JPS62288826A - ドライフイルムフオトレジスト - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の41j用分野〕
本発明は、プリント回路作製の際に使用されるドライフ
ィルムフォトレジストに関するものであり、さらに詳し
く述べると、可視光レーザーにより、中間マスクを使用
せずに回路パターンを直接描画するために用いるドライ
フィルムフォトレジストに関するものである。
ィルムフォトレジストに関するものであり、さらに詳し
く述べると、可視光レーザーにより、中間マスクを使用
せずに回路パターンを直接描画するために用いるドライ
フィルムフォトレジストに関するものである。
ドライフィルムフォトレジストはプリント回路作製にお
いて有用なプロセス材料として広く利用されている。こ
の使用法の概略としては、金4基板、例えば銅張積層板
に第1tJをはがしたドライフィルムフォトレジストを
熱圧着し、回路バターンの中間マスクを密着して紫外光
源にて露光後、第3層をはがし所定の現像液にて未露光
部を現像除去する。基板上には露光された部分のパター
ンが残存するので、これを耐酸性レジストとして、酸性
エッチャントにより基板をエツチングすることによ〕所
望のプリント配線回路板を得ることができる(林信行、
鍜治誠:熱硬化性樹脂、6 (i)14(i985))
。
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の使用法の概略としては、金4基板、例えば銅張積層板
に第1tJをはがしたドライフィルムフォトレジストを
熱圧着し、回路バターンの中間マスクを密着して紫外光
源にて露光後、第3層をはがし所定の現像液にて未露光
部を現像除去する。基板上には露光された部分のパター
ンが残存するので、これを耐酸性レジストとして、酸性
エッチャントにより基板をエツチングすることによ〕所
望のプリント配線回路板を得ることができる(林信行、
鍜治誠:熱硬化性樹脂、6 (i)14(i985))
。
例えば特開昭60−35725号には、4.4’−ビス
(シアル中ルアミノ)ベンゾフェノンと芳香族ケトン化
合物と有機過酸化物を含有する光重合性組成物がドライ
フィルムフォトレジストに利用できることが記載されて
いるう 〔発明が解決しようとする問題点〕 ドライフィルムフォトレジストによるプリント回路作製
は、スクリーン印刷法によシ作製され九回路パターンに
比べて高密度な配線が得られるものの、中間マスクと感
光層の間に高分子フィルム層が存在するため、ある一定
限度以上、例えば、100P渭よシも細い配線パターン
を得ることが難しい。そのため高分子フィルム層を従来
より薄くすることによシ改善を図っている例もあるが、
これにも限界があり、さらによシ高密度プリント回路板
の要求に充分満足させ得る方法とはなってか複雑化する
ことによシ、コンビエータ−を用いた回路設計システム
、いわゆるCADtたはCAMという名称で当該業界で
知られたシステムが用いられてきているが、この出力を
一度銀塩フイルムに露光し中間マスクを作製した後、ド
ライフィルムに密着し改めて紫外線露光を行なっている
。
(シアル中ルアミノ)ベンゾフェノンと芳香族ケトン化
合物と有機過酸化物を含有する光重合性組成物がドライ
フィルムフォトレジストに利用できることが記載されて
いるう 〔発明が解決しようとする問題点〕 ドライフィルムフォトレジストによるプリント回路作製
は、スクリーン印刷法によシ作製され九回路パターンに
比べて高密度な配線が得られるものの、中間マスクと感
光層の間に高分子フィルム層が存在するため、ある一定
限度以上、例えば、100P渭よシも細い配線パターン
を得ることが難しい。そのため高分子フィルム層を従来
より薄くすることによシ改善を図っている例もあるが、
これにも限界があり、さらによシ高密度プリント回路板
の要求に充分満足させ得る方法とはなってか複雑化する
ことによシ、コンビエータ−を用いた回路設計システム
、いわゆるCADtたはCAMという名称で当該業界で
知られたシステムが用いられてきているが、この出力を
一度銀塩フイルムに露光し中間マスクを作製した後、ド
ライフィルムに密着し改めて紫外線露光を行なっている
。
上記工程において中間マスク作製をせずに直接CADの
出力をドライフィルムレジストに短時間で行なうことが
できれば、プリント回路板の製造工程を大巾に短縮する
ことができ、かつ中間マスクに用いられる高価な銀塩フ
ィルムが不要となり経済的に有利である。
出力をドライフィルムレジストに短時間で行なうことが
