JPH0588831B2 - - Google Patents
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- JPH0588831B2 JPH0588831B2 JP13173086A JP13173086A JPH0588831B2 JP H0588831 B2 JPH0588831 B2 JP H0588831B2 JP 13173086 A JP13173086 A JP 13173086A JP 13173086 A JP13173086 A JP 13173086A JP H0588831 B2 JPH0588831 B2 JP H0588831B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/004—Photosensitive materials
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-
- G—PHYSICS
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- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プリント回路作製の際に使用される
ドライフイルムフオトレジストに関するものであ
り、さらに詳しく述べると、可視光レーザーによ
り、中間マスクを使用せずに回路パターンを直接
描画するために用いるドライフイルムフオトレジ
ストに関するものである。 〔従来技術〕 ドライフイルムフオトレジストはプリント回路
作製において有用なプロセス材料として広く利用
されている。この使用法の概略としては、金属基
板、例えば銅張積層板に第1層をはがしたドライ
フイルムフオトレジストを熱圧着し、回路パター
ンの中間マスクを密着して紫外光源にて露光後、
第3層をはがし所定の現像液にて未露光部を現像
除去する。基板上には露光された部分のパターン
が残存するので、これを耐酸性レジストとして、
酸性エツチヤントにより基板をエツチングするこ
とにより所望のプリント配線回路板を得ることが
できる(林信行、鍜治誠:熱硬化性樹脂、6(1)14
(1985))。 例えば特開昭60−35725号には、4,4′−ビス
(ジアルキルアミノ)ベンゾフエノンと芳香族ケ
トン化合物と有機過酸化物を含有する光重合性組
成物がドライフイルムホオトレジストに利用でき
ることが記載されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 ドライフイルムフオトレジストによるプリント
回路作製は、スクリーン印刷法により作製された
回路パターンに比べて高密度な配線が得られるも
のの、中間マスクと感光層の間に高分子フイルム
層が存在するため、ある一定限度以上、例えば、
100μmよりも細い配線パターンを得ることが難
しい。そのため高分子フイルム層を従来より薄く
することにより改善を図つている例もあるが、こ
れにも限界があり、さらにより高密度プリント回
路板の要求に充分満足させ得る方法とはなつてい
ない。 さらにもう一つの問題としては、近年、配線回
路が複雑化することにより、コンピユーターを用
いた回路設計システム、いわゆるCADまたは
CAMという名称で当該業界で知られたシステム
が用いられてきているが、この出力を一度銀塩フ
イルムに露光し中間マスクを作製した後、ドライ
フイルムに密着し改めて紫外線露光を行なつてい
る。上記工程おいて中間マスク作製をせずに直接
CADの出力をドライフイルムレジストに短時間
で行なうことができれば、プリント回路板の製造
工程を大巾に短縮することができ、かつ中間マス
クに用いられる高価な銀塩フイルムが不要となり
経済的に有利である。 以上大きく2つの問題点を解決するために用い
られる最良の方法としては、設計された回路パタ
ーンを1次元の時系列信号とし、細く絞つたレー
ザービームによりドライフイルムレジストに直接
高速で描画するシステムがある。レーザービーム
は集光性が高く、高速走査が可能なため、従来方
法に比べて格段に高密度の回路パターンを作製で
きる。また、回路パターンの一部分を修正する場
合もこの方式を用いることにより極めて迅速に処
理することが可能となる。ここで使用されるレー
ザーは例えばアルゴンイオンレーザー、ヘリウム
−ネオンレーザー、ヘリウム−カドミウムレーザ
ー、半導体レーザーなどの可視光発振レーザーが
装置上適しているが、このような可視光レーザー
の高速走査露光に充分対応できる感光層を有する
ドライフイルムフオトレジストは、当該業界の強
