JPH03235326A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03235326A JPH03235326A JP2031802A JP3180290A JPH03235326A JP H03235326 A JPH03235326 A JP H03235326A JP 2031802 A JP2031802 A JP 2031802A JP 3180290 A JP3180290 A JP 3180290A JP H03235326 A JPH03235326 A JP H03235326A
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- boron
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C65/00—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
- B29C65/82—Testing the joint
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2031/00—Other particular articles
- B29L2031/24—Pipe joints or couplings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ボロンのドープされた埋没層を有する半導体装置の製造
方法に関し、 パターンシフトが小さくかつボロンの外方拡散の生じな
いエピタキシャル層を成長させることを目的とし、 表面にボロン（Ｂ） ドープ領域が形成された半導体
基板上に、常圧下で該ボロンドープ領域からのボロンの
外方拡散が生じない程度の膜厚のエピタキシャル層を成
長させ、続いて減圧下で所定の膜厚のエピタキシャル層
を成長させるように構成する。
方法に関し、 パターンシフトが小さくかつボロンの外方拡散の生じな
いエピタキシャル層を成長させることを目的とし、 表面にボロン（Ｂ） ドープ領域が形成された半導体
基板上に、常圧下で該ボロンドープ領域からのボロンの
外方拡散が生じない程度の膜厚のエピタキシャル層を成
長させ、続いて減圧下で所定の膜厚のエピタキシャル層
を成長させるように構成する。
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特にボロンのド
ープされた埋没層を有する半導体装置の製造方法に関す
る。
ープされた埋没層を有する半導体装置の製造方法に関す
る。
ＣＭＯ３Ｉ Ｃ，Ｂ ｉ ＣＭＯ３Ｉ Ｃ等の半導体装
置を製造する際には、Ｓｉ基板の表面にイオン注入法あ
るいは熱拡散法によって選択的に不純物をドープした領
域を設け、この上にＳｉエピタキシャル層を成長させて
これを活性層として用いる。上記の不純物ドープ領域は
埋没層と称せられ、活性層中におけるウェル領域の形成
あるいはトランジスタの寄生抵抗の低減等を図る上で必
要であるが、一方でＳｉエピタキシャル層に対して種々
の悪影響を与える場合があり、その解決が望まれている
。
置を製造する際には、Ｓｉ基板の表面にイオン注入法あ
るいは熱拡散法によって選択的に不純物をドープした領
域を設け、この上にＳｉエピタキシャル層を成長させて
これを活性層として用いる。上記の不純物ドープ領域は
埋没層と称せられ、活性層中におけるウェル領域の形成
あるいはトランジスタの寄生抵抗の低減等を図る上で必
要であるが、一方でＳｉエピタキシャル層に対して種々
の悪影響を与える場合があり、その解決が望まれている
。
第５図はボロン（Ｂ）のドープされた領域を有するＳｉ
基板上にエピタキシャル層を形成するための従来の工程
の一例を示したものである。まず同図（ａ）に示すよう
に、Ｐ型Ｓｉ基板５１上に形成された熱酸化膜５２を選
択的にエツチング除去しこれをマスクとしてＳｉ基板５
１内にボロンイオンを注入しボロンドープ領域５３を形
成する。ついで同図（ｂ）に示すように、酸化性雰囲気
中で熱処理しボロンドープ領域５３の表面に熱酸化膜５
４を形成する。さらに不活性ガス雰囲気中で熱処理する