できれば、プリント回路板の製造工程を大巾に短縮する
ことができ、かつ中間マスクに用いられる高価な銀塩フ
ィルムが不要となり経済的に有利である。
以上大きく2つの問題点を解決するために用いられる最
良の方法としては、設計された回路パターンを1次元の
時系列信号とし、細く絞ったレーザービームによシト・
ライフイルムレシストにlt接高速で描画するシステム
がある。レーザービームは集光性が高く、高速走査が可
能なため、従来方法に比べて格段に高密度の回路パター
ンを作製できる。また、回路パターンの一部分を修正す
る場合もこの方式を用いることによシ極めて迅速に処理
することが可能となる。ここで使用されるレーザーは例
えばアルゴンイオンレーザ−、ヘリウム−ネオンレーザ
−、ヘリウム−カドミウムレーザー、半導体レーザーな
どの可視光発振レーザーが装置上適しているが、このよ
うな可視光レーザーの高速走査露光に充分対応できる感
光層を有するドライフィルムフォトレジストは、当該業
界の強い要望にもかかわらず、従来から得られていない
。
良の方法としては、設計された回路パターンを1次元の
時系列信号とし、細く絞ったレーザービームによシト・
ライフイルムレシストにlt接高速で描画するシステム
がある。レーザービームは集光性が高く、高速走査が可
能なため、従来方法に比べて格段に高密度の回路パター
ンを作製できる。また、回路パターンの一部分を修正す
る場合もこの方式を用いることによシ極めて迅速に処理
することが可能となる。ここで使用されるレーザーは例
えばアルゴンイオンレーザ−、ヘリウム−ネオンレーザ
−、ヘリウム−カドミウムレーザー、半導体レーザーな
どの可視光発振レーザーが装置上適しているが、このよ
うな可視光レーザーの高速走査露光に充分対応できる感
光層を有するドライフィルムフォトレジストは、当該業
界の強い要望にもかかわらず、従来から得られていない
。
本発明は、可視光レーザーの高速走査露光に対して充分
な感度を有し、かつ金属基板との接着性や耐エツチング
性にも優れたドライフィルムフォトレジストを得ること
を目的としている。
な感度を有し、かつ金属基板との接着性や耐エツチング
性にも優れたドライフィルムフォトレジストを得ること
を目的としている。
本発明は、柔軟性を有する3@の積層体からなシ、その
第1#および第3層が透明な高分子フィルムであり、第
2層が下記に示す(i)〜(り成分を含有する感光層で
あることを特徴とするドライフィルムフォトレジストを
提供するものである。
第1#および第3層が透明な高分子フィルムであり、第
2層が下記に示す(i)〜(り成分を含有する感光層で
あることを特徴とするドライフィルムフォトレジストを
提供するものである。
(i)酸価50〜300であシ、分子量が10000〜
5oooooの高分子重合体、 (II)付加を合可能なエチレン性不飽和二砿結合を分
子中に2個以上有する単量体 011)一般式(夏) で表わされるアミノフェニルケトン化合物、GV)分子
内にベンゼン骨格またはベンゾフェノン骨格を有する有
機過酸化エステル化合物。
5oooooの高分子重合体、 (II)付加を合可能なエチレン性不飽和二砿結合を分
子中に2個以上有する単量体 011)一般式(夏) で表わされるアミノフェニルケトン化合物、GV)分子
内にベンゼン骨格またはベンゾフェノン骨格を有する有
機過酸化エステル化合物。
本発明に用りる(i)酸価50〜300で、分子量10
000〜5oooooの高分子重合体とは、ビニル系付
加重合凰ポリマー、ポリエステル系、ポリウレタン系、
ポリアミド系等の縮合壓ポリマー等であり、例えば、(
メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸エステル、マレ
インヘン、フマル酸、マレイン酸エステル、フマル酸エ
ステル、エチレングリコール、スチレン、アクリロニト
リル、塩化ビニルなどの共重合体が好ましい。
000〜5oooooの高分子重合体とは、ビニル系付
加重合凰ポリマー、ポリエステル系、ポリウレタン系、
ポリアミド系等の縮合壓ポリマー等であり、例えば、(
メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸エステル、マレ
インヘン、フマル酸、マレイン酸エステル、フマル酸エ
ステル、エチレングリコール、スチレン、アクリロニト
リル、塩化ビニルなどの共重合体が好ましい。
この酸価が50より小さいと、露光後の現像も理工程に
おいて現で衾液として用いる弱アルカリ性水溶液に対し
