JPS6236819A - 半導体焼付露光装置 - Google Patents
半導体焼付露光装置Info
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- JPS6236819A JPS6236819A JP60175714A JP17571485A JPS6236819A JP S6236819 A JPS6236819 A JP S6236819A JP 60175714 A JP60175714 A JP 60175714A JP 17571485 A JP17571485 A JP 17571485A JP S6236819 A JPS6236819 A JP S6236819A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- exposure
- lamp
- lighting
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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- Public Health (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は半導体焼付露光装置に関し、更に詳しくはステ
ッパ等のマスクアライナにおいて露光用光源の安定動作
のために光源の強制冷却装置を備えた型式の半導体焼付
露光装置に関づる。
ッパ等のマスクアライナにおいて露光用光源の安定動作
のために光源の強制冷却装置を備えた型式の半導体焼付
露光装置に関づる。
［従来の技術１
近年、半導体テバイスはＩＣからＬＳｌｌそして超しＳ
ｌへとパターンの微細化と高集積化がめざましく、半導
体焼付露光装置の分野でもこれに答える為に各種方式の
ステッパーが開発されている。ステッパーでは毎ショツ
ｉ〜の焼付画面のサイズが小さく、ウェハ全面の焼付に
は画面をステンプ移動させながら数十シミツトの露光を
くり返すのでスループットが低いという欠点があり、こ
の為、毎ショットの露光時間の短縮を計る努力がなされ
ている。
ｌへとパターンの微細化と高集積化がめざましく、半導
体焼付露光装置の分野でもこれに答える為に各種方式の
ステッパーが開発されている。ステッパーでは毎ショツ
ｉ〜の焼付画面のサイズが小さく、ウェハ全面の焼付に
は画面をステンプ移動させながら数十シミツトの露光を
くり返すのでスループットが低いという欠点があり、こ
の為、毎ショットの露光時間の短縮を計る努力がなされ
ている。
露光時間を短縮する手段として光源である水銀ランプの
りツテージを大きくする事が考えられるが、単純に水銀
ランプのワッテージを大きくしただけではランプの発熱
量も対応して増大し、ステッパー全体としての熱バラン
スが変化する等の理由から、最近では、照明系の露光用
シャッターと同期させて毎ショットのウェハの露光時に
限り通常点灯時の約２倍近くの電力を水銀ランプに投入
することにより露光時に大光量を得るフラッシュ型水銀
ランプが採用されている。（以下、フラッシュ型水銀ラ
ンプにおいて、通常点灯をアイドル点灯、露光時の大電
力投入点灯の事をフラッシュアップ点灯という。） 一般的に水銀ランプの点灯において、発光アーク周辺の
ガラス管球部はある一定の温度条件を満たしていなけれ
ばならず、温度が低過ぎると管球部内部に封入されてい
る水銀の蒸気圧が下がってしまい、光量の低下あるいは
発光アークが不安定になり、チラッキ等の原因となる。
りツテージを大きくする事が考えられるが、単純に水銀
ランプのワッテージを大きくしただけではランプの発熱
量も対応して増大し、ステッパー全体としての熱バラン
スが変化する等の理由から、最近では、照明系の露光用
シャッターと同期させて毎ショットのウェハの露光時に
限り通常点灯時の約２倍近くの電力を水銀ランプに投入
することにより露光時に大光量を得るフラッシュ型水銀
ランプが採用されている。（以下、フラッシュ型水銀ラ
ンプにおいて、通常点灯をアイドル点灯、露光時の大電
力投入点灯の事をフラッシュアップ点灯という。） 一般的に水銀ランプの点灯において、発光アーク周辺の
ガラス管球部はある一定の温度条件を満たしていなけれ
ばならず、温度が低過ぎると管球部内部に封入されてい
る水銀の蒸気圧が下がってしまい、光量の低下あるいは
発光アークが不安定になり、チラッキ等の原因となる。
また逆に温度が高過ぎると水銀の蒸気圧が異常に＾くな
る為、管球部のバンク等の原因となり、このため、ガラ
ス管球部に強制空冷を実施している。
る為、管球部のバンク等の原因となり、このため、ガラ
ス管球部に強制空冷を実施している。
従来のフラッシュ型水銀ランプの点灯では、アイドル点
灯時と露光時におけるフラッシュアップ点灯時とのラン
プ投入電力が２倍近くの幅で変動しており、これに伴っ
て、アーク周辺のガラス管球部の温度も変動していると
考えられるが、温度 ゛条件を一定にすべき強制空冷系
が、その冷却能力を変えることなく一定条件で空冷して
いる為、次のような問題点があった。すなわち、アイド
ル点灯時の投入電力でガラス管球部の温度条件が最適に
なる様に強制空冷系をセットした場合には、フラッシュ
アップ点灯時ではガラス管球部の温度が上り過ぎてしま
い、管球部のバンクの原因となり得る。また、ワラツユ
