JPS6238300B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6238300B2 JPS6238300B2 JP57007930A JP793082A JPS6238300B2 JP S6238300 B2 JPS6238300 B2 JP S6238300B2 JP 57007930 A JP57007930 A JP 57007930A JP 793082 A JP793082 A JP 793082A JP S6238300 B2 JPS6238300 B2 JP S6238300B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- weight
- composition
- glass composition
- leakage current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 70
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 101100296544 Caenorhabditis elegans pbo-5 gene Proteins 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- 235000014692 zinc oxide Nutrition 0.000 description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 7
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 7
- BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N trizinc;diborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 6
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 3
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020443 SiO2—PbO—B2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004110 Zinc silicate Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000156 glass melt Substances 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N hydroxyformaldehyde Chemical compound O[14CH]=O BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 1
- XSMMCTCMFDWXIX-UHFFFAOYSA-N zinc silicate Chemical compound [Zn+2].[O-][Si]([O-])=O XSMMCTCMFDWXIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019352 zinc silicate Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
- C03C3/072—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
- C03C3/074—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron containing zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/04—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/10—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
- H01L23/3171—Partial encapsulation or coating the coating being directly applied to the semiconductor body, e.g. passivation layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
発明の技術分野
本発明は半導体被覆に用いられる改良したガラ
ス組成物に関するものである。 発明の技術的背景とその問題点 一般に、シリコン単結晶を素材としたダイオー
ド、サイリスタ、トランジスタ等の半導体素子は
信頼性の向上化、高耐圧化を図る目的から、PN
接合部表面をガラス層で被覆、保護する、いわゆ
るガラスパツシベーシヨン化が行なわれている。
このガラスパツシベーシヨン化に用いられるガラ
スは次に挙げられる種々の特性が要求されてい
る。 (1) ガラス被覆によつて高耐圧化が達成され、か
つ逆方向電圧印加時の漏れ電流が限度以下であ
ること。 (2) 被覆された素子を逆バイアスして熱処理す
る、いわゆるブロツキン処理に対して特性劣化
が生じないこと。 (3) 耐酸性や耐水性に優れ、フオトレジストによ
るエツチング処理工程に際して安定なこと。 (4) 熱膨張係数がシリコンに近く、被覆後のガラ
スの割れやウエハーの反りが起こり難いこと。 ところで、従来、半導体被覆用ガラスとして
は、ホウ酸亜鉛系、ケイ酸鉛系のものが使用され
ているが、これらはいずれも上述した４つの特性
を十分満足するものではない。とくに、ホウ酸亜