い要望にもかかわらず、従来から得られていな
い。 本発明は、可視光レーザーの高速走査露光に対
して充分な感度を有し、かつ金属基板との接着性
や耐エツチング性にも優れたドライフイルムフオ
トレジストを得ることを目的としている。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、柔軟性を有する3層の積層体からな
り、その第1層および第3層が透明な高分子フイ
ルムであり、第2層が下記に示す(i)〜(iv)成分を含
有する感光層であることを特徴とするドライフイ
ルムフオトレジストを提供するものである。 (i) 酸価50〜300であり、分子量が10000〜500000
の高分子重合体、 (ii) 付加重合可能なエチレン性不飽和二重結合を
分子中に2個以上有する単量体 (iii) 一般式()
ドライフイルムフオトレジストに関するものであ
り、さらに詳しく述べると、可視光レーザーによ
り、中間マスクを使用せずに回路パターンを直接
描画するために用いるドライフイルムフオトレジ
ストに関するものである。 〔従来技術〕 ドライフイルムフオトレジストはプリント回路
作製において有用なプロセス材料として広く利用
されている。この使用法の概略としては、金属基
板、例えば銅張積層板に第1層をはがしたドライ
フイルムフオトレジストを熱圧着し、回路パター
ンの中間マスクを密着して紫外光源にて露光後、
第3層をはがし所定の現像液にて未露光部を現像
除去する。基板上には露光された部分のパターン
が残存するので、これを耐酸性レジストとして、
酸性エツチヤントにより基板をエツチングするこ
とにより所望のプリント配線回路板を得ることが
できる(林信行、鍜治誠:熱硬化性樹脂、6(1)14
(1985))。 例えば特開昭60−35725号には、4,4′−ビス
(ジアルキルアミノ)ベンゾフエノンと芳香族ケ
トン化合物と有機過酸化物を含有する光重合性組
成物がドライフイルムホオトレジストに利用でき
ることが記載されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 ドライフイルムフオトレジストによるプリント
回路作製は、スクリーン印刷法により作製された
回路パターンに比べて高密度な配線が得られるも
のの、中間マスクと感光層の間に高分子フイルム
層が存在するため、ある一定限度以上、例えば、
100μmよりも細い配線パターンを得ることが難
しい。そのため高分子フイルム層を従来より薄く
することにより改善を図つている例もあるが、こ
れにも限界があり、さらにより高密度プリント回
路板の要求に充分満足させ得る方法とはなつてい
ない。 さらにもう一つの問題としては、近年、配線回
路が複雑化することにより、コンピユーターを用
いた回路設計システム、いわゆるCADまたは
CAMという名称で当該業界で知られたシステム
が用いられてきているが、この出力を一度銀塩フ
イルムに露光し中間マスクを作製した後、ドライ
フイルムに密着し改めて紫外線露光を行なつてい
る。上記工程おいて中間マスク作製をせずに直接
CADの出力をドライフイルムレジストに短時間
で行なうことができれば、プリント回路板の製造
工程を大巾に短縮することができ、かつ中間マス
クに用いられる高価な銀塩フイルムが不要となり
経済的に有利である。 以上大きく2つの問題点を解決するために用い
られる最良の方法としては、設計された回路パタ
ーンを1次元の時系列信号とし、細く絞つたレー
ザービームによりドライフイルムレジストに直接
高速で描画するシステムがある。レーザービーム
は集光性が高く、高速走査が可能なため、従来方
法に比べて格段に高密度の回路パターンを作製で
きる。また、回路パターンの一部分を修正する場
合もこの方式を用いることにより極めて迅速に処
理することが可能となる。ここで使用されるレー
ザーは例えばアルゴンイオンレーザー、ヘリウム
−ネオンレーザー、ヘリウム−カドミウムレーザ
ー、半導体レーザーなどの可視光発振レーザーが
装置上適しているが、このような可視光レーザー
の高速走査露光に充分対応できる感光層を有する
ドライフイルムフオトレジストは、当該業界の強
い要望にもかかわらず、従来から得られていな
い。 本発明は、可視光レーザーの高速走査露光に対
して充分な感度を有し、かつ金属基板との接着性
や耐エツチング性にも優れたドライフイルムフオ
トレジストを得ることを目的としている。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、柔軟性を有する3層の積層体からな
り、その第1層および第3層が透明な高分子フイ
