JPS6236871A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS6236871A JPS6236871A JP17499685A JP17499685A JPS6236871A JP S6236871 A JPS6236871 A JP S6236871A JP 17499685 A JP17499685 A JP 17499685A JP 17499685 A JP17499685 A JP 17499685A JP S6236871 A JPS6236871 A JP S6236871A
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- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 20
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7782—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、高速の半導体装置に於いて、チャネルが生成
される能動層と、該能動層に比較して広いエネルギ・バ
ンド・ギヤツブを有し且つ該能動層に接する近傍にのみ
不純物をドーピングした電子供給層とを備えてなる構成
にすることに依り、２次元電子ガス濃度を高め、半導体
中の深い不純物単位の悪影響を解消し、ゲート耐圧を向
上するようにした。
される能動層と、該能動層に比較して広いエネルギ・バ
ンド・ギヤツブを有し且つ該能動層に接する近傍にのみ
不純物をドーピングした電子供給層とを備えてなる構成
にすることに依り、２次元電子ガス濃度を高め、半導体
中の深い不純物単位の悪影響を解消し、ゲート耐圧を向
上するようにした。
本発明は、ヘテロ接合を有し且つ２次元電子ガス層を利
用して高速化を図った半導体装置の改良に関する。
用して高速化を図った半導体装置の改良に関する。
第３図は従来技術に依る前記種類の半導体装置に於ける
エネルギ・バンド・ダイヤグラムを表している。
エネルギ・バンド・ダイヤグラムを表している。
図に於いて、１は金属からなるゲート電極、２はｎ型Ａ
ｌｌＧａＡｓ電子供給層、３はノン・ドープＧａＡｓ能
動層、４は２次元電子ガス層、Ｅｃは伝導帯の底、ＥＦ
はフェルミ・レヘル、ＥＶは価電子帯の頂をそれぞれ示
している。
ｌｌＧａＡｓ電子供給層、３はノン・ドープＧａＡｓ能
動層、４は２次元電子ガス層、Ｅｃは伝導帯の底、ＥＦ
はフェルミ・レヘル、ＥＶは価電子帯の頂をそれぞれ示
している。
図示のような半導体装置では、２次元電子ガス層４がチ
ャネル層となり、このチャネル層では電子がクーロン散
乱を受けずに走行することができるから、その動作速度
は極めて高速である。
ャネル層となり、このチャネル層では電子がクーロン散
乱を受けずに走行することができるから、その動作速度
は極めて高速である。
ところが、この半導体装置の２次元電子ガス層４に於け
る゛′２次元電子ガス濃度は、ｎ型ＡｌＧａ、Ａｓ電子
供給層２とノン・ドープＧａＡｓ能動層３との電子親和
力の差で、ｎ型ＡｌｌＧａＡｓ電子供給層２からノン・
ドープＧａＡｓ能動層３のヘテロ界面近傍に滲み出して
きた電子に依存するものであるから、あまり高くするこ
とはできない。
る゛′２次元電子ガス濃度は、ｎ型ＡｌＧａ、Ａｓ電子
供給層２とノン・ドープＧａＡｓ能動層３との電子親和
力の差で、ｎ型ＡｌｌＧａＡｓ電子供給層２からノン・
ドープＧａＡｓ能動層３のヘテロ界面近傍に滲み出して
きた電子に依存するものであるから、あまり高くするこ
とはできない。
このように、２次元電子ガス源度を高くすることができ
ないことは、即、大きな電流を取り出せないことに通ず
るので、この半導体装置に負荷図′路を接続して駆動す
る場合、容量のチャージ・アンプに時間が掛かり、機器
全体の動作速度は遅くなってしまう。従って、如何に高
速の半導体装置であっても、その機能が無駄になってし