鉛系のガラスは耐薬品性が劣り、一方ケイ酸鉛系
のガラスは電気特性（特にBT特性）が劣る欠点
があつた。 発明の目的 本発明はホウ酸亜鉛系のガラスよりも耐薬品性
に優れ、かつケイ酸鉛系のガラスよりもBT特性
に優れ、更に分相や失透を生じることなく、シリ
コンに近い熱膨張係数を有する半導体被覆用ガラ
ス組成物を提供しようとするものである。 発明の概要 本発明は、Al2O33〜８重量％、SiO235〜45重
量％、ZnO10〜30重量％、PbO5〜30重量％、
B2O31〜10重量％、BaOとMgO、CaO及びSrOの
少なくとも１種との合計量5.5〜20重量％（但
し、合計量中のBaOは５重量％を越え、15重量％
以下の範囲）の組成の酸化物混合物からなること
を特徴とする半導体被覆用ガラス組成物である。 本発明のガラス組成物の特長は耐薬品性が極め
て高いにもかかわらず、電気特性、とりわけ温度
に対する安定性が良好であることである。例え
ば、２倍にうすめた硝酸水溶液に80℃で５分間浸
漬しても全く変質が見られず、かつシリコン基板
上にガラスの薄い層を形成させ、Alなどの電極
をその上に形成させた、いわゆるMIS素子を製作
し、1.7×105V／cmの印加電圧を175℃で10時間処
理した場合の界面電荷の変動量は２×1011／cm2以
下である。従来知られているケイ酸鉛系ガラスで
は上記耐酸性テストは満足できるが、界面電荷の
評価では、高々120℃の処理で1012／cm2以上にな
つてしまう。また、ホウ酸系ガラスでは上記の界
面チヤージテストは満足するが、耐酸性テストで
は１秒間の浸漬で１μｍ以上エツチングされてし
まう。 このように本発明のガラス組成物が高特性を示
す理由は、ガラス中のSiO2濃度が高く、かつPbO
濃度が低い組成で安定したガラスの組成を見つ出
したことにある。耐酸性を向上させるには、ガラ
ス中のSiO2濃度を高くする。例えば50モル％付
近又はそれ以上にする必要がある。しかしZnO―
B2O3―SiO2系のガラスではSiO2を高々20重量
％、モル濃度で約25％程度でガラス化範囲からは
ずれる。このため、SiO250モル％付近以上まで
安定なガラスを形成するにはどうしてもZnOの大
部分をPbOで置き換える必要があつた。しかし、
このようにすると基本組成がSiO2―PbO―B2O3
系になつてしまい電気特性の温度安定性が損なわ
れる。 そこで、本発明はBaO、SrO、CaOなどのアル
カリ土類金属酸化物をもう一つのガラス成分とし
て配合することによつて前記相反する事象を解消
した。アルカリ土類金属酸化物を一成分とした高
SiO2濃度のガラスは公知である。しかし、この
系のガラス組成物は熱膨張係数が極めて大きくな
るため、シリコンへの被覆が事実上不可能になる
こと、良好な素子特性が得られないことなどによ
り、これまで半導体被覆用のガラスとしては使用
されていなかつた。これに対し本発明はアルカリ
土類金属酸化物の配合量や配合比などを最適化
し、電気特性に悪影響を与えない範囲でPbOを配
合し、その他B2O3やAl2O3などの配合量を規制す
ることによつて、ZnOが10〜30重量％と高いにも
かかわらず、SiO2濃度が35〜45重量％と高濃度
まで安定的に配合でき、しかも熱膨張係数が５×
10-7／℃以下で、シリコンとの接着が充分可能な
既述した優れた諸特性を有する半導体被覆用ガラ
ス酸化物を得るに至つたものである。 また、上述した基本組成のガラスで充分に電気
特性に耐えるが、更にBi2O3、CeO2、In2O3、
MnO2、P2O5、Sb2O3、Ta2O5、V2O3及び、Y2O3
の少なくとも１種を２重量％以下配合することに
よつて、電気特性、特に熱的な安定性を向上でき
る。 本発明におけるガラス組成物の各成分割合を限
定した理由を以下に述べる。 (i) Al2O3 Al2O3は耐薬品性の向上、分相抑制に寄与す
るものであり、その量を３重量％未満にする
と、ガラス組成物の分相、失透を招き、かとい
つてその量が８重量％を越えると、ガラス組成
物の溶融温度が著しく高くなり、被膜形成が困
難となると共にシリコンとの界面の負電荷が多
くなり過ぎ、逆方向電圧印加時の漏れ電流が許
容限界を越える。 (ii) SiO2 SiO2は耐薬品性向上に必要な成分であり、
その量を35重量％未満にすると、耐薬品性の向
上化が充分期待できず、一方その量が45重量％
越えると、溶融温度が著しく高くなり過ぎ、被
膜形成が困難となり、更にガラス組成物の分
相、失透を誘引する。 (iii) ZnO ZnOは電気特性の向上、及び溶融温度の低下
に寄与するものである。ZnOの量を10重量％未
満にすると、電気特性の向上化、溶融温度の低
減化を充分発揮できず、一方その量が30重量％
を越えると、ガラス組成物の失透化が増大して
不安定となる。 (iv) PbO PbOは電気特性の向上とガラスの低融化、安
定化に寄与する成分である。PbOの量を５重量
％未満にすると、PbOの配合による効果が充分
期待できず、かといつてその量が30重量％を越
えると、ガラス組成物の電気特性の低下、特に
温度に対する安定性が損なわれる。 (v) B2O3 B2O3はガラス組成物の低融化、安定化に寄
与する成分である。B2O3の量を１重量％未満
にすると所期の目的である低融化、安定化の効
果充分発揮できず、かといつて10重量％を越え
ると、ガラス組成物の分相と結晶化を招く。 (vi) BaO、MgO、SrO、CaO これらのアルカリ土類金属酸化物はガラス組
成物の安定化と電気特性の向上に寄与する。
BaOとMgO、SrO、CaOのうちの少なくとも１
種との合計量を5.5重量％未満にすると、ガラ
ス組成物が失透して不安定となり、かといつて
その合計量が20重量％を越えると、ガラス組成
物の熱膨張係数が大きくなり過ぎ、シリコンに
被覆した場合、両者の熱膨張差から割れを生じ
る。また、BaOの量を５重量％以下にすると、