ルムであり、第2層が下記に示す(i)〜(iv)成分を含
有する感光層であることを特徴とするドライフイ
ルムフオトレジストを提供するものである。 (i) 酸価50〜300であり、分子量が10000〜500000
の高分子重合体、 (ii) 付加重合可能なエチレン性不飽和二重結合を
分子中に2個以上有する単量体 (iii) 一般式()
本発明のドライフイルムフオトレジストは高感
度であり、波長400〜700mmの可視光レーザーの照
射により極めて短時間のうちに光化学反応を起し
所定の硬化膜を与える。この硬化膜は後のエツチ
ング工程において充分な耐酸性を有し、また最終
的に強アルカリ水溶液にて除去可能であるという
フオトレジストとして優れた性能を有している。 〔実施例〕 以下実施例および比較例により本発明をさらに
詳しく説明する。なお例中の部および%は重量部
および重量%を示す。 実施例 1 厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフイ
ルム上に下記組成の感光液を乾燥膜厚35μmとな
るようにコーテイングを行ない、乾燥後厚さ20μ
mのポリエチレンフイルムを被覆してドライフイ
ルムフオトレジストとした。 (i) アクリル系ポリマー(酸価175) 100部 (ii)ペンタエリスリトールトリアクリレート トリエチレングリコールトリメタクリレート30部 30部 (iii) 1,5−ビス〔4−(ジメチルアミノ)フエ
ニル〕−1,4−ペンタジエン−3−オン 1部 (iv) 3,3′,4,4′−テトラ(ターシヤリイブチ
ルペルオキシカルボニル)ベンゾフエノン 3部 (10時間半減期温度(以下HTという)114℃) Γ ヒドロキノン 0.1部 Γ イソプロパノール 200部 Γ メチルエチルケトン 200部 ここでアクリル系ポリマーとは、メタクリル酸
メチル/アクリル酸エチル/メタクリル酸=50/
20/30モル%で重量平均分子量=150000の共重合
体である。 得られたドライフイルムレジストは、ポリエチ
レンフイルム層をはがした後、銅張積層板に100
℃にて熱圧着を行なつた。 露光は、出力200mWのアルゴンイオンレーザ
ーを用い、波長488nmの発振線をビーム径25μm
に絞り、5.1m/secの速度で走査露光を行なつ
た。走査露光後、ポリエチレンテレフタレートフ
イルムをはがし、3%の炭酸ナトリウム水溶液に
て1分間スプレー現像を行なつた。 このようにして得られた硬化レリーフは極めて
鮮明かつ強靭であり、42度ボーメの塩化第二鉄水
溶液によるエツチングにおいても何ら損傷が生じ
なかつた。その後10%カセイソーダ水溶液により
硬化レリーフを除去して所望のプリント回路基板
を得た。 実施例 2 実施例1と同様な方法により下記組成の感光液
を用いたドライフイルムフオトレジストを作製し
た。 Γ アクリル系ポリマー(酸価260) 100部 Γ トリメチロールプロパントリアクリレート
30部 Γ テトラエチレングリコールジアクリレート
20部 Γ トリターシヤリイブチルトリペルオキシトリ
メリテート(HT110℃) 4部 Γ 1,5−ビス〔4−(ジエチルアミノ)フエ
ニル〕−1,4−ペンタジエン−3−オン 0.8部 Γ ヒドロキノン 0.05部 Γ イソプロパノール 200部 Γ メチルエチルケトン 200部 ここでアクリル系ポリマーとはアクリル酸メチ
ル/メタクリル酸=60/40モル%で重量平均分子
量=170000の共重合体である。 得られたドライフイルムレジストを実施例1と
同様な方法により銅張積層板への熱圧着後、出力
300mWのアルゴンイオンレーザーを用い、波長
488nmの発振線をビーム径25μmに絞り、4.2m/
secの速度で高速走査露光を行なつた。走査露光
後ポリエチレンテレフタレートフイルムをはが
し、2%の炭酸ナトリウム水溶液にて1分間スプ
レー現像を行なつた。 実施例 3 実施例1において、有機過酸化物にジターシヤ
リイブチルジペルオキシイソフタレート
(HT107℃)を3部、アミノフエニルケトン化合
物に1,9−ビス〔4−(ジエチルアミノ)フエ
ニル〕−1,3,6,8−ノナテトラエン−5−
オンを1部用いた他は、同様にしてドライフイル
ムフオトレジストを作製し、銅張積層板に熱圧着
を行なつた。 ここに、出力250mWのアルゴンイオンレーザ
ーを用い、波長488nmの発振線をビーム径25μm
に絞り、9.5m/secの速度で高速走査露光を行な
つた。走査露光後、ポリエチレンテレフタレート
フイルムをはがし、3%の炭酸ナトリウム水溶液