まう場合がある。
ないことは、即、大きな電流を取り出せないことに通ず
るので、この半導体装置に負荷図′路を接続して駆動す
る場合、容量のチャージ・アンプに時間が掛かり、機器
全体の動作速度は遅くなってしまう。従って、如何に高
速の半導体装置であっても、その機能が無駄になってし
まう場合がある。
また、ゲート電極１に正電圧を印加してエネルギ・バン
ドを下げてゆくと、ゲート電極１とｎ型ＡｌｌＧａＡｓ
電子供給層２に於けるゲート電極１側でキャリヤが誘発
されて滞留する状態となり、ゲート電極１に於ける電位
変化をチャネル層である２次元電子ガス層４に充分に伝
達することが不可能になる。
ドを下げてゆくと、ゲート電極１とｎ型ＡｌｌＧａＡｓ
電子供給層２に於けるゲート電極１側でキャリヤが誘発
されて滞留する状態となり、ゲート電極１に於ける電位
変化をチャネル層である２次元電子ガス層４に充分に伝
達することが不可能になる。
そこで、前記のような欠点の一部でも解消しようとして
、ダブル・ヘテロ接合を有する半導体装置が考えられた
。
、ダブル・ヘテロ接合を有する半導体装置が考えられた
。
第４図はダブル・ヘテロ接合を有する半導体装置に於け
るエネルギ・バンド・ダイヤグラムを表し、第３図に於
いて用いた記号と同記号は同部分、を表すか或いは同じ
意味を持つものとする。
るエネルギ・バンド・ダイヤグラムを表し、第３図に於
いて用いた記号と同記号は同部分、を表すか或いは同じ
意味を持つものとする。
このダブル・ヘテロ接合を有する半導体装置が第３図に
つむ）で説明したシングル・？テロ接合を有する半導体
装置と相違する点は、ノン・ドープＧ ａ Ａ’ｓ能動
層３’ｈ＜ｎ型Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ 、ｓ電子供給層２
及びｎ型電子供″給層５に挟まれた構成になっているこ
とである。尚、６は？？？？である。
つむ）で説明したシングル・？テロ接合を有する半導体
装置と相違する点は、ノン・ドープＧ ａ Ａ’ｓ能動
層３’ｈ＜ｎ型Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ 、ｓ電子供給層２
及びｎ型電子供″給層５に挟まれた構成になっているこ
とである。尚、６は？？？？である。
この従来例では、ノン・ドープＧａＡｓ能動層３に対し
、ｎ型ＡＪＧａＡｓ電子供給層２及びｎ型ＡｎＧａＡｓ
電子供給層５０両方から供給されるので２次元電子ガス
層４に於ける２次元電子ガス源度は向上する。
、ｎ型ＡＪＧａＡｓ電子供給層２及びｎ型ＡｎＧａＡｓ
電子供給層５０両方から供給されるので２次元電子ガス
層４に於ける２次元電子ガス源度は向上する。
〔発明が解決しようとする問題点）
然しなから、第４図に見られる改良された”従来例のよ
うな構成にした場合、Ａｌ１ＧａＡｓ中の深い不純物準
位が特性に悪影響を与えるのに加え、ｎ型ＡｎＧａＡｓ
電子供給層４を薄く形・成する必要があり″、本発明者
が行った実験に依れば２・５０〔人〕以下にしなければ
ならず、従って、チャネルからショットキ・バリヤまで
の距離、即ち、２次元電子ガス層４からｎ型Ａｌ１Ｇａ
Ａｓ電子供給層２とゲート電極１との界面までの距離が
短くなるので、ゲート耐圧が著しく低くなる旨の欠点が
あり、しかも、ゲート容量も極めて大きくなってしまう
。また、ゲート電極１に電圧を印加した隙にｎ型Ａ１１
ＧａＡｓ電子供給層２めゲート電極１側に誘発されたキ
ャリヤが蓄積する問題も解決されない。
うな構成にした場合、Ａｌ１ＧａＡｓ中の深い不純物準
位が特性に悪影響を与えるのに加え、ｎ型ＡｎＧａＡｓ
電子供給層４を薄く形・成する必要があり″、本発明者
が行った実験に依れば２・５０〔人〕以下にしなければ
ならず、従って、チャネルからショットキ・バリヤまで
の距離、即ち、２次元電子ガス層４からｎ型Ａｌ１Ｇａ
Ａｓ電子供給層２とゲート電極１との界面までの距離が
短くなるので、ゲート耐圧が著しく低くなる旨の欠点が