逆方向漏れ電流が大きくなり、かといつて15重
量％を越えると、ガラス組成物中の熱膨張係数
が大きくなると共に、溶融温度が著しく高くな
り、ガラスの製造やシリコンへの被覆が困難と
なる。 (vii) Bi2O3、CeO2、In2O3、MnO2、P2O5、
Sb2O3、Ta2O5、V2O5、Y2O3 これらの成分は電気特性を更に向上させるの
に寄与する。また、これらの成分の配合によつ
て逆方向漏れ電流の減少、BT特性の向上が見
られるが、その量（又は２種以上の量）が２重
量％を越えると、反対に逆方向漏れ電流の増加
やガラス組成物の失透を招く。 なお、本発明のガラス組成物からガラスを作製
する方法としては、通常用いられる方法がそのま
ま適用できる。即ち、高純度シリカ、アルミナ、
ホウ酸、亜鉛華、炭酸バリウム、炭酸ストロンチ
ウム、鉛丹、その他のガラス原料に用いられる各
種金属酸化物を目標組成となるように秤量、混合
し、例えば白金ルツボを用いて電気炉等で通常
1400℃以上で溶融する。つづいて、この溶融物を
撹拌させ、清澄させたガラス融液を電気炉から取
り出し、水砕、水冷ローラ等で粗粉し、更にボー
ルミル等で粉砕した後、篩を通過させることによ
り任意の粒度のガラス粉を得る。 また、本発明のガラスを半導体に被覆するに
は、上記方法で得たガラス粉を半導体素子の必要
な面に塗布した後、焼成、緻密化することにより
行なわれる。本発明のガラス組成物では例えば
325メツシユ以上の篩を通過した粉未を、電着
法、沈降法、トクターブレード法等で素子上に塗
布した後、例えば空気や酸素の雰囲気中で750〜
850℃の温度で10〜30分間焼成すればよい。 発明の実施例 実施例 １〜19 下記第１表に示す如く組成割合が夫々異なる酸
化物混合物を電気炉内の白金ルツボに収容し、
1420℃で３時間溶融して17種の半導体被覆用ガラ
スを得た。 得られた各ガラスと従来のホウ酸亜鉛系ガラス
（比較例１）、ケイ酸鉛系ガラス（比較例２）及び
本発明の組成範囲からそれるガラス（参照例１、
２）について熱膨張係数、耐薬品性（特定のガラ
スのみ）、素子に被覆した際の素子の耐圧、漏れ
電流の初期電気特性、更にBT処理による漏れ電
流の変化を調べた。その結果を同第１表、第２表
〜第４表に示す。 なお、熱膨張係数、耐薬品性、初期電気特性及
び漏れ電流の変化は次のような試験により求め
た。 (1) 熱膨張係数 干渉膨張計を使用して100〜300℃の温度下で
の平均熱膨張係数を測定した。 (2) 耐薬品性 実施例１、２、３、９、比較例１、２及び参
照例１、２のガラス組成物の塊りの一面を鏡面
研摩し、その半面をエポキシ樹脂もしくはアピ
エゾンワツクスで被つた後、第２表に示す薬品
中で裸面のエツチングを行ない、被覆面との段
差からガラス組成物のエツチング深さを求め、
耐薬品性として評価した。 (3) 初期電気特性 ボールミルで粉砕し、325メツシユの篩を通
過した各ガラス粉を図に示す如くシリコンダイ
オード素子１のpn接合部に塗布し、700〜820
℃で焼成してガラス被覆２を形成し、更に該素
子１の上面にAl電極３を形成した後、その下
面に半田電極４を形成しメサ型ダイオードを製
作した。そして、これらダイオードの耐圧（ブ
レークダウンが生じる電圧値）、並びに逆方向
に600Vの電圧を印加した時の漏れ電流を求
め、第３表に示した。 (4) BT特性 初期電気特性と同様に製作したダイオードの
うち、実施例９〜19、比較例１、２及び参照例
１、２について、印加電圧600V、温度150℃と
175℃で168時間処理するBT処理を行ない、漏
れ電流の変化を調べ、第４表に示した。
ス組成物に関するものである。 発明の技術的背景とその問題点 一般に、シリコン単結晶を素材としたダイオー
ド、サイリスタ、トランジスタ等の半導体素子は
信頼性の向上化、高耐圧化を図る目的から、PN
接合部表面をガラス層で被覆、保護する、いわゆ
るガラスパツシベーシヨン化が行なわれている。
このガラスパツシベーシヨン化に用いられるガラ
スは次に挙げられる種々の特性が要求されてい
る。 (1) ガラス被覆によつて高耐圧化が達成され、か
つ逆方向電圧印加時の漏れ電流が限度以下であ
ること。 (2) 被覆された素子を逆バイアスして熱処理す
る、いわゆるブロツキン処理に対して特性劣化
が生じないこと。 (3) 耐酸性や耐水性に優れ、フオトレジストによ
るエツチング処理工程に際して安定なこと。 (4) 熱膨張係数がシリコンに近く、被覆後のガラ
スの割れやウエハーの反りが起こり難いこと。 ところで、従来、半導体被覆用ガラスとして
は、ホウ酸亜鉛系、ケイ酸鉛系のものが使用され
ているが、これらはいずれも上述した４つの特性
を十分満足するものではない。とくに、ホウ酸亜
鉛系のガラスは耐薬品性が劣り、一方ケイ酸鉛系
のガラスは電気特性（特にBT特性）が劣る欠点
があつた。 発明の目的 本発明はホウ酸亜鉛系のガラスよりも耐薬品性
に優れ、かつケイ酸鉛系のガラスよりもBT特性
に優れ、更に分相や失透を生じることなく、シリ
コンに近い熱膨張係数を有する半導体被覆用ガラ
ス組成物を提供しようとするものである。 発明の概要 本発明は、Al2O33〜８重量％、SiO235〜45重
量％、ZnO10〜30重量％、PbO5〜30重量％、
B2O31〜10重量％、BaOとMgO、CaO及びSrOの
少なくとも１種との合計量5.5〜20重量％（但
し、合計量中のBaOは５重量％を越え、15重量％
以下の範囲）の組成の酸化物混合物からなること
を特徴とする半導体被覆用ガラス組成物である。 本発明のガラス組成物の特長は耐薬品性が極め
て高いにもかかわらず、電気特性、とりわけ温度
に対する安定性が良好であることである。例え
ば、２倍にうすめた硝酸水溶液に80℃で５分間浸
漬しても全く変質が見られず、かつシリコン基板
上にガラスの薄い層を形成させ、Alなどの電極
をその上に形成させた、いわゆるMIS素子を製作
し、1.7×105V／cmの印加電圧を175℃で10時間処
