JPS62291141A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ８、　発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に配線の
形成に関するものである。

〔従来の技術〕

第２図は、従来の半導体装置の製造方法を示す断面図で
あり、以下これを用いて従来の製造方法を説明する。ま
ず、第２図１１ＬＩに示すように、シリコン基板１１）
上にＰ　Ｂ　Ｇ　（Ｐｈｏｓｐｈｏ　８１１１ｃａｔｅ
ｑｌａｓｓ）膜やＢ　Ｐ　Ｂ　Ｇ　（Ｂｏｒｏｐｈｏｓ
ｐｈｏ　５ｉｌｉｃａｔｅ９１ａｓｓ）膜等の絶縁膜（
２）をＣＶ　Ｄ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒｐｅ
ｐｏ−ｓｉｔｉｏｎ　）法等で堆積させ、これに熱処理
を施し、平担化した後、写真製版技術と化学処理４＆Ｆ
　ｉ　ｉ　用い、テーパーのついたコンタクトホール（
１０１４”形成する。次に、第８図ｆｂ＋に示すように
、金属被膜（３１ヲスバツタ法等で堆積させ、レジス）
　＋５１を塗布する。次に、第２図（０）に示すように
、配ｆｆｌ＋９１に形成するためのフォトマスク（６）
ヲ用いて写真製版をすると、第９図１（１１Ｋ示すよう
に、配線用のレジストパターン（８）が形成される。

その後、乾式の異方性エツチングを行うことにより配線
（９）が第２図ｔｅｌのように形成される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の半導体装置の製造方法では、以上のような工程で
配線（６）が形成されているので、金属被膜（３）がコ
ンタクト部で傾斜を持つ状態になり、その傾斜が写真製
版時の光を反射しレジスト＠を細くする。その結果、コ
ンタクト部分の配置１１ｔｅｌが細くなり、配線の断線
や電気抵抗の増加といった問題を生じる。

この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、配線の断線や電気抵抗の増加を防ぐことを
目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発ＢＡｖｃ係る半導体装置の製造方法は、金属被膜
を選択的に残し配線を形成する工程に際して、ポリイミ
ドを金属被膜上に塗布した後、レジストを塗布し、写真
製版を行なったものである。

〔作用〕

この発明においては、レジストの露光に際して金属被膜
上にポリイミドを塗布することにより、コンタクトホー
ルによって形成される金属被膜の傾斜による光の反射を
防ぐことができる。

〔実施例〕

第１図は、この発明の一実施例ＶＣよる半導体装置の主
要製造工程を示し、以下これを用いて製造方法を説明す
る。

図中第２図七同−符号は、同−捷たけ相当部分を示す。

第２図ｉａｌ　（ｂ＋に示すように、前記従来と同様の
方法でシリコン基板ｉｌｌ上に順次、絶縁嘆（２）と金
属被膜（３）を形成した後、第１図１０１　Ｋ示すよう
に、金属被膜（３）上にポリイミド膜１４１を塗布した
後、レジスト（６）を塗布し、写真製版を行なうと第１
図１０１　ＶＣ示すよう々レジストパターン（８）が形
成される。そして、乾式の異方性エツチングを行うこと
により配線（９）が第１図１０１のように形成される。

上記一実施例に示すようにレジストの露光に際して、金
属被膜（３）上にポリイミド膜（４）を形成したので、
金属被膜１３）の傾斜部にょ）反射した光によりレジス
トが余分に露光されることがなく所望の幅の金属配線が
形成される。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、金跳配線の形成に際
して、金属被膜上にポリイミド膜を塗布した後、レジス
トの露光を行なうようにしたので、配線の断線や電気抵
抗の増加を防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例による半導体装置の製造
方法を示す工程別断面図、第８図は従来の半導体装置の
製造方法を示す工程別断面図である。Ｉｌ＋はシリコン
基板、（２１は絶縁暎、＋３＋は金属被膜、１４）はポ
リイミド膜、（５）はレジスト、（６）はフォトマスク
、（））は光、（８）はレジストノ（ターン、（９）は
配線である。なお、各図中同一符号は同一また値相当部
分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板表面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜
   の所定部に表面から深さ方向に直径が小さくなるコンタ
   クトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールを
   含む絶縁膜上に金属被膜を形成する工程と、前記金属被
   膜上にポリイミドを塗布する工程と、このポリイミドの
   上にレジストを塗布する工程と、配線を構成する金属被
   膜のみを残す工程とを備えた半導体装置の製造方法。