あり、しかも、ゲート容量も極めて大きくなってしまう
。また、ゲート電極１に電圧を印加した隙にｎ型Ａ１１
ＧａＡｓ電子供給層２めゲート電極１側に誘発されたキ
ャリヤが蓄積する問題も解決されない。
本発明は、この種の半導体装置の構造に極めて簡単な改
変を加えることに依り、２次元電子ガス層に於ける２次
元電子ガス源度を高め且つ半導４中の深い不純物単位の
悪影響を回避すると共にゲート耐圧を向上できるように
する。
変を加えることに依り、２次元電子ガス層に於ける２次
元電子ガス源度を高め且つ半導４中の深い不純物単位の
悪影響を回避すると共にゲート耐圧を向上できるように
する。
本発明の半導体装置では、ダブル・ヘテロ接合の構成要
素となりチャネルが生成される化合物半導体能動層と、
同じくそのダブル・ヘテロ接合の構成要素であり前記化
合物半導体能動層よりも広いエネルギ・バンド・ギャッ
゛プを有し且つ仮に全体に不純物をドーピングした場合
にはヘテロ接合の影響で伝導帯のエネルギ準位が高くな
る部分にのみ不純物をドーピングした化合物半導体電子
供給層とを備えてなる構成を採っている。
素となりチャネルが生成される化合物半導体能動層と、
同じくそのダブル・ヘテロ接合の構成要素であり前記化
合物半導体能動層よりも広いエネルギ・バンド・ギャッ
゛プを有し且つ仮に全体に不純物をドーピングした場合
にはヘテロ接合の影響で伝導帯のエネルギ準位が高くな
る部分にのみ不純物をドーピングした化合物半導体電子
供給層とを備えてなる構成を採っている。
〔作用〕
前記構成に依ると、ダブル・ヘテロ接合を有する構造に
なっている為、２次元電子ガス層番こ於ける２次元電子
ガス源度は高くすることができ、しかも、化合物半導体
電子供給層に於けるヘテロ接合近傍のみに不純物をドー
ピングした構造になっている為、半導体中の深い不純物
単位の悪影響が回避され、また、ゲート耐圧は向上し、
更にまｈ、化合物半導体電子供給層のゲート電極側はノ
ン・ドープになっているので、伝導帯の底は略直線的に
なっているので誘発された電子が滞留する虞はなく、従
って、ゲート電極に於ける電位変化はチャネルである２
次元電子ガス層に確実に伝達され良好なチャネル動作が
行われる。
なっている為、２次元電子ガス層番こ於ける２次元電子
ガス源度は高くすることができ、しかも、化合物半導体
電子供給層に於けるヘテロ接合近傍のみに不純物をドー
ピングした構造になっている為、半導体中の深い不純物
単位の悪影響が回避され、また、ゲート耐圧は向上し、
更にまｈ、化合物半導体電子供給層のゲート電極側はノ
ン・ドープになっているので、伝導帯の底は略直線的に
なっているので誘発された電子が滞留する虞はなく、従
って、ゲート電極に於ける電位変化はチャネルである２
次元電子ガス層に確実に伝達され良好なチャネル動作が
行われる。
第１図は本発明一実施例に於けるエネルギ・ハンド・ダ
イヤグラムを表し、第３図及び第４図に於いて用いた記
号と同記号は同部分を表すが或いは同じ意味を持つもの
とする。
イヤグラムを表し、第３図及び第４図に於いて用いた記
号と同記号は同部分を表すが或いは同じ意味を持つもの
とする。
図に於いて、１１は金属からなるゲート電極、１２はノ
ン・ドープＡｌＧａＡｓ層１２Ａとｎ型ＡｌＧａＡｓ層
１２Ｂからなる電子供給層、１３はノン・ドープＧａＡ
ｓ能動層、１４はノン・ドープＡｌＧａＡｓ層１４Ａ及
びｎ型Ａｊ！ＧａＡｓ層１４Ｂからなる電子供給層、１
５はノン・ドープＡｌＧａＡｓ層、１６は２次元電子ガ
ス層をそれぞれ示している。
ン・ドープＡｌＧａＡｓ層１２Ａとｎ型ＡｌＧａＡｓ層
１２Ｂからなる電子供給層、１３はノン・ドープＧａＡ
ｓ能動層、１４はノン・ドープＡｌＧａＡｓ層１４Ａ及
びｎ型Ａｊ！ＧａＡｓ層１４Ｂからなる電子供給層、１
５はノン・ドープＡｌＧａＡｓ層、１６は２次元電子ガ
ス層をそれぞれ示している。
前記各半導体層に於ける諸データを例示すると次の通り
である。
である。
（１）ノン・ドープＡｎＧａＡｓｉ１２Ａについて厚さ
