JP3163924B2 - 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 - Google Patents
照明装置及びそれを用いた投影露光装置Info
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
- G03F7/70175—Lamphouse reflector arrangements or collector mirrors, i.e. collecting light from solid angle upstream of the light source
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- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は照明装置及びそれを用い
た投影露光装置に関し、特にＩＣ，ＬＳＩ、そして液晶
素子等の半導体デバイスの製造装置等において照明装置
に用いる光源手段が発熱し、温度上昇をしたときに生じ
る電極劣化に伴う発光効率の低下を防止し、被照射面上
の照度を良好に維持し、高精度で安定した半導体デバイ
スを製造する際に好適なものである。
た投影露光装置に関し、特にＩＣ，ＬＳＩ、そして液晶
素子等の半導体デバイスの製造装置等において照明装置
に用いる光源手段が発熱し、温度上昇をしたときに生じ
る電極劣化に伴う発光効率の低下を防止し、被照射面上
の照度を良好に維持し、高精度で安定した半導体デバイ
スを製造する際に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より半導体デバイスの製造装置には
高解像力と共に高スループット化が要望されている。
高解像力と共に高スループット化が要望されている。
【０００３】一般に照明装置からの露光光で照明したレ
チクル面上の回路パターンを投影光学系によりウエハ面
上に投影露光する際に高スループット化を図る為にウエ
ハ面上のレジストを短い露光時間で感光させパターンを
形成するには露光用の光源手段からの光量を増加させる
必要がある。これによれば露光速度を上げて高スループ
ット化が容易に図れる。
チクル面上の回路パターンを投影光学系によりウエハ面
上に投影露光する際に高スループット化を図る為にウエ
ハ面上のレジストを短い露光時間で感光させパターンを
形成するには露光用の光源手段からの光量を増加させる
必要がある。これによれば露光速度を上げて高スループ
ット化が容易に図れる。
【０００４】しかしながら光源手段の電力を上げて発光
光量を増加させると光源の発熱による電極劣化が促進
し、光源寿命が低下してしまう。又発熱による装置の熱
バランスも悪化してしまう。そこでこういったことを防
止する為に、例えば特開昭６２−３６８１９号公報では
温度センサーにより光源の回りの温度を検出し、その温
度センサーからの信号をコントローラにフィードバック
させ、電気ファンの回転数やノズルへの空気流量を温度
信号により可変化し、これにより光源の発熱を抑制した
構成の半導体焼付露光装置を提案している。
光量を増加させると光源の発熱による電極劣化が促進
し、光源寿命が低下してしまう。又発熱による装置の熱
バランスも悪化してしまう。そこでこういったことを防
止する為に、例えば特開昭６２−３６８１９号公報では
温度センサーにより光源の回りの温度を検出し、その温
度センサーからの信号をコントローラにフィードバック
させ、電気ファンの回転数やノズルへの空気流量を温度
信号により可変化し、これにより光源の発熱を抑制した
構成の半導体焼付露光装置を提案している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】一般に光源手段の発熱
による温度上昇を防止する方法として光源手段の周囲に
設けた温度センサーからの信号に基づいて圧縮空気や冷
却気体等を用いた冷却手段により光源手段を強制冷却す
る方法は高精度の温度管理ができるという特長がある。
による温度上昇を防止する方法として光源手段の周囲に
設けた温度センサーからの信号に基づいて圧縮空気や冷
却気体等を用いた冷却手段により光源手段を強制冷却す
る方法は高精度の温度管理ができるという特長がある。
【０００６】しかしながら半導体デバイス製造用の投影
露光装置では一般に光源手段の許容幅が１００℃程度と
大きい。この為、必ずしも温度センサーや制御手段を用
いて高精度に温度管理をする必要がない。温度センサー
やそれからの信号を用いて光源手段を冷却する方法は高
精度の温度管理ができるが、どうしても装置全体の構成
が複雑化してくるという問題点がある。
露光装置では一般に光源手段の許容幅が１００℃程度と
大きい。この為、必ずしも温度センサーや制御手段を用
いて高精度に温度管理をする必要がない。温度センサー