理した場合の界面電荷の変動量は２×1011／cm2以
下である。従来知られているケイ酸鉛系ガラスで
は上記耐酸性テストは満足できるが、界面電荷の
評価では、高々120℃の処理で1012／cm2以上にな
つてしまう。また、ホウ酸系ガラスでは上記の界
面チヤージテストは満足するが、耐酸性テストで
は１秒間の浸漬で１μｍ以上エツチングされてし
まう。 このように本発明のガラス組成物が高特性を示
す理由は、ガラス中のSiO2濃度が高く、かつPbO
濃度が低い組成で安定したガラスの組成を見つ出
したことにある。耐酸性を向上させるには、ガラ
ス中のSiO2濃度を高くする。例えば50モル％付
近又はそれ以上にする必要がある。しかしZnO―
B2O3―SiO2系のガラスではSiO2を高々20重量
％、モル濃度で約25％程度でガラス化範囲からは
ずれる。このため、SiO250モル％付近以上まで
安定なガラスを形成するにはどうしてもZnOの大
部分をPbOで置き換える必要があつた。しかし、
このようにすると基本組成がSiO2―PbO―B2O3
系になつてしまい電気特性の温度安定性が損なわ
れる。 そこで、本発明はBaO、SrO、CaOなどのアル
カリ土類金属酸化物をもう一つのガラス成分とし
て配合することによつて前記相反する事象を解消
した。アルカリ土類金属酸化物を一成分とした高
SiO2濃度のガラスは公知である。しかし、この
系のガラス組成物は熱膨張係数が極めて大きくな
るため、シリコンへの被覆が事実上不可能になる
こと、良好な素子特性が得られないことなどによ
り、これまで半導体被覆用のガラスとしては使用
されていなかつた。これに対し本発明はアルカリ
土類金属酸化物の配合量や配合比などを最適化
し、電気特性に悪影響を与えない範囲でPbOを配
合し、その他B2O3やAl2O3などの配合量を規制す
ることによつて、ZnOが10〜30重量％と高いにも
かかわらず、SiO2濃度が35〜45重量％と高濃度
まで安定的に配合でき、しかも熱膨張係数が５×
10-7／℃以下で、シリコンとの接着が充分可能な
既述した優れた諸特性を有する半導体被覆用ガラ
ス酸化物を得るに至つたものである。 また、上述した基本組成のガラスで充分に電気
特性に耐えるが、更にBi2O3、CeO2、In2O3、
MnO2、P2O5、Sb2O3、Ta2O5、V2O3及び、Y2O3
の少なくとも１種を２重量％以下配合することに
よつて、電気特性、特に熱的な安定性を向上でき
る。 本発明におけるガラス組成物の各成分割合を限
定した理由を以下に述べる。 (i) Al2O3 Al2O3は耐薬品性の向上、分相抑制に寄与す
るものであり、その量を３重量％未満にする
と、ガラス組成物の分相、失透を招き、かとい
つてその量が８重量％を越えると、ガラス組成
物の溶融温度が著しく高くなり、被膜形成が困
難となると共にシリコンとの界面の負電荷が多
くなり過ぎ、逆方向電圧印加時の漏れ電流が許
容限界を越える。 (ii) SiO2 SiO2は耐薬品性向上に必要な成分であり、
その量を35重量％未満にすると、耐薬品性の向
上化が充分期待できず、一方その量が45重量％
越えると、溶融温度が著しく高くなり過ぎ、被
膜形成が困難となり、更にガラス組成物の分
相、失透を誘引する。 (iii) ZnO ZnOは電気特性の向上、及び溶融温度の低下
に寄与するものである。ZnOの量を10重量％未
満にすると、電気特性の向上化、溶融温度の低
減化を充分発揮できず、一方その量が30重量％
を越えると、ガラス組成物の失透化が増大して
不安定となる。 (iv) PbO PbOは電気特性の向上とガラスの低融化、安
定化に寄与する成分である。PbOの量を５重量
％未満にすると、PbOの配合による効果が充分
期待できず、かといつてその量が30重量％を越
えると、ガラス組成物の電気特性の低下、特に
温度に対する安定性が損なわれる。 (v) B2O3 B2O3はガラス組成物の低融化、安定化に寄
与する成分である。B2O3の量を１重量％未満
にすると所期の目的である低融化、安定化の効
果充分発揮できず、かといつて10重量％を越え
ると、ガラス組成物の分相と結晶化を招く。 (vi) BaO、MgO、SrO、CaO これらのアルカリ土類金属酸化物はガラス組
成物の安定化と電気特性の向上に寄与する。
BaOとMgO、SrO、CaOのうちの少なくとも１
種との合計量を5.5重量％未満にすると、ガラ
ス組成物が失透して不安定となり、かといつて
その合計量が20重量％を越えると、ガラス組成
物の熱膨張係数が大きくなり過ぎ、シリコンに
被覆した場合、両者の熱膨張差から割れを生じ
る。また、BaOの量を５重量％以下にすると、
逆方向漏れ電流が大きくなり、かといつて15重
量％を越えると、ガラス組成物中の熱膨張係数
が大きくなると共に、溶融温度が著しく高くな
り、ガラスの製造やシリコンへの被覆が困難と
なる。 (vii) Bi2O3、CeO2、In2O3、MnO2、P2O5、
Sb2O3、Ta2O5、V2O5、Y2O3 これらの成分は電気特性を更に向上させるの
に寄与する。また、これらの成分の配合によつ
て逆方向漏れ電流の減少、BT特性の向上が見
られるが、その量（又は２種以上の量）が２重
量％を越えると、反対に逆方向漏れ電流の増加
やガラス組成物の失透を招く。 なお、本発明のガラス組成物からガラスを作製
する方法としては、通常用いられる方法がそのま
ま適用できる。即ち、高純度シリカ、アルミナ、
ホウ酸、亜鉛華、炭酸バリウム、炭酸ストロンチ
ウム、鉛丹、その他のガラス原料に用いられる各
種金属酸化物を目標組成となるように秤量、混合
し、例えば白金ルツボを用いて電気炉等で通常
1400℃以上で溶融する。つづいて、この溶融物を
撹拌させ、清澄させたガラス融液を電気炉から取
り出し、水砕、水冷ローラ等で粗粉し、更にボー
ルミル等で粉砕した後、篩を通過させることによ
