JPS62288826A - ドライフイルムフオトレジスト - Google Patents

ドライフイルムフオトレジスト

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JPS62288826A
JPS62288826A JP13173086A JP13173086A JPS62288826A JP S62288826 A JPS62288826 A JP S62288826A JP 13173086 A JP13173086 A JP 13173086A JP 13173086 A JP13173086 A JP 13173086A JP S62288826 A JPS62288826 A JP S62288826A
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polymer
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Yoshitaka Goto
後藤 義隆
Toshiya Yazawa
矢沢 俊也
Masaharu Nakayama
中山 雅陽
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Nippon Oil and Fats Co Ltd
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/031Organic compounds not covered by group G03F7/029
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の41j用分野〕 本発明は、プリント回路作製の際に使用されるドライフ
ィルムフォトレジストに関するものであり、さらに詳し
く述べると、可視光レーザーにより、中間マスクを使用
せずに回路パターンを直接描画するために用いるドライ
フィルムフォトレジストに関するものである。
〔従来技術〕
ドライフィルムフォトレジストはプリント回路作製にお
いて有用なプロセス材料として広く利用されている。こ
の使用法の概略としては、金4基板、例えば銅張積層板
に第1tJをはがしたドライフィルムフォトレジストを
熱圧着し、回路バターンの中間マスクを密着して紫外光
源にて露光後、第3層をはがし所定の現像液にて未露光
部を現像除去する。基板上には露光された部分のパター
ンが残存するので、これを耐酸性レジストとして、酸性
エッチャントにより基板をエツチングすることによ〕所
望のプリント配線回路板を得ることができる(林信行、
鍜治誠:熱硬化性樹脂、6 (i)14(i985))
例えば特開昭60−35725号には、4.4’−ビス
(シアル中ルアミノ)ベンゾフェノンと芳香族ケトン化
合物と有機過酸化物を含有する光重合性組成物がドライ
フィルムフォトレジストに利用できることが記載されて
いるう 〔発明が解決しようとする問題点〕 ドライフィルムフォトレジストによるプリント回路作製
は、スクリーン印刷法によシ作製され九回路パターンに
比べて高密度な配線が得られるものの、中間マスクと感
光層の間に高分子フィルム層が存在するため、ある一定
限度以上、例えば、100P渭よシも細い配線パターン
を得ることが難しい。そのため高分子フィルム層を従来
より薄くすることによシ改善を図っている例もあるが、
これにも限界があり、さらによシ高密度プリント回路板
の要求に充分満足させ得る方法とはなってか複雑化する
ことによシ、コンビエータ−を用いた回路設計システム
、いわゆるCADtたはCAMという名称で当該業界で
知られたシステムが用いられてきているが、この出力を
一度銀塩フイルムに露光し中間マスクを作製した後、ド
ライフィルムに密着し改めて紫外線露光を行なっている
上記工程において中間マスク作製をせずに直接CADの
出力をドライフィルムレジストに短時間で行なうことが
できれば、プリント回路板の製造工程を大巾に短縮する
ことができ、かつ中間マスクに用いられる高価な銀塩フ
ィルムが不要となり経済的に有利である。
以上大きく2つの問題点を解決するために用いられる最
良の方法としては、設計された回路パターンを1次元の
時系列信号とし、細く絞ったレーザービームによシト・
ライフイルムレシストにlt接高速で描画するシステム
がある。レーザービームは集光性が高く、高速走査が可
能なため、従来方法に比べて格段に高密度の回路パター
ンを作製できる。また、回路パターンの一部分を修正す
る場合もこの方式を用いることによシ極めて迅速に処理
することが可能となる。ここで使用されるレーザーは例
えばアルゴンイオンレーザ−、ヘリウム−ネオンレーザ
