JPS62293537A - 光磁気デイスク用記録媒体 - Google Patents
光磁気デイスク用記録媒体Info
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- JPS62293537A JPS62293537A JP13590286A JP13590286A JPS62293537A JP S62293537 A JPS62293537 A JP S62293537A JP 13590286 A JP13590286 A JP 13590286A JP 13590286 A JP13590286 A JP 13590286A JP S62293537 A JPS62293537 A JP S62293537A
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の詳細な説明
〔発明の利用分野〕
本発明は、光磁気ディスクに係り、特にディスクの長寿
命化に好適な記録媒体に関する。
命化に好適な記録媒体に関する。
近年、高密度かつ大容量の情報の任意読み出し。
書換え可能な光磁気記録が注目されている。この光磁気
記録媒体として希土類−鉄族系非晶質薄膜が研究の中心
にあり、その中でも特にＴｂ−Ｆｂ−Ｃｏを基体とした
材料は、最も有望視されてし）る。しかしながら、この
材料は、大気中の酸素や水分と反応して酸化物或いは水
酸化物を形成する。
記録媒体として希土類−鉄族系非晶質薄膜が研究の中心
にあり、その中でも特にＴｂ−Ｆｂ−Ｃｏを基体とした
材料は、最も有望視されてし）る。しかしながら、この
材料は、大気中の酸素や水分と反応して酸化物或いは水
酸化物を形成する。
この反応は記録媒体の表面から時間の経過と共に内部へ
進行してゆく、その結果として、記録媒体の磁気特性例
えば、カー回転角や保磁力が低下していた。そこで従来
の光磁気ディスクは、光磁気記録材料の変質を防止する
ために、記録材料に防食効果を有する元素を添加して高
耐食性を持たせるという手段が考えられる。その例とし
て、特公昭６０−２１２１７、特公昭６０−２６８２５
等が挙げられる。
進行してゆく、その結果として、記録媒体の磁気特性例
えば、カー回転角や保磁力が低下していた。そこで従来
の光磁気ディスクは、光磁気記録材料の変質を防止する
ために、記録材料に防食効果を有する元素を添加して高
耐食性を持たせるという手段が考えられる。その例とし
て、特公昭６０−２１２１７、特公昭６０−２６８２５
等が挙げられる。
しかし、これらの公知例は、遷移金属−非金属系合金に
ついてであり、Ｔ ｂ −Ｆ ｂ −Ｇ ｏ系のように
化学的活性な希土類−鉄族系合金に対して有効な添加元
素は今だ見出されていない。そこで。
ついてであり、Ｔ ｂ −Ｆ ｂ −Ｇ ｏ系のように
化学的活性な希土類−鉄族系合金に対して有効な添加元
素は今だ見出されていない。そこで。
光磁気ディスクの長寿命化を目指すには、耐環境性を有
する磁気記録媒体を見出すことが重要な課題であった。
する磁気記録媒体を見出すことが重要な課題であった。
本発明の目的は、光磁気特性の低下を防ぐために、大気
中の酸素や水分と反応せず化学的に安定な光磁気記録媒
体を提供することにある。
中の酸素や水分と反応せず化学的に安定な光磁気記録媒
体を提供することにある。
先にも述べたように、Ｔｂ−Ｆｂ−Ｃｏ系のような希土
類−鉄族系合金は、環境に対して化学的に活性で大気中
の酸素や水分と反応して酸化物や水酸化物を形成する。
類−鉄族系合金は、環境に対して化学的に活性で大気中
の酸素や水分と反応して酸化物や水酸化物を形成する。
その結果、記録膜の磁気特性を著しく低下していた。こ
の時性の低下を防ぐには、記録膜上に保護膜を形成し記
録膜を大気から遮断する方法と、磁気記録媒体に元素を
添加して記録膜自身に耐食性をもたせる方法の２つが考
えられる。本発明は、後者の手段について検討した結果
見出したものである。
の時性の低下を防ぐには、記録膜上に保護膜を形成し記
録膜を大気から遮断する方法と、磁気記録媒体に元素を
添加して記録膜自身に耐食性をもたせる方法の２つが考
えられる。本発明は、後者の手段について検討した結果
見出したものである。
希土類−鉄族を基体とする光磁気ディスク用記録材料に
、膜表面に化学的に安定な不動態被膜を形成する金属元
素或いは半金属元素、さらに貴金属元素を添加すると耐
食性が向上することを見い出した。これらの元素を添加
する場合、磁気特性を低下させることなく耐食性を耐食
性を向上させる元素を探索しなければならない。その結
果、この要求を満たす元素として、Ｖ、Ｔａ、Ｙ、Ｓｎ
。
、膜表面に化学的に安定な不動態被膜を形成する金属元
素或いは半金属元素、さらに貴金属元素を添加すると耐
食性が向上することを見い出した。これらの元素を添加
する場合、磁気特性を低下させることなく耐食性を耐食
性を向上させる元素を探索しなければならない。その結
果、この要求を満たす元素として、Ｖ、Ｔａ、Ｙ、Ｓｎ