り任意の粒度のガラス粉を得る。 また、本発明のガラスを半導体に被覆するに
は、上記方法で得たガラス粉を半導体素子の必要
な面に塗布した後、焼成、緻密化することにより
行なわれる。本発明のガラス組成物では例えば
325メツシユ以上の篩を通過した粉未を、電着
法、沈降法、トクターブレード法等で素子上に塗
布した後、例えば空気や酸素の雰囲気中で750〜
850℃の温度で10〜30分間焼成すればよい。 発明の実施例 実施例 １〜19 下記第１表に示す如く組成割合が夫々異なる酸
化物混合物を電気炉内の白金ルツボに収容し、
1420℃で３時間溶融して17種の半導体被覆用ガラ
スを得た。 得られた各ガラスと従来のホウ酸亜鉛系ガラス
（比較例１）、ケイ酸鉛系ガラス（比較例２）及び
本発明の組成範囲からそれるガラス（参照例１、
２）について熱膨張係数、耐薬品性（特定のガラ
スのみ）、素子に被覆した際の素子の耐圧、漏れ
電流の初期電気特性、更にBT処理による漏れ電
流の変化を調べた。その結果を同第１表、第２表
〜第４表に示す。 なお、熱膨張係数、耐薬品性、初期電気特性及
び漏れ電流の変化は次のような試験により求め
た。 (1) 熱膨張係数 干渉膨張計を使用して100〜300℃の温度下で
の平均熱膨張係数を測定した。 (2) 耐薬品性 実施例１、２、３、９、比較例１、２及び参
照例１、２のガラス組成物の塊りの一面を鏡面
研摩し、その半面をエポキシ樹脂もしくはアピ
エゾンワツクスで被つた後、第２表に示す薬品
中で裸面のエツチングを行ない、被覆面との段
差からガラス組成物のエツチング深さを求め、
耐薬品性として評価した。 (3) 初期電気特性 ボールミルで粉砕し、325メツシユの篩を通
過した各ガラス粉を図に示す如くシリコンダイ
オード素子１のpn接合部に塗布し、700〜820
℃で焼成してガラス被覆２を形成し、更に該素
子１の上面にAl電極３を形成した後、その下
面に半田電極４を形成しメサ型ダイオードを製
作した。そして、これらダイオードの耐圧（ブ
レークダウンが生じる電圧値）、並びに逆方向
に600Vの電圧を印加した時の漏れ電流を求
め、第３表に示した。 (4) BT特性 初期電気特性と同様に製作したダイオードの
うち、実施例９〜19、比較例１、２及び参照例
１、２について、印加電圧600V、温度150℃と
175℃で168時間処理するBT処理を行ない、漏
れ電流の変化を調べ、第４表に示した。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
上記第１表から明らかな如く、本発明のガラ
ス組成物（実施例１〜19）は比較例１、２、参
照例１、２と同様熱膨張係数が５×10-7／℃以
下であり、シリコン半導体への被覆が可能であ
る。 第２表から明らかな如く本発明のガラス組成
物は水、塩酸、硝酸、PAN液及び無電解メツ
キ液に対して全く侵されない。これに対し比較
例１に示した従来のケイ酸亜鉛系ガラスはこれ
らの薬品でエツチングされる。また、本発明の
ガラス組成物は40％フツ化アンモニウム、2.5
％フツ酸、10％水酸化ナトリウムに対して、比
較例２と同程度の耐薬品性を示さないが、ホウ
酸亜鉛系ガラス（比較例１）と対比すると、そ
のエツチング量は1/2〜1/30と少ない。 また、第３表から明らかな如く、本発明のガ
ラス組成物を被覆したダイオードは比較例１、
２と同様、耐圧650V、漏れ電流1000nA（いず
れも規格値）と十分満している。 更に第４表から明らかな如く、BT温度150℃
では本実施例９〜19と比較例１のガラス組成物
で被覆されたダイオードは漏れ電流の変化が全
くなく良好なBT特性を示した。これに対し、
比較例２のケイ酸鉛系ガラスで被覆されたダイ
オードは24時間のBT処理で漏れ電流の増加が
あり、168時間のBT処理後では初期値の250倍
となつた。また、BT温度175℃ではケイ酸鉛系
ガラスで被覆されたダイオードは１時間のBT
処理で漏れ電流が100倍以上になり、更に24時
間では1000倍以上になつた。実施例10、11、
13、18、19及びホウ酸亜鉛系ガラス（比較例
１）のガラスで被覆されたダイオードは漏れ電
流の増加がなく、BT特性が良好であつた。実
施例９、12、14〜17のガラス組成物で被覆され
たダイオードについても、漏れ電流の増加は実
用上差し支えない程度に小さく、BT特性が良
好であつた。また、本発明と組成的に近いが成
分割合が本発明の範囲をそれるガラスで被覆さ
れたダイオード（参照例１、２）は150℃での
BT特性は良好であるが、175℃での漏れ電流が
大きくなり、BT特性が劣る。 発明の効果 以上詳述した如く、本発明によればホウ酸亜鉛
系のガラスよりも耐薬品性に優れ、かつケイ酸鉛
系のガラスよりもBT特性に優れ、更に分相や失
透を生じることなく、シリコンに近い熱膨張係数
を有し、もつて半導体の高耐圧化、保護効果を長
期間安定的に発揮し得るガラス組成物を提供でき
るものである。
ス組成物（実施例１〜19）は比較例１、２、参
照例１、２と同様熱膨張係数が５×10-7／℃以
下であり、シリコン半導体への被覆が可能であ
る。 第２表から明らかな如く本発明のガラス組成
物は水、塩酸、硝酸、PAN液及び無電解メツ
キ液に対して全く侵されない。これに対し比較
例１に示した従来のケイ酸亜鉛系ガラスはこれ
らの薬品でエツチングされる。また、本発明の
ガラス組成物は40％フツ化アンモニウム、2.5
％フツ酸、10％水酸化ナトリウムに対して、比
較例２と同程度の耐薬品性を示さないが、ホウ
酸亜鉛系ガラス（比較例１）と対比すると、そ
のエツチング量は1/2〜1/30と少ない。 また、第３表から明らかな如く、本発明のガ
ラス組成物を被覆したダイオードは比較例１、
２と同様、耐圧650V、漏れ電流1000nA（いず
れも規格値）と十分満している。 更に第４表から明らかな如く、BT温度150℃
では本実施例９〜19と比較例１のガラス組成物
で被覆されたダイオードは漏れ電流の変化が全