−、ヘリウム−カドミウムレーザー、半導体レーザーな
どの可視光発振レーザーが装置上適しているが、このよ
うな可視光レーザーの高速走査露光に充分対応できる感
光層を有するドライフィルムフォトレジストは、当該業
界の強い要望にもかかわらず、従来から得られていない
本発明は、可視光レーザーの高速走査露光に対して充分
な感度を有し、かつ金属基板との接着性や耐エツチング
性にも優れたドライフィルムフォトレジストを得ること
を目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、柔軟性を有する3@の積層体からなシ、その
第1#および第3層が透明な高分子フィルムであり、第
2層が下記に示す(i)〜(り成分を含有する感光層で
あることを特徴とするドライフィルムフォトレジストを
提供するものである。
(i)酸価50〜300であシ、分子量が10000〜
5oooooの高分子重合体、 (II)付加を合可能なエチレン性不飽和二砿結合を分
子中に2個以上有する単量体 011)一般式(夏) で表わされるアミノフェニルケトン化合物、GV)分子
内にベンゼン骨格またはベンゾフェノン骨格を有する有
機過酸化エステル化合物。
本発明に用りる(i)酸価50〜300で、分子量10
000〜5oooooの高分子重合体とは、ビニル系付
加重合凰ポリマー、ポリエステル系、ポリウレタン系、
ポリアミド系等の縮合壓ポリマー等であり、例えば、(
メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸エステル、マレ
インヘン、フマル酸、マレイン酸エステル、フマル酸エ
ステル、エチレングリコール、スチレン、アクリロニト
リル、塩化ビニルなどの共重合体が好ましい。
この酸価が50より小さいと、露光後の現像も理工程に
おいて現で衾液として用いる弱アルカリ性水溶液に対し
て溶解性が低く、酸化が300より大きいと溶解性が高
過ぎて0、画像部が基板から流去してしまう。
本発明に用いるO)付加重合可能なエチレン性不飽和単
量体としては、例えば、ポリエチレングリコールジ(メ
タ)アクリレート、プロビレ/グリコールジ(メタ)ア
クリレート、1.3−ブタンジオールジ(メタ)アクリ
レート、1.4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレー
ト、ネオペンテルグリコールジ(メタ)アクリレート、
トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、へ
/タエリスリトールジ(メタ)アクリレート、ペンタエ
リスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリス
リトールテトラ(メタ)アクリレート等の    −−
−〜−−−ポリ エステル(メタ)アクリレートや、エポキシ(メタ)ア
クリレート、ウレタン(メタ)アクリレート等がある。
本発明に用いる一般式(りで表わされるアミノフル)−
1,4−ペンタジェン−3−オン、1.5−ビス(3−
(ジエチルアミノ)フェニル) −1,4−ペンタジェ
ン−3−オン、1.9−ビス(4−(ジエチルアミ/)
フエニル)−1,3,6,s−1ナテトラエン−5−オ
ン、 工、13−ビス〔−一(ジエチルアミノ)7エ二ル)−
1,3,5,8,10,12−トリデカヘキサエン−7
−オン、 1.17−ピス(3−(ジエチルアミノ)フェニル)−
1,3,5,7,10,12,14,16−へブタデカ
オクタエン−9−オン、 1.5−ビス(4−(ジエチルアミノ)フェニル)−1
,4−ペンタジェン−3−オン、1.5−ビスC4−C
ジブチルアミン)フェニル)−1,4−ペンタジェン−
3−オンassる。
また本発BAVc爪いる(φ有機過酸エステル化合物と
しては、10時間半減期温度が70℃以上のものが好ま
しく、たとえばターシャリイブチルペルオキジペンゾエ
ート、ターシャリイブチルペルオキシメトキシベンゾエ
ート、ターシャリイブチルペルオキシニトロベンゾエー
ト、ターシャリイブチルベルオキシエチルベンゾエート
、フェニルイソプロピルペルオキシベンゾエート、ジタ
ーシャリイブチルジペルオキシイソフタレート、トリタ
ーシャリイブチルトリペルオキシトリメリテート、トリ
ターシャリイプチルトリベルオキシトリメシネート、テ
トラターシャリイブチルテトラペルオキシピロメリテー
ト、2.5−ジメチル−2,5−シ(ヘンシイルベルオ
キシ)ヘキサン、313’14.4′−テトラ−(ター
シャリイブチルベルオキシカルボニル)ベンゾフェノン
Q 3. 3’、  4. 4’−テトラ(ターシャリ
イアミルペルオキシカルボニル)ベンゾフェノン、3.