。
Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔが有効であることを見出した。
ここで重要なことは、元素の添加量である。
添加量が多すぎると耐食性は増大するが磁気特性を著し
く低下させてしまい、また逆に添加量が少なすぎると磁
気特性の低下はみられない反面、高耐食性を有していな
かった。そこで耐食性試験を行うのに先立ち、まず’Ｊ
＋ Ｔａ ｔ Ｙ ｙ Ｓ ｎ ｖ Ａ ｕ ｔＡｇ
、Ｐｄ、Ｐｔを磁気記録材料に添加（Ｔｂ３□ＦｅＧ
Ｉ Ｃ０７） Ｌ −Ｘ ＸＸ ； ｘ＝Ｖ ｔ Ｔ
ａ ｒ Ｙ ｔ Ｓ ｎ ｔＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、
Ｏ＜ｘ＜０．２５）Ｌ／たときのＸの添加量と磁気特性
（カー回転角及び保磁力）の関係について検討した。そ
の結果、Ｖ。
く低下させてしまい、また逆に添加量が少なすぎると磁
気特性の低下はみられない反面、高耐食性を有していな
かった。そこで耐食性試験を行うのに先立ち、まず’Ｊ
＋ Ｔａ ｔ Ｙ ｙ Ｓ ｎ ｖ Ａ ｕ ｔＡｇ
、Ｐｄ、Ｐｔを磁気記録材料に添加（Ｔｂ３□ＦｅＧ
Ｉ Ｃ０７） Ｌ −Ｘ ＸＸ ； ｘ＝Ｖ ｔ Ｔ
ａ ｒ Ｙ ｔ Ｓ ｎ ｔＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、
Ｏ＜ｘ＜０．２５）Ｌ／たときのＸの添加量と磁気特性
（カー回転角及び保磁力）の関係について検討した。そ
の結果、Ｖ。
Ｔａ、Ｙ、及びＳｎを添加した場合、光磁気ディスクの
記録材料として用いることができる組成範囲として、０
．０１＜ｘ＜０．１５であるとの知見を得た。そして、
Ａ ｕ ＊ Ａ ｇ ＊ ｐ ｄ及びＰしを記録材料に
添加するとカー回転角は著しく大きくなるが、保磁力は
逆に小さくなった。そこで、光磁気ディスク特性が低下
しない組成範囲として、０．００５〜０．０５の範囲が
有効であることを見出した。そして次に、磁気特性を低
下しない範囲で組成を変えて磁気薄膜を作成し、耐食性
試験を行なった。試験は、２Ｎ−ＮａＣＱ溶液に浸せき
させた時の反射率の変化及び耐湿性試験を行なったとこ
ろ、この組成範囲では添加しないサンプルに比較して著
しく劣化速度も低下した。
記録材料として用いることができる組成範囲として、０
．０１＜ｘ＜０．１５であるとの知見を得た。そして、
Ａ ｕ ＊ Ａ ｇ ＊ ｐ ｄ及びＰしを記録材料に
添加するとカー回転角は著しく大きくなるが、保磁力は
逆に小さくなった。そこで、光磁気ディスク特性が低下
しない組成範囲として、０．００５〜０．０５の範囲が
有効であることを見出した。そして次に、磁気特性を低
下しない範囲で組成を変えて磁気薄膜を作成し、耐食性
試験を行なった。試験は、２Ｎ−ＮａＣＱ溶液に浸せき
させた時の反射率の変化及び耐湿性試験を行なったとこ
ろ、この組成範囲では添加しないサンプルに比較して著
しく劣化速度も低下した。
希土類−鉄族系非晶質薄膜は、希土類（Ｒｅ）として、
、Ｔｄ、Ｇｄ、Ｈａ、Ｄｙを、鉄族元素としてＦｅおよ
びＣｏを用いた、Ｒｅ −Ｆ ｅ −Ｇ 。
、Ｔｄ、Ｇｄ、Ｈａ、Ｄｙを、鉄族元素としてＦｅおよ
びＣｏを用いた、Ｒｅ −Ｆ ｅ −Ｇ 。
合金についていずれも同様に効果を奏することが出来る
。すなわち、上述の添加元素を所定の組成範囲で添加す
ることにより、磁気特性を低下させることなく、耐環境
性を向上させることができる。
。すなわち、上述の添加元素を所定の組成範囲で添加す
ることにより、磁気特性を低下させることなく、耐環境
性を向上させることができる。
以下、本発明の詳細を実施例１〜３を用いて詳細に説明
する。
する。
〔実施例１〕
テストセルの断面構造は、図１に示すとおりである。洗
浄したガラス或いは樹脂基板（１）上に磁気記録膜（２
）をスパッタ法により形成し、これをテストセルとした
。磁気記録膜の作成は、ターゲットに（Ｔ ｂ３□Ｆ
ｅ６ｔｃ ｏｔ）ｔ−ｘＸｘ （Ｘ＝Ｓｎ、Ｙ、Ｖ、Ｔ
ａ、ｘ＝０．０５，０．１０゜０’、１５のそれぞれ３
点）を、放電ガスにＡｒをそれぞれ用い、放電ガス圧５
Ｘ １０＝ （Ｔｏｒｒ）、ＲＦ電力ＩＷ／Ｃｍ”に
２５分間スパッタして行なった。このようにして作成し
たテストセルのカー回転角（Ｏｋ）は０．３７’〜０．
３３°、保磁力（Ｈｅ）は１ 、７〜２ 、０ Ｋ Ｏ
ｅであった。このテストセルを用いて次に、耐食性試験
を次の２つの方法で行なった。まず最初に、作成したテ
ストセルを２ Ｎ −Ｎ ａ ＣＱ水溶液に１０分、３
０分、６０分、９０分と浸せきさせた時の反射率の経時
変化を測定した。そして次に、先の検討より最も特性の
良いテストセルを温度６０℃、湿度９０％に保存したと
きのＯｋ、Ｈａの経時変化を測定した。
浄したガラス或いは樹脂基板（１）上に磁気記録膜（２
）をスパッタ法により形成し、これをテストセルとした
。磁気記録膜の作成は、ターゲットに（Ｔ ｂ３□Ｆ
ｅ６ｔｃ ｏｔ）ｔ−ｘＸｘ （Ｘ＝Ｓｎ、Ｙ、Ｖ、Ｔ
