JPS6234149A - 画像形成材料 - Google Patents

画像形成材料

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JPS6234149A
JPS6234149A JP17523985A JP17523985A JPS6234149A JP S6234149 A JPS6234149 A JP S6234149A JP 17523985 A JP17523985 A JP 17523985A JP 17523985 A JP17523985 A JP 17523985A JP S6234149 A JPS6234149 A JP S6234149A
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JP
Japan
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substrate
resist
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photopolymerizable composition
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JP17523985A
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English (en)
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Shunichi Hayashi
俊一 林
Masaru Ishibashi
大 石橋
Toshihiko Omote
利彦 表
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Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03CPHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C1/00Photosensitive materials

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はプリント配線板などの作製の用に供される画
像形成材料に関する。
〔従来の技術〕
従来、透明支持体の片面に、a)皮膜形成性ポリマー、
b)光重合性不飽和化合物およびC)光重合開始剤を必
須成分として含有する光重合性組成物層を設け、回路を
形成するべき基板上に、光重合性組成物層が当接面とな
るように積層し、パターン状の露光を行ったのちに透明
支持体を剥離することにより、光重合性組成物層の非露
光部分を上記支持体と一緒に剥離するとともに、露光部
分を基板上に残存させて所定のレジストパターンを形成
する、いわゆる剥離現像型ドライフィルムレジストから
なる画像形成材料が種々提案されている。
このような画像形成材料を用いた回路の形成は、上記方
法にて基板上にレジストパターンを形成したのち、この
基板上のレジストを有していない部分(光重合性組成物
層の非露光部分が剥離除去された部分)に対して、たと
えばこの基板が絶縁性基体と導電体層とからなるプリン
ト配線基板であれば、上記導電体層のエツチングや導電
体層上にメッキを施すなどの所要の回路形成処理を施し
、その後上記パターン状レジストを除去することにより
、行われる。
このような回路形成方法においては、基板上へのレジス
トパターンの形成を透明支持体の剥離操作によって行え
るため、つまり現像に液体を使用する必要がないことか
ら、公衆衛生上すぐれているという利点を有し、また現
像液を用いないために現像コストが安(、現像操作が簡
単であるといった利点を有している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかるに、上記の如き剥離現像によってレジストパター
ンを形成する方法においては、剥離現像時に非露光部分
のみが選択的に剥離除去され、露光部分は基板上に確実
に残るように、基板と露光後の光重合性組成物層との密
着性ないし接着強度が非常にすぐれたものであることが
望まれるが、この目的で従来用いられてきたこの種の画
像形成材料は上記密着性ないし接着強度がいまひとつ満
足できるものとはいえなかった。