にて1分間スプレー現像を行なつた。 実施例 4 下記組成の感光液を用いて実施例1と同様な方
法によりドライフイルムフオトレジストを得た。 Γ ビニル系ポリマー(酸価291) 100部 Γ テトラメチロールメタンテトラアクリレート
40部 Γ ターシヤリイブチルペルオキシベンゾエート
(HT104℃) 3部 Γ 1,13−ビス〔4−(ジエチルアミノ)フエ
ニル〕−1,3,5,8,10,12−トリデカヘ
キサエン−7−オン 1.5部 Γ ジブチルフタレート 5部 Γ ヒドロキノン 0.1部 Γ イソプロパノール 150部 Γ トルエン 100部 ここでビニル系ポリマーとはスチレン/マレイ
ン酸/マレイン酸ジメチル=50/30/20モル%で
重量平均分子量=35000の共重合体である。 実施例1と同様な方法により銅張積層板に熱圧
着を行なつた後、出力100mWのヘリウム−ネオ
ンレーザーを用い、波長633nmの発振線をビー
ム径25μmに絞り、3.5m/secの速度で高速走査
露光を行なつた。 走査露光後、ポリエチレンテレフタレートフイ
ルムをはがし、3%の炭酸ナトリウム水溶液にて
1分間スプレー現像を行なつた。 実施例 5 実施例1においてアミノフエニルケトン化合物
に1,5−ビス〔4−(ジエチルアミノ)フエニ
ル〕−1,4−ペンタジエン−3−オンを1.2部用
いた他は同様にしてドライフイルムフオトレジス
トを作製し、銅張積層板に熱圧着を行なつた。 ここに、出力200mWのアルゴンイオンレーザ
ーを用い、波長488nmの発振線をビーム径25μm
に絞り、6m/secの速度で高速走査露光を行な
つた。走査露光後、ポリエチレンテレフタレート
フイルムをはがし、2%の炭酸ナトリウム水溶液
にて1分間スプレー現像を行なつた。 以上、実施例2〜5で得られた硬化レリーフ
は、いずれも極めて鮮明かつ強靭であり、42度ボ
ーメの塩化第二鉄水溶液によるエツチングにおい
ても何ら損傷が生じなかつた。また、その後10%
カセイソーダ水溶液により硬化レリーフを除去し
て所望のプリント回路基板が得られた。 比較例 1,2 実施例1において、(iii)成分または(iv)成分を除い
た組成の感光液を用いて同様にしてドライフイル
ムフオトレジストを得た。これをアルゴンイオン
レーザーにて走査露光したところ全く感光しなか
つた。 比較例 3 実施例1において、(iii)成分および(iv)成分の代り
に、4,4′ビス−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾ
フエノン0.5部、ベンゾフエノン1.5部、ジ−t−
ブチルジペルオキシイソフタレート1.5部を用い
た以外は実施例1と同様にしてドライフイルムフ
オトレジストを得た。これをアルゴンイオンンレ
ーザーにて走査露光したところ全く感光しなかつ
た。 比較例 4,5 市販のドライフイルムフオトレジストを2種類
用意し、アルゴンイオンレーザにて走査露光した
ところ全く感光しなかつた。
度であり、波長400〜700mmの可視光レーザーの照
射により極めて短時間のうちに光化学反応を起し
所定の硬化膜を与える。この硬化膜は後のエツチ
ング工程において充分な耐酸性を有し、また最終
的に強アルカリ水溶液にて除去可能であるという
フオトレジストとして優れた性能を有している。 〔実施例〕 以下実施例および比較例により本発明をさらに
詳しく説明する。なお例中の部および%は重量部
および重量%を示す。 実施例 1 厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフイ
ルム上に下記組成の感光液を乾燥膜厚35μmとな
るようにコーテイングを行ない、乾燥後厚さ20μ
mのポリエチレンフイルムを被覆してドライフイ
ルムフオトレジストとした。 (i) アクリル系ポリマー(酸価175) 100部 (ii)ペンタエリスリトールトリアクリレート トリエチレングリコールトリメタクリレート30部 30部 (iii) 1,5−ビス〔4−(ジメチルアミノ)フエ
ニル〕−1,4−ペンタジエン−3−オン 1部 (iv) 3,3′,4,4′−テトラ(ターシヤリイブチ
ルペルオキシカルボニル)ベンゾフエノン 3部 (10時間半減期温度(以下HTという)114℃) Γ ヒドロキノン 0.1部 Γ イソプロパノール 200部 Γ メチルエチルケトン 200部 ここでアクリル系ポリマーとは、メタクリル酸
メチル/アクリル酸エチル/メタクリル酸=50/
20/30モル%で重量平均分子量=150000の共重合
体である。 得られたドライフイルムレジストは、ポリエチ
レンフイルム層をはがした後、銅張積層板に100