ａ、ｘ＝０．０５，０．１０゜０’、１５のそれぞれ３
点）を、放電ガスにＡｒをそれぞれ用い、放電ガス圧５
Ｘ １０＝ （Ｔｏｒｒ）、ＲＦ電力ＩＷ／Ｃｍ”に
２５分間スパッタして行なった。このようにして作成し
たテストセルのカー回転角（Ｏｋ）は０．３７’〜０．
３３°、保磁力（Ｈｅ）は１ 、７〜２ 、０ Ｋ Ｏ
ｅであった。このテストセルを用いて次に、耐食性試験
を次の２つの方法で行なった。まず最初に、作成したテ
ストセルを２ Ｎ −Ｎ ａ ＣＱ水溶液に１０分、３
０分、６０分、９０分と浸せきさせた時の反射率の経時
変化を測定した。そして次に、先の検討より最も特性の
良いテストセルを温度６０℃、湿度９０％に保存したと
きのＯｋ、Ｈａの経時変化を測定した。
各々の結果を図２、図３に示す。まず図２は、テストセ
ルを２Ｎ−ＮａＣＱ水溶液に浸せきした時の反射率の経
時変化を示す。図中の３は添加元素を含まない場合で、
４．４’ 、４’はＳｎ、５゜５’ 、５’はＹ、６．
６’ 、６’はＶ、ソシテ７．７’ 、７’はＴａをそ
れぞれ添加した場合である。また、また、プライムなし
は各元素を５％添加した場合、シングルのプライムは１
０％添加した場合、ダブルプライムは１５％添加した場
合である。その結果、反射率は添加元素がない場合、浸
せきしてから最初の１０分間で急激に減少し、初期の反
射率の５０％になり、そして６０分後には反射しなくな
った。これに対して、添加元素を加えた場合、反射率の
低下は著しく小さくなった。
ルを２Ｎ−ＮａＣＱ水溶液に浸せきした時の反射率の経
時変化を示す。図中の３は添加元素を含まない場合で、
４．４’ 、４’はＳｎ、５゜５’ 、５’はＹ、６．
６’ 、６’はＶ、ソシテ７．７’ 、７’はＴａをそ
れぞれ添加した場合である。また、また、プライムなし
は各元素を５％添加した場合、シングルのプライムは１
０％添加した場合、ダブルプライムは１５％添加した場
合である。その結果、反射率は添加元素がない場合、浸
せきしてから最初の１０分間で急激に減少し、初期の反
射率の５０％になり、そして６０分後には反射しなくな
った。これに対して、添加元素を加えた場合、反射率の
低下は著しく小さくなった。
減少率を最も抑制効果のある添加元素はＴａで、次いで
Ｎｉ、Ｃｕが同じ位の反射率の変化がみられ、次にＶで
この順であった。また、同一元素について着目してみる
と、添加量の増加と共に記録膜の耐食性は向上すること
がわかる。図３は、これらのテストセルについて温度６
０℃、湿度９０％の条件にて高速劣化試験を行なったと
きの、Ｏｋ及びＨａの経時変化を示す。まず、添加元素
を含まない場合、θや及びトＩｃともにスターｈから１
日位までは除々に減少し、その後急激に低下し、約２日
目で磁気特性を示さなくなった。これに対し、第４元素
を添加した記録膜では、θえ及びＨａとも時間の経過と
ともに除々に減少してゆく。その結果、減少率は、先の
Ｎ ａ ＣＱ溶液に浸せきした場合と同じく、最も磁気
特性の低下の小さいのはＴａ （１２，１２’ ）で、
以下Ｓｎ （９゜９’ ）、Ｙ （１０，１０’ ）、
Ｖ （１１，１１’ ）の順であった。 以上の検討よ
り、Ｔａ、Ｓｎ。
Ｎｉ、Ｃｕが同じ位の反射率の変化がみられ、次にＶで
この順であった。また、同一元素について着目してみる
と、添加量の増加と共に記録膜の耐食性は向上すること
がわかる。図３は、これらのテストセルについて温度６
０℃、湿度９０％の条件にて高速劣化試験を行なったと
きの、Ｏｋ及びＨａの経時変化を示す。まず、添加元素
を含まない場合、θや及びトＩｃともにスターｈから１
日位までは除々に減少し、その後急激に低下し、約２日
目で磁気特性を示さなくなった。これに対し、第４元素
を添加した記録膜では、θえ及びＨａとも時間の経過と
ともに除々に減少してゆく。その結果、減少率は、先の
Ｎ ａ ＣＱ溶液に浸せきした場合と同じく、最も磁気
特性の低下の小さいのはＴａ （１２，１２’ ）で、
以下Ｓｎ （９゜９’ ）、Ｙ （１０，１０’ ）、
Ｖ （１１，１１’ ）の順であった。 以上の検討よ
り、Ｔａ、Ｓｎ。
Ｙ、Ｖを添加すると希土類−鉄族系記８膜の耐食性を大
幅に改善できることを見出した。
幅に改善できることを見出した。
〔実施例２〕
テストセルの構造は、実施例１と同様、図１に示すとお
りである。洗浄したガラス或いは樹脂基板（１）上に磁
気記録膜（２）をスパッタ法により形成し、テストセル
とした。磁気記録膜の作成は、ターゲットに（Ｔ ｂ
３２ Ｆ ｅ ６１ Ｃｏ ｔ）ｘ−ｘＸｘ（Ｘ＝Ａｕ
、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、ｘ＝ｏ、Ｏ０５＋０．０２，０．
０５の各３点）を、放電ガスにＡｒをそれぞれ用い、放
電ガス圧５ Ｘ Ｉ Ｏ＝ （Ｔｏｒｒ）、ＲＦ？ｌｌ
ｔ力ＩＷ／ｃｍ”に２５分間スパッタして行なった。こ
のようにして作成したテストセルのカー回転角（Ｏｋ）
は、０．３７’〜０．３３°、保磁力（Ｈｃ）は１ 、