このため、剥離現像時に露光部分の一部が非露光部分と
ともにしばしば剥離除去されることがあって、これが原
因で大量生産時のパターン精度が悪く、特に200μm
以下の細線パターンの再現性に劣るという問題点があっ
た。
したがって、この発明は、基板と露光後の光重合性組成
物層との密着性ないし接着強度が非常に良好で、基板上
へのレジストパターンの形成をパターン精度良好に行う
ことができ、特に200μm以下の細線パターンであっ
ても再現性良く形成しうるような画像形成材料を提供す
ることを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討し
た結果、剥離現像型ドライフィルムレジストとしてその
光重合性組成物層が特定の皮膜形成性ポリマーとともに
特定の光重合性不飽和化合物を含むものを用いたときに
は、基板と露光後の光重合性組成物層との密着性ないし
接着強度が非常に良好なものとなって、剥離現像によっ
て所望のレジストパターンをパターン精度良好に形成で
きる、特に200μm以下の細線パターンであっでも再
現性よく形成できることを知り、この発明を完成するに
至った。
すなわち、この発明は、透明支持体の片面に、a)皮膜
形成性ポリマー、b)光重合性不飽和化合物およびC)
光重合開始剤を必須成分として含有する光重合性組成物
層を設けてなる剥離現像型ドライフィルムレジストから
なる画像形成材料において、上記のa成分が含ハロゲン
ポリマーを含み、かつ上記のb成分がつぎの式; %式% (式中、R′はアルキレン基、Rはジカルボン酸の残基
、nは1以上の整数である) で表される不飽和カルボン酸を含むことを特徴とする画
像形成材料に係るものである。
〔発明の構成・作用〕
この発明の画像形成材料における光重合性組成物層は、
a)皮膜形成性ポリマー、b)光重合性不飽和化合物お
よびC)光重合開始剤を必須成分として含有するもので
あって、上記のa成分が特に含ハロゲンポリマーを含み
、かつ上記のb成分が特に前記式で表される特定の不飽
和カルボン酸を含むことにより、露光硬化後の上記組成
物層はプリント配線基板などの基板面に対して非常に密
着性ないし接着強度にすぐれたものとなり、これが剥離
現像時のパターン精度の向上、さらに細線パターンの再
現性の向上にも大きく寄与するものである。
また、この発明の他の作用効果として、上記のb成分が
前記式で表される特定の不飽和カルボン酸を含むことに
より、露光硬化後の組成物層には分子内にカルボキシル
基を有するポリマーが一部成分として含まれることにな
り、その結果祭り離現像によってレジストパターンを形
成したのちエツチングやメッキなどの所要の回路形成処
理を施して、最終的にレジストパターンを除去する段階
において、このレジストパターンをアルカリ水溶液によ
って容易に除去できるという付加的効果が得られる。
すなわち、前記したように、剥離現像型画像形成材料は
、基板上へのレジストパターンの形成を透明支持体の剥
離操作によって行えるため、つまり現像に液体を使用す
る必要がないことから、公衆衛生上すぐれているという
利点を有し、また現像液を用いないために現像コストが
安く、現像操作が簡単であるといった利点を有している
。ところが、従来のこの種材料では、前記エツチングや
メッキなどの所要の回路形成処理を施したのちに、上記
パターン状のレジストを除去する段階においては、−e
に有機溶剤が用いられ、この溶剤によりレジストを溶解
除去する方法を採用していた。
このため、剥離現像によりコスト低減や公衆衛生上の利
点を得ることができても、上記レジストの除去段階で有
機溶剤を使用する限り、この段階での公衆衛生上の問題
やコストアップの問題は解決できなかった。
これに対して、この発明の画像形成材料においては、剥
離現像型であることによる上記利点、つまりレジストパ
ターンの形成に現像液が不要であるという利点に加えて
、レジストを除去する際には有機溶剤に比しコストおよ
び公衆衛生上はるかに有利なアルカリ水溶液を適用でき
ることから、レジストパターンの形成段階とともにその
除去段階においても、コスト低減や公衆衛生面の改善を
図れるという利点がある。
この発明において用いられるa成分としての含ハロゲン
ポリマーは、光重合性組成物層に剥離現像性を付与する
ために必要不可欠な成分であり、その具体例としては塩
素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、塩化ゴムな