やそれからの信号を用いて光源手段を冷却する方法は高
精度の温度管理ができるが、どうしても装置全体の構成
が複雑化してくるという問題点がある。
【０００７】
【０００８】本発明の目的は、光源の温度管理を行なう
構成が簡単な照明装置、投影露光装置及び半導体デバイ
ス製造方法を提供することにある。
構成が簡単な照明装置、投影露光装置及び半導体デバイ
ス製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明の照明装
置は水銀ランプと、該水銀ランプに電力を供給して発光
させる点灯装置と、前記水銀ランプが発した光を被照明
面に入射させる照明光学系と、前記水銀ランプを冷却す
る空気を噴出するノズル装置と、前記電力を制御する制
御信号に基づいて前記ノズル装置の前記空気の流量を制
御する手段とを有し、前記ノズル装置は、前記水銀ラン
プのプラス極側の電極部分に対応させた第１ノズルと前
記水銀ランプのマイナス極側の電極部分に対応させた第
２ノズルとを有し、前記第１ノズルと前記第２ノズルは
それぞれ流量調整用絞り弁を有することを特徴としてい
る。
置は水銀ランプと、該水銀ランプに電力を供給して発光
させる点灯装置と、前記水銀ランプが発した光を被照明
面に入射させる照明光学系と、前記水銀ランプを冷却す
る空気を噴出するノズル装置と、前記電力を制御する制
御信号に基づいて前記ノズル装置の前記空気の流量を制
御する手段とを有し、前記ノズル装置は、前記水銀ラン
プのプラス極側の電極部分に対応させた第１ノズルと前
記水銀ランプのマイナス極側の電極部分に対応させた第
２ノズルとを有し、前記第１ノズルと前記第２ノズルは
それぞれ流量調整用絞り弁を有することを特徴としてい
る。
【００１０】請求項２の発明の投影露光装置は請求項１
に記載の照明装置と、該照明装置により照明したマスク
のパターンを投影する投影光学系とを有することを特徴
としている。
に記載の照明装置と、該照明装置により照明したマスク
のパターンを投影する投影光学系とを有することを特徴
としている。
【００１１】請求項３の発明の半導体デバイス製造方法
は請求項２に記載の投影露光装置を用いて回路パターン
でウエハを露光する段階と、該露光したウエハを現像す
る段階とを含むことを特徴としている。
は請求項２に記載の投影露光装置を用いて回路パターン
でウエハを露光する段階と、該露光したウエハを現像す
る段階とを含むことを特徴としている。
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【実施例】図１は本発明の照明装置及びそれを用いた投
影露光装置の実施例１の要部概略図である。
影露光装置の実施例１の要部概略図である。
【００１６】図中、３は楕円鏡である。２は光源手段と
しての発光管であり、水銀ランプ等から成り、紫外線及
び遠紫外線等を放射する高輝度の発光部２ａを有してい
る。発光部２ａは楕円鏡３の第１焦点近傍に配置してい
る。光源手段２は点灯手段５１からの電力、即ち後述す
る電力制御信号に応じた値の発光量で点灯している。４
ａ，４ｂ（４）は各々ノズルであり、流量制御手段５２
によって制御した空気（圧縮空気や冷却空気や冷却気体
等を含む。）を光源手段２に吹き付けて該光源手段２を
強制冷却している。ノズル４と流量制御手段５２は冷却
手段の一要素を構成している。５はコールドミラーであ
り、多層膜より成り、大部分の赤外光を透過すると共に
大部分の紫外光を反射させている。楕円鏡３はコールド
ミラー５を介して第２焦点３ｂ近傍に発光部２ａの発光
部像（光源像）２ｂを形成している。
しての発光管であり、水銀ランプ等から成り、紫外線及
び遠紫外線等を放射する高輝度の発光部２ａを有してい
る。発光部２ａは楕円鏡３の第１焦点近傍に配置してい
る。光源手段２は点灯手段５１からの電力、即ち後述す
る電力制御信号に応じた値の発光量で点灯している。４
ａ，４ｂ（４）は各々ノズルであり、流量制御手段５２
によって制御した空気（圧縮空気や冷却空気や冷却気体
等を含む。）を光源手段２に吹き付けて該光源手段２を
強制冷却している。ノズル４と流量制御手段５２は冷却
手段の一要素を構成している。５はコールドミラーであ
り、多層膜より成り、大部分の赤外光を透過すると共に
大部分の紫外光を反射させている。楕円鏡３はコールド
ミラー５を介して第２焦点３ｂ近傍に発光部２ａの発光
部像（光源像）２ｂを形成している。
【００１７】１１はレンズ系であり、コンデンサーレン
ズやズームレンズ等から成り第２焦点３ｂ近傍に形成し
た発光部像２ｂをミラー６を介してオプティカルインテ
グレータ１２の入射面１２ａに結像させている。オプテ
ィカルインテグレータ１２は複数の微小レンズ（ハエの
眼レンズ）１２ｉ（ｉ＝１〜Ｎ）を２次元的に所定のピ
ッチで配列して構成しており、その射出面１２ｂ近傍に
２次光源を形成している。１２ｃは絞りであり、オプテ