：〜２００ 〔人〕 （２）ｎ型Ａｔ！ＧａＡｓ層１２Ｂについて厚さ二〜１
００ 〔人〕 不純物濃度： ３ Ｘ １０” （ｃｍ−’）（３）ノ
ン・ドープＧａＡｓ能動層１３について厚さ二〜１００
〔人〕 （４）ノン・ドープＡｌＧａＡｓ層１４Ａについて厚さ
：〜５０ 〔人〕 （５）ｎ型Ａｊ！ＧａＡｓ層１４ Ｂについて厚さ：〜
１００ 〔人〕 不純物濃度： ３ ｘ ｌ Ｏ＋ｓ （ａｍ−３）本実
施例に用いられているＡ＃ＧａＡｓ層は、当然のことな
がら、Ａｊ２ＸＧａ、□Ａｓ層であって、ここでは、そ
のＸ値として０．３を選択している。また、ドナー濃度
は、ゲート耐圧が高いことから、かなりの高ドープが可
能であり、ここでは、前記したように３ Ｘ ｌ Ｏ”
（ｃｍ’−３）としである。更にまた、ノン・ドー
プＡｌＧａＡｓ層Ｉ４Ａは前記したように５０ 〔人〕
程度の極めて薄いスペーサ層であってｎ型ＡｌＧａＡｓ
層１４Ｂからノン・ドープＧａＡｓ能動層１３にドナー
不純物が拡散するのを抑制する働きをするものであって
、場合に依っては省くことができる。
：〜２００ 〔人〕 （２）ｎ型Ａｔ！ＧａＡｓ層１２Ｂについて厚さ二〜１
００ 〔人〕 不純物濃度： ３ Ｘ １０” （ｃｍ−’）（３）ノ
ン・ドープＧａＡｓ能動層１３について厚さ二〜１００
〔人〕 （４）ノン・ドープＡｌＧａＡｓ層１４Ａについて厚さ
：〜５０ 〔人〕 （５）ｎ型Ａｊ！ＧａＡｓ層１４ Ｂについて厚さ：〜
１００ 〔人〕 不純物濃度： ３ ｘ ｌ Ｏ＋ｓ （ａｍ−３）本実
施例に用いられているＡ＃ＧａＡｓ層は、当然のことな
がら、Ａｊ２ＸＧａ、□Ａｓ層であって、ここでは、そ
のＸ値として０．３を選択している。また、ドナー濃度
は、ゲート耐圧が高いことから、かなりの高ドープが可
能であり、ここでは、前記したように３ Ｘ ｌ Ｏ”
（ｃｍ’−３）としである。更にまた、ノン・ドー
プＡｌＧａＡｓ層Ｉ４Ａは前記したように５０ 〔人〕
程度の極めて薄いスペーサ層であってｎ型ＡｌＧａＡｓ
層１４Ｂからノン・ドープＧａＡｓ能動層１３にドナー
不純物が拡散するのを抑制する働きをするものであって
、場合に依っては省くことができる。
通常、ｎ型Ａ７！ＧａＡｓ中にはＤＸセンタと呼ばれる
深い不純物単位が存在しているが、本発明に依ると、Ｄ
Ｘセンタの全てがフェルミ・レベルＥＦより低いエネル
ギを持つ為、実質的な影響は全くない。
深い不純物単位が存在しているが、本発明に依ると、Ｄ
Ｘセンタの全てがフェルミ・レベルＥＦより低いエネル
ギを持つ為、実質的な影響は全くない。
本実施例に於いて、ゲート長り、を１ 〔μｍ〕とした
場合、約３’ ５０ （ｍ Ｓ ／ｍｕ）の相互コンダ
クタンスｇ、を得ることができた。
場合、約３’ ５０ （ｍ Ｓ ／ｍｕ）の相互コンダ
クタンスｇ、を得ることができた。
第２図は第１図に見られるエネルギ・バンドを有する半
導体装置の具体的構造を説明する為の要部切断側面図で
あり、第１図に於いて用いた記号と同記号は同部分を示
すか或いは同じ意味を持つものとする。
導体装置の具体的構造を説明する為の要部切断側面図で
あり、第１図に於いて用いた記号と同記号は同部分を示
すか或いは同じ意味を持つものとする。
図に於いて、１７は半絶縁性ＧａＡｓ基板、１８はノン
・ドープＧａＡｓ層、１９はソース電極、２０はドレイ
ン電極、２１及び２２は合金化領域をそれぞれ界してい
る。
・ドープＧａＡｓ層、１９はソース電極、２０はドレイ
ン電極、２１及び２２は合金化領域をそれぞれ界してい
る。
本実施例に於ける各部分の諸データを例示すると次の通
りである。
りである。
■ ノン・ドープＡｌＧａＡｓ層１５について厚さ＝２
０００ Ｃ人〕 ■ ノン・ドープＧａＡｓ層１８について厚さ：８００
（人〕 ■ ゲート電極１１について 材料：Ａ７！ 厚さ：４０００ （入〕 ゲート長Ｌ９：ＩＣμｍ〕 ■ ソース電極１９及びドレイン電極２０について 材料：Ａｕ−Ｇｅ／Ａｕ 厚さ：２０ＯＣ人）／２８００Ｃ人〕 合金化温度：４００（’Ｃ） 合金化時間：２〔分〕 尚、ノン・ドープＧａＡｓ層１８は、電極のオーミック
