JPS62291054A - 厚膜抵抗体のトリミング方法 - Google Patents
厚膜抵抗体のトリミング方法Info
- Publication number
- JPS62291054A JPS62291054A JP61133754A JP13375486A JPS62291054A JP S62291054 A JPS62291054 A JP S62291054A JP 61133754 A JP61133754 A JP 61133754A JP 13375486 A JP13375486 A JP 13375486A JP S62291054 A JPS62291054 A JP S62291054A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trimming
- cutting
- thick film
- resistance
- film resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009966 trimming Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
６、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は厚膜抵抗体のトリミング方法に関する。
従来、厚膜抵抗体のトリミング方法としてはサンドブラ
スト法とレーザ法とが知られているが、高圧回路に使用
される厚膜抵抗体では、加工幅の広さからサンドブラス
ト法が優位である。
スト法とレーザ法とが知られているが、高圧回路に使用
される厚膜抵抗体では、加工幅の広さからサンドブラス
ト法が優位である。
しかし９種々のメリットからレーザトリミングでも試み
られており、その方法は第６図に示されるようなスキャ
ンカットと呼ばれる方法がとられることが多い。
られており、その方法は第６図に示されるようなスキャ
ンカットと呼ばれる方法がとられることが多い。
このスキャンカット方法は、導体２．６の間の厚膜抵抗
体１に対してスキャンカット溝８を数条、すなわち設定
抵抗値が得られるまで平行に設けてゆ（。
体１に対してスキャンカット溝８を数条、すなわち設定
抵抗値が得られるまで平行に設けてゆ（。
したがって、上述した従来のスキャンカット方法では、
レーザ光のスキャン回数が多く、レーザトリミングの高
速性が活かされていない。
レーザ光のスキャン回数が多く、レーザトリミングの高
速性が活かされていない。
また、加工形状がコの字形になっているため。
高圧を印加した時にエツジの部分に電流の集中。
従って熱の集中が生じ、セラミック基板とともに厚膜抵
抗体が破損されることがある。
抗体が破損されることがある。
本発明の目的は、レーザトリミングの高速性をそこなわ
ずに、かつ高圧印加時に電流の集中が生じないような円
弧状のトリミングを可能とする新規な厚膜抵抗体のトリ
ミング方法を提供することにある。
ずに、かつ高圧印加時に電流の集中が生じないような円
弧状のトリミングを可能とする新規な厚膜抵抗体のトリ
ミング方法を提供することにある。
本発明による厚膜抵抗体のトリミング方法は。
セラミック絶縁板上に形成された厚膜抵抗体と。
該厚膜抵抗体馨はさむように相対向して設け。
該相対向して設けた導体より切込みを開始して完全に切
断せしめる少なくとも１個以上の同心円状の円弧状のト
リミング切断溝を設け、該最外周トリミング切断溝に一
部重畳して切込みを開始し、抵抗値に応じて途中で切込
みを終了せしめる１個の円弧状のトリミング切断溝を設
けることを特徴とする。
断せしめる少なくとも１個以上の同心円状の円弧状のト
リミング切断溝を設け、該最外周トリミング切断溝に一
部重畳して切込みを開始し、抵抗値に応じて途中で切込
みを終了せしめる１個の円弧状のトリミング切断溝を設
けることを特徴とする。
以下に本発明について一実施例を図面を参照Ｉ−ながら
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例である厚膜抵抗体のトリミン
グ状態を示す図である。
グ状態を示す図である。
１は厚膜抵抗体、２．６は厚膜抵抗体１をはさむ導体で
ある。４は１回目の円弧状のトリミング切断溝を示し、
完全に厚膜抵抗体１から切断９分離されている。６はそ
の切込み開始点を示す。５は２回目の円弧状のトリミン
グ切断溝を示し、抵抗値が設定値に達したことから途中
でトリミングを終了している。７はその切込み開始点を
示す。なお、Ｙは第１回目の切込み深さを示し、ΔＹは
第１回目と第２回目との切込み深さの差を示す。このよ
うにすれば、トリミング切断溝数が第６図に比して少な
くできることは明らかである。
ある。４は１回目の円弧状のトリミング切断溝を示し、
完全に厚膜抵抗体１から切断９分離されている。６はそ
の切込み開始点を示す。５は２回目の円弧状のトリミン
グ切断溝を示し、抵抗値が設定値に達したことから途中
でトリミングを終了している。７はその切込み開始点を
示す。なお、Ｙは第１回目の切込み深さを示し、ΔＹは
第１回目と第２回目との切込み深さの差を示す。このよ
うにすれば、トリミング切断溝数が第６図に比して少な
くできることは明らかである。
次に１本発明の厚膜抵抗体のトリミング方法について、
第２図に示されるフローチャートを用いて、詳細に説明
する。
第２図に示されるフローチャートを用いて、詳細に説明
する。
まず、ステップ５１ｖｃおいて厚膜抵抗体１の初期抵抗
値を測定する。ステップＳ２において。
値を測定する。ステップＳ２において。
設定抵抗値と初期抵抗値の差の大きさに応じ。
第１回目のトリミングの切込みの深さＹを決定し、ステ
ップＳ６でその値により円弧状のトリミングを行う。そ
のトリミングの結果、ステップＳ４で最後まで完全に切
断されたが、途中でトリミングが終了したかによって、
それぞれステップＳ１０．ステップＳ５に進む。途中で
トリミングが終了した場合、トリミング終了後ステップ
Ｓ５で再度厚膜抵抗体１の抵抗値を測定し、ステップＳ
６で設定抵抗値との差の大きさに応じ、第２回目のトリ
ミングの切込みの深さＹ＋△Ｙを決定する。ステップＳ
７で第２回目の円弧状トリミングを行い、ステップＳ８