アップ点灯時の投入電力でガラス管球部の温度条件が最
適になる様に強制中冷光をセットした場合は、逆にアイ
ドル点灯時になるとガラス管球部が過冷却となり、ラン
プのチラッキの発生や、あるいは封入されている水銀の
蒸気圧が下り過ぎている為にアイドル点灯からフラッシ
ュアップ点灯に切換える時にランプ投力電力の上昇に対
して光量増加の追従時間の遅れ、すなわち過渡応答性の
劣化等が生じ、結果として安定した光量が得られないと
いう欠点があった。
灯時と露光時におけるフラッシュアップ点灯時とのラン
プ投入電力が２倍近くの幅で変動しており、これに伴っ
て、アーク周辺のガラス管球部の温度も変動していると
考えられるが、温度 ゛条件を一定にすべき強制空冷系
が、その冷却能力を変えることなく一定条件で空冷して
いる為、次のような問題点があった。すなわち、アイド
ル点灯時の投入電力でガラス管球部の温度条件が最適に
なる様に強制空冷系をセットした場合には、フラッシュ
アップ点灯時ではガラス管球部の温度が上り過ぎてしま
い、管球部のバンクの原因となり得る。また、ワラツユ
アップ点灯時の投入電力でガラス管球部の温度条件が最
適になる様に強制中冷光をセットした場合は、逆にアイ
ドル点灯時になるとガラス管球部が過冷却となり、ラン
プのチラッキの発生や、あるいは封入されている水銀の
蒸気圧が下り過ぎている為にアイドル点灯からフラッシ
ュアップ点灯に切換える時にランプ投力電力の上昇に対
して光量増加の追従時間の遅れ、すなわち過渡応答性の
劣化等が生じ、結果として安定した光量が得られないと
いう欠点があった。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明は、前述の従来技術の欠点を除去して、露光用光
源がどのような点灯条件であってもその温度条件が一定
範囲内に保たれるような半導体焼付露光装置を提供する
ことを目的とするものである。
源がどのような点灯条件であってもその温度条件が一定
範囲内に保たれるような半導体焼付露光装置を提供する
ことを目的とするものである。
［問題点の解決手段］
本発明によれば、前述の問題点を解決するために、露光
用光源の強制冷却装置を有する半導体焼付露光装置に対
して、露光用光源の温度を検出する温度検出手段と、こ
の湿度検出手段による検出温度に基づいて露光用光源が
予じめ定められた範曲内の温度に保たれるように強制冷
却装置の冷却能力を制御する制御手段とが装備される。
用光源の強制冷却装置を有する半導体焼付露光装置に対
して、露光用光源の温度を検出する温度検出手段と、こ
の湿度検出手段による検出温度に基づいて露光用光源が
予じめ定められた範曲内の温度に保たれるように強制冷
却装置の冷却能力を制御する制御手段とが装備される。
本発明の具体的な態様において、前記露光用光源は水銀
ランプであってよく、特別な場合は前述したようなフラ
ッシュ型水銀ランプであってもよい。また強制冷却装置
としては、露光用光源を空冷するためのファン、或いは
クリーンエア吹付Ｇノノズルなどを用いて、制御手段に
よりファンの回転数或いはノズルのエア吹出量などを制
御する。
ランプであってよく、特別な場合は前述したようなフラ
ッシュ型水銀ランプであってもよい。また強制冷却装置
としては、露光用光源を空冷するためのファン、或いは
クリーンエア吹付Ｇノノズルなどを用いて、制御手段に
よりファンの回転数或いはノズルのエア吹出量などを制
御する。
［作 用１
本発明の半導体焼付露光装置では、露光用光源の温度を
監視して強制冷却装置を運転できるので、光源の温度の
変動に応じて強制冷却装置の冷却条件を最適化すること
ができ、露光用光源の温度条件を常に一様に保って、例
えば光源用水銀ランプの破裂や発光のチラッキを防止し
、フラッシュアップ点灯時の過渡応答性の劣化を防止す
ることが可能となるものである。
監視して強制冷却装置を運転できるので、光源の温度の
変動に応じて強制冷却装置の冷却条件を最適化すること
ができ、露光用光源の温度条件を常に一様に保って、例
えば光源用水銀ランプの破裂や発光のチラッキを防止し
、フラッシュアップ点灯時の過渡応答性の劣化を防止す
ることが可能となるものである。
［実施例］
第１図に本発明の実施例を示す。露光用光源としてのフ
ラッシュ型水銀ランプ１は、投影光学系中に設けられた
シ１１ツタ６と同期してアイドル点灯およびフラッジコ
アツブ点灯の互いに異なる投入電力に切替可能な点灯装
置２によって電力供給を受けて点灯する。水銀ランプ１
の上方には空冷ファン４が配置され、コントロールユニ
ット５によって制御された送風機で水銀ランプ１を強制
空冷するようになっている。水銀ランプ１には温度セン
サ−３が取付【ノられ、ランプ管球部の温度が検出され
てコントロールユニット ５へ制御情報として与えられ
ている。
ラッシュ型水銀ランプ１は、投影光学系中に設けられた
シ１１ツタ６と同期してアイドル点灯およびフラッジコ
アツブ点灯の互いに異なる投入電力に切替可能な点灯装
置２によって電力供給を受けて点灯する。水銀ランプ１
の上方には空冷ファン４が配置され、コントロールユニ
ット５によって制御された送風機で水銀ランプ１を強制
空冷するようになっている。水銀ランプ１には温度セン
サ−３が取付【ノられ、ランプ管球部の温度が検出され
てコントロールユニット ５へ制御情報として与えられ
ている。