て溶解性が低く、酸化が300より大きいと溶解性が高
過ぎて0、画像部が基板から流去してしまう。
おいて現で衾液として用いる弱アルカリ性水溶液に対し
て溶解性が低く、酸化が300より大きいと溶解性が高
過ぎて0、画像部が基板から流去してしまう。
本発明に用いるO)付加重合可能なエチレン性不飽和単
量体としては、例えば、ポリエチレングリコールジ(メ
タ)アクリレート、プロビレ/グリコールジ(メタ)ア
クリレート、1.3−ブタンジオールジ(メタ)アクリ
レート、1.4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレー
ト、ネオペンテルグリコールジ(メタ)アクリレート、
トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、へ
/タエリスリトールジ(メタ)アクリレート、ペンタエ
リスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリス
リトールテトラ(メタ)アクリレート等の −−
−〜−−−ポリ エステル(メタ)アクリレートや、エポキシ(メタ)ア
クリレート、ウレタン(メタ)アクリレート等がある。
量体としては、例えば、ポリエチレングリコールジ(メ
タ)アクリレート、プロビレ/グリコールジ(メタ)ア
クリレート、1.3−ブタンジオールジ(メタ)アクリ
レート、1.4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレー
ト、ネオペンテルグリコールジ(メタ)アクリレート、
トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、へ
/タエリスリトールジ(メタ)アクリレート、ペンタエ
リスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリス
リトールテトラ(メタ)アクリレート等の −−
−〜−−−ポリ エステル(メタ)アクリレートや、エポキシ(メタ)ア
クリレート、ウレタン(メタ)アクリレート等がある。
本発明に用いる一般式(りで表わされるアミノフル)−
1,4−ペンタジェン−3−オン、1.5−ビス(3−
(ジエチルアミノ)フェニル) −1,4−ペンタジェ
ン−3−オン、1.9−ビス(4−(ジエチルアミ/)
フエニル)−1,3,6,s−1ナテトラエン−5−オ
ン、 工、13−ビス〔−一(ジエチルアミノ)7エ二ル)−
1,3,5,8,10,12−トリデカヘキサエン−7
−オン、 1.17−ピス(3−(ジエチルアミノ)フェニル)−
1,3,5,7,10,12,14,16−へブタデカ
オクタエン−9−オン、 1.5−ビス(4−(ジエチルアミノ)フェニル)−1
,4−ペンタジェン−3−オン、1.5−ビスC4−C
ジブチルアミン)フェニル)−1,4−ペンタジェン−
3−オンassる。
1,4−ペンタジェン−3−オン、1.5−ビス(3−
(ジエチルアミノ)フェニル) −1,4−ペンタジェ
ン−3−オン、1.9−ビス(4−(ジエチルアミ/)
フエニル)−1,3,6,s−1ナテトラエン−5−オ
ン、 工、13−ビス〔−一(ジエチルアミノ)7エ二ル)−
1,3,5,8,10,12−トリデカヘキサエン−7
−オン、 1.17−ピス(3−(ジエチルアミノ)フェニル)−
1,3,5,7,10,12,14,16−へブタデカ
オクタエン−9−オン、 1.5−ビス(4−(ジエチルアミノ)フェニル)−1
,4−ペンタジェン−3−オン、1.5−ビスC4−C
ジブチルアミン)フェニル)−1,4−ペンタジェン−
3−オンassる。
また本発BAVc爪いる(φ有機過酸エステル化合物と
しては、10時間半減期温度が70℃以上のものが好ま
しく、たとえばターシャリイブチルペルオキジペンゾエ
ート、ターシャリイブチルペルオキシメトキシベンゾエ
ート、ターシャリイブチルペルオキシニトロベンゾエー
ト、ターシャリイブチルベルオキシエチルベンゾエート
、フェニルイソプロピルペルオキシベンゾエート、ジタ
ーシャリイブチルジペルオキシイソフタレート、トリタ
ーシャリイブチルトリペルオキシトリメリテート、トリ
ターシャリイプチルトリベルオキシトリメシネート、テ
トラターシャリイブチルテトラペルオキシピロメリテー
ト、2.5−ジメチル−2,5−シ(ヘンシイルベルオ
キシ)ヘキサン、313’14.4′−テトラ−(ター
シャリイブチルベルオキシカルボニル)ベンゾフェノン
Q 3. 3’、 4. 4’−テトラ(ターシャリ
イアミルペルオキシカルボニル)ベンゾフェノン、3.