くなく良好なBT特性を示した。これに対し、
比較例２のケイ酸鉛系ガラスで被覆されたダイ
オードは24時間のBT処理で漏れ電流の増加が
あり、168時間のBT処理後では初期値の250倍
となつた。また、BT温度175℃ではケイ酸鉛系
ガラスで被覆されたダイオードは１時間のBT
処理で漏れ電流が100倍以上になり、更に24時
間では1000倍以上になつた。実施例10、11、
13、18、19及びホウ酸亜鉛系ガラス（比較例
１）のガラスで被覆されたダイオードは漏れ電
流の増加がなく、BT特性が良好であつた。実
施例９、12、14〜17のガラス組成物で被覆され
たダイオードについても、漏れ電流の増加は実
用上差し支えない程度に小さく、BT特性が良
好であつた。また、本発明と組成的に近いが成
分割合が本発明の範囲をそれるガラスで被覆さ
れたダイオード（参照例１、２）は150℃での
BT特性は良好であるが、175℃での漏れ電流が
大きくなり、BT特性が劣る。 発明の効果 以上詳述した如く、本発明によればホウ酸亜鉛
系のガラスよりも耐薬品性に優れ、かつケイ酸鉛
系のガラスよりもBT特性に優れ、更に分相や失
透を生じることなく、シリコンに近い熱膨張係数
を有し、もつて半導体の高耐圧化、保護効果を長
期間安定的に発揮し得るガラス組成物を提供でき
るものである。
図はガラス膜の電気特性を評価するのに用いた
メサ型ダイオードの概略図である。 １…シリコンダイオード素子、２…ガラス膜、
３…アルミニウム電極、４…半田電極。
メサ型ダイオードの概略図である。 １…シリコンダイオード素子、２…ガラス膜、
３…アルミニウム電極、４…半田電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Al2O33〜８重量％、SiO235〜45重量％、
ZnO10〜30重量％、PbO5〜30重量％、B2O31〜10
重量％、BaOとMgO、CaO及びSrOの少なくとも
１種との合計量5.5〜20重量％（但し、合計量中
のBaOは５重量％を越え、15重量％以下の範囲）
の組成の酸化物混合物からなることを特徴とする
半導体被覆用ガラス組成物。 ２ Bi2O3、CeO2、In2O3、MnO2、P2O5、
Sb2O3、Ta2O5、V2O5及びY2O3のうちの少なくと
も１種を２重量％以下配合したことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体被覆用ガラス
組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007930A JPS58125638A (ja) | 1982-01-21 | 1982-01-21 | 半導体被覆用ガラス組成物 |
| US06/454,248 US4542105A (en) | 1982-01-21 | 1982-12-29 | Glass composition for covering semiconductor element |
| DE8383300127T DE3360684D1 (en) | 1982-01-21 | 1983-01-11 | Glass composition for covering semiconductor elements |
| EP83300127A EP0084936B1 (en) | 1982-01-21 | 1983-01-11 | Glass composition for covering semiconductor elements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007930A JPS58125638A (ja) | 1982-01-21 | 1982-01-21 | 半導体被覆用ガラス組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125638A JPS58125638A (ja) | 1983-07-26 |
| JPS6238300B2 true JPS6238300B2 (ja) | 1987-08-17 |
Family
ID=11679236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57007930A Granted JPS58125638A (ja) | 1982-01-21 | 1982-01-21 | 半導体被覆用ガラス組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4542105A (ja) |
| EP (1) | EP0084936B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58125638A (ja) |
| DE (1) | DE3360684D1 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3346685C2 (de) * | 1983-12-23 | 1985-10-24 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | Blau lumineszierende Gläser |
| DE3346686C2 (de) * | 1983-12-23 | 1986-11-27 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | Lumineszierende Gläser |