ィカルインテグレータ１２の射出面１２ｂ近傍の２次光
源面に位置している。７はミラーである。１３は集光レ
ンズである。
ズやズームレンズ等から成り第２焦点３ｂ近傍に形成し
た発光部像２ｂをミラー６を介してオプティカルインテ
グレータ１２の入射面１２ａに結像させている。オプテ
ィカルインテグレータ１２は複数の微小レンズ（ハエの
眼レンズ）１２ｉ（ｉ＝１〜Ｎ）を２次元的に所定のピ
ッチで配列して構成しており、その射出面１２ｂ近傍に
２次光源を形成している。１２ｃは絞りであり、オプテ
ィカルインテグレータ１２の射出面１２ｂ近傍の２次光
源面に位置している。７はミラーである。１３は集光レ
ンズである。
【００１８】オプティカルインテグレータ１２の射出面
１２ｂ近傍の２次光源から射出した複数の光束は、ミラ
ー７を介して集光レンズ１３で集光され、一部がハーフ
ミラー面となっているミラー８で反射して、面５７を均
一照明している。１４はシャッターであり、面５７近傍
に設けている。１５はスリットであり、面５７に集光し
た光束の一部を通過させている。９、１０は各々凹面ミ
ラー等から成る集光系であり、集光手段９、１０を介し
てスリット１５の開口を通過した光束で、被照射面とし
てのレチクル（フォトマスク７）１６面を均一照明して
いる。１は照度センサーであり、ハーフミラー８を通過
した光束を検出して面５７、即ち被照射面１６上の照度
を測定している。５３は投影光学系（投影レンズ）であ
り、レチクル１６面上の回路パターンをウエハチャック
に載置したウエハ（基板）５４面上に縮小投影してい
る。５３ａは投影光学系５３の瞳面である。
１２ｂ近傍の２次光源から射出した複数の光束は、ミラ
ー７を介して集光レンズ１３で集光され、一部がハーフ
ミラー面となっているミラー８で反射して、面５７を均
一照明している。１４はシャッターであり、面５７近傍
に設けている。１５はスリットであり、面５７に集光し
た光束の一部を通過させている。９、１０は各々凹面ミ
ラー等から成る集光系であり、集光手段９、１０を介し
てスリット１５の開口を通過した光束で、被照射面とし
てのレチクル（フォトマスク７）１６面を均一照明して
いる。１は照度センサーであり、ハーフミラー８を通過
した光束を検出して面５７、即ち被照射面１６上の照度
を測定している。５３は投影光学系（投影レンズ）であ
り、レチクル１６面上の回路パターンをウエハチャック
に載置したウエハ（基板）５４面上に縮小投影してい
る。５３ａは投影光学系５３の瞳面である。
【００１９】本実施例においては発光部２ａと第２焦点
３ｂとオプティカルインテグレータ１２の入射面１２ａ
が略共役関係となっている。又絞り１２ｃと投影光学系
５３の瞳面５３ａとが略共役関係となっている。
３ｂとオプティカルインテグレータ１２の入射面１２ａ
が略共役関係となっている。又絞り１２ｃと投影光学系
５３の瞳面５３ａとが略共役関係となっている。
【００２０】本実施例では以上のような構成によりレチ
クル１６面上のパターンをウエハ５４面上に縮小投影露
光している。そして所定の現像処理過程を経て半導体素
子を製造している。
クル１６面上のパターンをウエハ５４面上に縮小投影露
光している。そして所定の現像処理過程を経て半導体素
子を製造している。
【００２１】５６は差動増幅器であり、照度センサー１
からの信号と被照射面上の照度を予め設定する信号を出
す照度指令部５５からの指令信号との差分から作られる
信号を増幅して、電力制御信号として出力している。
からの信号と被照射面上の照度を予め設定する信号を出
す照度指令部５５からの指令信号との差分から作られる
信号を増幅して、電力制御信号として出力している。
【００２２】本実施例では差動増幅器５６からの電力制
御信号を点灯装置５１で電力に変換し、該電力の大きさ
に基づいて光源手段２の点灯（発光量）の強弱を制御し
ている。
御信号を点灯装置５１で電力に変換し、該電力の大きさ
に基づいて光源手段２の点灯（発光量）の強弱を制御し
ている。
【００２３】一方、差動増幅器５６からの電力制御信号
は流量制御装置５２にも入力している。流量制御装置５
２は電力制御信号の大きさに基づいてノズル４から流出
する空気を制御して光源手段２を強制冷却して温度上昇
を防止している。
は流量制御装置５２にも入力している。流量制御装置５
２は電力制御信号の大きさに基づいてノズル４から流出
する空気を制御して光源手段２を強制冷却して温度上昇
を防止している。
【００２４】このように本実施例では光源手段２の点灯
の強弱を制御する電力制御信号を用いて光源手段を強制
冷却し、これにより光源手段の温度を検出する為の温度
センサーを用いずに光源手段の温度を効率的に制御して
いる。
の強弱を制御する電力制御信号を用いて光源手段を強制
冷却し、これにより光源手段の温度を検出する為の温度
センサーを用いずに光源手段の温度を効率的に制御して
いる。
【００２５】図２は図１の光源手段２近傍の拡大説明図