７〜２ 、０ Ｋ Ｏｅであった。このテストセルを用
いて、耐食性試作験を次の２つの方法で行なった。まず
最初に、作成したテストセルを２ Ｎ −Ｎ ａ ＣＱ
水溶液に１０分、３０分。
りである。洗浄したガラス或いは樹脂基板（１）上に磁
気記録膜（２）をスパッタ法により形成し、テストセル
とした。磁気記録膜の作成は、ターゲットに（Ｔ ｂ
３２ Ｆ ｅ ６１ Ｃｏ ｔ）ｘ−ｘＸｘ（Ｘ＝Ａｕ
、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、ｘ＝ｏ、Ｏ０５＋０．０２，０．
０５の各３点）を、放電ガスにＡｒをそれぞれ用い、放
電ガス圧５ Ｘ Ｉ Ｏ＝ （Ｔｏｒｒ）、ＲＦ？ｌｌ
ｔ力ＩＷ／ｃｍ”に２５分間スパッタして行なった。こ
のようにして作成したテストセルのカー回転角（Ｏｋ）
は、０．３７’〜０．３３°、保磁力（Ｈｃ）は１ 、
７〜２ 、０ Ｋ Ｏｅであった。このテストセルを用
いて、耐食性試作験を次の２つの方法で行なった。まず
最初に、作成したテストセルを２ Ｎ −Ｎ ａ ＣＱ
水溶液に１０分、３０分。
６０分、９０分と浸せきせた時の反射率の経時変化を測
定した。そして次に、先の検討より最も特性の良いテス
トセルを温度６０℃、湿度９０％の環境に保存したとき
の０４．Ｈｅの経時変化を測定した。各々の結果を図４
、図５に示す。ます図４は、テストセルを２Ｎ−ＮａＣ
Ｑ水溶液に浸せきした時の反射率の経時変化を示す。図
中の３は添加元素を含まない場合、１３．１３’ 、１
３’はＡｇ、１４．１４’ 、１４’はＰｄ、１５゜１
５’ 、１５’はｐｔ、１６．１６’ 、１６’はＡｕ
をそれぞれ添加した場合である。また、プライムなしは
各元素を０．５％添加した場合、シングルプライムは２
％添加した場合、そしてダブルプライムは５％添加した
場合である。その結果、反射率は、添加元素がない場合
、浸せきしてから最初の１０分間で急激に減少し、初期
の反射率の５０％になり、そして６０分後には反射しな
くなった。これに対して、添加元素を加えた場合、反射
率の低下を著しく抑制することができた。減少率の抑制
に最も効果のあった元素は、Ａｕ、Ｐｔ。
定した。そして次に、先の検討より最も特性の良いテス
トセルを温度６０℃、湿度９０％の環境に保存したとき
の０４．Ｈｅの経時変化を測定した。各々の結果を図４
、図５に示す。ます図４は、テストセルを２Ｎ−ＮａＣ
Ｑ水溶液に浸せきした時の反射率の経時変化を示す。図
中の３は添加元素を含まない場合、１３．１３’ 、１
３’はＡｇ、１４．１４’ 、１４’はＰｄ、１５゜１
５’ 、１５’はｐｔ、１６．１６’ 、１６’はＡｕ
をそれぞれ添加した場合である。また、プライムなしは
各元素を０．５％添加した場合、シングルプライムは２
％添加した場合、そしてダブルプライムは５％添加した
場合である。その結果、反射率は、添加元素がない場合
、浸せきしてから最初の１０分間で急激に減少し、初期
の反射率の５０％になり、そして６０分後には反射しな
くなった。これに対して、添加元素を加えた場合、反射
率の低下を著しく抑制することができた。減少率の抑制
に最も効果のあった元素は、Ａｕ、Ｐｔ。
Ｐｄでほぼ同程度、次いでＡｇであった。また、添加量
の増大とともに、記録膜の１１食性は向上することがわ
かる。図５は、これらテストセルを温度６０℃、湿度９
０％の条件にて高速劣化試験を行なったときのＯｋ及び
Ｈｃの経時変化を示す。
の増大とともに、記録膜の１１食性は向上することがわ
かる。図５は、これらテストセルを温度６０℃、湿度９
０％の条件にて高速劣化試験を行なったときのＯｋ及び
Ｈｃの経時変化を示す。
まず、添加元素を含まない場合（曲線８）、Ｏｋ及びＨ
ｃともにスタートから１日目位までは除々に減少し、そ
の後、急激に低下し、約２日目で磁気特性を示さなくな
った。これに対し１元素を添加した磁気記録膜のθえ及
びＨｃの減少速度は著しく低下した。ここで１７．１７
’はＡｇを。
ｃともにスタートから１日目位までは除々に減少し、そ
の後、急激に低下し、約２日目で磁気特性を示さなくな
った。これに対し１元素を添加した磁気記録膜のθえ及
びＨｃの減少速度は著しく低下した。ここで１７．１７
’はＡｇを。
１８．１８’ はＰｄを、１９．１９’ はｐｔを、２
０．２０’はＡｕをそれぞれ添加した場合である。この
図より、添加する元素により多少差があるものの、記録
媒体に元素を添加しない場合と比較して媒体の寿命を約
２倍に伸すことができた。
０．２０’はＡｕをそれぞれ添加した場合である。この
図より、添加する元素により多少差があるものの、記録
媒体に元素を添加しない場合と比較して媒体の寿命を約
２倍に伸すことができた。
また、耐食性の向上が最も大きいのはＡｕを添加した場
合で、次いでｐｔを加えた場合で以下Ｐｄ。
合で、次いでｐｔを加えた場合で以下Ｐｄ。
Ａｇ、の順であった。
以上の検討より、貴金属元素の中でＡｕ、Ｐｔ。
Ｐｄ、Ａｇを添加すると、希土類−鉄族系磁気記録膜の