どが挙げられる。この含ハロゲンポリマーは皮膜形成性
ポリマーとしてこれ単独でも使用できるが、必要に応じ
て他の各種ポリマーと混合して使用してもよい。
上記の他のポリマーの具体例としては、たとえばアクリ
ル系またはメタクリル系ポリマー(アクリル酸またはメ
タクリル酸のアルキルエステルの重合体ないし共重合体
、あるいはこれらアルキルエステルと共重合可能なビニ
ル系モノマーとの共重合体などであり、上記アルキルエ
ステルのアルキル基の炭素数が1〜4程度のもの)、ポ
リ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロ
リドン、ポリアクリロニトリル、アクリロニトリルとス
チレンとの共重合体、ポリビニルアルキルエーテル、ポ
リメチルビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−α−メチ
ルスチレン、ポリアミド、ボIJ 1・3−ブタジェン
、ポリイソプレン、ポリウレタン、環化ゴム、エチルセ
ルロース、アセチルセルロース、ポリビニルブチラール
、ポリビニルホルマールなどがある。これら他のポリマ
ーは必要に応じてその1種もしくは2種以上を併用する
ことができる。
また、a成分として含ハロゲンポリマーと併用すること
ができるより好ましい皮膜形成性ポリマーとしては、ア
ルカリ水溶液に可溶性ないし膨潤性のポリマーがあり、
このポリマーを併用すると、レジストパターンのアルカ
リ水溶液による除去がより容易となり、回路形成のため
の作業性の向上に一層好結果が得られる。
このようなアルカリ水溶液に可溶性ないし膨潤性のポリ
マーとしては、アクリル酸またはメタクリル酸の単独重
合体、またはこれら不飽和単量体とアクリル酸アルキル
エステル、メタクリル酸アルキルエステル、アクリルア
ミド、スチレンなどの他の単量体との共重合体、あるい
は無水マレイン酸、マレイン酸、マレイン酸半エステル
などとスチレン、アクリル酸アルキルエステル、メタク
リル酸アルキルエステル、ブタジェンなどの他の単量体
との共重合体などがある。
なお、上記のアルカリ水溶液に可溶性ないし膨潤性のポ
リマーは前記の含ハロゲンポリマーとの相溶性が一般的
に悪(、画像形成材料中でこれらポリマーが相分離を起
こすと好ましい結果が得られない場合がある。そこで、
これを防ぐために両者と相溶性の良い第3のポリマーを
さらに併用するのが好ましく、この例としてはポリメチ
ルメタクリレートが挙げられる。
この発明のa成分として、含ハロゲンポリマーを単独で
用いるか、あるいはこのポリマーとともに上述したアル
カリ水溶液に可溶性ないし膨潤性のポリマーまたはこれ
らと相溶性の良いポリメチルメタクリレートの如き第3
のポリマーを併用する場合、これらの使用割合は、含ハ
ロゲンポリマーが10〜100重量%、好ましくは10
〜80重量%、アルカリ水溶液に可溶性ないし膨潤性の
ポリマーが0〜90重量%、好ましくは20〜80重量
%、第3のポリマーが0〜40重量%、好ましくは10
〜40重量%となるようにするのがよい。
この発明において用いられるb成分としての不飽和カル
ボン酸は、つぎの式; %式% (式中、R′はアルキレン基、Rはジカルボン酸の残基
、nは1以上の整数である) で表されるものである。このような不飽和カルボン酸を
用いたときに基板との密着性ないし接着強度が太き(な
る理由については必ずしも明らかではないが、分子内に
メタクリロイル基とアルキレンオキシド構造とさらにエ
ステル基およびカルボキシル基を有していることが上記
特性に好ましい結果を与えているものと思われる。特に
メタクリロイル基は密着性ないし接着強度の増大に大き
く寄与しているものと思われ、このメタクリロイル基を
アクリロイル基に変えたものではこの発明の如き効果は
ほとんど期待できなくなる。
このような不飽和カルボン酸は、たとえばジカルボン酸
とグリコールとのモノエステル(半エステル)にメタク
リル酸を反応させるなどの方法によって得ることができ
、上記のジカルボン酸としては、コハク酸、マレイン酸
、フタル酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタ
ル酸などが挙げられ、またグリコールとしては、前記一
般式中のR′Oがエチレンオキシド、プロピレンオキシ
ド、ブチレンオキシドなどの炭素数が2〜4のアルキレ