3’、4.4’−fトラ(ターシャリイへキシルペルオ
キシカルボニル)ベンゾフェノン等がある。
しては、10時間半減期温度が70℃以上のものが好ま
しく、たとえばターシャリイブチルペルオキジペンゾエ
ート、ターシャリイブチルペルオキシメトキシベンゾエ
ート、ターシャリイブチルペルオキシニトロベンゾエー
ト、ターシャリイブチルベルオキシエチルベンゾエート
、フェニルイソプロピルペルオキシベンゾエート、ジタ
ーシャリイブチルジペルオキシイソフタレート、トリタ
ーシャリイブチルトリペルオキシトリメリテート、トリ
ターシャリイプチルトリベルオキシトリメシネート、テ
トラターシャリイブチルテトラペルオキシピロメリテー
ト、2.5−ジメチル−2,5−シ(ヘンシイルベルオ
キシ)ヘキサン、313’14.4′−テトラ−(ター
シャリイブチルベルオキシカルボニル)ベンゾフェノン
Q 3. 3’、 4. 4’−テトラ(ターシャリ
イアミルペルオキシカルボニル)ベンゾフェノン、3.
3’、4.4’−fトラ(ターシャリイへキシルペルオ
キシカルボニル)ベンゾフェノン等がある。
上記各成分の好ましい配合割合Fi(+)成分100重
量部に対して(―)成分10〜200重才部、(i1)
おめに塞−拳寒ヨ3〜20重(3部の可塑剤を添加して
もよい。この可塑剤としては、例えばジブチルフタレー
ト、グリセロールトリアセテート、およびトリメチロー
ルプロパントリアセテート等が使用できる。
量部に対して(―)成分10〜200重才部、(i1)
おめに塞−拳寒ヨ3〜20重(3部の可塑剤を添加して
もよい。この可塑剤としては、例えばジブチルフタレー
ト、グリセロールトリアセテート、およびトリメチロー
ルプロパントリアセテート等が使用できる。
また、ドライフィルムフォトレジストの保存安に
定性を高めるために感光層−0,01〜5重量部の重合
禁止剤を添加してもよい。この重合禁止剤には、通常良
く用いられるとドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエ
ーテル等が使用できる。
禁止剤を添加してもよい。この重合禁止剤には、通常良
く用いられるとドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエ
ーテル等が使用できる。
本発明の感光層は、前記の成分を適当な希釈溶媒に混合
して高分子フィルム上に塗布した後乾燥したものである
。
して高分子フィルム上に塗布した後乾燥したものである
。
とこア希釈溶媒として、例えばイソプロパツール、メチ
ルエチルケトン、トルエン、キシレン、セロソルブなど
がある。
ルエチルケトン、トルエン、キシレン、セロソルブなど
がある。
本発明に用いる高分子フィルムとしては、例えばポリエ
チレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル
、ポリエステルなどのフィルムが層に好ましくFi=リ
エチレンフイルムを用い、第344 K好ましくはポリ
エチレテレアタレートフイルムを用い、第2層に厚さ5
〜200μmの前記の感光層を配置して3層の積層体と
するものである。
チレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル
、ポリエステルなどのフィルムが層に好ましくFi=リ
エチレンフイルムを用い、第344 K好ましくはポリ
エチレテレアタレートフイルムを用い、第2層に厚さ5
〜200μmの前記の感光層を配置して3層の積層体と
するものである。
本発明のドライフイルムフオ/)レジストは高感度であ
り、波長400〜700mの可視光レーザーの照射によ
り極めて短時間のうちに光化学度広を起し所定の硬化膜
を与える。この硬化膜は後のエツチング工程において充
分な耐酸性を有し、また最終的に強アルカリ水溶液にて
除去可能であるというフォトレジストとして優れた性能
を有している。
り、波長400〜700mの可視光レーザーの照射によ
り極めて短時間のうちに光化学度広を起し所定の硬化膜
を与える。この硬化膜は後のエツチング工程において充
分な耐酸性を有し、また最終的に強アルカリ水溶液にて
除去可能であるというフォトレジストとして優れた性能
を有している。
以下実施例および比較例により本発明をさらに詳しく説
明する。なお例中の部および%は重量部および重量−を
示す。
明する。なお例中の部および%は重量部および重量−を
示す。
実施例I
JIC25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム
上に下記組成の感光液を乾燥膜J’X35μmとなるよ
うにコーティングを行ない、乾燥後厚さく1)1.5−
ビス〔4−(ジメチルアミノ)7エ二ル)−1,4−ペ