耐食性を大幅に改善できることができた。
耐食性を大幅に改善できることができた。
〔実施例３〕
洗浄したエッチピットを切ったガラスまたは樹脂のディ
スクの基板（２１）上に、スパッタ法により膜厚０．１
μｍの磁気記録膜（２２）を形成した。磁気記録膜（２
２）の作成は、ターゲットに（Ｔ ｂ３２Ｆ ｅｇｌｃ
ｏ７）０．ｇ、）Ｔ ａｏ、１Ｑ或いは（Ｔ ｂ３□
Ｆ ｅｓｔＣ０７）０．９１１Ｐ ｄｏ、ｏ２を、放電
ガスにＡｒをそれぞれ用い、放電ガス圧５Ｘ１０−３（
Ｔ ｏｒｒ）、ＲＦ電力ＩＷ／ｃｍ”にて２５分間スパ
ッタして行なった。このようにして作成した光磁気ディ
スクのカー回転角（θｋ）は０．３５〜０．３７、保磁
力２ 、０〜２ 、５ Ｋ Ｏｅであった。
スクの基板（２１）上に、スパッタ法により膜厚０．１
μｍの磁気記録膜（２２）を形成した。磁気記録膜（２
２）の作成は、ターゲットに（Ｔ ｂ３２Ｆ ｅｇｌｃ
ｏ７）０．ｇ、）Ｔ ａｏ、１Ｑ或いは（Ｔ ｂ３□
Ｆ ｅｓｔＣ０７）０．９１１Ｐ ｄｏ、ｏ２を、放電
ガスにＡｒをそれぞれ用い、放電ガス圧５Ｘ１０−３（
Ｔ ｏｒｒ）、ＲＦ電力ＩＷ／ｃｍ”にて２５分間スパ
ッタして行なった。このようにして作成した光磁気ディ
スクのカー回転角（θｋ）は０．３５〜０．３７、保磁
力２ 、０〜２ 、５ Ｋ Ｏｅであった。
この光磁気ディスクを用いて耐食性試験を次の方法で行
なった。すなわち、作成した光磁ディスクを温度６０℃
、湿度９０％の環境に保存したときのθえ、Ｈｃの経時
変化を測定した。その結果と、比較のためにＴａ、Ｐｄ
等の添加元素を含有しない場合の０１及びＨｃの経時変
化を合わせて図７に示す。まず、添加元素を含まない場
合のθつの変化は１曲線（２３）に示すように１日目ま
では。
なった。すなわち、作成した光磁ディスクを温度６０℃
、湿度９０％の環境に保存したときのθえ、Ｈｃの経時
変化を測定した。その結果と、比較のためにＴａ、Ｐｄ
等の添加元素を含有しない場合の０１及びＨｃの経時変
化を合わせて図７に示す。まず、添加元素を含まない場
合のθつの変化は１曲線（２３）に示すように１日目ま
では。
ゆるやかに減少してゆき、その後急激に低下して２日経
過後では光磁気特性を示さなくなった。これに対して、
Ｔａを記録材料に対して１０％添加した場合のθ、の経
時変化は曲Ａ！ （２４）に示すようにゆるやかに減少
し、５日経過後でも記録膜（２２）の変色は多少みられ
るが、光磁気効果を示した。またＰｔを添加した場合の
０１の経時変化は、Ｔａを添加した場合のそれよりもθ
えの減少は著しく小さいことがわかった。また、保磁力
Ｈｃの経時変化もθえと同様の変化を示し添加元素を含
まない場合が曲線（２３’ ）、Ｔａを含む場合が曲線
（２４’）、ｐｔを含む場合が（２５’）のように変化
した。このように、実施例１、実施例２で示したテスト
セルによる耐食性試験の結果は、光磁気ディスクを作成
した場合の耐食性を十分返映していることがわかる。こ
のことから、Ｖ。
過後では光磁気特性を示さなくなった。これに対して、
Ｔａを記録材料に対して１０％添加した場合のθ、の経
時変化は曲Ａ！ （２４）に示すようにゆるやかに減少
し、５日経過後でも記録膜（２２）の変色は多少みられ
るが、光磁気効果を示した。またＰｔを添加した場合の
０１の経時変化は、Ｔａを添加した場合のそれよりもθ
えの減少は著しく小さいことがわかった。また、保磁力
Ｈｃの経時変化もθえと同様の変化を示し添加元素を含
まない場合が曲線（２３’ ）、Ｔａを含む場合が曲線
（２４’）、ｐｔを含む場合が（２５’）のように変化
した。このように、実施例１、実施例２で示したテスト
セルによる耐食性試験の結果は、光磁気ディスクを作成
した場合の耐食性を十分返映していることがわかる。こ
のことから、Ｖ。
Ｔａ、Ｙ、Ｓｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ等の元素を１
種類以上含ませることにより、光磁気ディスクの磁気特
性を低下させることなく、耐環境性を向上させることが
できた。
種類以上含ませることにより、光磁気ディスクの磁気特
性を低下させることなく、耐環境性を向上させることが
できた。
希土類−鉄族系非晶質薄膜は、希土類として、Ｔｂ、Ｇ
ｄ、Ｈｏ、Ｄｙを、鉄族元素としてＦｅおよびＣｏを用
したものについて、いずれも同様の効果を奏することが
出来た。
ｄ、Ｈｏ、Ｄｙを、鉄族元素としてＦｅおよびＣｏを用
したものについて、いずれも同様の効果を奏することが
出来た。
本発明によれば、希土類−鉄族を基体とする光磁気ディ
スク用記録媒体中に、表面不動態形成元素及び貴金属元
素を添加することにより耐食性を大きく向上させること
ができた。その結果、記録媒体の寿命を従来の２倍以上
に向上できた。
スク用記録媒体中に、表面不動態形成元素及び貴金属元
素を添加することにより耐食性を大きく向上させること
ができた。その結果、記録媒体の寿命を従来の２倍以上
に向上できた。
第１図はテストセルの断面図、第２及び４図は２Ｎ−Ｎ