ことにより上記ボロンの活性化を行う。熱酸化膜５４は
ボロン活性化のための熱処理工程で、ボロンが表面から
抜は出してその表面濃度が低下することを防くために形
成されるものである。ついで同図（Ｃ）に示すように、
熱酸化膜５２．５４をエツチング除去する。この際、熱
酸化膜５４の構成要素となっているボロンドープ領域５
３表面のＳｉ原子も除去されるため、熱酸化膜５４の形
成されていたボロンドープ領域５３とそれ以外の領域と
の間に段差が生しる。そしてこの段差の側面には特定の
面方位が現れる。同図（Ｃ）に見られるように、Ｓｉ基
板５１の表面の面方位が（１１１）の場合、段差の側面
の面方位は（１００） となることが知られている。つ
いで同図（ｄ）に示すように、この段差のあるＳｉ基板
５１上にエピタキシャル層５５を成長させることにより
ボロンドープ領域５３を埋没層とする。そしてこのエピ
タキシャル層５５に通常の製造工程に従ってトランジス
タを形成する。段差はエピタキシャル層５５０表面にも
生じるため、この段差位置をその後のトランジスタ製造
工程におけるパターン形成の際の位置合わせ用マークと
して用いる。
基板上にエピタキシャル層を形成するための従来の工程
の一例を示したものである。まず同図（ａ）に示すよう
に、Ｐ型Ｓｉ基板５１上に形成された熱酸化膜５２を選
択的にエツチング除去しこれをマスクとしてＳｉ基板５
１内にボロンイオンを注入しボロンドープ領域５３を形
成する。ついで同図（ｂ）に示すように、酸化性雰囲気
中で熱処理しボロンドープ領域５３の表面に熱酸化膜５
４を形成する。さらに不活性ガス雰囲気中で熱処理する
ことにより上記ボロンの活性化を行う。熱酸化膜５４は
ボロン活性化のための熱処理工程で、ボロンが表面から
抜は出してその表面濃度が低下することを防くために形
成されるものである。ついで同図（Ｃ）に示すように、
熱酸化膜５２．５４をエツチング除去する。この際、熱
酸化膜５４の構成要素となっているボロンドープ領域５
３表面のＳｉ原子も除去されるため、熱酸化膜５４の形
成されていたボロンドープ領域５３とそれ以外の領域と
の間に段差が生しる。そしてこの段差の側面には特定の
面方位が現れる。同図（Ｃ）に見られるように、Ｓｉ基
板５１の表面の面方位が（１１１）の場合、段差の側面
の面方位は（１００） となることが知られている。つ
いで同図（ｄ）に示すように、この段差のあるＳｉ基板
５１上にエピタキシャル層５５を成長させることにより
ボロンドープ領域５３を埋没層とする。そしてこのエピ
タキシャル層５５に通常の製造工程に従ってトランジス
タを形成する。段差はエピタキシャル層５５０表面にも
生じるため、この段差位置をその後のトランジスタ製造
工程におけるパターン形成の際の位置合わせ用マークと
して用いる。
上述の製造方法においてエピタキシャル層５５は通常１
０００°Ｃ以上の高温下で成長されるため、ボロンドー
プ領域５３から成長中のエピタキシャル層５５ヘボロン
の外方拡散が生じてエピタキシャル層５５の特性が変化
する場合が生じる。減圧下でエピタキシャル成長を行っ
たときには、ボロンの外方拡散が顕著に生じてトランジ
スタ特性の制御が困難となることが知られている。ボロ
ン以外の不純物、たとえばアンチモン（Ｓｂ）、砒素（
Ａｓ）では上記のような外方拡散は生しないことが知ら
れている。
０００°Ｃ以上の高温下で成長されるため、ボロンドー
プ領域５３から成長中のエピタキシャル層５５ヘボロン
の外方拡散が生じてエピタキシャル層５５の特性が変化
する場合が生じる。減圧下でエピタキシャル成長を行っ
たときには、ボロンの外方拡散が顕著に生じてトランジ
スタ特性の制御が困難となることが知られている。ボロ
ン以外の不純物、たとえばアンチモン（Ｓｂ）、砒素（
Ａｓ）では上記のような外方拡散は生しないことが知ら
れている。
方、常圧下でエピタキシャル成長を行ったときにはボロ
ンの外方拡散は生ぜず、エピタキシャル層がボロンによ
って影響を受けないことが経験的に知られている。従っ
て、上述のように不純物としてボロンを用いる場合には
、上記エピタキシャル層５５の成長は通常は常圧下で行
われる。
ンの外方拡散は生ぜず、エピタキシャル層がボロンによ