ンオキシドで、nが1のグリコール類や、nが2〜30
のポリアルキレンオキシドグリコール類などが挙げられ
る。
このような不飽和カルボン酸の代表的な例としでは、つ
ぎの各式にて表される不飽和カルボン酸などが挙げられ
る。
CI(。
CHz=CCOOCHzCHzOOCCHzCHzCO
OHCH。
G Hz ”” CCoo CHz CHz 00 C
CH= CHCo OHb成分の光重合性不飽和化合物
としては、上記の不飽和カルボン酸を単独で使用しても
よいが、一般には以下に示すような他の光重合性不飽和
化金物の1種以上と併用して光硬化性の向上を図るのが
望ましい。この併用系にあっては、前記の不飽和カルボ
ン酸がb成分中10重量%以上となるようにするのが好
ましく、これより少なくなると基板に対する密着性ない
し接着強度の改善を図れなくなるため、好ましくない。
上記併用可能な他の光重合性不飽和化合物としては、エ
チレン性不飽和結合を分子内に1個有するモノエチレン
性不飽和化合物と2個以上有するポリエチレン性不飽和
化合物とが含まれる。特に好ましくはポリエチレン性不
飽和化合物を単独でまたはモノエチレン性不飽和化合物
との混合系で用いるのがよい。
モノエチレン性不飽和化合物の例としては、アクリル酸
エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド
類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテ
ル類、ビニルエステル類、N−ビニル化合’1M、スチ
レン類、クロトン酸エステル類などがある。
その具体例としては、アクリル酸エステル類ではアクリ
ル酸プロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸アミル、
アクリル酸2−エチルヘキシル、アクリル酸オクチルな
どが、メタクリル酸エステル類ではメタクリル酸メチル
、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタク
リル酸イソプロピルなどが、アクリルアミド類ではアク
リルアミドや、N−アルキル基がメチル基、エチル基、
ブチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、2〜
エチルヘキシル基などからなるN−アルキルアクリルア
ミドなどが、メタクリルアミド類ではメタクリルアミド
や、N−アルキル基がメチル基、エチル基、イソプロピ
ル基、tert−7”チル基、2〜エチルへキシル基な
どからなるN−アルキルメタクリルアミドなどがある。
また、アリル化合物では酢酸アリル、カプロン酸アリル
、カプリル酸アリル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸
アリルなどのアリルエステル類が、ビニルエーテル類で
はヘキシルビニルニー、チル、オクチルビニルエーテル
、デシルビニルエーテル、2−エチルヘキシルビニルエ
ーテルなどのアルキルビニルエーテルが1、ビニルエス
テル類ではビニルブチレート、ビニルイソブチレート、
ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチルアセテー
ト、ビニルバレレート、ビニルカプロエートなどが、N
−ビニル化合物ではN−ビニルピロリドンなどが、スチ
レン類ではスチレン、メチルスチレン、クロルメチルス
チレン、アルコキシスチレン、ハロゲン化スチレン、安
息香酸スチレンなどが、クロトン酸エステル類ではクロ
トン酸メチル、クロトン酸エチル、クロトン酸ブチル、
クロトン酸ヘキシル、クロトン酸イソプロピルなどがあ
る。
なお、モノエチレン性不飽和化合物としては、上記の如
き通常のモノエチレン性不飽和化合物のほかに、この発
明に係る前記特定の不飽和カルボン酸を表わす前記式中
のメタクリロイル基をアクリロイル基に代えた構造のも
のを、モノエチレン性不飽和化合物の一種として使用す
ることも可能である。
つぎに、ポリエチレン性不飽和化合物の例としては、多
価アルコールのポリアクリレート類およびポリメタクリ
レート類が挙げられる。上記多価アルコールとしては、
ポリエチレングリコール、ポリプロピレンオキシド、ポ
リブチレンオキシド、(β〜ヒドロキシエトキシ)ベン
ゼン、グリセリン、ジグリセリン、ネオペンチルグリコ
ール、トリメチロールプロパン、トリメチロールプロパ
