JPS6237958A - 多結晶シリコン抵抗の製造方法 - Google Patents
多結晶シリコン抵抗の製造方法Info
- Publication number
- JPS6237958A JPS6237958A JP60178121A JP17812185A JPS6237958A JP S6237958 A JPS6237958 A JP S6237958A JP 60178121 A JP60178121 A JP 60178121A JP 17812185 A JP17812185 A JP 17812185A JP S6237958 A JPS6237958 A JP S6237958A
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- JP
- Japan
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- layer
- poly
- sio2
- polycrystalline silicon
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- Pending
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、スタティック・ランダム・アクセス・メモリ
ー(SRAM)の負荷抵抗などに用いられる多結晶シリ
コン抵抗(以下po1y81”抵抗と称す)の製造方法
に関する。
ー(SRAM)の負荷抵抗などに用いられる多結晶シリ
コン抵抗(以下po1y81”抵抗と称す)の製造方法
に関する。
本発明は、po’ly Si抵抗の製造方法において、
po1781層と高濃度不純物拡散マスク用のS i
ox′gfr:600〜700cの化学気相成長法(以
下、OVD法と称す)で連続形成することにより、工程
を簡略化し、また、前記EIi01層を通して前記po
’1ySi層のシート抵抗制御用のイオン注入を行う
ことにより、シート抵抗の均−性及び再現性を向上させ
るようにしたものである。
po1781層と高濃度不純物拡散マスク用のS i
ox′gfr:600〜700cの化学気相成長法(以
下、OVD法と称す)で連続形成することにより、工程
を簡略化し、また、前記EIi01層を通して前記po
’1ySi層のシート抵抗制御用のイオン注入を行う
ことにより、シート抵抗の均−性及び再現性を向上させ
るようにしたものである。
従来、po1y81抵抗の製造方法としては、第2図に
示すように、9017日12を基板1上に形成し(第2
図(a))、次に、polysi 2のシート抵抗制
御用のイオン注入全行い(第2図(b))、その後51
op3を形成しく第2図(C))、次に、フォトリソグ
ラフィーとエツチングを行なって8108パターン5を
形成しく第2図(d))、その後5102パターン5全
マスクにして高濃度不純物をp○:1ySi 4に拡散
して高濃度polysi層6を形成する(第2図(e)
)方法が知られていた。
示すように、9017日12を基板1上に形成し(第2
図(a))、次に、polysi 2のシート抵抗制
御用のイオン注入全行い(第2図(b))、その後51
op3を形成しく第2図(C))、次に、フォトリソグ
ラフィーとエツチングを行なって8108パターン5を
形成しく第2図(d))、その後5102パターン5全
マスクにして高濃度不純物をp○:1ySi 4に拡散
して高濃度polysi層6を形成する(第2図(e)
)方法が知られていた。
しかし、従来のpo17si抵抗の製造方法ではpol
ysl2 とS10宜3の形成が別工程で行なわれる
ため工程が複雑になることや、polysl4にイオン
注入された不純物が、51o2sq形成する時に外方向
拡散するため、polySi4のシート抵抗の均一性、
再現性が劣化するという問題があった。
ysl2 とS10宜3の形成が別工程で行なわれる
ため工程が複雑になることや、polysl4にイオン
注入された不純物が、51o2sq形成する時に外方向
拡散するため、polySi4のシート抵抗の均一性、
再現性が劣化するという問題があった。
上記問題点を解決するために、本発明は、OVD工程を
600〜70口Cで行うことによりpolySi と
Sin、 i連続して形成すること全可能とし、さら
に、Sing k通して不純物をpolysl中にイオ
ン注入することにした。
600〜70口Cで行うことによりpolySi と
Sin、 i連続して形成すること全可能とし、さら
に、Sing k通して不純物をpolysl中にイオ
ン注入することにした。
上記のように、polysi とslo、 k連続形
成することにより工程数ケへらすことができ、5in2
が外方向拡散全抑乏るのでpolyslのシート抵抗の