って影響を受けないことが経験的に知られている。従っ
て、上述のように不純物としてボロンを用いる場合には
、上記エピタキシャル層５５の成長は通常は常圧下で行
われる。
ところが、常圧下でエピタキシャル成長を行った場合、
第５図（ｄ）に見られるようにエピタキシャル層５５の
表面に生した段差の位置が、その下に存在するボロンド
ープ領域５３の段差の位置からずれるという現象が生じ
る。この現象はパターンシフトと称せられるものであり
、同図に示した段差位置のずれＬは、Ｓｉ基板５１の面
方位によっても異なるが、通常エピタキシャル層５５の
膜厚と同程度の値となる。そのためボロンドープ領域５
３にパターンを正確に位置合わせすることができなくな
るという問題が生じる。
第５図（ｄ）に見られるようにエピタキシャル層５５の
表面に生した段差の位置が、その下に存在するボロンド
ープ領域５３の段差の位置からずれるという現象が生じ
る。この現象はパターンシフトと称せられるものであり
、同図に示した段差位置のずれＬは、Ｓｉ基板５１の面
方位によっても異なるが、通常エピタキシャル層５５の
膜厚と同程度の値となる。そのためボロンドープ領域５
３にパターンを正確に位置合わせすることができなくな
るという問題が生じる。
そこで本発明は、パターンシフトが小さくかつボロンの
外方拡散の生じないエピタキシャル層を成長させること
を目的とする。
外方拡散の生じないエピタキシャル層を成長させること
を目的とする。
上記課題の解決は、ボロン（Ｂ） ドープ領域が表面
に形成された半導体基板上に、常圧下で該ボロンドープ
領域からのボロンの外方拡散が生しない程度の膜厚のエ
ピタキシャル層を成長させ、続いて減圧下で所定の膜厚
のエピタキシャル層を成長させることを特徴とする半導
体装置の製造方法によって達成される。
に形成された半導体基板上に、常圧下で該ボロンドープ
領域からのボロンの外方拡散が生しない程度の膜厚のエ
ピタキシャル層を成長させ、続いて減圧下で所定の膜厚
のエピタキシャル層を成長させることを特徴とする半導
体装置の製造方法によって達成される。
〔作 用］
パターンシフトの生じる主な原因は、Ｓｉ基板面と段差
の側面におけるエピタキシャル成長速度の違いにより各
々の面に成長するエピタキシャル層の膜厚が異なること
によるものと考えられる。第２図は常圧下のエピタキシ
ャル成長において成長面の面方位をパラメータとしたエ
ピタキシャル層の成長速度と成長温度との関係について
の実験データを示したものである。同図に見られるよう
に、特定の成長温度では成長速度の面方位による違いが
なくなるものの、一般には成長速度は面方位に大きく依
存する。パターンシフトを生じさせないためには、上記
の特定の温度で成長させる必要があるが、成長温度はエ
ピタキシャル層の特性に大きな影響を与えるためパター
ンシフトを生じさせないという条件のみで成長温度を決
めることはできない。従って、一般には面方位により成
長速度が異なることになり、パターンシフトは避けられ
ない。一方、第３図は減圧下において成長面の面方位を
パラメータとしたエピタキシャル成長速度と成長温度と
の関係についての実験データを示したものである。第２
図と比較して明らかなように、面方位および成長温度に
よる成長速度の差異は常圧下のエピタキシャル成長に比
べて小さい。従って、減圧下のエピタキシャル成長では
成長温度の多少の変動にかかわらずパターンシフトを常
圧下のエピタキシャル成長に比べて小さくすることがで
きる。しかしながら前述したように、減圧下においてエ
ピタキシャル成長を行うと、ボロンの外方拡散によって
エピタキシャル層の特性が大きく変化するという問題が
ある。
の側面におけるエピタキシャル成長速度の違いにより各
々の面に成長するエピタキシャル層の膜厚が異なること
によるものと考えられる。第２図は常圧下のエピタキシ
ャル成長において成長面の面方位をパラメータとしたエ
ピタキシャル層の成長速度と成長温度との関係について
の実験データを示したものである。同図に見られるよう
に、特定の成長温度では成長速度の面方位による違いが
なくなるものの、一般には成長速度は面方位に大きく依
存する。パターンシフトを生じさせないためには、上記