℃にて熱圧着を行なつた。 露光は、出力200mWのアルゴンイオンレーザ
ーを用い、波長488nmの発振線をビーム径25μm
に絞り、5.1m/secの速度で走査露光を行なつ
た。走査露光後、ポリエチレンテレフタレートフ
イルムをはがし、3%の炭酸ナトリウム水溶液に
て1分間スプレー現像を行なつた。 このようにして得られた硬化レリーフは極めて
鮮明かつ強靭であり、42度ボーメの塩化第二鉄水
溶液によるエツチングにおいても何ら損傷が生じ
なかつた。その後10%カセイソーダ水溶液により
硬化レリーフを除去して所望のプリント回路基板
を得た。 実施例 2 実施例1と同様な方法により下記組成の感光液
を用いたドライフイルムフオトレジストを作製し
た。 Γ アクリル系ポリマー(酸価260) 100部 Γ トリメチロールプロパントリアクリレート
30部 Γ テトラエチレングリコールジアクリレート
20部 Γ トリターシヤリイブチルトリペルオキシトリ
メリテート(HT110℃) 4部 Γ 1,5−ビス〔4−(ジエチルアミノ)フエ
ニル〕−1,4−ペンタジエン−3−オン 0.8部 Γ ヒドロキノン 0.05部 Γ イソプロパノール 200部 Γ メチルエチルケトン 200部 ここでアクリル系ポリマーとはアクリル酸メチ
ル/メタクリル酸=60/40モル%で重量平均分子
量=170000の共重合体である。 得られたドライフイルムレジストを実施例1と
同様な方法により銅張積層板への熱圧着後、出力
300mWのアルゴンイオンレーザーを用い、波長
488nmの発振線をビーム径25μmに絞り、4.2m/
secの速度で高速走査露光を行なつた。走査露光
後ポリエチレンテレフタレートフイルムをはが
し、2%の炭酸ナトリウム水溶液にて1分間スプ
レー現像を行なつた。 実施例 3 実施例1において、有機過酸化物にジターシヤ
リイブチルジペルオキシイソフタレート
(HT107℃)を3部、アミノフエニルケトン化合
物に1,9−ビス〔4−(ジエチルアミノ)フエ
ニル〕−1,3,6,8−ノナテトラエン−5−
オンを1部用いた他は、同様にしてドライフイル
ムフオトレジストを作製し、銅張積層板に熱圧着
を行なつた。 ここに、出力250mWのアルゴンイオンレーザ
ーを用い、波長488nmの発振線をビーム径25μm
に絞り、9.5m/secの速度で高速走査露光を行な
つた。走査露光後、ポリエチレンテレフタレート
フイルムをはがし、3%の炭酸ナトリウム水溶液
にて1分間スプレー現像を行なつた。 実施例 4 下記組成の感光液を用いて実施例1と同様な方
法によりドライフイルムフオトレジストを得た。 Γ ビニル系ポリマー(酸価291) 100部 Γ テトラメチロールメタンテトラアクリレート
40部 Γ ターシヤリイブチルペルオキシベンゾエート
(HT104℃) 3部 Γ 1,13−ビス〔4−(ジエチルアミノ)フエ
ニル〕−1,3,5,8,10,12−トリデカヘ
キサエン−7−オン 1.5部 Γ ジブチルフタレート 5部 Γ ヒドロキノン 0.1部 Γ イソプロパノール 150部 Γ トルエン 100部 ここでビニル系ポリマーとはスチレン/マレイ
ン酸/マレイン酸ジメチル=50/30/20モル%で
重量平均分子量=35000の共重合体である。 実施例1と同様な方法により銅張積層板に熱圧
着を行なつた後、出力100mWのヘリウム−ネオ
ンレーザーを用い、波長633nmの発振線をビー
ム径25μmに絞り、3.5m/secの速度で高速走査
露光を行なつた。 走査露光後、ポリエチレンテレフタレートフイ
ルムをはがし、3%の炭酸ナトリウム水溶液にて
1分間スプレー現像を行なつた。 実施例 5 実施例1においてアミノフエニルケトン化合物
に1,5−ビス〔4−(ジエチルアミノ)フエニ
ル〕−1,4−ペンタジエン−3−オンを1.2部用
いた他は同様にしてドライフイルムフオトレジス
トを作製し、銅張積層板に熱圧着を行なつた。 ここに、出力200mWのアルゴンイオンレーザ
ーを用い、波長488nmの発振線をビーム径25μm
に絞り、6m/secの速度で高速走査露光を行な
つた。走査露光後、ポリエチレンテレフタレート
フイルムをはがし、2%の炭酸ナトリウム水溶液
にて1分間スプレー現像を行なつた。 以上、実施例2〜5で得られた硬化レリーフ
は、いずれも極めて鮮明かつ強靭であり、42度ボ
ーメの塩化第二鉄水溶液によるエツチングにおい
ても何ら損傷が生じなかつた。また、その後10%
カセイソーダ水溶液により硬化レリーフを除去し
て所望のプリント回路基板が得られた。 比較例 1,2 実施例1において、(iii)成分または(iv)成分を除い
た組成の感光液を用いて同様にしてドライフイル