である。ノズル４ａ，４ｂの噴出口は水銀ランプ２の電
極部分である口金１９ａ，１９ｂ部分を冷却するように
設定している。ノズル４ａ，４ｂには水銀ランプ２のプ
ラス極とマイナス極の劣化状況が異なることから任意の
流量が調整できるように絞り弁２１ａ，２１ｂを設けて
いる。流量制御装置５２は絞り弁２１ａ，２１ｂに圧縮
空気を流入させている。このとき流量制御装置５２は差
動増幅器５６からの電力制御信号をサーボ弁駆動用の電
流信号に変換し、該電流信号に比例して図３に示すよう
に絞り弁２１への圧縮空気の流量を調整している。
である。ノズル４ａ，４ｂの噴出口は水銀ランプ２の電
極部分である口金１９ａ，１９ｂ部分を冷却するように
設定している。ノズル４ａ，４ｂには水銀ランプ２のプ
ラス極とマイナス極の劣化状況が異なることから任意の
流量が調整できるように絞り弁２１ａ，２１ｂを設けて
いる。流量制御装置５２は絞り弁２１ａ，２１ｂに圧縮
空気を流入させている。このとき流量制御装置５２は差
動増幅器５６からの電力制御信号をサーボ弁駆動用の電
流信号に変換し、該電流信号に比例して図３に示すよう
に絞り弁２１への圧縮空気の流量を調整している。
【００２６】図４は本発明の照明装置の実施例２の一部
分の拡大説明図である。
分の拡大説明図である。
【００２７】本実施例では流量制御装置として第１流量
制御ユニット３０、第２流量制御ユニット３１、そして
第３流量制御ユニット３２の３つを用いている。そして
第１流量制御ユニット３０は圧力センサ２８ａで圧力の
管理をし、絞り弁２７ａによりその流量を調節してい
る。又、逆止弁２６ａにより逆流防止をしている。第１
流量制御ユニット３０は水銀ランプ２の点灯又は消灯に
かかわらず、ある一定量の流量で冷却をしている。第２
流量制御ユニット３１と第３流量制御ユニット３２は第
１流量制御ユニット３０に方向切換弁２９（２９ｂ，２
９ｃ）が付加されたものであり、これを制御することで
冷却を可変化している。
制御ユニット３０、第２流量制御ユニット３１、そして
第３流量制御ユニット３２の３つを用いている。そして
第１流量制御ユニット３０は圧力センサ２８ａで圧力の
管理をし、絞り弁２７ａによりその流量を調節してい
る。又、逆止弁２６ａにより逆流防止をしている。第１
流量制御ユニット３０は水銀ランプ２の点灯又は消灯に
かかわらず、ある一定量の流量で冷却をしている。第２
流量制御ユニット３１と第３流量制御ユニット３２は第
１流量制御ユニット３０に方向切換弁２９（２９ｂ，２
９ｃ）が付加されたものであり、これを制御することで
冷却を可変化している。
【００２８】具体的には電力制御信号と予め設定してお
いた参照信号とを比較し、その出力信号で方向切換弁２
９ｂ，２９ｃを制御している。冷却方法はある電力値で
第２流量制御ユニット３１の方向切換弁２９ｂがＯＮ
し、第１流量制御ユニット３０と第２流量制御ユニット
３１の和の流量で水銀ランプ２を冷却している。更に電
力値が上がるとある電力値で第３流量制御ユニット３２
の方向切換弁２９ｃがＯＮし、前の２つのユニット３
０，３１に更にたし合わされた流量で水銀ランプ２を冷
却する。
いた参照信号とを比較し、その出力信号で方向切換弁２
９ｂ，２９ｃを制御している。冷却方法はある電力値で
第２流量制御ユニット３１の方向切換弁２９ｂがＯＮ
し、第１流量制御ユニット３０と第２流量制御ユニット
３１の和の流量で水銀ランプ２を冷却している。更に電
力値が上がるとある電力値で第３流量制御ユニット３２
の方向切換弁２９ｃがＯＮし、前の２つのユニット３
０，３１に更にたし合わされた流量で水銀ランプ２を冷
却する。
【００２９】図５はこのときの電力と空気流量との関係
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【００３０】図６は本発明の照明装置の実施例３の一部
分の拡大説明図である。
分の拡大説明図である。
【００３１】本実施例は図４の実施例２に比べて第１流
量制御ユニット３０に方向切換弁２９ａを追加した点が
大きく異なっている。
量制御ユニット３０に方向切換弁２９ａを追加した点が
大きく異なっている。
【００３２】本実施例ではある電力値で第１流量制御ユ
ニット３０の方向切換弁２９ａがＯＮし、水銀ランプ２
を冷却している。更に電力値が上がり、ある電力値にな
ると第１流量制御ユニット３０の方向切換弁２９ａがＯ
ＦＦし、第２流量制御ユニット３１の方向切換弁２９ｂ
がＯＮする。更に電力値が上がると第２流量制御ユニッ
ト３１の方向切換弁２９ｂがＯＦＦし、第３流量制御ユ
ニット３２の方向切換弁３９ｃがＯＮする。それぞれの
ユニットにある絞り弁２７ａ，２７ｂ，２７ｃを調節
し、水銀ランプ２の特性を電力より計算される流量に設
定して、これにより図７に示すような可変冷却を可能と
している。
ニット３０の方向切換弁２９ａがＯＮし、水銀ランプ２
を冷却している。更に電力値が上がり、ある電力値にな