上記構成において、点灯装置２より電力を供給されてフ
ラッシュ型水銀ランプ１は通常アイドルモードで点灯す
る。次にウェハを焼く為に、シャッタ ６はつＪハ１枚
当り数十ショツ１〜に渡り露光の為の開閉をくり返す。
ラッシュ型水銀ランプ１は通常アイドルモードで点灯す
る。次にウェハを焼く為に、シャッタ ６はつＪハ１枚
当り数十ショツ１〜に渡り露光の為の開閉をくり返す。
このシャッタ ６の開閉にＪ：り同期信号を受Ｃｊた点
灯装置２は、シャッタ６が間の時はフラッシュアップの
為大電力をランプ１に供給し、シャッタ ６が閉の時は
アイドル点灯時の電力に戻す動作をくり返す。
灯装置２は、シャッタ６が間の時はフラッシュアップの
為大電力をランプ１に供給し、シャッタ ６が閉の時は
アイドル点灯時の電力に戻す動作をくり返す。
フラッシュ型水銀ランプ１は、点灯装＠２から供給され
る電力の切換によって発光光量の切換を行なわれるが、
これに伴って、ランプ管球部の温度は、アイドル点灯時
とフラッシュアップ点灯時の電力の差、デユーティタイ
ムの差、露光回数等により複雑に変動する。
る電力の切換によって発光光量の切換を行なわれるが、
これに伴って、ランプ管球部の温度は、アイドル点灯時
とフラッシュアップ点灯時の電力の差、デユーティタイ
ムの差、露光回数等により複雑に変動する。
送風ファン４は、外気をランプ周辺に′７Ｎ１事によっ
てフラッシュ型水銀ランプ１を冷却している。
てフラッシュ型水銀ランプ１を冷却している。
温度センサ３によりランプの温度をモニタして得た温度
信号がコントロールユニット５に入力されると、コント
ロールユニット ５は、送風ファン４の回転数を制御し
てフラッシュ型水銀ランプの冷却の為の送風流量を最適
化する。従ってランプ１に供給される電力が、アイドル
点灯１、フラッシュ点灯と、急激に切替を繰り返しても
、ランプの温度は常に一定に保つ事が出来、安定した光
量を得る事が可能になる。
信号がコントロールユニット５に入力されると、コント
ロールユニット ５は、送風ファン４の回転数を制御し
てフラッシュ型水銀ランプの冷却の為の送風流量を最適
化する。従ってランプ１に供給される電力が、アイドル
点灯１、フラッシュ点灯と、急激に切替を繰り返しても
、ランプの温度は常に一定に保つ事が出来、安定した光
量を得る事が可能になる。
前記実施例の送風ファン４をノズルに変更し、クリーン
エアをノズルから吹き付けてランプ１を冷却しても同様
の効果がある。
エアをノズルから吹き付けてランプ１を冷却しても同様
の効果がある。
第２図はこの場合の実施例を示し、クリーンエア吹出し
ノズルｌからはクリーンエア９が流量調整弁８によって
調整された流用で吹出すようになっている。
ノズルｌからはクリーンエア９が流量調整弁８によって
調整された流用で吹出すようになっている。
この構成において、温度センサ３よりランプ温度の信号
をコントロールユニット５に取り込み、コントロールユ
ニット ５で流量調整弁８を制御し、供給されたクリー
ンエア９を吹出しノズル７よりランプの冷却に最適化さ
れた流量で吹付けてランプ温度を一定に保つ。
をコントロールユニット５に取り込み、コントロールユ
ニット ５で流量調整弁８を制御し、供給されたクリー
ンエア９を吹出しノズル７よりランプの冷却に最適化さ
れた流量で吹付けてランプ温度を一定に保つ。
［発明の効果］
以上説明した様に、本発明によれば、フラッシュ型水銀
ランプ等の露光用光源の強制冷却系の冷却能力を、光源
の温度をモニタしながら制御する事により、光源から安
定した光を得ると同時に、光源の温度が一定になる為、
光源ランプ寿命の延長にも効果がある。また、ステッパ
に適用した場合、照明光学系からの発熱量が安定するの
で、熱の変動による焼付性能の影響を除去する効果があ
る。
ランプ等の露光用光源の強制冷却系の冷却能力を、光源
の温度をモニタしながら制御する事により、光源から安
定した光を得ると同時に、光源の温度が一定になる為、
光源ランプ寿命の延長にも効果がある。また、ステッパ
に適用した場合、照明光学系からの発熱量が安定するの
で、熱の変動による焼付性能の影響を除去する効果があ
る。
第１図は本発明の実施例を示す概念図、第２図は別の実
施例を示す概念図である。 図中、１はフラッシュ型水銀ランプ、２は点灯装置、３
は温度センサ、４は送風ファン、５はコントロールユニ
ット、６はシャッタ、７はクリーンエア吹出しノズル、
８は流量調整弁、９はクリーンエアパイプを示す。
施例を示す概念図である。 図中、１はフラッシュ型水銀ランプ、２は点灯装置、３
は温度センサ、４は送風ファン、５はコントロールユニ
ット、６はシャッタ、７はクリーンエア吹出しノズル、
８は流量調整弁、９はクリーンエアパイプを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、露光用光源の強制冷却装置を有する半導体焼付露光
装置において、露光用光源の温度を検出する温度検出手
段と、検出温度に基づいて露光用光源が予じめ定められ
た範囲内の温度に保持されるように強制冷却装置の冷却
能力を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする半
導体焼付露光装置。 ２、ウェハ面上で焼付領域をステップ移動させながら複
数ショットの露光を繰り返す方式の半導体焼付露光装置
