JPS58200225A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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Publication number
JPS58200225A
JPS58200225A JP57083047A JP8304782A JPS58200225A JP S58200225 A JPS58200225 A JP S58200225A JP 57083047 A JP57083047 A JP 57083047A JP 8304782 A JP8304782 A JP 8304782A JP S58200225 A JPS58200225 A JP S58200225A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lamp
temperature
gas
controlled
heater
Prior art date
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Pending
Application number
JP57083047A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideyuki Hirose
廣瀬 秀幸
Masatoshi Komatani
駒谷 正俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP57083047A priority Critical patent/JPS58200225A/ja
Publication of JPS58200225A publication Critical patent/JPS58200225A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/04Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material
    • G03G15/04036Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は遠紫外線露光装置のX e −U fランプの
ランプ温度制御に関する。
従来、放電灯はランプ温度により発光スペクトルが変わ
ることが知られておシ、例えば水冷方式の超高圧水銀灯
などを温調された純水にょ〕温度制御するのは公知あ技
術である。しかじ遠紫外領域に高い発光効率を有するX
・−Hfランプは空冷式であり水冷に19ランプ温度を
制御することはできない。又水冷方式は高価な純水を必
要とし、又、水もれの危険もあった。
本発明の目的は空冷式のX@−Hfランプを最適温度に
冷却し、希望する波長領域で高い発光効率を得、又ラン
プ照度を一定に保つことができる露光装置を提供するこ
とにある。
第1図はX・−Hfランプの温度と光強度(相対照度)
の関係を示す。また、第2図はランプ発光効率の経時変
化を示す。これらの図から希望する波長にはそれぞれ最
適ランプ温度があり、また、第1図においてイは遠紫外
領域の光、口は紫外領域の光の特性である。また、第2
図においてイは相対照度、pはランプ温度の特性である
第3図に本発明の実施例を示す。通常X・−Hfランプ
1はだ円鏡2などで光を集光し遠紫外光3を放出してい
る。又ランプ1が過熱するのを防ぐため、不活性ガス例
えばN!ガス1などで冷却している。ランプ1を温度制
御するため、ランプ1會冷却したNmガス7bの温度を
検出器8により検出し、温調器5にフィードバックし、
ヒータ6によpガス配管4¥f−介してN禽ガスTを温
度制御し、温度制御されたNsガス11をランプ1に供
給し、これでランプ温度の制御を行なうものである0 本実施例では、遠紫外領域の発光効率が数十チ向上し、
従って露光作業時間が数十−短縮するという効果が得ら
れ友。
以上のように本発明によれば、空冷式のXe −Hf?
ンプを安価に温度制御できるので、容易に発光効率を向
上させ従って露光時間を短縮し、また、ランプ温度を一
定に保てるので、分光照度を一定に保ち製品の歩留を向
上し、よって安価で高品質な製品を提供できる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はランプ温度と発光効率を示すグラフ、第2図は
ランプ発光効率の経時変化を示すグラフ−第3図は本発
明の実施例の構成図を示す。 1・・・・X・−Hfランプ、2@・・eだ日焼、3I
・拳・遠紫外光、4・・・・ガス配管、5・−一争[1
器、6争・・・ヒータ、T@拳・・N雪ガス(加熱前)
、7m・・・・N!ガス(加熱後)、7b・・・・Nl
ガス(ランプ冷却後)、8・・・・温度センサ。 第1図 T+     72 ランフ曙7L  ’ 第2図 ↑ ((汀) 蒔F/→

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. X舎−Hfランプを有する遠紫外線露光装置において、
    ヒータによシ加熱され次冷却ガスでランプを温度制御す
    ることを特徴とする露光装置。
JP57083047A 1982-05-19 1982-05-19 露光装置 Pending JPS58200225A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6236819A (ja) * 1985-08-12 1987-02-17 Canon Inc 半導体焼付露光装置
JPH08181067A (ja) * 1995-08-07 1996-07-12 Canon Inc 露光用光源および露光装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53127731A (en) * 1977-04-14 1978-11-08 Ricoh Co Ltd Reflux fan in copier
JPS5547752A (en) * 1978-10-03 1980-04-04 Mitsubishi Electric Corp Data collection method
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JPS56123564A (en) * 1980-03-05 1981-09-28 Fuji Xerox Co Ltd Original illumination device for electronic copy machine

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