流通電試験は1.5W／cm2の電力80℃の周囲温
度で100時間印加後の10μＡおよび1mAに於る電
圧変化率で評価した。 パルス試験は電流20Aの矩形波（20000μsec）
を104回印加し、10μＡおよび1mAにおける電圧
変化率で評価した。εおよびtanδの値は1MHzの
値で評価した。こうして得られた結果も第６表に
併記した。第５表には本実施例で使用したガラス
フリツトの名称と組成をSiO2，B2O3，ZnO，
PbO、およびPbTiO3の各成分の重量比率を示
す。 第６表で示した例で明らかな様にチタン醸鉛を
含有するホウケイ酸鉛亜鉛ガラスを、酸化ビスマ
ス酸化コバルト、酸化マンガン、酸化サマリウム
酸化バナジウムと共に酸化亜鉛に添加して得られ
る本発明のバリスタはαが20以上Ｖ1nAが100V以
下直流負荷通電試験およびパルス印加試験による
電圧変化率は△Ｖ／Ｖ10〓Aで15％以下△Ｖ／Ｖ1
ｎＡが５％以下εが100以下tanδが10％以下の優れ
た特性を示すことがわかる。 この様に優れた特性が得られたのは酸化亜鉛に
単にビスマス、コバルト、マンガン、サマリウ
ム、バナジウム、チタン、鉛、ケイ素、ホウ素の
各酸化物を加えたことによるのではないことは参
照例１の各例が示している。即ち、上記各酸化物
をそれぞれ別々にして添加した場合αはいずれも
20以下でＶ1nAも100V以上で、 【表】 【表】 【表】 ある。 また一方ホウケイ酸鉛・亜鉛ガラスを添加した
ことのみによるものでもないことは、参照例２の
第３表中No.１〜No.63の例が示している。 これらの各例では参照例１と同様αが20以下で
Ｖ1nAも100Vを越えている。また、通電およびパ
ルス試験による変化率も△Ｖ／Ｖ10〓Aが15％以
上でまた△Ｖ／Ｖ1nA５％以上と大きな値であ
る。 第３表中のNo.64〜74の参照例はPbTiO3と、ホ
ウケイ酸鉛・亜鉛ガラスを同時に添加した結果を
示すが、PbTiO3とホウケイ酸鉛・亜鉛ガラスを
他の添加物と共に添加してもＶ1nAは100V以上で
あり、また、直流通電試験およびパルス試験によ
る変化率も大きな値である。また、PbTiO3だけ
を更に添加した場合は第３表のNo.75〜No.80の例で
示す様にαは10以下となり、また通電およびパル
ス試験による変化率も30％以上と大きく実用にな
らない。 更に主成物である酸化亜鉛に、酸化ビスマス、
酸化コバルト、酸化マンガン、酸化サマリウムお
よび酸化バナジウムを添加したのみのものでも参
照例である第１表中のNo.36〜〜No.58が示す様に優
れた特性は得られていない。 またホウケイ酸鉛・亜鉛ガラスと、酸化チタ
ン、および酸化鉛を他の成分と共に添加した第４
表の参照例はこの３つの酸化物を同時に添加した
ことによつても本願の示す様な優れた特性が得ら
れるわけではないことを示す。 以上述べた様に、その実施の一例を第５表及び
第６表に示した本発明は、ビスマス、コバルト、
マンガン、サマリウム、バナジウムの各酸化物と
共にチタン酸鉛を含有するホウケイ酸鉛亜鉛ガラ
スを添加して、初めて、Ｖ1nAが50V以下で直流
通電試験やサージ電流に対する特性変化が小さ
く、非直線係数が20以上で誘電率や誘電損失が実
用上有効な範囲の優れた特性の電圧非直線抵抗体
を明らかにしたものである。 それらの有効範囲は、酸化ビスマス、酸化コバ
ルト、酸化マンガン、酸化サマリウム、および酸
化バナジウムをBi2O3，CoO，MnO，Sm2O3、お
よびV2O5の形で、それぞれ、0.1〜2.0モル％0.1
〜3.0モル％、0.1〜3.0モル％、0.1〜0.5モル％お
よび0.1〜0.5モル％でチタン酸鉛含有ホウケイ酸
鉛亜鉛ガラス0.1〜10wt％である。ガラスフリツ
ト中のチタン酸鉛の含有量としては20wt％程度
までが一応有効と認められる。あまり高率にする
とガラス化が困難になるので好ましくない。0wt
％では明らかに効果がないが1wt％を越えると有
効と認められる。
Claims (1)
- １ 酸化亜鉛を主成分とし、これに、酸化ビスマ
ス（Bi2O3）、酸化コバルト（CoO）、酸化マンガ
ン（MnO）、酸化バナジウム（V3O2）および酸化
サマリウム（Sm2O3）をそれぞれ0.1〜2.0モル
％、0.1〜2.0モル％、0.1〜3.0モル％、0.05〜0.5
モル％および0.05〜0.5モル％を含む原料に対し
て、チタン酸鉛を含有するホウケイ酸鉛亜鉛ガラ
スを重量比で0.1〜10％添加混合し、焼結して得
られる電圧非直線抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10624379A JPS5630701A (en) | 1979-08-21 | 1979-08-21 | Voltage nonnlinear resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10624379A JPS5630701A (en) | 1979-08-21 | 1979-08-21 | Voltage nonnlinear resistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5630701A JPS5630701A (en) | 1981-03-27 |
| JPS6241403B2 true JPS6241403B2 (ja) | 1987-09-02 |
Family
ID=14428664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10624379A Granted JPS5630701A (en) | 1979-08-21 | 1979-08-21 | Voltage nonnlinear resistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5630701A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5929456A (ja) * | 1982-08-12 | 1984-02-16 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1979
- 1979-08-21 JP JP10624379A patent/JPS5630701A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5630701A (en) | 1981-03-27 |
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