ンタジェン−3−オン1部 (V) 3 e 3’ + 4 a 4’−テト
ラ(ターシャリイブチルベルオ中ジカルボニル)ベンゾ
フェノン3部 (i0時間半減期温度(以下HTという)114℃) 0ヒドロキノン 0.1部Oイソプロパツ
ール 200部 Oメチルエチルケトン 200部 得られたドライフィルムレジストは、ポリエチレンフィ
ルム11をはがした後、銅張積層板K100℃にて熱圧
着を行なった。
上に下記組成の感光液を乾燥膜J’X35μmとなるよ
うにコーティングを行ない、乾燥後厚さく1)1.5−
ビス〔4−(ジメチルアミノ)7エ二ル)−1,4−ペ
ンタジェン−3−オン1部 (V) 3 e 3’ + 4 a 4’−テト
ラ(ターシャリイブチルベルオ中ジカルボニル)ベンゾ
フェノン3部 (i0時間半減期温度(以下HTという)114℃) 0ヒドロキノン 0.1部Oイソプロパツ
ール 200部 Oメチルエチルケトン 200部 得られたドライフィルムレジストは、ポリエチレンフィ
ルム11をはがした後、銅張積層板K100℃にて熱圧
着を行なった。
露光は、出力zoomwのアルゴンイオンレーザ−を用
い、波長488nmの発振線をビーム径25#fF!に
絞り、5.1 m / seeの速度で走査露光を行な
った。走査露光後、ポリエチレンテレフタレートフィル
ムをはがし、3チの炭酸ナトリウム水溶液にて1分間ス
プレー現像を行なった。
い、波長488nmの発振線をビーム径25#fF!に
絞り、5.1 m / seeの速度で走査露光を行な
った。走査露光後、ポリエチレンテレフタレートフィル
ムをはがし、3チの炭酸ナトリウム水溶液にて1分間ス
プレー現像を行なった。
このようKして得られた硬化レリーフは極めて鮮明かつ
強靭であり、42度ボーメの塩化第二鉄水溶液によるエ
ツチングにおいても何ら損傷が生を得た。
強靭であり、42度ボーメの塩化第二鉄水溶液によるエ
ツチングにおいても何ら損傷が生を得た。
実施例2
実施例1と同様な方法により下記組成の感光液を用いた
ドライフィルムフォトレジストをfHIした。
ドライフィルムフォトレジストをfHIした。
Oアクリル系ポリマー(酸価260)100部Oトリメ
チロールプロパントリアクリ レート 30部し 0テトラエチlングリコールジアクリ レー)20g Oトリターシャリイブチルトリペルオ キシトリメリテー)(HTIIO℃) 4部01.5−
ビス(4−(ジエチルアミノ)フェニル)−1,4−ペ
ンタジェン−3−オン0.8部 0ヒドロキノン O,OS部0イン
グロパノール 200部Oメチルヱチル
ケトン 200部得られたドライフイルム
フォトレジストヲ実施例1と同様な方法により銅張積層
板への熱圧着後、出力300 mWのアルゴンイオンレ
ーザ−を用い、波長488n?Flの発振線をビーム径
25pmK絞り、4.2 m / seeの速度で高速
走査露光を行なった。走査露光後ポリエチレンテレフタ
レートフィルムをはがし、2%の炭酸ナトリウム水溶液
にて1分間スプレー現像を行なった。
チロールプロパントリアクリ レート 30部し 0テトラエチlングリコールジアクリ レー)20g Oトリターシャリイブチルトリペルオ キシトリメリテー)(HTIIO℃) 4部01.5−
ビス(4−(ジエチルアミノ)フェニル)−1,4−ペ
ンタジェン−3−オン0.8部 0ヒドロキノン O,OS部0イン
グロパノール 200部Oメチルヱチル
ケトン 200部得られたドライフイルム
フォトレジストヲ実施例1と同様な方法により銅張積層
板への熱圧着後、出力300 mWのアルゴンイオンレ
ーザ−を用い、波長488n?Flの発振線をビーム径
25pmK絞り、4.2 m / seeの速度で高速
走査露光を行なった。走査露光後ポリエチレンテレフタ
レートフィルムをはがし、2%の炭酸ナトリウム水溶液
にて1分間スプレー現像を行なった。
実施例3
実施例1において、有機過酸化物にジターシャリイプチ
ルジベルオキシイソフタレー)(HTIO7℃)を3部
、アミノフェニルケトン化合物に1.9−ビス(4−(
ジエチルアミノ)フェニルツー1.3,6.8−ノナテ
トラエン−5−オンを1部用いた他は、同様にしてドラ
イフィルムフォトレジストを作製し、銅張積層板に熱圧
着を行なった。
ルジベルオキシイソフタレー)(HTIO7℃)を3部
、アミノフェニルケトン化合物に1.9−ビス(4−(
ジエチルアミノ)フェニルツー1.3,6.8−ノナテ
トラエン−5−オンを1部用いた他は、同様にしてドラ
イフィルムフォトレジストを作製し、銅張積層板に熱圧
着を行なった。
とこに%出力250mWのアルゴンイオンレーザ−を用
い、波長488 nff1の発振線をビーム径25pm
に絞り、9.5 m / secの速度で高速走査露光
を行なった。走査露光後、ポリエチレンテレフタレート