| FR2566386A1 (fr) * | 1984-06-22 | 1985-12-27 | Labo Electronique Physique | Melange de depart pour une composition isolante comprenant un verre au plomb, encre serigraphiable comportant un tel melange et utilisation de cette encre pour la protection de microcircuits hybrides sur substrat ceramique |
| NL8403076A (nl) * | 1984-10-10 | 1986-05-01 | Philips Nv | Glassamenstelling geschikt voor gebruik in een fluorescentielamp en in een beeldbuis, fluorescentielamp en beeldbuis vervaardigd onder toepassing van deze glassamenstelling. |
| US4808770A (en) * | 1986-10-02 | 1989-02-28 | General Electric Company | Thick-film copper conductor inks |
| US4733018A (en) * | 1986-10-02 | 1988-03-22 | Rca Corporation | Thick film copper conductor inks |
| US4810420A (en) * | 1986-10-02 | 1989-03-07 | General Electric Company | Thick film copper via-fill inks |
| US4772574A (en) * | 1986-10-02 | 1988-09-20 | General Electric Company | Ceramic filled glass dielectrics |
| US4808673A (en) * | 1986-10-02 | 1989-02-28 | General Electric Company | Dielectric inks for multilayer copper circuits |
| US4788163A (en) * | 1987-08-20 | 1988-11-29 | General Electric Company | Devitrifying glass frits |
| US4816615A (en) * | 1987-08-20 | 1989-03-28 | General Electric Company | Thick film copper conductor inks |
| US5298330A (en) * | 1987-08-31 | 1994-03-29 | Ferro Corporation | Thick film paste compositions for use with an aluminum nitride substrate |
| US4959330A (en) * | 1989-06-20 | 1990-09-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Crystallizable glass and thick film compositions thereof |
| WO1999012201A1 (de) * | 1997-09-03 | 1999-03-11 | Eupec Europäische Gesellschaft Für Leistungshalbleiter Mbh + Co. Kg | Feuchtigkeitsschutz für boratglashalbleiterpassivierungsschichten |
| EP1065734B1 (en) | 1999-06-09 | 2009-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Bonding type semiconductor substrate, semiconductor light emitting element, and preparation process thereof. |
| JP4039381B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2008-01-30 | コニカミノルタオプト株式会社 | ガラス組成物を用いた情報記録媒体用ガラス基板及びこれを用いた情報記録媒体 |
| CN101585660B (zh) * | 2009-06-23 | 2012-03-07 | 珠海彩珠实业有限公司 | 一种半导体钝化封装用铅硅铝系玻璃粉的制备方法 |
| WO2011093177A1 (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-04 | 日本電気硝子株式会社 | 半導体被覆用ガラスおよびそれを用いてなる半導体被覆用材料 |
| WO2013114562A1 (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-08 | 新電元工業株式会社 | 半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| CN102898028B (zh) * | 2012-09-27 | 2015-07-15 | 广州市儒兴科技开发有限公司 | 一种晶体硅太阳电池正面银浆用玻璃粉及其制备方法 |
| JP6211862B2 (ja) * | 2013-09-18 | 2017-10-11 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 光半導体装置およびその製造方法 |