の特定の温度で成長させる必要があるが、成長温度はエ
ピタキシャル層の特性に大きな影響を与えるためパター
ンシフトを生じさせないという条件のみで成長温度を決
めることはできない。従って、一般には面方位により成
長速度が異なることになり、パターンシフトは避けられ
ない。一方、第３図は減圧下において成長面の面方位を
パラメータとしたエピタキシャル成長速度と成長温度と
の関係についての実験データを示したものである。第２
図と比較して明らかなように、面方位および成長温度に
よる成長速度の差異は常圧下のエピタキシャル成長に比
べて小さい。従って、減圧下のエピタキシャル成長では
成長温度の多少の変動にかかわらずパターンシフトを常
圧下のエピタキシャル成長に比べて小さくすることがで
きる。しかしながら前述したように、減圧下においてエ
ピタキシャル成長を行うと、ボロンの外方拡散によって
エピタキシャル層の特性が大きく変化するという問題が
ある。
そこで本発明では、まずパターンシフトが無視できる程
度の薄いエピタキシャル層を常圧下で成長させることに
よってボロンの外方拡散を防ぎ、続いて減圧下で所定の
膜厚のエピタキシャル層を成長させることによってパタ
ーンシフトが小さくかつボロンの外方拡散のないエピタ
キシャル層を得るものである。
度の薄いエピタキシャル層を常圧下で成長させることに
よってボロンの外方拡散を防ぎ、続いて減圧下で所定の
膜厚のエピタキシャル層を成長させることによってパタ
ーンシフトが小さくかつボロンの外方拡散のないエピタ
キシャル層を得るものである。
〔実施例］
第１図はＣＭＯ３ＩＣの製作工程に対して、本発明に係
る方法を適用した例を示す工程断面図である。
る方法を適用した例を示す工程断面図である。
まず同図（ａ）に示すように、ｐ型Ｓｉ基板１表面に熱
酸化膜２を形成した後、この上に通常のフォトリソグラ
フィによりＰ型埋設層となる領域が窓開けされたレジス
ト膜パターン３を形成し、これをマスクとして熱酸化膜
２を選択的にエツチング除去する。続いて、熱酸化膜２
およびレジスト膜パターン３をマスクとして加速電圧６
０ＫｅＶ、ドーズ量５×１０１３ｃｍ−２の条件でボロ
ンイオンを注入しＰ型埋設層となるポロンドープ領域４
を形成する。
酸化膜２を形成した後、この上に通常のフォトリソグラ
フィによりＰ型埋設層となる領域が窓開けされたレジス
ト膜パターン３を形成し、これをマスクとして熱酸化膜
２を選択的にエツチング除去する。続いて、熱酸化膜２
およびレジスト膜パターン３をマスクとして加速電圧６
０ＫｅＶ、ドーズ量５×１０１３ｃｍ−２の条件でボロ
ンイオンを注入しＰ型埋設層となるポロンドープ領域４
を形成する。
ついでレジスト膜パターン３を除去した後、同図（ｂ）
に示すように、ｎ型埋没層となる領域が窓開けされたレ
ジスト膜パターン５を形成し、これをマスクとして熱酸
化膜２の選択エツチングを行う。
に示すように、ｎ型埋没層となる領域が窓開けされたレ
ジスト膜パターン５を形成し、これをマスクとして熱酸
化膜２の選択エツチングを行う。
続いて熱酸化膜膜２およびレジスト膜パターン５をマス
クとして加速電圧７０ＫｅＶ、ドーズ量３．５ＸＩＯ”
ｃ＋ｅ−”の条件でアンチモン（Ｓｂ）のイオン注入を
行いｎ型埋没層となるアンチモンドープ領域６を形成す
る。
クとして加速電圧７０ＫｅＶ、ドーズ量３．５ＸＩＯ”
ｃ＋ｅ−”の条件でアンチモン（Ｓｂ）のイオン注入を
行いｎ型埋没層となるアンチモンドープ領域６を形成す
る。
ついでレジストパターン５を除去した後、同図（Ｃ）に
示すように酸素ガス雰囲気中９００°Ｃで熱処理を行な
い、ボロンドープ領域４およびアンチモンドープ領域６
の表面に膜厚５００人の熱酸化膜７を形成する。この際
、熱酸化膜２の直下のＳｉ基板１の表面の熱酸化は熱酸
化膜２によって阻止され、ポロンドープ領域４およびア
ンチモンドープ領域６の表面の熱酸化に比べて無視でき
る。
示すように酸素ガス雰囲気中９００°Ｃで熱処理を行な
い、ボロンドープ領域４およびアンチモンドープ領域６
の表面に膜厚５００人の熱酸化膜７を形成する。この際
、熱酸化膜２の直下のＳｉ基板１の表面の熱酸化は熱酸
化膜２によって阻止され、ポロンドープ領域４およびア