フィルムをはがし、3%の炭「俊ナトリウム水溶液にて
1分間スプレー現像を行なった。
い、波長488 nff1の発振線をビーム径25pm
に絞り、9.5 m / secの速度で高速走査露光
を行なった。走査露光後、ポリエチレンテレフタレート
フィルムをはがし、3%の炭「俊ナトリウム水溶液にて
1分間スプレー現像を行なった。
実施例4
下記組成の感光液を用いて実施例1と同様な方法により
ドライフィルムフォトレジストを得た。
ドライフィルムフォトレジストを得た。
0ビニル系ポリマー(酸価291) 100+■り
Oテトラメチロールメネンテトラ 40部アクリレ
ート 0ターシヤリイブチルペルオキシベンエート(HT10
4℃) 3部01.13−ビス〔4−
(ジエチルアミノ)フェニル)−1,3,s、s、10
.12−トリテカヘキサエンー7−オン 1.5部
Oジブチルフタレート 5部0ヒド
ロキノン 0.1部0インプロパ
ツール 150部Oトルエン
100部実施例1と同様な方法によ抄銅
張積層板に熱圧着を行なった後、出力10QfflWの
ヘリウム−ネオンレーザ−を用い、波長633nmの発
振線をビーム径25pmに絞り、3.5 m / se
eの速度で高速走査露光を行なった。
ート 0ターシヤリイブチルペルオキシベンエート(HT10
4℃) 3部01.13−ビス〔4−
(ジエチルアミノ)フェニル)−1,3,s、s、10
.12−トリテカヘキサエンー7−オン 1.5部
Oジブチルフタレート 5部0ヒド
ロキノン 0.1部0インプロパ
ツール 150部Oトルエン
100部実施例1と同様な方法によ抄銅
張積層板に熱圧着を行なった後、出力10QfflWの
ヘリウム−ネオンレーザ−を用い、波長633nmの発
振線をビーム径25pmに絞り、3.5 m / se
eの速度で高速走査露光を行なった。
走査遮光後、ポリエチレンテレフタレートフィルムをは
がし、3%の炭酸ナトリウム水溶液にて1分間スプレー
現像を行なった。
がし、3%の炭酸ナトリウム水溶液にて1分間スプレー
現像を行なった。
実施例5
実施例1においてアミノフェニルケトン化合物部用いた
他は同様にしてドライフィルムフォトレジストを作製し
、鋼張積層板に熱圧着を行なった。
他は同様にしてドライフィルムフォトレジストを作製し
、鋼張積層板に熱圧着を行なった。
ここに、出力200 mWのアルゴンイオンレーザを行
なった。走査露光後、ポリエチレンテレフタレートフィ
ルムをはがし、2チの炭酸ナトリウム水溶液にて1分間
スプレー現像を行なった。
なった。走査露光後、ポリエチレンテレフタレートフィ
ルムをはがし、2チの炭酸ナトリウム水溶液にて1分間
スプレー現像を行なった。
以上、実施例2〜5で得られた硬化レリーフは、いずれ
も極めて鮮明かつ強靭であり、42度ボーメの塩化第二
鉄水溶液によるエツチングにおいても何ら損傷が生じな
かった。また、その後10%比較例1.2 実施例1において、(2))成分またはqφ酸成分除い
た組成の感光液を用いて同様にしてドライフィルムフォ
トレジストを得た。これをアルゴンイオンレーザ−にて
走査露光したところ全く感光しなかった。
も極めて鮮明かつ強靭であり、42度ボーメの塩化第二
鉄水溶液によるエツチングにおいても何ら損傷が生じな
かった。また、その後10%比較例1.2 実施例1において、(2))成分またはqφ酸成分除い
た組成の感光液を用いて同様にしてドライフィルムフォ
トレジストを得た。これをアルゴンイオンレーザ−にて
走査露光したところ全く感光しなかった。
比較例3
実施例Iにおいて、(2))成分および(iψ酸成分代
りに、4.4’ビス−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフ
ェノンO,S部、ベンゾフェノン1.5fi、ジーt
−ブチルジペルオキシイソ7タレート1.5部を用いた
以外は実施例1と同様にしてドライフィルムフォトレジ
ストを得た。これをアルゴンイオンレーザ−にて走査露
光したところ全く感光しなかった。
りに、4.4’ビス−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフ
ェノンO,S部、ベンゾフェノン1.5fi、ジーt
−ブチルジペルオキシイソ7タレート1.5部を用いた
以外は実施例1と同様にしてドライフィルムフォトレジ
ストを得た。これをアルゴンイオンレーザ−にて走査露
光したところ全く感光しなかった。
比較例4.5
市販のド〉イフイルムフォトレジストを2種類用意し、
アルゴンイオンレーザにて走査露光したところ全く感光
しなかった。
アルゴンイオンレーザにて走査露光したところ全く感光
しなかった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 柔軟性を有する3層の積層体からなり、その第1層およ