ン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、
ソルビタン、ソルビトール、1・4−ブタンジオール、
1・2・4−ブタントリオール、2−プテンート4−ジ
オール、2−ブチル−2−エチル−プロパンジオール、
2−ブテンート4−ジオール、1・3−プロパンジオー
ル、トリエタノールアミン、デカリンジオール、3−ク
ロルート2−プロパンジオールなどがある。
また、ポリエチレン性不飽和化合物の他の例としては、
オリゴエステルアクリレート、オリゴエステルメタクリ
レート、エポキシアクリレート、エポキシメタクリレー
ト、ウレタンアクワレート、ウレタンメタクリレートな
どの名称で市販されている分子内にアクリロイル基また
はメタクリロイル基を2個以上有するアクリレートオリ
ゴマーやメタクリレートオリゴマーなどがある。
このような構成成分からなるb成分としての光重合性不
飽和化合物は、前記の皮膜形成性ポリマー100重量部
に対して通常10〜500重量部、好ましくは30〜2
00重量部の範囲で用いられる。この量が少なすぎては
光重合性、つまり露光硬化性に劣り、また多くなりすぎ
ると非露光部分の剥離性能に劣り、いずれの場合も剥離
現像性に支障をきたしやすい。
この発明に使用されるC成分としての光重合開始剤には
、従来公知のものが広く包含される。具体的にはカルボ
ニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、レドックス系
化合物、アゾならびにジアゾ化合物、光還元性色素など
が挙げられる。
上記のカルボニル化合物としては、ベンゾイン、ベンゾ
フェノン、アントラキノン、2−メチルアントラキノン
、2−tert−ブチルアントラキノン、9・10−フ
ェナントレンキノン、ジアセチル、ベンジル、ミヒラー
ズケトン、4・4′−ビスジエチルアミノベンゾフェノ
ンなどが、有機硫黄化合物としては、ジブチルジスルフ
ィド、ジオクチルジスルフィド、ジベンジルジスルフィ
ド、ジフェニルジスルフィド、ジベンゾイルジスルフイ
ド、ジアセチルジスルフィドなどがある。
また、過酸化物としては、過酸化水素、ジーtert−
ブチルペルオキシド、過酸化ベンゾイル、メチルエチル
ケトンペルオキシドなどが、レドックス系化合物として
は、過酸化物と還元剤の組み合わせからなるもの、たと
えば第一鉄イオンと過酸化水素、第一鉄イオンと過硫酸
イオン、第二鉄イオンと過酸化物などが、アゾおよびジ
アゾ化合物としては、α・α′−アゾビスイソブチロニ
トリル、2−アゾビス−2−メチルブチロニトリル、1
−アゾビス−シクロヘキサンカルボニトリル、p−アミ
ノジフェニルアミンのジアゾニウム塩などが、光還元性
色素としては、ローズベンガル、エリスロシン、エオシ
ン、アクリフラビン、リボフラビン、チオニンなどがあ
る。
これら光重合開始剤は1種であっても2種以上を組み合
わせて用いてもよい。その使用量は前記す成分としての
光重合性不飽和化合物100重量部に対して通常0.1
〜20重量部の範囲とすればよい。
この発明の光重合性組成物層は、上記したようなa、b
、c成分を必須成分とするが、これら成分のほか必要に
応じて熱重合防止剤、着色剤、密着性向上剤、充填剤お
よび可塑剤などの各種添加剤を含有させるようにしても
よい。
この発明においてこのような光重合性組成物層は、上記
の各成分を溶剤に均一に溶解分散させ、これを透明支持
体の片面に乾燥後の厚みが5〜100μm1好ましくは
5〜50μmとなるように塗布し乾燥することにより、
形成される。
上記の溶剤としてはアセトン、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトンなどのケトン類、酢酸エチル、酢
酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル類が好適に使用さ
れる。また、トルエン、ベンゼン、キシレンなどの芳香
族炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、トリクロロエ
チレン、塩化メチレンなどのハロゲン化炭化水素、メタ
ノール、エタノール、プロパツール、ブタノールなどの
アルコール類なども混合溶剤などの形で使用できる。
また、上記の透明支持体としては、光重合性組成物層を
光重合させうる300〜500nmの波長域の光の透過