3’、4.4’−fトラ(ターシャリイへキシルペルオ
キシカルボニル)ベンゾフェノン等がある。
上記各成分の好ましい配合割合Fi(+)成分100重
量部に対して(―)成分10〜200重才部、(i1)
おめに塞−拳寒ヨ3〜20重(3部の可塑剤を添加して
もよい。この可塑剤としては、例えばジブチルフタレー
ト、グリセロールトリアセテート、およびトリメチロー
ルプロパントリアセテート等が使用できる。
また、ドライフィルムフォトレジストの保存安に 定性を高めるために感光層−0,01〜5重量部の重合
禁止剤を添加してもよい。この重合禁止剤には、通常良
く用いられるとドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエ
ーテル等が使用できる。
本発明の感光層は、前記の成分を適当な希釈溶媒に混合
して高分子フィルム上に塗布した後乾燥したものである
とこア希釈溶媒として、例えばイソプロパツール、メチ
ルエチルケトン、トルエン、キシレン、セロソルブなど
がある。
本発明に用いる高分子フィルムとしては、例えばポリエ
チレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル
、ポリエステルなどのフィルムが層に好ましくFi=リ
エチレンフイルムを用い、第344 K好ましくはポリ
エチレテレアタレートフイルムを用い、第2層に厚さ5
〜200μmの前記の感光層を配置して3層の積層体と
するものである。
〔発明の効果〕
本発明のドライフイルムフオ/)レジストは高感度であ
り、波長400〜700mの可視光レーザーの照射によ
り極めて短時間のうちに光化学度広を起し所定の硬化膜
を与える。この硬化膜は後のエツチング工程において充
分な耐酸性を有し、また最終的に強アルカリ水溶液にて
除去可能であるというフォトレジストとして優れた性能
を有している。
〔実施例〕
以下実施例および比較例により本発明をさらに詳しく説
明する。なお例中の部および%は重量部および重量−を
示す。
実施例I JIC25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム
上に下記組成の感光液を乾燥膜J’X35μmとなるよ
うにコーティングを行ない、乾燥後厚さく1)1.5−
ビス〔4−(ジメチルアミノ)7エ二ル)−1,4−ペ
ンタジェン−3−オン1部 (V) 3 e  3’ +  4 a  4’−テト
ラ(ターシャリイブチルベルオ中ジカルボニル)ベンゾ
フェノン3部 (i0時間半減期温度(以下HTという)114℃) 0ヒドロキノン       0.1部Oイソプロパツ
ール    200部 Oメチルエチルケトン   200部 得られたドライフィルムレジストは、ポリエチレンフィ
ルム11をはがした後、銅張積層板K100℃にて熱圧
着を行なった。
露光は、出力zoomwのアルゴンイオンレーザ−を用
い、波長488nmの発振線をビーム径25#fF!に
絞り、5.1 m / seeの速度で走査露光を行な
った。走査露光後、ポリエチレンテレフタレートフィル
ムをはがし、3チの炭酸ナトリウム水溶液にて1分間ス
プレー現像を行なった。
このようKして得られた硬化レリーフは極めて鮮明かつ
強靭であり、42度ボーメの塩化第二鉄水溶液によるエ
ツチングにおいても何ら損傷が生を得た。
実施例2 実施例1と同様な方法により下記組成の感光液を用いた
ドライフィルムフォトレジストをfHIした。
Oアクリル系ポリマー(酸価260)100部Oトリメ
チロールプロパントリアクリ レート               30部し 0テトラエチlングリコールジアクリ レー)20g Oトリターシャリイブチルトリペルオ キシトリメリテー)(HTIIO℃) 4部01.5−
ビス(4−(ジエチルアミノ)フェニル)−1,4−ペ
ンタジェン−3−オン0.8部 0ヒドロキノン          O,OS部0イン
グロパノール        200部Oメチルヱチル
ケトン       200部得られたドライフイルム
フォトレジストヲ実施例1と同様な方法により銅張積層
板への熱圧着後、出力300 mWのアルゴンイオンレ
ーザ−を用い、波長488n?Flの発振線をビーム径
25pmK絞り、4.2 m / seeの速度で高速
走査露光を行なった。走査露光後ポリエチレンテレフタ
レートフィルムをはがし、2%の炭酸ナトリウム水溶液
にて1分間スプレー現像を行なった。
実施例3 実施例1において、有機過酸化物にジターシャリイプチ
ルジベルオキシイソフタレー)(HTIO7℃)を3部
、アミノフェニルケトン化合物に1.9−ビス(4−(
ジエチルアミノ)フェニルツー1.3,6.8−ノナテ
トラエン−5−オンを1部用いた他は、同様にしてドラ
イフィルムフォトレジストを作製し、銅張積層板に熱圧
着を行なった。
とこに%出力250mWのアルゴンイオンレーザ−を用
い、波長488 nff1の発振線をビーム径25pm