ンチモンドープ領域６の表面の熱酸化に比べて無視でき
る。
次に窒素ガス雰囲気中１０００°Ｃで熱処理を行ない、
ボロンおよびアンチモンの活性化を行った後、同図（ｄ
）に示すように熱酸化膜２および７をエツチング除去す
る。
ボロンおよびアンチモンの活性化を行った後、同図（ｄ
）に示すように熱酸化膜２および７をエツチング除去す
る。
ついで以下のような方法でこの上にＳｉのエピタキシャ
ル成長を行う。第４図は本実施例で用いたエピタキシャ
ル成長装置の模式断面図を示したものである。処理室４
１内に配置された六角錐状のカーボンサセプター４２の
側面にＳｉ基板１を固定し、このカーボンサセプター４
２を外部から支持軸４３によって回転させる。そして処
理室４１内にガス導入口４４より所定のガスを導入しガ
ス排気口４５から排気する。処理室４１の周囲にはＳｉ
基板１の加熱を行うための赤外線ランプ４６を配置する
。そこでまず、常圧下で窒素ガスを１０分間、続いて水
素ガスを５分間流して処理室４１内の空気を置換した後
、赤外線ランプ４６によりＳｉ基板１の温度を１１００
°Ｃまで上昇させ、さらに水素ガスを１０分間流した後
、ジクロールシラン（ＳｉＨｚＣｌｚ）ガス１１００Ｏ
ＯＣＣおよびホスフィン（ＰＨ３）ガス５ ＰＰＭを含
む水素ガス２００ＳＣＣＭを３０秒間流して膜厚０．２
−の常圧成長エピタキシャル層を形成する。続いて処理
室４１内を６５Ｔｏｒｒまで排気した後、同じ流量の５
ｉＨ２Ｃ１□ガスおよびＰＨ３ガスを２分間流して１−
の減圧成長エピタキシャル層を形成する。続いて水素ガ
スにより５ｉ）ｌｚｃＩ□ガスおよびＰＨ３ガスをパー
ジした後、Ｓｉ基板１の温度を常温近くまで降下させた
後、処理室４１内を常圧へ戻す。
ル成長を行う。第４図は本実施例で用いたエピタキシャ
ル成長装置の模式断面図を示したものである。処理室４
１内に配置された六角錐状のカーボンサセプター４２の
側面にＳｉ基板１を固定し、このカーボンサセプター４
２を外部から支持軸４３によって回転させる。そして処
理室４１内にガス導入口４４より所定のガスを導入しガ
ス排気口４５から排気する。処理室４１の周囲にはＳｉ
基板１の加熱を行うための赤外線ランプ４６を配置する
。そこでまず、常圧下で窒素ガスを１０分間、続いて水
素ガスを５分間流して処理室４１内の空気を置換した後
、赤外線ランプ４６によりＳｉ基板１の温度を１１００
°Ｃまで上昇させ、さらに水素ガスを１０分間流した後
、ジクロールシラン（ＳｉＨｚＣｌｚ）ガス１１００Ｏ
ＯＣＣおよびホスフィン（ＰＨ３）ガス５ ＰＰＭを含
む水素ガス２００ＳＣＣＭを３０秒間流して膜厚０．２
−の常圧成長エピタキシャル層を形成する。続いて処理
室４１内を６５Ｔｏｒｒまで排気した後、同じ流量の５
ｉＨ２Ｃ１□ガスおよびＰＨ３ガスを２分間流して１−
の減圧成長エピタキシャル層を形成する。続いて水素ガ
スにより５ｉ）ｌｚｃＩ□ガスおよびＰＨ３ガスをパー
ジした後、Ｓｉ基板１の温度を常温近くまで降下させた
後、処理室４１内を常圧へ戻す。
以上のような方法により第１図（ｅ）に示すように、常
圧成長エピタキシャル層８および減圧成長エピタキシャ
ル層９を成長させる。
圧成長エピタキシャル層８および減圧成長エピタキシャ
ル層９を成長させる。
ついで同図げ）に示すように、ボロンドープ領域４上の
常圧成長エピタキシャル層８および減圧成長エピタキシ
ャル層９に表面から選択的にボロンイオンを注入するこ
とによりｐ型化しｐウェル領域１０を形成する。この際
、予めボロンドープ領域４が形成されているため、ボロ
ンの浅いイオン注入により深いＰウェル領域を形成する
ことができる。また、ｐ Ｍ ＯＳ ｆ＋Ｎ域１１とな
る常圧エピタキシャル層８および減圧エピタキシャル層
９の直下には予めアンチモンドープ領域６が形成されて
いるため、ｐ型Ｓｉ基板１からの不純物拡散によるこれ
らのエピタキシャル層のｐ型化を防ぐことができる。
常圧成長エピタキシャル層８および減圧成長エピタキシ
ャル層９に表面から選択的にボロンイオンを注入するこ
とによりｐ型化しｐウェル領域１０を形成する。この際
、予めボロンドープ領域４が形成されているため、ボロ
ンの浅いイオン注入により深いＰウェル領域を形成する