でトリミングが最後まで達した場合には再びステップＳ
５の手順に戻り、くり返す。もし、ここでトリミングが
途中で終了した場合には１次のステップＳ９に進む。ス
テップＳ９で、１回前の切込み深さとの差△Ｙが１回の
加工幅の半分程度（加工幅が６０μなら３０μ）なら、
そこで全トリミングを終了する。ΔＹが６０μより太き
い場合にはステップＳ１０に進み、切込み深さを前回よ
り３０μ小さくして円弧状トリミングを最後まで行う。
ップＳ６でその値により円弧状のトリミングを行う。そ
のトリミングの結果、ステップＳ４で最後まで完全に切
断されたが、途中でトリミングが終了したかによって、
それぞれステップＳ１０．ステップＳ５に進む。途中で
トリミングが終了した場合、トリミング終了後ステップ
Ｓ５で再度厚膜抵抗体１の抵抗値を測定し、ステップＳ
６で設定抵抗値との差の大きさに応じ、第２回目のトリ
ミングの切込みの深さＹ＋△Ｙを決定する。ステップＳ
７で第２回目の円弧状トリミングを行い、ステップＳ８
でトリミングが最後まで達した場合には再びステップＳ
５の手順に戻り、くり返す。もし、ここでトリミングが
途中で終了した場合には１次のステップＳ９に進む。ス
テップＳ９で、１回前の切込み深さとの差△Ｙが１回の
加工幅の半分程度（加工幅が６０μなら３０μ）なら、
そこで全トリミングを終了する。ΔＹが６０μより太き
い場合にはステップＳ１０に進み、切込み深さを前回よ
り３０μ小さくして円弧状トリミングを最後まで行う。
この手順はステップＳ４でトリミングが途中で終了した
場合にも実行され、ここで全トリミングを終了する。
場合にも実行され、ここで全トリミングを終了する。
以上説明したように１本発明によれば、レーザ
／）！［ングの高速性をそこなわずに、かつ高圧印加時
に電流の集中が生じないような円弧状のトリミングが可
能となる。
に電流の集中が生じないような円弧状のトリミングが可
能となる。
第１図は本発明の一実施例を示す厚膜抵抗体のトリミン
グ状態を示す図、第２図は本発明の一実施例である厚膜
抵抗体のトリミング方法を示すフローチャー１・、第３
図は従来のスキャンカット方法によるトリミング状態を
示した図である。 図において、１は厚膜抵抗体、２．３は導体。 ４は第１回目の円弧状のトリミング切断溝、５は第２回
目の円弧状のトリミング切断溝、８はスキャンカット溝
である。 第１図 解３図
グ状態を示す図、第２図は本発明の一実施例である厚膜
抵抗体のトリミング方法を示すフローチャー１・、第３
図は従来のスキャンカット方法によるトリミング状態を
示した図である。 図において、１は厚膜抵抗体、２．３は導体。 ４は第１回目の円弧状のトリミング切断溝、５は第２回
目の円弧状のトリミング切断溝、８はスキャンカット溝
である。 第１図 解３図
Claims (1)
- １、セラミック絶縁板上に形成された厚膜抵抗体と、該
厚膜抵抗体をはさむように相対向して設け、該相対向し
て設けた導体より切込みを開始して完全に切断せしめる
少なくとも１個以上の同心円状の円弧状のトリミング切
断溝を設け、該最外周トリミング切断溝に一部重畳して
切込みを開始し、抵抗値に応じて途中で切込みを終了せ
しめる１個の円弧状のトリミング切断溝を設けることを
特徴とする厚膜抵抗体のトリミング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61133754A JPS62291054A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 厚膜抵抗体のトリミング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61133754A JPS62291054A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 厚膜抵抗体のトリミング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62291054A true JPS62291054A (ja) | 1987-12-17 |
Family
ID=15112158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61133754A Pending JPS62291054A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 厚膜抵抗体のトリミング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62291054A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110021465A (zh) * | 2019-04-11 | 2019-07-16 | 深圳市杰普特光电股份有限公司 | 电阻板的修调方法、装置、电阻板及存储介质 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61296753A (ja) * | 1985-06-26 | 1986-12-27 | Hitachi Tobu Semiconductor Ltd | 混成集積回路装置およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-06-11 JP JP61133754A patent/JPS62291054A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61296753A (ja) * | 1985-06-26 | 1986-12-27 | Hitachi Tobu Semiconductor Ltd | 混成集積回路装置およびその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110021465A (zh) * | 2019-04-11 | 2019-07-16 | 深圳市杰普特光电股份有限公司 | 电阻板的修调方法、装置、电阻板及存储介质 |
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