ａＣｆｌ水溶液中に光磁気記録媒体を浸せきさせた時の
反射率の経時変化を示す図、第３及び５図は温度６０’
Ｃ１湿度９０％の環境中に記録媒体を保存した時のカー
回転角（θｋ）及び保磁力（Ｈｅ）の経時変化を示す図
、第６図は光磁気ディスクの断面図、第７図は温度６０
℃、湿度９０％の環境中に光磁気ディスクを保存したと
きのθえ、Ｈｃの経時変化を示す図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・磁気記録膜３・・
・・・・Ｔｂ３□ＦｅｇｌＣｏｔ）の反射率の経時変化
４ ・・’・’ （Ｔ ｔ）＋ｓ＋Ｆ ｅｇｌｃ ０７
）０．９ＳＳ ｎｏ、０５の反射率の経時変化 ４ ’ ・・・（Ｔ ｂ３２ Ｆ ｅ６４ Ｃ０７）０
．ｇＳ ｎｏ、 ｉの反射率の経時変化 ４ ’ −（Ｔ ｂ３２Ｆ ｅ６１ｃ ０７）Ｏ，ＦＩ
ＳＳ ｎｏ、ｔ５の反射率の経時変化 ５ ・・・・・・（Ｔ ｂ３□Ｆ ｅｓｔｃ ０７）０
．９５Ｙ０．０５の反射率の経時変化 ５ ’ −（Ｔ ｂ３２Ｆ ｅ６ｔｃ ０７）０．ＢＹ
ｏ、１の反射率の経時変化 ５ ’ ・＝ （Ｔ ｂ３ｚＦ ｅ、、ｔＣ０７）Ｏ，
［１６Ｙ０．１５の反射率の経時変化 ６−− （Ｔ ｂ３□Ｆ ｅａｌｃ ０７）０．９６Ｖ
０．０５の反射率の経時変化 ６ ’ −（Ｔ ｂ３ｓ＋Ｆ ８ＧＩＣｏｔ）ｏ、ｓＶ
ｏ、ｔｏの反射率の経時変化 ６″’ ・＝ （Ｔ ｂ３ｚ Ｆ ｅｇｌｃ Ｏ？）０
．８６Ｖ０．１５の反射率の経時変化 ７−・・・（Ｔ ｂ３ｚＦ ８１１１Ｃ０７）０．９６
Ｔ ａｏ、０５の反射率の経時変化 ７ ’ −（Ｔ ｂ：＋□Ｆ ｅｅｔｃ ｏ７）ｏ、ｌ
ｌＴ ａｏ、ｉの反射率の経時変化 ７ ’ ・・・（Ｔ ｂ３ｚＦ ｅａｌｃ ０７）０．
８５Ｔ ａｏ、ｚｓの反射率の経時変化 ８・・・・・・Ｔｂ３２ＦｅＨｃ０７のθえの経時変化
８’ −Ｔｂ３２Ｆｅ６ｔｃ０７のＨｃの経時変化９−
・・・（Ｔ ｂ３□Ｆ ｅｃｔｃ ０７）Ｏ，ｌ］６Ｓ
ｎｏ、ｔｓのＯｋの経時変化 ９ ’ °゛ （Ｔ ｂ３２Ｆ ｅｓｔｃ
０７）０．８５Ｓ ｎｏ、ｘｓのＨｃの経時変化 １０＝・・・・（Ｔ ｂ３２ Ｆ ｅ６１ Ｃ０７）０
．８５Ｙ０．１５のθえの経時変 １０’ ・・・（Ｔ ｂ３２Ｆ ｅａｓＣ０７）０．８
５ｙ０．１５のＨｃの経時変化 １１−− （Ｔ ｂ３□Ｆ ｅｒ、□ｃ ０７）０．９
５ｖ０．１５のＯｋの経時変化 １１’ ・＝ （Ｔ ｂ３□Ｆ ｅｔ−ｘｃ ０７）Ｏ
，Ｂ６Ｖ０．１５のＨｃの経時変化 １：”＝・＝ （Ｔ ｂ３□Ｆ ８ＧＩＣ０７）Ｏ，Ｂ
５Ｔ ａｏ□ｓのＯｋの経時変化 １２’ −（Ｔ ｂ３２Ｆ ｅＧｌｃ ０７）０．８６
Ｔ ａｏ、１５のＨＣの経時変化 １３・・・・＝ （Ｔ ｂ３□Ｆ ｅＨＣ０７）０．９
９５Ａ ｇｏ、ｏｏｓの反射率の経時変化 １３’ ”’ （Ｔ ｂ３□Ｆ ｅＨＣ０７）０．９９
Ａ ｇｏ、ｏ２の反射率の経時変化 １３’ −（Ｔ ｂ３□Ｆ ｅｓｔｃ ０７）Ｏ，Ｂ５
Ａ ｇｏ、ｏｓの反射率の経時変化 １４・・＝＝ （Ｔ ｂ３ｚＦ ｅ、、ｃ ０７）Ｑ、
９９５Ｐ ｄｏ、ａｏ５の反射率の経時変化 １４’ −（Ｔ ｂ３□Ｆ ｅａｘｃ ０７）０．９８
Ｐ ｄｏ、ｏ２の反射率の経時変化 １４’ ・・’ （Ｔ ｂ３２Ｆ ８ｅｔＣ０７）０．
９５Ｐ ｄｏ、ｏｓの反射率の経時変化 １５−− （Ｔ ｂ３□Ｆ ｅＧｌｃ ０７）０．９９
ＳＰ ｔｏ、ａｏ５の反射率の経時変化 １５’ −（Ｔ ｂ３２Ｆ ｅ６１Ｃ０７）０．９１１
（Ｐ ｔｏ、ｏｓ＋の反射率の経時変化 １５’ −（Ｔ ｂ３□Ｆ ｅｅｘｃ ０７）０．９Ｓ
Ｐ ｔｏ、ｏａの反射率の経時変化 １６−・＝ （Ｔ ｂ３ｚＦ ｅＨＣ０７）０．９９５
Ａ ｕｏ、ａｏ５の反射率の経時変化 １６’ −（Ｔ ｂ３□Ｆ ｅ６１Ｃ０７）０．９８Ａ
ｕａ、ｏ２の反射率の経時変化 １６’ ・＝ （Ｔ ｂ：＋２Ｆ ｅ６１Ｃ０７）０．
９６Ａ ｕｏ、０５の反射率の経時変化 １’７’・＝＝ （Ｔ ｂ３□Ｆ ｅｇｌｃ ０７）０
．９５Ａ ｇｏ、ｏｓのＯｋの経時変化 １７’ −（Ｔ ｂ３ｚＦ ｅｓｔｃ ０７）０．９５
Ａ ｇｏ、ｏｓのＨＣの経時変化 １８・−・・（Ｔ ｂ３２Ｆ ｅ６□ｃ ０７）０．９
５Ｐ ｄｏ、ｏｓのＯｋの経時変化 １８’ ・・・（Ｔ ｂ３ｚＦ ｅＧｌｃ ０７）０．
９５Ｐ ｄｏ、ｏｓのＨｅの経時変化 １９””” （Ｔ ｂ３□Ｆ ｅＧｌｃ ０７）０．
９５Ｐ ｔｏ、ｏｓのＯｋの経時変化 １９’ ・・・（Ｔ ｂ３２Ｆ ｅｇｌｃ ０７）Ｏ９
５Ｐ ｄｏ、ｏｓのＨｃの経時変化 ２（１＝・・（Ｔ ｂ３２Ｆ ｅａｌｃ ０７）０．９
５Ａ ｕｏ、ｏｓのＯｋの経時変化 ２０’ −（Ｔ ｂ３２Ｆ ｅ６１Ｃ０ｆ）０．９５Ａ
ｕＯ，０５のＨｃの経時変化 ２１・・・・・・ディスク基板、２２・・・・記録膜２
３・＝−（Ｔ ｂ３ｚＦ ｅ６ｔｃ ０７）の０５の経
時変化２３’ −（Ｔ ｂ３２Ｆ ｅ６．Ｃｏ７）のＨ
ｅの経時変化２４−− （Ｔ ｂ３２Ｆ ｅＧｌｃ ０
７）０．９０Ｔａｏ １０のＯｋの経時変化 ２４’ −（Ｔ ｂ３２ Ｆ ｅａｌＣ０７）０．９０