ことができる。また、ｐ Ｍ ＯＳ ｆ＋Ｎ域１１とな
る常圧エピタキシャル層８および減圧エピタキシャル層
９の直下には予めアンチモンドープ領域６が形成されて
いるため、ｐ型Ｓｉ基板１からの不純物拡散によるこれ
らのエピタキシャル層のｐ型化を防ぐことができる。
その後、通常の製造工程に従って同図（（６）に示すよ
うにＣＭＯＳトランジスタを形成する。同図において、
１２はゲート絶縁膜、１３は多結晶Ｓｉよりなるゲート
電極、１４はソース／ドレイン拡散層、１５はソース／
ドレイン電極である。
うにＣＭＯＳトランジスタを形成する。同図において、
１２はゲート絶縁膜、１３は多結晶Ｓｉよりなるゲート
電極、１４はソース／ドレイン拡散層、１５はソース／
ドレイン電極である。
なお、本発明に係る方法は上記実施例に限らず、バイポ
ーラトランジスタの埋込層の形成に適用することができ
、さらにＣＭＯ３とバイポーラトランジスタとを同一基
板上に形成するＢｉＣＭＯ３ＩＣの製作工程にも適用す
ることができる。
ーラトランジスタの埋込層の形成に適用することができ
、さらにＣＭＯ３とバイポーラトランジスタとを同一基
板上に形成するＢｉＣＭＯ３ＩＣの製作工程にも適用す
ることができる。
以上のように本発明によれば、ボロンのドープされた領
域上にボロンの外方拡散のないエピタキシャル層を得る
ことができる上、このようにして形成されたエピタキシ
ャル層表面のパターンシフトも小さいため、高性能のＣ
ＭＯ３Ｉ ＣあるいはＢｉＣＭＯ３を製造する上で有益
である。
域上にボロンの外方拡散のないエピタキシャル層を得る
ことができる上、このようにして形成されたエピタキシ
ャル層表面のパターンシフトも小さいため、高性能のＣ
ＭＯ３Ｉ ＣあるいはＢｉＣＭＯ３を製造する上で有益
である。
第１図（ａ）〜（ｇ）は本発明の実施例を示す工程断面
図、 第２図は常圧下におけるエピタキシャル成長の実験デー
タ、 第３図は減圧下におけるエピタキシャル成長の実験デー
タ、 第４図はエピタキシャル成長装置の断面図、第５図は従
来例の問題点を示す工程断面図、である。 図において、 １．５１はｐ型Ｓｉ基板、 ２．７．５２．５４は熱酸化膜、 ３．５はレジスト膜パターン、 ４．５３はボロンドープ領域、 ６はアンチモンドープ領域、 ８は常圧成長エピタキシャル層、 ９は減圧成長エピタキシャル層、 １０はｐウェル領域、 １１は９ＭＯ５領域、 １２はゲート絶縁膜、 １３はゲート電極、 １４はソース／ドレイン拡散層、 １５はソース／ドレイン電極、 ４１は処理室、 ４２はカーボンサセプター ４３は支持軸、 ４４はガス導入口、 ４５はガス排気口、 ４６は赤外線ランプ、 ５５はエピタキシャル層、 である。 本発明のア施４ＪｌΣ示す工謹肪面図 第１図（汁の１） 戚−＆五度（°Ｃ） 竿圧千にお（プらエピタ矢ン≧ｊし成長の賓罵斐ナータ
開 図 へ畏温産じＣ） オゑ発口月のずが色ｈり；ｊ２示て工宏致耐面図第 図 （寸の２） 第 図
図、 第２図は常圧下におけるエピタキシャル成長の実験デー
タ、 第３図は減圧下におけるエピタキシャル成長の実験デー
タ、 第４図はエピタキシャル成長装置の断面図、第５図は従
来例の問題点を示す工程断面図、である。 図において、 １．５１はｐ型Ｓｉ基板、 ２．７．５２．５４は熱酸化膜、 ３．５はレジスト膜パターン、 ４．５３はボロンドープ領域、 ６はアンチモンドープ領域、 ８は常圧成長エピタキシャル層、 ９は減圧成長エピタキシャル層、 １０はｐウェル領域、 １１は９ＭＯ５領域、 １２はゲート絶縁膜、 １３はゲート電極、 １４はソース／ドレイン拡散層、 １５はソース／ドレイン電極、 ４１は処理室、 ４２はカーボンサセプター ４３は支持軸、 ４４はガス導入口、 ４５はガス排気口、 ４６は赤外線ランプ、 ５５はエピタキシャル層、 である。 本発明のア施４ＪｌΣ示す工謹肪面図 第１図（汁の１） 戚−＆五度（°Ｃ） 竿圧千にお（プらエピタ矢ン≧ｊし成長の賓罵斐ナータ
開 図 へ畏温産じＣ） オゑ発口月のずが色ｈり；ｊ２示て工宏致耐面図第 図 （寸の２） 第 図
Claims (1)
- 表面にボロン（Ｂ）ドープ領域（４）が形成された半導
体基板（１）上に、常圧下で該ボロンドープ領域（４）