・コンタクトを良好にする為、ｎ型ＧａＡｓに代替して
も良い。
０００ Ｃ人〕 ■ ノン・ドープＧａＡｓ層１８について厚さ：８００
（人〕 ■ ゲート電極１１について 材料：Ａ７！ 厚さ：４０００ （入〕 ゲート長Ｌ９：ＩＣμｍ〕 ■ ソース電極１９及びドレイン電極２０について 材料：Ａｕ−Ｇｅ／Ａｕ 厚さ：２０ＯＣ人）／２８００Ｃ人〕 合金化温度：４００（’Ｃ） 合金化時間：２〔分〕 尚、ノン・ドープＧａＡｓ層１８は、電極のオーミック
・コンタクトを良好にする為、ｎ型ＧａＡｓに代替して
も良い。
本発明の半導体装置では、ダブル・ヘテロ接合の構成要
素であってチャネルが生成される化合物半導体能動層と
、前記ダブル・ヘテロ接合の構成要素であって前記化合
物半導体能動層に比較して広いエネルギ・バンド・ギャ
ップを有し且つ全体に不純物がドーピングされていると
した場合に前記ヘテロ接合に依り伝導帯のエネルギ準位
が高くなるべき部分にのみ不純物がドーピングされてな
る化合物半導体電子供給層とを備えてなる構成を採って
いる。
素であってチャネルが生成される化合物半導体能動層と
、前記ダブル・ヘテロ接合の構成要素であって前記化合
物半導体能動層に比較して広いエネルギ・バンド・ギャ
ップを有し且つ全体に不純物がドーピングされていると
した場合に前記ヘテロ接合に依り伝導帯のエネルギ準位
が高くなるべき部分にのみ不純物がドーピングされてな
る化合物半導体電子供給層とを備えてなる構成を採って
いる。
このように、ダブル・ヘテロ接合を有していることから
、化合物半導体能動層に生成される２次元電子ガス層の
２次元電子ガス濃度を高くすることができ、また、化合
物半導体電子供給層を薄く形成しても、そのゲート電極
側はノン・ドープになっているから、ゲート耐圧は充分
に高く、更にまた、ゲート電極に電圧を印加した場合、
伝導帯の底は略直線的な変化をするので、誘発された電
子が滞留しチャネル動作に悪影響を及ぼすこともなく、
しかも、前記したようにゲート耐圧が高いから、化合物
半導体能動層に電子を供給するのに影響する不純物のド
ーピングは高濃度にすることが可能である。そして、前
記構成にすると、半導体中の深い不純物単位が全てフェ
ルミ・レベルより低いエネルギを持つ為、その深い不純
物単位が起因する悪影響は無視することができる。
、化合物半導体能動層に生成される２次元電子ガス層の
２次元電子ガス濃度を高くすることができ、また、化合
物半導体電子供給層を薄く形成しても、そのゲート電極
側はノン・ドープになっているから、ゲート耐圧は充分
に高く、更にまた、ゲート電極に電圧を印加した場合、
伝導帯の底は略直線的な変化をするので、誘発された電
子が滞留しチャネル動作に悪影響を及ぼすこともなく、
しかも、前記したようにゲート耐圧が高いから、化合物
半導体能動層に電子を供給するのに影響する不純物のド
ーピングは高濃度にすることが可能である。そして、前
記構成にすると、半導体中の深い不純物単位が全てフェ
ルミ・レベルより低いエネルギを持つ為、その深い不純
物単位が起因する悪影響は無視することができる。
第１図は本発明一実施例に於けるエネルギ・バンド・ダ
イヤグラム、第２図は第１図に見られるようなエネルギ
・バンドを有する半導体装置の具体的構造を説明する為
の要部切断側面図、第３図は従来例に於けるエネルギ・
バンド・ダイヤグラム、第４図は改良された従来例に於
けるエネルギ・バンド・ダイヤグラムをそれぞれ表して
いる。 図に於いて、１１はゲート電極、１２は電子供給層、１
３は能動層、１４は電子供給層、１５はノン・ドープＡ
ＮＧａＡｓ層、１６は２次元電子ガス層、１７は半絶縁
性ＧａＡｓ基板、１８はノン・ドープＧａＡｓ層、１９
はソース電極、２０はドレイン電極、２１及び２２は合
金化領域をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 本発明一実施例のエネルギ・バンド・ダイヤグラム第１