バラツキを小さくできる。
成することにより工程数ケへらすことができ、5in2
が外方向拡散全抑乏るのでpolyslのシート抵抗の
バラツキを小さくできる。
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。第
1図(a)〜第1図(e)は、本発明のpo1ys1抵
抗の製造方法を説明するための工程順の断面図である。
1図(a)〜第1図(e)は、本発明のpo1ys1抵
抗の製造方法を説明するための工程順の断面図である。
第1図(a)は5102などの基板1上にノンドープp
ony Si全3000〜5000大の厚さにOVD法
により形成する工程を示す。pony Siの07D法
は、流量100〜200 /M のSiH4ガスを反応
チャンバーに流し反応温度600〜700℃で行う。p
oly Siの成長速度は50〜100シーであり、厚
さ、5000Aのpo17sii形成するには30〜6
0分の反応時間を要する。ここでガスを切換え、流量1
0〜100 、/、のS i H4と流量1〜10
t/lks のN、Oを流すことによりpolysl
と同じ反応温度で5to2’fr成長させることができ
る(第1図(b))。S i Ogの成長速度は10〜
50文/―であり、厚さ1000スの5102を・形成
するには20〜100分の反応時間を要する。従来、E
liOmのOVD法としてけS i H4とOzカス’
?用い4oo℃程度の低温で反応させる方法、あるいは
81HtO!4 とNgOガスを用い900℃程度の高
温で反応させる方法が知られていた。高温OVDの’u
=Qの流量は500〜1000 %蘭である。従って
、従来法である低温OVD、高温OVDでは、pony
810VDと反応温度が異なるためpoly Siと
8103の連続形成ができなかったが、本発明でtj:
5i(h (D OV Dにおいて、El i H4
とIJ20ガスヲ用い、600〜700℃では900℃
にくらべ分解しにくいIJ30’(j大量に流すこと
によりs pony日10VDと同じ反応温度での81
03形成を可能にした5io23’e通して、たとメば
リンをイオン注入法により、エネルギー80〜160に
θV、ドーズ量lX10”〜lX10”、−”でノンド
ープpo’ly Si Z中に注入することにより、N
”’poly Si4 f形成しシート抵抗を制御する
(第1図(C))。N−poly S i4上にE11
023があるために、後の熱処理工程で注入された不純
物が外方向拡散しにくく、前記シート抵抗の均一性、再
現性が向上する。次に、フォトリソグラフィー、及びエ
ツチング工程により拡散マスク用の5in11パターン
5を形成する(第1図(d))。次に、POOts f
拡散源とした熱処理により、Sin、パターン5をマス
クにリンを高濃度に拡散し、配線用の高濃度po1y
Si領域6を影付する(第1図(e))。次に、510
2パターン5k 除去、 p01751ftバターニン
グ、及びエツチングしてpolySi、抵抗パターン、
及びpony Eli配線パターンを形成してpoly
Si抵抗がつくられる。
ony Si全3000〜5000大の厚さにOVD法
により形成する工程を示す。pony Siの07D法
は、流量100〜200 /M のSiH4ガスを反応
チャンバーに流し反応温度600〜700℃で行う。p
oly Siの成長速度は50〜100シーであり、厚
さ、5000Aのpo17sii形成するには30〜6
0分の反応時間を要する。ここでガスを切換え、流量1
0〜100 、/、のS i H4と流量1〜10
t/lks のN、Oを流すことによりpolysl
と同じ反応温度で5to2’fr成長させることができ
る(第1図(b))。S i Ogの成長速度は10〜
50文/―であり、厚さ1000スの5102を・形成
するには20〜100分の反応時間を要する。従来、E
liOmのOVD法としてけS i H4とOzカス’
?用い4oo℃程度の低温で反応させる方法、あるいは
81HtO!4 とNgOガスを用い900℃程度の高
温で反応させる方法が知られていた。高温OVDの’u
=Qの流量は500〜1000 %蘭である。従って
、従来法である低温OVD、高温OVDでは、pony
810VDと反応温度が異なるためpoly Siと
8103の連続形成ができなかったが、本発明でtj:
5i(h (D OV Dにおいて、El i H4
とIJ20ガスヲ用い、600〜700℃では900℃
にくらべ分解しにくいIJ30’(j大量に流すこと
によりs pony日10VDと同じ反応温度での81
03形成を可能にした5io23’e通して、たとメば
リンをイオン注入法により、エネルギー80〜160に
θV、ドーズ量lX10”〜lX10”、−”でノンド
ープpo’ly Si Z中に注入することにより、N