からのボロンの外方拡散が生じない程度の膜厚のエピタ
キシャル層（８）を成長させ、続いて減圧下で所定の膜
厚のエピタキシャル層（９）を成長させることを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2031802A JPH03235326A (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2031802A JPH03235326A (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03235326A true JPH03235326A (ja) | 1991-10-21 |
Family
ID=12341215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2031802A Pending JPH03235326A (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03235326A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001035452A1 (fr) * | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Plaquette epitaxiee de silicium et son procede de production |
| KR100477915B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2005-06-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| JP2013125904A (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 埋め込み領域付エピタキシャルウエーハの製造方法 |
| JP2017034021A (ja) * | 2015-07-30 | 2017-02-09 | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 | 光デバイス |
-
1990
- 1990-02-13 JP JP2031802A patent/JPH03235326A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100477915B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2005-06-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| WO2001035452A1 (fr) * | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Plaquette epitaxiee de silicium et son procede de production |
| US6589336B1 (en) | 1999-11-10 | 2003-07-08 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Production method for silicon epitaxial wafer and silicon epitaxial wafer |
| JP2013125904A (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 埋め込み領域付エピタキシャルウエーハの製造方法 |
| JP2017034021A (ja) * | 2015-07-30 | 2017-02-09 | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 | 光デバイス |
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