Ｔ ａｏ、１ｏのＨｅの経時変化 ２５−− （Ｔ ｂ３□Ｆ ｅ６１ｃ ０７）０．９８
Ｐ ｄｏ、ｏ２のθつの経時変化 ２５’ ・＝ （Ｔ ｂ３２Ｆ ｅｓｘｃ ０７）０．
９８Ｐ ｄｏ、ｏ２のＨｅの経時変化
ａＣｆｌ水溶液中に光磁気記録媒体を浸せきさせた時の
反射率の経時変化を示す図、第３及び５図は温度６０’
Ｃ１湿度９０％の環境中に記録媒体を保存した時のカー
回転角（θｋ）及び保磁力（Ｈｅ）の経時変化を示す図
、第６図は光磁気ディスクの断面図、第７図は温度６０
℃、湿度９０％の環境中に光磁気ディスクを保存したと
きのθえ、Ｈｃの経時変化を示す図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・磁気記録膜３・・
・・・・Ｔｂ３□ＦｅｇｌＣｏｔ）の反射率の経時変化
４ ・・’・’ （Ｔ ｔ）＋ｓ＋Ｆ ｅｇｌｃ ０７
）０．９ＳＳ ｎｏ、０５の反射率の経時変化 ４ ’ ・・・（Ｔ ｂ３２ Ｆ ｅ６４ Ｃ０７）０
．ｇＳ ｎｏ、 ｉの反射率の経時変化 ４ ’ −（Ｔ ｂ３２Ｆ ｅ６１ｃ ０７）Ｏ，ＦＩ
ＳＳ ｎｏ、ｔ５の反射率の経時変化 ５ ・・・・・・（Ｔ ｂ３□Ｆ ｅｓｔｃ ０７）０
．９５Ｙ０．０５の反射率の経時変化 ５ ’ −（Ｔ ｂ３２Ｆ ｅ６ｔｃ ０７）０．ＢＹ
ｏ、１の反射率の経時変化 ５ ’ ・＝ （Ｔ ｂ３ｚＦ ｅ、、ｔＣ０７）Ｏ，
［１６Ｙ０．１５の反射率の経時変化 ６−− （Ｔ ｂ３□Ｆ ｅａｌｃ ０７）０．９６Ｖ
０．０５の反射率の経時変化 ６ ’ −（Ｔ ｂ３ｓ＋Ｆ ８ＧＩＣｏｔ）ｏ、ｓＶ
ｏ、ｔｏの反射率の経時変化 ６″’ ・＝ （Ｔ ｂ３ｚ Ｆ ｅｇｌｃ Ｏ？）０
．８６Ｖ０．１５の反射率の経時変化 ７−・・・（Ｔ ｂ３ｚＦ ８１１１Ｃ０７）０．９６
Ｔ ａｏ、０５の反射率の経時変化 ７ ’ −（Ｔ ｂ：＋□Ｆ ｅｅｔｃ ｏ７）ｏ、ｌ
ｌＴ ａｏ、ｉの反射率の経時変化 ７ ’ ・・・（Ｔ ｂ３ｚＦ ｅａｌｃ ０７）０．
８５Ｔ ａｏ、ｚｓの反射率の経時変化 ８・・・・・・Ｔｂ３２ＦｅＨｃ０７のθえの経時変化
８’ −Ｔｂ３２Ｆｅ６ｔｃ０７のＨｃの経時変化９−
・・・（Ｔ ｂ３□Ｆ ｅｃｔｃ ０７）Ｏ，ｌ］６Ｓ
ｎｏ、ｔｓのＯｋの経時変化 ９ ’ °゛ （Ｔ ｂ３２Ｆ ｅｓｔｃ
０７）０．８５Ｓ ｎｏ、ｘｓのＨｃの経時変化 １０＝・・・・（Ｔ ｂ３２ Ｆ ｅ６１ Ｃ０７）０
．８５Ｙ０．１５のθえの経時変 １０’ ・・・（Ｔ ｂ３２Ｆ ｅａｓＣ０７）０．８
５ｙ０．１５のＨｃの経時変化 １１−− （Ｔ ｂ３□Ｆ ｅｒ、□ｃ ０７）０．９
５ｖ０．１５のＯｋの経時変化 １１’ ・＝ （Ｔ ｂ３□Ｆ ｅｔ−ｘｃ ０７）Ｏ
，Ｂ６Ｖ０．１５のＨｃの経時変化 １：”＝・＝ （Ｔ ｂ３□Ｆ ８ＧＩＣ０７）Ｏ，Ｂ
５Ｔ ａｏ□ｓのＯｋの経時変化 １２’ −（Ｔ ｂ３２Ｆ ｅＧｌｃ ０７）０．８６
Ｔ ａｏ、１５のＨＣの経時変化 １３・・・・＝ （Ｔ ｂ３□Ｆ ｅＨＣ０７）０．９
９５Ａ ｇｏ、ｏｏｓの反射率の経時変化 １３’ ”’ （Ｔ ｂ３□Ｆ ｅＨＣ０７）０．９９
Ａ ｇｏ、ｏ２の反射率の経時変化 １３’ −（Ｔ ｂ３□Ｆ ｅｓｔｃ ０７）Ｏ，Ｂ５
Ａ ｇｏ、ｏｓの反射率の経時変化 １４・・＝＝ （Ｔ ｂ３ｚＦ ｅ、、ｃ ０７）Ｑ、
９９５Ｐ ｄｏ、ａｏ５の反射率の経時変化 １４’ −（Ｔ ｂ３□Ｆ ｅａｘｃ ０７）０．９８
Ｐ ｄｏ、ｏ２の反射率の経時変化 １４’ ・・’ （Ｔ ｂ３２Ｆ ８ｅｔＣ０７）０．
９５Ｐ ｄｏ、ｏｓの反射率の経時変化 １５−− （Ｔ ｂ３□Ｆ ｅＧｌｃ ０７）０．９９
ＳＰ ｔｏ、ａｏ５の反射率の経時変化 １５’ −（Ｔ ｂ３２Ｆ ｅ６１Ｃ０７）０．９１１
（Ｐ ｔｏ、ｏｓ＋の反射率の経時変化 １５’ −（Ｔ ｂ３□Ｆ ｅｅｘｃ ０７）０．９Ｓ
Ｐ ｔｏ、ｏａの反射率の経時変化 １６−・＝ （Ｔ ｂ３ｚＦ ｅＨＣ０７）０．９９５
Ａ ｕｏ、ａｏ５の反射率の経時変化 １６’ −（Ｔ ｂ３□Ｆ ｅ６１Ｃ０７）０．９８Ａ
ｕａ、ｏ２の反射率の経時変化 １６’ ・＝ （Ｔ ｂ：＋２Ｆ ｅ６１Ｃ０７）０．
９６Ａ ｕｏ、０５の反射率の経時変化 １’７’・＝＝ （Ｔ ｂ３□Ｆ ｅｇｌｃ ０７）０
．９５Ａ ｇｏ、ｏｓのＯｋの経時変化 １７’ −（Ｔ ｂ３ｚＦ ｅｓｔｃ ０７）０．９５
Ａ ｇｏ、ｏｓのＨＣの経時変化 １８・−・・（Ｔ ｂ３２Ｆ ｅ６□ｃ ０７）０．９
５Ｐ ｄｏ、ｏｓのＯｋの経時変化 １８’ ・・・（Ｔ ｂ３ｚＦ ｅＧｌｃ ０７）０．
９５Ｐ ｄｏ、ｏｓのＨｅの経時変化 １９””” （Ｔ ｂ３□Ｆ ｅＧｌｃ ０７）０．
９５Ｐ ｔｏ、ｏｓのＯｋの経時変化 １９’ ・・・（Ｔ ｂ３２Ｆ ｅｇｌｃ ０７）Ｏ９
５Ｐ ｄｏ、ｏｓのＨｃの経時変化 ２（１＝・・（Ｔ ｂ３２Ｆ ｅａｌｃ ０７）０．９
５Ａ ｕｏ、ｏｓのＯｋの経時変化 ２０’ −（Ｔ ｂ３２Ｆ ｅ６１Ｃ０ｆ）０．９５Ａ
ｕＯ，０５のＨｃの経時変化 ２１・・・・・・ディスク基板、２２・・・・記録膜２