に絞り、9.5 m / secの速度で高速走査露光
を行なった。走査露光後、ポリエチレンテレフタレート
フィルムをはがし、3%の炭「俊ナトリウム水溶液にて
1分間スプレー現像を行なった。
実施例4 下記組成の感光液を用いて実施例1と同様な方法により
ドライフィルムフォトレジストを得た。
0ビニル系ポリマー(酸価291)  100+■り Oテトラメチロールメネンテトラ   40部アクリレ
ート 0ターシヤリイブチルペルオキシベンエート(HT10
4℃)         3部01.13−ビス〔4−
(ジエチルアミノ)フェニル)−1,3,s、s、10
.12−トリテカヘキサエンー7−オン   1.5部
Oジブチルフタレート          5部0ヒド
ロキノン           0.1部0インプロパ
ツール        150部Oトルエン     
       100部実施例1と同様な方法によ抄銅
張積層板に熱圧着を行なった後、出力10QfflWの
ヘリウム−ネオンレーザ−を用い、波長633nmの発
振線をビーム径25pmに絞り、3.5 m / se
eの速度で高速走査露光を行なった。
走査遮光後、ポリエチレンテレフタレートフィルムをは
がし、3%の炭酸ナトリウム水溶液にて1分間スプレー
現像を行なった。
実施例5 実施例1においてアミノフェニルケトン化合物部用いた
他は同様にしてドライフィルムフォトレジストを作製し
、鋼張積層板に熱圧着を行なった。
ここに、出力200 mWのアルゴンイオンレーザを行
なった。走査露光後、ポリエチレンテレフタレートフィ
ルムをはがし、2チの炭酸ナトリウム水溶液にて1分間
スプレー現像を行なった。
以上、実施例2〜5で得られた硬化レリーフは、いずれ
も極めて鮮明かつ強靭であり、42度ボーメの塩化第二
鉄水溶液によるエツチングにおいても何ら損傷が生じな
かった。また、その後10%比較例1.2 実施例1において、(2))成分またはqφ酸成分除い
た組成の感光液を用いて同様にしてドライフィルムフォ
トレジストを得た。これをアルゴンイオンレーザ−にて
走査露光したところ全く感光しなかった。
比較例3 実施例Iにおいて、(2))成分および(iψ酸成分代
りに、4.4’ビス−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフ
ェノンO,S部、ベンゾフェノン1.5fi、ジーt 
−ブチルジペルオキシイソ7タレート1.5部を用いた
以外は実施例1と同様にしてドライフィルムフォトレジ
ストを得た。これをアルゴンイオンレーザ−にて走査露
光したところ全く感光しなかった。
比較例4.5 市販のド〉イフイルムフォトレジストを2種類用意し、
アルゴンイオンレーザにて走査露光したところ全く感光
しなかった。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 柔軟性を有する3層の積層体からなり、その第1層およ
    び第3層が透明な高分子フィルムであり、第2層が下記
    に示す(i)〜(iv)成分を含有する感光層であるこ
    とを特徴とするドライフィルムフォトレジスト。 (i)酸価50〜300であり、分子量が10000〜
    500000の高分子重合体、 (ii)付加重合可能なエチレン性不飽和二重結合を分
    子中に2個以上有する単量体、 (iii)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中R_1、R_2、R_3およびR_4は各々独立
    に水素原子、または炭素数1〜6のアルキル基を表わし
    、lおよびmは1〜4の整数を表わす。〕で表わされる
    アミノフエニルケトン化合物、(iv)分子内にベンゼ
    ン骨格またはベンゾフエノン骨格を有する有機過酸化エ
    ステル化合物。
JP13173086A 1986-06-09 1986-06-09 ドライフイルムフオトレジスト Granted JPS62288826A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5385808A (en) * 1989-11-30 1995-01-31 Sumitomo Bakelite Company Limited Photosensitive resin composition and semiconductor apparatus using it
JPH07209335A (ja) * 1994-01-12 1995-08-11 Noboru Shinkai コンタクトヘッド及びその製造方法と接続方法
JP2009109795A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Sanyo Chem Ind Ltd 感光性樹脂組成物

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