性が良好で、表面が均一であるものが選ばれる。このよ
うな透明支持体の具体例としては、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリプロピレン、三酢酸セルロース、二酢酸
セルロース、ポリカーボネート、セロファンなど各種の
プラスチックフィルムがある。その中でも強度9寸法安
定性、耐熱性および吸湿性などの点よりポリエチレンテ
レフタレートが好適である。透明支持体の好ましい厚み
は10〜50μmである。
この発明の画像形成材料は、以上の如くして得られる透
明支持体と光重合性組成物層とを含む剥離現像型ドライ
フィルムレジストからなり、既述のとおり、上記組成物
層中にa成分として少なくとも含ハロゲンポリマーを含
み、かつb成分として前記特定の光重合性不飽和化合物
を含むことを大きな特徴とするものである。なお、この
材料には、保存中での光重合性組成物層の保護を図るた
め、ポリエチレン、ポリプロピレンあるいは剥離処理を
施した各種プラスチックフィルムなどからなる保護フィ
ルムを上記組成物層の上に設けるようにしてもよい。
つぎに、このように構成されるこの発明の画像形成材料
を用いて回路を形成する方法につき説明する。
この方法は、まず、回路を形成するべき基板、たとえば
プリント配線板を得るための銅張り積層基板などの表面
を清浄化し、この清浄化面に、前記構成のこの発明の画
像形成材料を、保護フィルムを有している場合は保護フ
ィルムを剥がしてから、光重合性組成物層側が当接面と
なるように基板に圧着させる。このときの圧着温度は通
常20〜80℃程度である。
つぎに、回路バクーンを有するたとえば陰画マスクを透
明支持体の上に重ね、300〜5000mの波長の光を
含む光源、たとえば高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノ
ン灯、カーボンアーク灯などにより露光する。
このように露光したのち、基板を好ましくは20〜40
°Cの温度下に保った状態で、透明支持体を基板から剥
離すると、パターン露光における露光部分の光重合性組
成物層は光硬化することによって基板表面に良好に密着
してその接着強度が非常に大きくなる結果、基板上に確
実に残り、非露光部分は硬化しないまま透明支持体と共
に剥離除去され、これにより基板上に所望のレジストパ
ターンが形成される。
つぎに、レジストを有しない基Fi露出面、プリント配
線基板の場合はレジストを有しない銅面を、塩化第二鉄
液や塩化第二銅液のようなエツチング液によりエツチン
グ処理する。しかるのち、3〜8重量%程度の水酸化ナ
トリウムや水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液中に好
ましくは40〜80℃の温度下で浸漬するか、あるいは
このようなアルカリ水溶液をスプレーすることにより、
硬化したレジストは溶解ないし膨潤し基板から剥離する
。その後よく水洗いして乾燥することにより、基板上に
エツチングされた陽画像回路パターンが得られる。
また、上記の方法において陰画マスクの代わりに陽画マ
スクを用いたときには、上記同様にしてレジストパター
ンを形成したのち、レジストを有しない基板面に対して
エツチング処理の代わりに銅、半田、金などのメッキ処
理を施し、その後上記同様にしてアルカリ水溶液による
レジストの除去を行えば、基板上にメッキされた陽画像
回路パターンを得ることができる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明においては、刊離現像型ドライ
フィルムレジストの光重合性組成物層中に特定の皮膜形
成性ポリマーと特定の光重合性不飽和化合物を含ませる
ようにしたことにより、基板と露光後の光重合性組成物
層との密着性ないし接着強度が非常に良好なものとなっ
て、剥離現像によって所望のレジストパターンをパター
ン精度良好に形成できる、特に200μm以下の細線パ
ターンであっても再現性よく形成できるという効果が得
られる。
〔実施例〕
以下に、この発明の実施例を記載してより具体的に説明
する。なお、以下において部とあるは重量部を意味する
ものとする。
実施例1 ジエチルチオキサントン       3部ジメチルア
ミノ安息香酸イソアミル  1部パラメトキシフェノー
ル      0.1部バラトルエンスルホニルクロラ
イド  1部クリスタルバイオレット      0.
