JPS62291156A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPS62291156A JPS62291156A JP13663286A JP13663286A JPS62291156A JP S62291156 A JPS62291156 A JP S62291156A JP 13663286 A JP13663286 A JP 13663286A JP 13663286 A JP13663286 A JP 13663286A JP S62291156 A JPS62291156 A JP S62291156A
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は混成集積回路装置に関1〜、特に、両面実装混
成集積回路装置の構造に関する。
成集積回路装置の構造に関する。
従来、個別半導体素子またはIC素子などの実装密度を
上けるため、これらの素子を配線基板の両面に搭載する
場合、フラットパック素子を両面に半田付実装、または
、第2図の断面図に示すように、配線基板lの下面にフ
ラットパック素子8の半田付は実装、上面にICチップ
3のワイヤボンディング実装を行い、ICCベアト3の
周囲を樹脂7で包喧保饅していた3゜ 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、上記従来の混成集積回路装置では、両面
実装により成る程度の実装密度の向上は得られているが
、しかし、片面はフラットパック素子を使用しているの
で、完全なベアチップの両面実装に比べ、実装密度が低
いのは免れない。
上けるため、これらの素子を配線基板の両面に搭載する
場合、フラットパック素子を両面に半田付実装、または
、第2図の断面図に示すように、配線基板lの下面にフ
ラットパック素子8の半田付は実装、上面にICチップ
3のワイヤボンディング実装を行い、ICCベアト3の
周囲を樹脂7で包喧保饅していた3゜ 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、上記従来の混成集積回路装置では、両面
実装により成る程度の実装密度の向上は得られているが
、しかし、片面はフラットパック素子を使用しているの
で、完全なベアチップの両面実装に比べ、実装密度が低
いのは免れない。
本発明の混成集積回路装置では、チップ状態の半導体素
子(ベアチップ)をワイヤボンティングにより配線基板
の両面に実装している。この場合少なくとも一方の面は
、チップを囲も・樹脂枠全配線基板に接着し、樹脂封止
を行っている。このように、樹脂枠を使用し、半導体素
子を樹脂封止することにより、封止した樹脂面が配線基
板と平行に、かつ、平坦になるため、両面ワイヤボンデ
ィングが可能となる。
子(ベアチップ)をワイヤボンティングにより配線基板
の両面に実装している。この場合少なくとも一方の面は
、チップを囲も・樹脂枠全配線基板に接着し、樹脂封止
を行っている。このように、樹脂枠を使用し、半導体素
子を樹脂封止することにより、封止した樹脂面が配線基
板と平行に、かつ、平坦になるため、両面ワイヤボンデ
ィングが可能となる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の断面図である。第1図にお
いて、配線基板10両面にIC素子がワイヤボンディン
グにより、実装されているが、下面は樹脂枠5が接着さ
れ、封止樹脂は樹脂枠を越えないように充てんされてい
る。工程順に説明すると、はじめに、下面側を上にして
ICチップ2のマウントボンディングがなされ、つぎに
、ワイヤ4のボンディング後、チップ2の周囲に樹脂枠
5が接着され、それから制止樹脂6が充てんされる。こ
れにより、下面側は樹脂枠の高さの位置で平坦となり、
次に、裏返して上面に、ICチップ3.3がマウントボ
ンディング、ワイヤ4がボンディングされる。最後に、
上面側が樹脂7で封止されて、両面ワイヤボンディング
の混成集積回路が完成する。ここで重要な点は、下面側
の樹脂封止面が樹脂枠を用いることによシ、平坦として
いる点にある。
いて、配線基板10両面にIC素子がワイヤボンディン
グにより、実装されているが、下面は樹脂枠5が接着さ
れ、封止樹脂は樹脂枠を越えないように充てんされてい
る。工程順に説明すると、はじめに、下面側を上にして
ICチップ2のマウントボンディングがなされ、つぎに
、ワイヤ4のボンディング後、チップ2の周囲に樹脂枠
5が接着され、それから制止樹脂6が充てんされる。こ
れにより、下面側は樹脂枠の高さの位置で平坦となり、
次に、裏返して上面に、ICチップ3.3がマウントボ
ンディング、ワイヤ4がボンディングされる。最後に、
上面側が樹脂7で封止されて、両面ワイヤボンディング
の混成集積回路が完成する。ここで重要な点は、下面側
の樹脂封止面が樹脂枠を用いることによシ、平坦として
いる点にある。
なお上側は下面側にだけ樹脂枠を用いているが、上面側
の封止樹脂の高さを制限するために、上面にも樹脂枠を
用いて全体の厚みを助くすることもできる。
の封止樹脂の高さを制限するために、上面にも樹脂枠を
用いて全体の厚みを助くすることもできる。
以上説明したように、本発明は、半導体累子分ワイヤボ
ンティングによって配線At板の両面に実装することに
より、 (1)両面に実装することにより、高密度実装となる。
ンティングによって配線At板の両面に実装することに
より、 (1)両面に実装することにより、高密度実装となる。
(2) さらに、両面ともワイヤボンディングによる
ベアチップ搭載であることにより、更に高密度実装とな
る。
ベアチップ搭載であることにより、更に高密度実装とな
る。
(3)従って、より小形となシ、低コスト化が期待でき
る。
る。
等の効果がある。
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は従来の混
成集積回路装置の断面図である。 ■・・・・・・配fi!基板、2,3・・・・・・IC
チップ、4・・・・°°ボンディングワイヤ、5・・・
・・・樹脂枠、6・・・・・・充てん封止174脂、7
・・・・・・制止樹脂、8・・090.フラットパック
IC6 第 10 躬/ 図
成集積回路装置の断面図である。 ■・・・・・・配fi!基板、2,3・・・・・・IC
チップ、4・・・・°°ボンディングワイヤ、5・・・
・・・樹脂枠、6・・・・・・充てん封止174脂、7
・・・・・・制止樹脂、8・・090.フラットパック
IC6 第 10 躬/ 図
Claims (1)
- 配線基板の両面にベアチップの半導体素子が実装され、
かつ、前記半導体素子のうち、少くとも前記配線基板の
片面の半導体素子は樹脂枠により囲まれ、この枠内が樹
脂により充てんされていることを特徴とする混成集積回
路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13663286A JPS62291156A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13663286A JPS62291156A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62291156A true JPS62291156A (ja) | 1987-12-17 |
Family
ID=15179846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13663286A Pending JPS62291156A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62291156A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5337467A (en) * | 1990-11-28 | 1994-08-16 | Fujitsu Limited | Method of producing wire-bonded substrate assembly |
US7521778B2 (en) | 2005-11-15 | 2009-04-21 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
1986
- 1986-06-11 JP JP13663286A patent/JPS62291156A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5337467A (en) * | 1990-11-28 | 1994-08-16 | Fujitsu Limited | Method of producing wire-bonded substrate assembly |
US7521778B2 (en) | 2005-11-15 | 2009-04-21 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
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