”’poly Si4 f形成しシート抵抗を制御する
(第1図(C))。N−poly S i4上にE11
023があるために、後の熱処理工程で注入された不純
物が外方向拡散しにくく、前記シート抵抗の均一性、再
現性が向上する。次に、フォトリソグラフィー、及びエ
ツチング工程により拡散マスク用の5in11パターン
5を形成する(第1図(d))。次に、POOts f
拡散源とした熱処理により、Sin、パターン5をマス
クにリンを高濃度に拡散し、配線用の高濃度po1y
Si領域6を影付する(第1図(e))。次に、510
2パターン5k 除去、 p01751ftバターニン
グ、及びエツチングしてpolySi、抵抗パターン、
及びpony Eli配線パターンを形成してpoly
Si抵抗がつくられる。
本発明は、以上説明したように工程簡略化による流動時
間短縮、製造コスト削減、及びpoly Si抵抗のシ
ート抵抗バラツキ低減による歩留向上に効果がある。
間短縮、製造コスト削減、及びpoly Si抵抗のシ
ート抵抗バラツキ低減による歩留向上に効果がある。
第1図(a)〜第1図(8)は本発明の製造方法にかか
る工程順の断面図、 第2図(a)〜第2図(、)は従来の製造方法にかかる
工程順の断面図である。 1・・・・・・基板 2・・・・・・ノンドープpoly si3・・1・・
5103 4・・・・・・N−po17 Si 5・・・・・・SiO箕パターン 6・・・・・・高濃度poly Si 以 上
る工程順の断面図、 第2図(a)〜第2図(、)は従来の製造方法にかかる
工程順の断面図である。 1・・・・・・基板 2・・・・・・ノンドープpoly si3・・1・・
5103 4・・・・・・N−po17 Si 5・・・・・・SiO箕パターン 6・・・・・・高濃度poly Si 以 上
Claims (2)
- (1)半導体基板上に多結晶シリコン層を、前記多結晶
シリコン層上に二酸化ケイ素層を連続して化学気相成長
法により形成する工程と、前記二酸化ケイ素層を通して
一導電型不純物を前記多結晶シリコン層中にイオン注入
する工程と、前記二酸化ケイ素層をエッチングして二酸
化ケイ素パターンを形成する工程と、前記二酸化ケイ素
パターンをマスクとして前記多結晶シリコン層中に一導
電型不純物を高濃度に導入する工程とからなる多結晶シ
リコン抵抗の製造方法。 - (2)前記化学気相成長工程が、600〜700℃の温
度で行なわれることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の多結晶シリコン抵抗の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60178121A JPS6237958A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 多結晶シリコン抵抗の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60178121A JPS6237958A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 多結晶シリコン抵抗の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6237958A true JPS6237958A (ja) | 1987-02-18 |
Family
ID=16043018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60178121A Pending JPS6237958A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 多結晶シリコン抵抗の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6237958A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0513683A (ja) * | 1991-07-01 | 1993-01-22 | Seiko Instr Inc | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-08-13 JP JP60178121A patent/JPS6237958A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0513683A (ja) * | 1991-07-01 | 1993-01-22 | Seiko Instr Inc | 半導体装置の製造方法 |
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