であって、露光用光源が毎ショットの露光時にステップ
時よりも大なる電力を供給されるフラッシュ型水銀ラン
プを含んでいることを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載の半導体焼付露光装置。 ３、強制冷却装置が空冷ファンを有し、制御手段が該空
冷ファンの回転数を制御するものであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の半導体焼付露光装置。 ４、強制冷却装置が露光用光源にクリーンエアを吹付け
るノズルを有し、制御手段が該ノズルのエア吹出量を制
御するものであることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の半導体焼付露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60175714A JPS6236819A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | 半導体焼付露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60175714A JPS6236819A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | 半導体焼付露光装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7219462A Division JPH08181067A (ja) | 1995-08-07 | 1995-08-07 | 露光用光源および露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236819A true JPS6236819A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=16000953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60175714A Pending JPS6236819A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | 半導体焼付露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236819A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0289513U (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-16 | ||
| US5696623A (en) * | 1993-08-05 | 1997-12-09 | Fujitsu Limited | UV exposure with elongated service lifetime |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5825041B2 (ja) * | 1979-08-03 | 1983-05-25 | 日本電信電話株式会社 | ダイヤモンド状炭素膜の製造方法 |
| JPS58196023A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-11-15 | フユ−ジヨン・システムズ・コ−ポレ−シヨン | 深紫外線フオトリトグラフイ−を達成する方法及び装置 |
| JPS58200225A (ja) * | 1982-05-19 | 1983-11-21 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
-
1985
- 1985-08-12 JP JP60175714A patent/JPS6236819A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5825041B2 (ja) * | 1979-08-03 | 1983-05-25 | 日本電信電話株式会社 | ダイヤモンド状炭素膜の製造方法 |
| JPS58196023A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-11-15 | フユ−ジヨン・システムズ・コ−ポレ−シヨン | 深紫外線フオトリトグラフイ−を達成する方法及び装置 |
| JPS58200225A (ja) * | 1982-05-19 | 1983-11-21 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0289513U (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-16 | ||
| US5696623A (en) * | 1993-08-05 | 1997-12-09 | Fujitsu Limited | UV exposure with elongated service lifetime |
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