3部メチルエチルケトン       300部上記材
料を均一に溶解混合することにより、光重合性組成物の
溶液を調製した。この液を厚さ25μmのポリエチレン
テレフタレートフィルム上に乾燥後の厚みが20μmに
なるように塗布したのち、80℃で5分間乾燥処理を行
うことにより、剥離現像型ドライフィルムレジストから
なる画像形成材料を得た。
この画像形成材料を、表面を清浄にした銅張りガラスエ
ポキシ積層基板の銅張面に、光重合性組成物層側が当接
面となるように、50℃の温度下で加圧積層し、さらに
この画像形成材料の透明支持体上に回路パターンを有す
る陰画原稿を密着させ、3KWの超高圧水銀灯で60c
mの距離より10秒間の露光を行った。つぎに、基板を
30℃にして画像形成材料の透明支持体であるポリエチ
レンテレフタレートフィルムを基板から引き剥がすと、
非露光部分はフィルムと共に基板から剥離除去されて基
板の銅張面には硬化した露光部分からなる陽画像回路を
構成するレジストパターンが形成された。
このレジストパターンは100”−150μmの細線パ
ターンを多く含むものであったが、細線パターンに欠け
などの不良箇所は全く認められなかった。また、上記レ
ジストパターンの形成を10枚の銅張りガラスエポキシ
積層基板に対して上記同様に繰り返し行ってみたが、1
0枚共上記同様の結果で、再現性にすぐれていた。
つぎに、このようにして得られたレジストパターンを有
する銅張り基板を40度ボーメの塩化第二鉄水溶液によ
りエツチング処理して露出した銅箔をエツチング除去し
た。その後、濃度3重量%の水酸化ナトリウム水溶液(
液温40℃)に5分間浸漬したところ、硬化したレジス
トは膨潤して基板より剥離した。この基板を水洗、乾燥
することにより所望のプリント配線板が得られた。
一方、上記のプリント配線板の作製方法において、陰画
原稿とは逆の陽画原稿を使用した以外は上記と同様にし
て銅張り積層基板上に陰画回路を構成するレジストパタ
ーンを形成してみたところ、この場合のパターン精度お
よび再現性は前記同様に良好であった。つぎに、この基
板の露出した銅張面上に半田メッキを施したのち、アル
カリ水溶液によってレジストを除去することにより、銅
張面上に半田メッキされた陽画回路パターンを形成し、
その後半田は溶かさないが銅を)容がすことのできるア
ルカリエッチャント(ジャパンメタルフイニツシング社
製の商品名)にて40℃でエツチングを行うと、半田メ
ッキされた所望のプリント配線板が得られた。
比較例1 実施例1の光重合性組成物溶液の組成のうち、コハク酸
と2−ヒドロキシエチルメタクリレートとの半エステル
70部の代わりに、コハク酸と2−ヒドロキシエチルア
クリレートとの半エステル70部を使用した以外は、実
施例1と同様にして画像形成材料を作製した。つぎに、
この材料を用いて、実施例1と同様のレジストパターン
の形成を、10枚の銅張りガラスエポキシ積層基板に対
して繰り返し行ってみたところ、10枚中3枚に100
〜150μmの細線パターンの一部に欠けが認められ、
つまり露光部分が支持体とともに剥離除去された箇所が
認められ、レジストパターンの再現性に劣っていた。
実施例2 ジエチルチオキサントン       3部ジメチル安
息香酸イソアミル     2部パラメトキシフェノー
ル      0.1 部トリブロモメチルフェニルス
ルホン  1部ビクトリアピュアーブルー     0
.4部メチルエチルケトン       300部上記
の光重合性組成物溶液を用いて実施例1と同様にして画
像形成材料を作製した。つぎに、この材料を用いて実施
例1と同様にして回路形成を行ったところ、剥離現像に
よるレジストパターンの形成は実施例1と同様10枚の
基板中すべて問題のない鮮明な細線パターンを形成でき
た。また、アルカリ水溶液によるパターン状レジストの
除去は実施例1よりさらに容易で2分以内に除去できた
実施例3 実施例2の光重合性組成物溶液の組成のうち、フタル酸
と2−ヒドロキシエチルメタクリレートとの半エステル
60部の代わりに、マレイン酸と2−ヒドロキシエチル
メタクリレートとの半エステル60部を使用した以外は
、実施例2と同様にして画像形成材料を作製した。つぎ
に、この材料を用いて実施例1と同様にして回路形成を
行ったところ、剥離現像によるレジストパターンの形成
もアル−カリ水?容ン夜によるパターン状レジストの除