図 第２図 従来例のエネルギ・バンド・り゛イヤグラム第３図
イヤグラム、第２図は第１図に見られるようなエネルギ
・バンドを有する半導体装置の具体的構造を説明する為
の要部切断側面図、第３図は従来例に於けるエネルギ・
バンド・ダイヤグラム、第４図は改良された従来例に於
けるエネルギ・バンド・ダイヤグラムをそれぞれ表して
いる。 図に於いて、１１はゲート電極、１２は電子供給層、１
３は能動層、１４は電子供給層、１５はノン・ドープＡ
ＮＧａＡｓ層、１６は２次元電子ガス層、１７は半絶縁
性ＧａＡｓ基板、１８はノン・ドープＧａＡｓ層、１９
はソース電極、２０はドレイン電極、２１及び２２は合
金化領域をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 本発明一実施例のエネルギ・バンド・ダイヤグラム第１
図 第２図 従来例のエネルギ・バンド・り゛イヤグラム第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ダブル・ヘテロ接合の構成要素であってチャネルが生成
される化合物半導体能動層と、 前記ダブル・ヘテロ接合の構成要素であって前記化合物
半導体能動層に比較して広いエネルギ・バンド・ギャッ
プを有し且つ全体に不純物がドーピングされているとし
た場合に前記ヘテロ接合に依り伝導帯のエネルギ準位が
高くなるべき部分にのみ不純物がドーピングされてなる
化合物半導体電子供給層と を備えてなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17499685A JPS6236871A (ja) | 1985-08-10 | 1985-08-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17499685A JPS6236871A (ja) | 1985-08-10 | 1985-08-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236871A true JPS6236871A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=15988394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17499685A Pending JPS6236871A (ja) | 1985-08-10 | 1985-08-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236871A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01268070A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Toshiba Corp | ヘテロ接合型電界効果トランジスタ |
| US7237804B2 (en) | 2001-12-27 | 2007-07-03 | Nsk Ltd. | Vehicle tilt type steering device |
-
1985
- 1985-08-10 JP JP17499685A patent/JPS6236871A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01268070A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Toshiba Corp | ヘテロ接合型電界効果トランジスタ |
| US7237804B2 (en) | 2001-12-27 | 2007-07-03 | Nsk Ltd. | Vehicle tilt type steering device |
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