ムフオトレジストを得た。これをアルゴンイオン
レーザーにて走査露光したところ全く感光しなか
つた。 比較例 3 実施例1において、(iii)成分および(iv)成分の代り
に、4,4′ビス−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾ
フエノン0.5部、ベンゾフエノン1.5部、ジ−t−
ブチルジペルオキシイソフタレート1.5部を用い
た以外は実施例1と同様にしてドライフイルムフ
オトレジストを得た。これをアルゴンイオンンレ
ーザーにて走査露光したところ全く感光しなかつ
た。 比較例 4,5 市販のドライフイルムフオトレジストを2種類
用意し、アルゴンイオンレーザにて走査露光した
ところ全く感光しなかつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 柔軟性を有する3層の積層体からなり、その
第1層および第3層が透明な高分子フイルムであ
り、第2層が下記に示す(i)〜(iv)成分を含有する感
光層であることを特徴とするドライフイルムフオ
トレジスト。 (i) 酸価50〜300であり、分子量が10000〜500000
の高分子重合体、 (ii) 付加重合可能なエチレン性不飽和二重結合を
分子中に2個以上有する単量体、 (iii) 一般式() 【化】 式中R1,R2,R3およびR4は各々独立に水素原
子、または炭素数1〜6のアルキル基を表わし、
lおよびmは1〜4の整数を表わす。 で表わされるアミノフエニルケトン化合物、 (iv) 分子内にベンゼン骨格またはベンゾフエノン
骨格を有する有機過酸化エステル化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13173086A JPS62288826A (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | ドライフイルムフオトレジスト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13173086A JPS62288826A (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | ドライフイルムフオトレジスト |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62288826A JPS62288826A (ja) | 1987-12-15 |
JPH0588831B2 true JPH0588831B2 (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15064853
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13173086A Granted JPS62288826A (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | ドライフイルムフオトレジスト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62288826A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0430220B1 (en) * | 1989-11-30 | 1997-05-07 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Photosensitive resin composition and semiconductor apparatus using it |
JPH07209335A (ja) * | 1994-01-12 | 1995-08-11 | Noboru Shinkai | コンタクトヘッド及びその製造方法と接続方法 |
JP2009109795A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Sanyo Chem Ind Ltd | 感光性樹脂組成物 |
-
1986
- 1986-06-09 JP JP13173086A patent/JPS62288826A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62288826A (ja) | 1987-12-15 |
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