去も実施例2と全く同様でいずれも非常に良好な結果が
得られた。
実施例4 実施例2の光重合性組成物溶液の組成のうち、フタル酸
と2−ヒドロキシエチルメタクリレートとの半エステル
の使用部数を20部とし、他の配合成分としてフタル酸
と2−ヒドロキシエチルアクリレートとの半エステル4
0部を使用した以外は、実施例2と同様にして画像形成
材料を作製した。つぎに、この材料を用いて実施例1と
同様にして回路形成を行ったところ、剥離現像によるレ
ジストパターンの形成もアルカリ水溶液によるバタ〜ン
状レジストの除去も実施例2とほぼ同様でいずれも非常
に良好な結果が得られた。
比較例2 実施例2の光重合性組成¥Vll)溶液の組成のうち、
フタル酸と2−ヒドロキシエチルメタクリレートとの半
エステル60部の代わりに、フタル酸と2−ヒドロキシ
エチルアクリレートとの半エステル60部を使用した以
外は、実施例2と同様にして画像形成材料を作製した。
つぎに、この材料を用いて実施例1と同様にして回路形
成を行ったところ、剥離現像に際し10枚枚中枚に10
0〜150μmの細線パターンの一部に欠けが認められ
、レジストパターンの再現性に劣っていた。
比較例3 実施例2の光重合性組成物溶液の組成のうち、フタル酸
と2−ヒドロキシエチルメタクリレートとの半エステル
60部の代わりに、マレイン酸と2−ヒドロキシエチル
アクリレートとの半エステル60部を使用した以外は、
実施例2と同様にして画像形成材料を作製した。つぎに
、この材料を用いて実施例1と同様にして回路形成を行
ったところ、jf、1j離現像に際し10枚中2枚に1
00〜150μmの細線パターンの一部に欠けが認めら
れ、レジストパターンの再現性に劣っていた。
比較例4 実施例2の光重合性組成物溶液の組成のうち、フタル酸
と2−ヒドロキシエチルメタクリレートとの半エステル
60部の代わりに、テトラヒドロフタル酸と2−ヒドロ
キシエチルアクリレートとの半エステル60部を使用し
た以外は、実施例2と同様にして画像形成材料を作製し
た。つぎに、この材料を用いて実施例1と同様にして回
路形成を行ったところ、剥離現像に際し10枚枚中枚に
100〜150μmの細線パターンの一部に欠けが認め
られ、レジストパターンの再現性に劣っていた。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)透明支持体の片面に、 a)皮膜形成性ポリマー、 b)光重合性不飽和化合物および c)光重合開始剤を必須成分として含有する光重合性組
    成物層を設けてなる剥離現像型ドライフィルムレジスト
    からなる画像形成材料において、上記のa成分が含ハロ
    ゲンポリマーを含み、かつ上記のb成分がつぎの式; ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R′はアルキレン基、Rはジカルボン酸の残基
    、nは1以上の整数である) で表される不飽和カルボン酸を含むことを特徴とする画
    像形成材料
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5145884A (en) * 1986-11-13 1992-09-08 Menicon Co., Ltd. Ultraviolet-hardenable adhesive
US5147759A (en) * 1988-04-15 1992-09-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Photopolymerizable compositions
US5344747A (en) * 1988-04-15 1994-09-06 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Photopolymerizable compositions
US5922510A (en) * 1988-04-15 1999-07-13 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Photopolymerizable compositions

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