び第3層が透明な高分子フィルムであり、第2層が下記
に示す(i)〜(iv)成分を含有する感光層であるこ
とを特徴とするドライフィルムフォトレジスト。 (i)酸価50〜300であり、分子量が10000〜
500000の高分子重合体、 (ii)付加重合可能なエチレン性不飽和二重結合を分
子中に2個以上有する単量体、 (iii)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中R_1、R_2、R_3およびR_4は各々独立
に水素原子、または炭素数1〜6のアルキル基を表わし
、lおよびmは1〜4の整数を表わす。〕で表わされる
アミノフエニルケトン化合物、(iv)分子内にベンゼ
ン骨格またはベンゾフエノン骨格を有する有機過酸化エ
ステル化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13173086A JPS62288826A (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | ドライフイルムフオトレジスト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13173086A JPS62288826A (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | ドライフイルムフオトレジスト |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62288826A true JPS62288826A (ja) | 1987-12-15 |
JPH0588831B2 JPH0588831B2 (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15064853
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13173086A Granted JPS62288826A (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | ドライフイルムフオトレジスト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62288826A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5385808A (en) * | 1989-11-30 | 1995-01-31 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Photosensitive resin composition and semiconductor apparatus using it |
JPH07209335A (ja) * | 1994-01-12 | 1995-08-11 | Noboru Shinkai | コンタクトヘッド及びその製造方法と接続方法 |
JP2009109795A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Sanyo Chem Ind Ltd | 感光性樹脂組成物 |
-
1986
- 1986-06-09 JP JP13173086A patent/JPS62288826A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5385808A (en) * | 1989-11-30 | 1995-01-31 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Photosensitive resin composition and semiconductor apparatus using it |
JPH07209335A (ja) * | 1994-01-12 | 1995-08-11 | Noboru Shinkai | コンタクトヘッド及びその製造方法と接続方法 |
JP2009109795A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Sanyo Chem Ind Ltd | 感光性樹脂組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0588831B2 (ja) | 1993-12-24 |
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