| CN107673623B (zh) * | 2017-08-28 | 2020-09-15 | 广州市儒兴科技开发有限公司 | 一种双面perc铝浆用玻璃粉及其制备方法 |
| CN110806612A (zh) * | 2018-08-06 | 2020-02-18 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 滤光片及具有其的影像传感器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5497616A (en) * | 1978-01-18 | 1979-08-01 | Tokyo Shibaura Electric Co | Glass composition for coating semiconductor |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3303399A (en) * | 1964-01-30 | 1967-02-07 | Ibm | Glasses for encapsulating semiconductor devices and resultant devices |
| JPS4935043A (ja) * | 1972-08-01 | 1974-04-01 | ||
| JPS5110844B2 (ja) * | 1973-04-24 | 1976-04-07 | ||
| DE2517743C3 (de) * | 1975-04-22 | 1980-03-06 | Jenaer Glaswerk Schott & Gen., 6500 Mainz | Passivierender Schutzüberzug für Siliziumhalbleiterbauelemente |
| JPS5337715A (en) * | 1976-09-21 | 1978-04-07 | Asahi Glass Co Ltd | Sealing glass |
-
1982
- 1982-01-21 JP JP57007930A patent/JPS58125638A/ja active Granted
- 1982-12-29 US US06/454,248 patent/US4542105A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-01-11 EP EP83300127A patent/EP0084936B1/en not_active Expired
- 1983-01-11 DE DE8383300127T patent/DE3360684D1/de not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5497616A (en) * | 1978-01-18 | 1979-08-01 | Tokyo Shibaura Electric Co | Glass composition for coating semiconductor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4542105A (en) | 1985-09-17 |
| EP0084936A1 (en) | 1983-08-03 |
| JPS58125638A (ja) | 1983-07-26 |
| EP0084936B1 (en) | 1985-09-04 |
| DE3360684D1 (en) | 1985-10-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6238300B2 (ja) | ||
| US4743302A (en) | Low melting glass composition | |
| JP5086790B2 (ja) | 無鉛ガラスにより不動態化される電子部品の製造方法 | |
| CN112512983B (zh) | 半导体元件被覆用玻璃以及使用其的半导体被覆用材料 | |
| EP0258408B1 (en) | A low melting glass composition containing pbo and v 2?o 5? | |
| JPH0149653B2 (ja) | ||
| TWI809240B (zh) | 半導體元件被覆用玻璃及使用其之半導體被覆用材料 | |
| JPS6238302B2 (ja) | ||
| JP3125971B2 (ja) | 低温封着用組成物 | |
| WO2020071093A1 (ja) | 半導体素子被覆用ガラス及びこれを用いた半導体被覆用材料 | |
| JPS58184730A (ja) | 半導体被覆用ガラス組成物 | |
| CN115066404B (zh) | 半导体元件被覆用玻璃以及使用其的半导体被覆用材料 | |
| JPS5840845A (ja) | 半導体被覆用ガラス | |
| TW202411171A (zh) | 半導體元件覆蓋用玻璃、半導體元件覆蓋用材料以及半導體元件覆蓋用燒結體 | |
| JP2764880B2 (ja) | 半導体被覆用ガラス | |
| CN117923802A (zh) | 半导体器件钝化用无铅玻璃粉及其应用 | |
| JPS63502583A (ja) | 低温溶融ガラス組成物 | |
| JPS6011467B2 (ja) | ガラス被覆半導体装置およびその製法 | |
| JPS5950609B2 (ja) | 半導体被覆用ガラス | |
| JPH048385B2 (ja) | ||
| JPS6146420B2 (ja) | ||
| JPS6124343B2 (ja) | ||
| JPH0426541B2 (ja) | ||
| JPH0224373B2 (ja) | ||
| JPH02296748A (ja) | 半導体被覆用ガラス |