３・＝−（Ｔ ｂ３ｚＦ ｅ６ｔｃ ０７）の０５の経
時変化２３’ −（Ｔ ｂ３２Ｆ ｅ６．Ｃｏ７）のＨ
ｅの経時変化２４−− （Ｔ ｂ３２Ｆ ｅＧｌｃ ０
７）０．９０Ｔａｏ １０のＯｋの経時変化 ２４’ −（Ｔ ｂ３２ Ｆ ｅａｌＣ０７）０．９０
Ｔ ａｏ、１ｏのＨｅの経時変化 ２５−− （Ｔ ｂ３□Ｆ ｅ６１ｃ ０７）０．９８
Ｐ ｄｏ、ｏ２のθつの経時変化 ２５’ ・＝ （Ｔ ｂ３２Ｆ ｅｓｘｃ ０７）０．
９８Ｐ ｄｏ、ｏ２のＨｅの経時変化
Claims (1)
- １、希土類（Ｒｅ）としてＴｂ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｄｙのう
ちから選ばれる少なくとも１種類の元素と、Ｆｅ及びＣ
ｏを基体とする光磁気ディスク用記録媒体（Ｒｅ−Ｆｅ
−Ｃｏ）＿１＿−＿ｘＸ＿ｘであって、ＸとしてＶ、Ｔ
ａ、Ｙ、Ｓｎのうちから選ばれる少なくとも１種類の元
素を０．０１≦ｘ≦０．１５の範囲で添加した、又は、
ＸとしてＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔのうちから選ばれる少
なくとも１種類の元素を０．００５≦ｘ≦０．０５の範
囲で添加したことを特徴とする光磁気ディスク用記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13590286A JPS62293537A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 光磁気デイスク用記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13590286A JPS62293537A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 光磁気デイスク用記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62293537A true JPS62293537A (ja) | 1987-12-21 |
Family
ID=15162493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13590286A Pending JPS62293537A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 光磁気デイスク用記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62293537A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63253555A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-10-20 | ミネソタ マイニング アンド マニユフアクチユアリング カンパニー | 安定な磁気光記録媒体 |
| EP0831475A2 (en) * | 1996-09-20 | 1998-03-25 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Magneto-optic recording medium |
-
1986
- 1986-06-13 JP JP13590286A patent/JPS62293537A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63253555A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-10-20 | ミネソタ マイニング アンド マニユフアクチユアリング カンパニー | 安定な磁気光記録媒体 |
| EP0831475A2 (en) * | 1996-09-20 | 1998-03-25 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Magneto-optic recording medium |
| EP0831475A3 (en) * | 1996-09-20 | 1998-09-30 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Magneto-optic recording medium |
| US5903526A (en) * | 1996-09-20 | 1999-05-11 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Magneto-optical recording medium having multiple magnetic layers |
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