ると第１流量制御ユニット３０の方向切換弁２９ａがＯ
ＦＦし、第２流量制御ユニット３１の方向切換弁２９ｂ
がＯＮする。更に電力値が上がると第２流量制御ユニッ
ト３１の方向切換弁２９ｂがＯＦＦし、第３流量制御ユ
ニット３２の方向切換弁３９ｃがＯＮする。それぞれの
ユニットにある絞り弁２７ａ，２７ｂ，２７ｃを調節
し、水銀ランプ２の特性を電力より計算される流量に設
定して、これにより図７に示すような可変冷却を可能と
している。
【００３３】図５に対し、図７では冷却空気流量を０と
することができ、更に流量制御ユニットをパラレル動作
できるので図５に対し流量調整が容易になるという長所
がある。
することができ、更に流量制御ユニットをパラレル動作
できるので図５に対し流量調整が容易になるという長所
がある。
【００３４】次に図１で説明した露光装置を利用したデ
バイスの製造方法の実施例を説明する。
バイスの製造方法の実施例を説明する。
【００３５】図８は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造のフ
ローを示す。
半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造のフ
ローを示す。
【００３６】ステップ１（回路設計）では半導体デバイ
スの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一
方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を
用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセ
ス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを
用いてリソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路
を形成する。
スの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一
方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を
用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセ
ス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを
用いてリソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路
を形成する。
【００３７】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００３８】図９は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。
を示す。
【００３９】ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を
酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエ
ハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イ
オン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ
１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。
ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によっ
てマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエ
ハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イ
オン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ
１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。
ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によっ
てマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
【００４０】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジ
スト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジ
スト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００４１】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
【００４２】
【発明の効果】以上、本発明によれば、光源の温度管理
を行なう構成が簡単な照明装置、投影露光装置及び半導
体デバイス製造方法を提供することができる。
を行なう構成が簡単な照明装置、投影露光装置及び半導
体デバイス製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の照明装置及びそれを用いた投影露光装
置の実施例１の要部概略図
置の実施例１の要部概略図
【図２】図１の一部分の拡大説明図
【図３】図１の光源手段における電力と空気流量との関
係を示す説明図
係を示す説明図
【図４】本発明の照明装置及びそれを用いた投影露光装
置の実施例２の一部分の拡大説明図
置の実施例２の一部分の拡大説明図
【図５】図４の光源手段における電力と空気流量との関
係を示す説明図
係を示す説明図
【図６】本発明の照明装置及びそれを用いた投影露光装
置の実施例３の一部分の拡大説明図
置の実施例３の一部分の拡大説明図
【図７】図６の光源手段における電力と空気流量との関
係を示す説明図
係を示す説明図
【図８】本発明の半導体デバイスの製造方法のフローチ
ャート
ャート
【図９】本発明の半導体デバイスの製造方法のフローチ
ャート
ャート
１ 照度センサー ２ 光源手段 ３ 楕円鏡 ４（４ａ，４ｂ） ノズル ５，６，７，８ ミラー １１ レンズ系 １２ オプティカルインテグレータ １３ 集光レンズ １６ 第１物体面（レチクル） ５１ 点灯手段 ５２ 流量制御手段 ５３ 投影光学系 ５４ 第２物体面（ウエハ） ５５ 照度指令部 ５６ 差動増幅器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１６Ｄ Ｆ２１Ｍ 7/00 Ｌ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (3)
- 【請求項１】水銀ランプと、該水銀ランプに電力を供給
して発光させる点灯装置と、前記水銀ランプが発した光
を被照明面に入射させる照明光学系と、前記水銀ランプ
を冷却する空気を噴出するノズル装置と、前記電力を制
御する制御信号に基づいて前記ノズル装置の前記空気の
流量を制御する手段とを有し、前記ノズル装置は、前記
水銀ランプのプラス極側の電極部分に対応させた第１ノ
ズルと前記水銀ランプのマイナス極側の電極部分に対応
させた第２ノズルとを有し、前記第１ノズルと前記第２
ノズルはそれぞれ流量調整用絞り弁を有することを特徴
とする照明装置。 - 【請求項２】請求項１に記載の照明装置と、該照明装置
により照明したマスクのパターンを投影する投影光学系
とを有することを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項３】請求項２に記載の投影露光装置を用いて回
路パターンでウエハを露光する段階と、該露光したウエ
ハを現像する段階とを含むことを特徴とする半導体デバ
イス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32143794A JP3163924B2 (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32143794A JP3163924B2 (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162396A JPH08162396A (ja) | 1996-06-21 |
| JP3163924B2 true JP3163924B2 (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=18132553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32143794A Expired - Fee Related JP3163924B2 (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3163924B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5935419B2 (ja) * | 2012-03-15 | 2016-06-15 | 岩崎電気株式会社 | 光照射装置 |
-
1994
- 1994-11-30 JP JP32143794A patent/JP3163924B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08162396A (ja) | 1996-06-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |