JPS62295941A - ポリプロピレンフイルム - Google Patents
ポリプロピレンフイルムInfo
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- JPS62295941A JPS62295941A JP13821786A JP13821786A JPS62295941A JP S62295941 A JPS62295941 A JP S62295941A JP 13821786 A JP13821786 A JP 13821786A JP 13821786 A JP13821786 A JP 13821786A JP S62295941 A JPS62295941 A JP S62295941A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
[産業上の利用分野]
本発明は高誘電体でしかも誘電損失が小さく、電気用途
に適したポリプロピレンフィルムに関するものである。
に適したポリプロピレンフィルムに関するものである。
[従来の技術、発明が解決しようとする問題点]従来か
らよく知れているように誘電率の高い化合物は必ず誘電
損失が大きいため、コンデンサー用途などには用いられ
なかった。すなわち、誘電率が高ければ、それだけ電気
容量が増えるために小型で高容量コンデンサーが得られ
ることになる。
らよく知れているように誘電率の高い化合物は必ず誘電
損失が大きいため、コンデンサー用途などには用いられ
なかった。すなわち、誘電率が高ければ、それだけ電気
容量が増えるために小型で高容量コンデンサーが得られ
ることになる。
しかし従来までの様な単体の化合物では誘電率が高けれ
ば、必ず誘電損失が大きくなるためエネルギー・ロスや
発熱に伴う諸種のトラブルを誘引していた。唯一、例外
としてポリフッ化ビニリデンなどのフッ素系ポリマーフ
ィルムがあるが、機械強度、絶縁破壊電圧が低いという
欠点を有していた。
ば、必ず誘電損失が大きくなるためエネルギー・ロスや
発熱に伴う諸種のトラブルを誘引していた。唯一、例外
としてポリフッ化ビニリデンなどのフッ素系ポリマーフ
ィルムがあるが、機械強度、絶縁破壊電圧が低いという
欠点を有していた。
本発明は、上記問題点を解消し、高誘電率、低誘電損失
で、機械強度、絶縁破壊電圧に優れたポリプロピレンフ
ィルムを提供することを目的とする。
で、機械強度、絶縁破壊電圧に優れたポリプロピレンフ
ィルムを提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明はポリプロピレン99〜70wt%とポリビニリ
デンフロライド1〜30wt%とを混合した組成物を主
体とするポリプロピレンフィルムを特徴とするものであ
る。
デンフロライド1〜30wt%とを混合した組成物を主
体とするポリプロピレンフィルムを特徴とするものであ
る。
本発明におけるポリビニリデンフロライドとはメルト・
フロー・インデックスMI (ASTMD−1238−
70,10−加重、250’Cで測定)0.1〜100
g/10分、好ましくは0゜5〜80g/10分、極限
粘度[77] (30’C1DMF溶液で測定)が0
.6〜1.8dl/g好ましくは0,75〜1.5dl
/g、規則性(フッ化ビニリデンモノマーの結合がヘッ
ド−テールになっている割合で、NMRスペクトルによ
り測定)が90%以上、好ましくは93%以上のもので
おる。また、フッ化ビニリデン以外にモノクロロートリ
フロロエチレンなどのコモノマーをランダムあるいはブ
ロック状に共重合させても良いが、フッ化ビニリデン成
分は90%以上が好ましく、96%以上が更に好ましい
。
フロー・インデックスMI (ASTMD−1238−
70,10−加重、250’Cで測定)0.1〜100
g/10分、好ましくは0゜5〜80g/10分、極限
粘度[77] (30’C1DMF溶液で測定)が0
.6〜1.8dl/g好ましくは0,75〜1.5dl
/g、規則性(フッ化ビニリデンモノマーの結合がヘッ
ド−テールになっている割合で、NMRスペクトルによ
り測定)が90%以上、好ましくは93%以上のもので
おる。また、フッ化ビニリデン以外にモノクロロートリ
フロロエチレンなどのコモノマーをランダムあるいはブ
ロック状に共重合させても良いが、フッ化ビニリデン成
分は90%以上が好ましく、96%以上が更に好ましい
。
本発明におけるポリプロピレンとは、ポリプロピレンを
主体とするものであればよく、特に、ポリプロピレンホ
モポリマーで、極限粘度[η](135℃、テトラリン
溶液で測定)1.2〜2゜5 dl/ gの範囲におる
ものが好ましい。なお、プロピレン以外のものとしては
、例えばエチレン、ブテン、ペンテンなどのコモノマー
をランダムあるいはブロック状に共重合させてもよいが
プロピレン成分は90%以上が好ましい。
主体とするものであればよく、特に、ポリプロピレンホ
モポリマーで、極限粘度[η](135℃、テトラリン
溶液で測定)1.2〜2゜5 dl/ gの範囲におる
ものが好ましい。なお、プロピレン以外のものとしては
、例えばエチレン、ブテン、ペンテンなどのコモノマー
をランダムあるいはブロック状に共重合させてもよいが
プロピレン成分は90%以上が好ましい。
本発明はポリビニリデンフロライド1〜30wt%好ま
しくは1〜20wt%とポリプロピレン99〜70wt
%好ましくは99〜B□wt%からなるもので、誘電率
はポリビニリデンフロライド、ポリプロピレンの誘電率
及び添加量から推定される値より、はるかに高い値を示
し、かつ、ポリプロピレンの有する低誘電損失を維持で
きる。ポリビニリデンフロライドが、1wt%未満にな
ると誘電率が低下する。ポリビニリデンフロライドはポ
リプロピレンとの相溶性が悪いため、30wt%を超え
ると分散性が悪くなり、ポリビニリデンフロライドとポ
リプロピレンの界面で絶縁破壊しやすくなる。
しくは1〜20wt%とポリプロピレン99〜70wt
%好ましくは99〜B□wt%からなるもので、誘電率
はポリビニリデンフロライド、ポリプロピレンの誘電率
及び添加量から推定される値より、はるかに高い値を示
し、かつ、ポリプロピレンの有する低誘電損失を維持で
きる。ポリビニリデンフロライドが、1wt%未満にな
ると誘電率が低下する。ポリビニリデンフロライドはポ
リプロピレンとの相溶性が悪いため、30wt%を超え
ると分散性が悪くなり、ポリビニリデンフロライドとポ
リプロピレンの界面で絶縁破壊しやすくなる。
絶縁破壊電圧はフィルム中の導電性微粒子すなわち金属
微粒子や内部ボイドの量によっても影響を受ける。した
がってフィルム中の仝灰分を好ましくは1100pp以
下、更に好ましくは50ppm以下にし、絶縁破壊電圧
の低下を防止するのが好ましい。
微粒子や内部ボイドの量によっても影響を受ける。した
がってフィルム中の仝灰分を好ましくは1100pp以
下、更に好ましくは50ppm以下にし、絶縁破壊電圧
の低下を防止するのが好ましい。
本発明のフィルムは、ポリプロピレンとポリビニリデン
フロライドとを混合した組成物を主体とするものである
が、本発明の目的を損ねない範囲で他のポリマーを混合
してもよい。もちろん、ポリプロピレンの添加剤として
公知の熱安定剤、酸化防止剤、結晶造核剤、ブロッキン
グ防止剤、すべり剤等を添加してもよい。
フロライドとを混合した組成物を主体とするものである
が、本発明の目的を損ねない範囲で他のポリマーを混合
してもよい。もちろん、ポリプロピレンの添加剤として
公知の熱安定剤、酸化防止剤、結晶造核剤、ブロッキン
グ防止剤、すべり剤等を添加してもよい。
本発明のフィルムは未延伸フィルムでもよいが絶縁破壊
電圧の面から、延伸した方が好ましく、2軸延伸フイル
ムとするのが最も好ましい。
電圧の面から、延伸した方が好ましく、2軸延伸フイル
ムとするのが最も好ましい。
しかし、この場合、ポリビニリデンフロライドとポリプ
ロピレンの延伸挙動が異なるため、ポリビニリデンフロ
ライドとポリプロピレンの界面が破壊し内部ボイドが発
生しやすく、ポリビニリデンフロライドの添加量が増え
る程、内部ボイドも多くなる傾向にある。内部ボイドが
発生すると絶縁破壊電圧が低下する。したがって内部ボ
イドの発生をおさえるため、ポリビニリデンフロライド
の添加量が5wt%を超えるものを二軸延伸フィルムと
する場合には、次のフィルム構成とするのが最も好まし
い。すなわち、融点差を有する2種のポリプロピレン、
たとえばホモポリプロピレンとエチレン−プロピレンラ
ンダムコポリマーの積層フィルムで、低融点のポリプロ
ピレン(上記の場合エチレン−プロピレンランダムコポ
リマー)層にポリビニリデンフロライドを高濃度含有す
るものである。この場合、延伸が低融点ポリプロピレン
の融点以上の温度で行なわれるため、ポリビニリデンフ
ロライドとポリプロピレンの界面破壊が起こりにくく、
内部ボイドの発生をおさえることができる。低融点ポリ
プロピレン層のポリビニリデンフロライドの添加量は3
0wt%以下で、全フィルム中の平均添加量は1wt%
以上でなければならない。低融点ポリプロピレン層の厚
みは全厚みの5〜80%が好ましく、10〜50%が更
に好ましい。また高融点ポリプロピレン層へのポリビニ
リデンフロライド添加量は5wt%未満が好ましい。
ロピレンの延伸挙動が異なるため、ポリビニリデンフロ
ライドとポリプロピレンの界面が破壊し内部ボイドが発
生しやすく、ポリビニリデンフロライドの添加量が増え
る程、内部ボイドも多くなる傾向にある。内部ボイドが
発生すると絶縁破壊電圧が低下する。したがって内部ボ
イドの発生をおさえるため、ポリビニリデンフロライド
の添加量が5wt%を超えるものを二軸延伸フィルムと
する場合には、次のフィルム構成とするのが最も好まし
い。すなわち、融点差を有する2種のポリプロピレン、
たとえばホモポリプロピレンとエチレン−プロピレンラ
ンダムコポリマーの積層フィルムで、低融点のポリプロ
ピレン(上記の場合エチレン−プロピレンランダムコポ
リマー)層にポリビニリデンフロライドを高濃度含有す
るものである。この場合、延伸が低融点ポリプロピレン
の融点以上の温度で行なわれるため、ポリビニリデンフ
ロライドとポリプロピレンの界面破壊が起こりにくく、
内部ボイドの発生をおさえることができる。低融点ポリ
プロピレン層のポリビニリデンフロライドの添加量は3
0wt%以下で、全フィルム中の平均添加量は1wt%
以上でなければならない。低融点ポリプロピレン層の厚
みは全厚みの5〜80%が好ましく、10〜50%が更
に好ましい。また高融点ポリプロピレン層へのポリビニ
リデンフロライド添加量は5wt%未満が好ましい。
電気用ポリプロピレンフィルムとして使用するためには
絶縁破壊電圧は好ましくは300v/μ以上、更に好ま
しくは400V/μ以上必要である。300v/μ未満
になると、コンデンサーなどに使用した場合、コンデン
サー破壊が発生しやすくなる。
絶縁破壊電圧は好ましくは300v/μ以上、更に好ま
しくは400V/μ以上必要である。300v/μ未満
になると、コンデンサーなどに使用した場合、コンデン
サー破壊が発生しやすくなる。
ポリプロピレンとポリビニリデンフロライドの延伸挙動
が異なることから、フィルム表面にも凹凸が発生しやす
く、凹部で絶縁破壊が起こりゃすくなるため、ポリビニ
リデンフロライドを含有しないポリプロピレン層を表層
に設けることにより、フィルム表面の凹凸をなくし、絶
縁破壊電圧の低下防止をはかってもよい。
が異なることから、フィルム表面にも凹凸が発生しやす
く、凹部で絶縁破壊が起こりゃすくなるため、ポリビニ
リデンフロライドを含有しないポリプロピレン層を表層
に設けることにより、フィルム表面の凹凸をなくし、絶
縁破壊電圧の低下防止をはかってもよい。
本発明のポリプロピレンフィルムの厚みは特に限定しな
いが2〜100μ、好ましくは3〜50μ、更に好まし
くは3〜30μの範囲である。
いが2〜100μ、好ましくは3〜50μ、更に好まし
くは3〜30μの範囲である。
次に、本フィルムの製造法について説明する。
ポリビニリデン70ライド1〜30wt%にポリプロピ
レン99〜70wt%を添加混合し、ポリマ一温度18
0〜260℃の範囲で融解、混合させたのちスリット状
の口金から吐出させ、表面温度20〜90°Cの冷却ド
ラム上にキャスト冷却固化する。
レン99〜70wt%を添加混合し、ポリマ一温度18
0〜260℃の範囲で融解、混合させたのちスリット状
の口金から吐出させ、表面温度20〜90°Cの冷却ド
ラム上にキャスト冷却固化する。
ポリビニリデンフロライドの分散性を向上させるためパ
ウダー状とし、特にポリビニリデンフロライドを95%
以上が粒径0.1〜10μ以下、平均粒径1〜7μ以下
とするのが好ましい。またこれらの混合物を一担造粒し
たものを用いる方が好ましい。
ウダー状とし、特にポリビニリデンフロライドを95%
以上が粒径0.1〜10μ以下、平均粒径1〜7μ以下
とするのが好ましい。またこれらの混合物を一担造粒し
たものを用いる方が好ましい。
延伸フィルムとする場合には更に次の様にして行なう。
−軸延伸フィルムの場合はどちらか一方向の延伸のみを
、二軸延伸フィルムの場合は両方向の延伸を行なえばよ
い。
、二軸延伸フィルムの場合は両方向の延伸を行なえばよ
い。
キャストした上記フィルムを100〜150℃に加熱し
た後、長手方向に4〜7倍延伸し、次にテンタ式延伸装
置で幅方向に150〜165℃で5〜12倍に延伸する
。
た後、長手方向に4〜7倍延伸し、次にテンタ式延伸装
置で幅方向に150〜165℃で5〜12倍に延伸する
。
幅方向に延伸修了後、必要に応じて該延伸フィルムを幅
方向に0〜10%のリラックスをしながら150〜16
2℃で3〜10秒間熱処理しても良い。
方向に0〜10%のリラックスをしながら150〜16
2℃で3〜10秒間熱処理しても良い。
積層フィルムとする場合には複合口金を用いて共押出し
するか、または−軸延伸前や二輪延伸前に押出ラミネー
ト法などで複合し、同時に延伸する。この場合、内部ボ
イドの発生を防止するため、最後の延伸は低融点ポリマ
ーの融点以上で行なう必要がある。
するか、または−軸延伸前や二輪延伸前に押出ラミネー
ト法などで複合し、同時に延伸する。この場合、内部ボ
イドの発生を防止するため、最後の延伸は低融点ポリマ
ーの融点以上で行なう必要がある。
ざらに本発明フィルムを空気、炭酸ガス、窒素ガス、ア
ルゴンガスなどの単独あるいは混合ガス下でコロナ放電
処理あるいはプラズマ処理をし、表面接着性を向上させ
た後、金属蒸着層を設けても良い。
ルゴンガスなどの単独あるいは混合ガス下でコロナ放電
処理あるいはプラズマ処理をし、表面接着性を向上させ
た後、金属蒸着層を設けても良い。
[測定法、評価法]
なお、本発明において用いる用語および特性の測定法、
評価法について説明する。
評価法について説明する。
(1) 誘電率
ASTM D150−68に示されている方法によっ
て1KHz、25℃で測定した。
て1KHz、25℃で測定した。
(2) 誘電損失
JIS C−2330に示されている方法によって、
素子状、1KH7,25℃で誘電正接を測定した。
素子状、1KH7,25℃で誘電正接を測定した。
(3) フィルムシート絶縁破壊電圧JIS−233
0に準じ、春日電機(株)製直流耐圧試験機を用い、レ
ンジ20KVにセットし、100V/secの電圧上昇
でフィルムに印加を行ない、破壊電圧を測定し、10枚
重ね時のマイクロメーター厚みを1枚当りに換算し、次
式で痺出した。
0に準じ、春日電機(株)製直流耐圧試験機を用い、レ
ンジ20KVにセットし、100V/secの電圧上昇
でフィルムに印加を行ない、破壊電圧を測定し、10枚
重ね時のマイクロメーター厚みを1枚当りに換算し、次
式で痺出した。
絶縁破壊電圧(V/μ)=破壊電圧(V)/マイクロメ
ーターフィルム厚さくμ)(4) コンデンサー寿命 15μのフィルムを誘電体層とし6μ厚みのへ〇箔を用
いて2μFのコンデンサーを製作し、80℃でIkvを
課電して、複数のコンデンサーのうち半数が破壊するま
での時間を求め、コンデンサーの寄合比較を行なった。
ーターフィルム厚さくμ)(4) コンデンサー寿命 15μのフィルムを誘電体層とし6μ厚みのへ〇箔を用
いて2μFのコンデンサーを製作し、80℃でIkvを
課電して、複数のコンデンサーのうち半数が破壊するま
での時間を求め、コンデンサーの寄合比較を行なった。
400hr以上を◎
300〜400hrを0
200〜300hrをΔ
200hr以下をX
するが、縦−軸延伸の場合には横方向を筒の軸とし、横
一軸延伸の場合には縦方向を筒の袖とする。
一軸延伸の場合には縦方向を筒の袖とする。
(5) 融点
Perk i n−E Imer社製示差走査熱量計M
odel DSC−2型を用い、5m’jの試料を2
0℃/分の昇温速度で280℃まで昇温し5分保持した
後、周速で冷却し、再度昇温した時の、いわゆるセカン
ドランの融解曲線を取る。
odel DSC−2型を用い、5m’jの試料を2
0℃/分の昇温速度で280℃まで昇温し5分保持した
後、周速で冷却し、再度昇温した時の、いわゆるセカン
ドランの融解曲線を取る。
融解ピークの頂点が1点の場合にはピークの頂点の温度
を融点とする。
を融点とする。
融解ピークの頂点が2点以上ある場合、各ピークの融解
熱を求め、下記式で算出した値を融点とする。
熱を求め、下記式で算出した値を融点とする。
(融解ピークがn個の場合)
ただしΔHiはi番目のピークの融解熱を、tmiは1
番目のピークの頂点の温度を示す。
番目のピークの頂点の温度を示す。
2個の融解ピークを有する曲線の例を第1図および第2
図に示す。これら図において、融解ピークのうち、低温
側の融解ピークをPl、高温側の融解ピークをP2とす
る。また、各々の融解融解ピークの頂点、すなわち、ピ
ークの極小点をA、Bとし、この頂点の温度を各々Tm
1、Tm2とする。
図に示す。これら図において、融解ピークのうち、低温
側の融解ピークをPl、高温側の融解ピークをP2とす
る。また、各々の融解融解ピークの頂点、すなわち、ピ
ークの極小点をA、Bとし、この頂点の温度を各々Tm
1、Tm2とする。
また、低温側のピークの融解熱をHl、高温側のピーク
の融解熱H2とする。
の融解熱H2とする。
融解熱の求め方を第1ピークP1で示す。まず当該吸収
の開始点T1と終了点T2を直線(第1図の破壊C)で
結び基線とする。
の開始点T1と終了点T2を直線(第1図の破壊C)で
結び基線とする。
ピーク前半の直線部分の補外線と基線との交点をT5、
ピーク後半の直線部分の補外線と基線との交点をT6と
し、ピーク・補外線・基線で囲まれた部分(斜線部分)
の面積を、融解熱H1とする。
ピーク後半の直線部分の補外線と基線との交点をT6と
し、ピーク・補外線・基線で囲まれた部分(斜線部分)
の面積を、融解熱H1とする。
同様に第2ピークP2での融解熱H2を求める。
ただ第2図に示すように、第1ピークP1の終了点T2
と第2ピークP2の開始点T3が重なり、1つの点りと
なり、T1とT4を結ぶ基線Cより外れる場合は、点り
より垂直に下した基線Cとの交点T9として、ピーク後
半(第2ピークP2の場合はピーク前半)の直線部分と
T9を結び、その線を補外線とみなして面積を求める。
と第2ピークP2の開始点T3が重なり、1つの点りと
なり、T1とT4を結ぶ基線Cより外れる場合は、点り
より垂直に下した基線Cとの交点T9として、ピーク後
半(第2ピークP2の場合はピーク前半)の直線部分と
T9を結び、その線を補外線とみなして面積を求める。
[実施例コ
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
実施例1
ポリビニリデンフロライドパウダー([η]=1.0.
MI=10g/10分、規則性96%誘電率0.2、誘
電損失0.013%)3wt%とポリプロピレンパウダ
ー([η]=1.9、融点163℃、誘電率2.2、誘
電損失0.020%)97wt%をヘンシェルミキサー
にて混合し二軸押出機にて240℃で造粒した。この造
粒チップをTダイ法にてポリマ一温度240℃で押出し
、40℃に保たれた冷却キャストドラム上で冷却固化さ
せ、未延伸フィルムを得た。該未延伸フィルムを145
°Cに加熱し長手方向に5倍延伸しただちに40℃以下
に冷却した。つづいて該フィルムを160℃に保たれた
テンターに導き幅方向に8倍延伸した。かくして得られ
たフィルムの厚みは15μmであり、フィルム特性を第
1表に示した。
MI=10g/10分、規則性96%誘電率0.2、誘
電損失0.013%)3wt%とポリプロピレンパウダ
ー([η]=1.9、融点163℃、誘電率2.2、誘
電損失0.020%)97wt%をヘンシェルミキサー
にて混合し二軸押出機にて240℃で造粒した。この造
粒チップをTダイ法にてポリマ一温度240℃で押出し
、40℃に保たれた冷却キャストドラム上で冷却固化さ
せ、未延伸フィルムを得た。該未延伸フィルムを145
°Cに加熱し長手方向に5倍延伸しただちに40℃以下
に冷却した。つづいて該フィルムを160℃に保たれた
テンターに導き幅方向に8倍延伸した。かくして得られ
たフィルムの厚みは15μmであり、フィルム特性を第
1表に示した。
実施例2
実施例1においてポリビニリデンフロライドの添加量を
’lQwt%としただけで他は同様にして厚み15μm
の未延伸フィルムを得た。このフィルムの特性を第1表
に示した。
’lQwt%としただけで他は同様にして厚み15μm
の未延伸フィルムを得た。このフィルムの特性を第1表
に示した。
実施例3
実施例1においてポリビニリデンフロライドの添加量を
7wt%としただけで他は同様にして厚み15μmの二
軸延伸フィルムを得た。このフィルム特性を第1表に示
した。
7wt%としただけで他は同様にして厚み15μmの二
軸延伸フィルムを得た。このフィルム特性を第1表に示
した。
実施例4
実施例1で用いたポリビニリデンフロライド15wt%
とエチレン−プロピレンコポリマー(エチレン含有量4
,3wt%、融点135℃、[η]=1.7、誘電率2
.2、誘電損失0.021%)65wt%と、ポリプロ
ピレン(実施例1で用いたもの)を複合口金を用いてポ
リマ一温度240℃で2層に共押出し、以降実施例1と
同様にして二軸延伸フィルムを得た。フィルム厚15μ
で、エチレン−プロピレンコポリマ一層の厚みは5μで
あった。このフィルムの特性を第1表に示した。
とエチレン−プロピレンコポリマー(エチレン含有量4
,3wt%、融点135℃、[η]=1.7、誘電率2
.2、誘電損失0.021%)65wt%と、ポリプロ
ピレン(実施例1で用いたもの)を複合口金を用いてポ
リマ一温度240℃で2層に共押出し、以降実施例1と
同様にして二軸延伸フィルムを得た。フィルム厚15μ
で、エチレン−プロピレンコポリマ一層の厚みは5μで
あった。このフィルムの特性を第1表に示した。
表からもわかる様に実施例で示したポリプロピレンフィ
ルムはいずれも高誘電率、低誘電損失であり、これをコ
ンデンサーとした場合、従来のポリプロピレンフィルム
に比べ小形化が可能となった。また絶縁破壊電圧が30
0V/μ以上あり、コンデンサー寿命も問題ないもので
あった。
ルムはいずれも高誘電率、低誘電損失であり、これをコ
ンデンサーとした場合、従来のポリプロピレンフィルム
に比べ小形化が可能となった。また絶縁破壊電圧が30
0V/μ以上あり、コンデンサー寿命も問題ないもので
あった。
ただし、実施例3において若干の内部ボイドが発生し、
コンデンサー寿命がやや低下したが、実用上問題のない
レベルであった。
コンデンサー寿命がやや低下したが、実用上問題のない
レベルであった。
比較例1
実施例1においてポリビニリデンフロライドの添加量を
0,5wt%にしただけで他は同様にして二軸延伸フィ
ルムを得た。
0,5wt%にしただけで他は同様にして二軸延伸フィ
ルムを得た。
比較例2
実施例2において、ポリビニリデンフロライドの添加量
を40wt%にしただけで他は同様にして未延伸フィル
ムを得た。
を40wt%にしただけで他は同様にして未延伸フィル
ムを得た。
比較例3
実施例1においてポリビニリデンフロライドを添加せず
にポリプロピレンのみを原料とし、他は同様にして二輪
延伸フィルムを得た。
にポリプロピレンのみを原料とし、他は同様にして二輪
延伸フィルムを得た。
比較例1〜3のフィルム特性を第1表に示した。
比較例1のフィルムは誘電率がポリプロピレンフィルム
(比較例3)と差がないものであった。
(比較例3)と差がないものであった。
これらのフィルムを使ってコンデンサーとして使用した
ところ、ポリビニリデンフロライドの添加量がiwt%
未満のものはポリプロピレンフィルムを用いた場合に比
べ大きさ、性能などにおいてまったく優れた点がなく(
比較例1)、ポリビニリデン70ライドの添加量が30
wt%を越えたものはコンデンサ寿命が悪かった。
ところ、ポリビニリデンフロライドの添加量がiwt%
未満のものはポリプロピレンフィルムを用いた場合に比
べ大きさ、性能などにおいてまったく優れた点がなく(
比較例1)、ポリビニリデン70ライドの添加量が30
wt%を越えたものはコンデンサ寿命が悪かった。
[発明の効果]
本発明のポリプロピレンフィルムはポリビニリデンフロ
イドを1〜30wt%添加混合した添加法の様な効果が
(qられる。
イドを1〜30wt%添加混合した添加法の様な効果が
(qられる。
(イ) ポリプロピレンフィルムに比べ同等の低誘電損
失、高絶縁破壊電圧を維持したままで、誘電率が高い。
失、高絶縁破壊電圧を維持したままで、誘電率が高い。
(ロ) 本発明のフィルムをコンデンサー用に用いると
、ポリプロピレンフィルムを用いたフィルムに比べ容量
が増大するため、小型化が可能となり、しかも発熱やエ
ネルギーロス、破壊などのトラブルが発生しない。
、ポリプロピレンフィルムを用いたフィルムに比べ容量
が増大するため、小型化が可能となり、しかも発熱やエ
ネルギーロス、破壊などのトラブルが発生しない。
第1図および第2図は、それぞれ示差走査熱量計により
測定された融解スペクトルの概略を示す説明図である。 Pl・・・第1(低温側)の融解ピークP2・・・第2
(高温側)の融解ピークA・・・・・・第1の融解ピー
クの頂点B・・・・・・第2の融解ピークの頂点C・・
・・・・基線 D・・・・・・第1の融解ピークの開始点Tm1・・・
A点の温度 Tm2・・・B点の温度 Hl・・・Plにおける融解熱 H2・・・P2における融解熱
測定された融解スペクトルの概略を示す説明図である。 Pl・・・第1(低温側)の融解ピークP2・・・第2
(高温側)の融解ピークA・・・・・・第1の融解ピー
クの頂点B・・・・・・第2の融解ピークの頂点C・・
・・・・基線 D・・・・・・第1の融解ピークの開始点Tm1・・・
A点の温度 Tm2・・・B点の温度 Hl・・・Plにおける融解熱 H2・・・P2における融解熱
Claims (1)
- ポリプロピレン99〜70wt%とポリビニリデンフ
ロライド1〜30wt%とを混合した組成物を主体とす
るポリプロピレンフィルム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13821786A JPS62295941A (ja) | 1986-06-16 | 1986-06-16 | ポリプロピレンフイルム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13821786A JPS62295941A (ja) | 1986-06-16 | 1986-06-16 | ポリプロピレンフイルム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62295941A true JPS62295941A (ja) | 1987-12-23 |
Family
ID=15216822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13821786A Pending JPS62295941A (ja) | 1986-06-16 | 1986-06-16 | ポリプロピレンフイルム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62295941A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1196931A1 (en) * | 1999-06-22 | 2002-04-17 | Lithium Power Technologies, Inc. | High energy density metallized film capacitors and methods of manufacture thereof |
JP2006225494A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Prime Polymer:Kk | ポリプロピレン系樹脂、および該樹脂からなる延伸フィルム |
CN111286138A (zh) * | 2019-12-24 | 2020-06-16 | 河海大学 | 一种高储能释放效率pvdf/pp薄膜及其制备方法 |
-
1986
- 1986-06-16 JP JP13821786A patent/JPS62295941A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1196931A1 (en) * | 1999-06-22 | 2002-04-17 | Lithium Power Technologies, Inc. | High energy density metallized film capacitors and methods of manufacture thereof |
JP2003502856A (ja) * | 1999-06-22 | 2003-01-21 | リチウム パワー テクノロジーズ インコーポレイテッド | 高エネルギー密度の金属化フィルムコンデンサと、その製造方法 |
EP1196931A4 (en) * | 1999-06-22 | 2006-06-14 | Lithium Power Technologies Inc | METALLIZED LAYER CAPACITORS WITH HIGH ENERGY DENSITY AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
JP2006225494A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Prime Polymer:Kk | ポリプロピレン系樹脂、および該樹脂からなる延伸フィルム |
CN111286138A (zh) * | 2019-12-24 | 2020-06-16 | 河海大学 | 一种高储能释放效率pvdf/pp薄膜及其制备方法 |
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