JPS62283433A - 可逆的光学的情報記憶法 - Google Patents

可逆的光学的情報記憶法

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JPS62283433A
JPS62283433A JP62022647A JP2264787A JPS62283433A JP S62283433 A JPS62283433 A JP S62283433A JP 62022647 A JP62022647 A JP 62022647A JP 2264787 A JP2264787 A JP 2264787A JP S62283433 A JPS62283433 A JP S62283433A
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JP62022647A
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マンフレート・アイヒ
ヨアヒム・ヴエンドルフ
ベルント・レツク
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Roehm GmbH Darmstadt
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ６　発明の詳細な説明 産業上の利用分野 本発明は、ポリマー液晶を１史用しながら可逆的光学的
にデータを記憶させる方法に関するものである。
従来の技術 固体の結晶相と流動性の溶融液（以下等方性溶ａ液とし
て表示する）との間で、一定の物質に中間相が現われ、
これは構造的及び力学的観点から秩序のある結晶状態並
びに秩序のない藩融状憑の性質とそれ自体の中に合せ持
つ。従ってこの相は流動性で（儂あるが、例えば結晶性
物質、しかし同様に部分的結晶性物質の大多数について
特有でるる光学的特性を有する二これは７ｆ）！、屈折
性である。すぐに認めることがでさることから中間相（
メソ相）又は液晶相ともとう。
この中間相は温度変化により得られ（この場合には熱互
変液晶という）、又は液状で４度変化によっても得られ
る。次に熱互変液晶のみ全考察する。この中間相の存在
範囲を特徴付けるために、一般に例えば熱量測定による
か又は閣光顕微貌により定められる、結晶状態から液晶
状態への転移温度並びに液晶状態から等方性溶融状態（
透明点）への転移温度を示す。更に種々の液晶状態が存
在する場合には転移温度を泪旨して定めることが示され
る。中間相が発生することは分子幾可学における特殊性
と関係し工いる。球状対称分子は中間相を形成すること
は出来ないが、分子はその形態を大まかに円筒状又に小
円板状として特徴付けることができる。この際分子は剛
直性であって良く、その最大寸法と最小寸法との比（例
えば円筒長さ／円筒直径）は約３の臨界値を明らかに越
えなくてはならない。
ところでこのような中間相の構造は、円筒形分子につい
て最も簡単な場合には、いわゆるネマチック相中で分子
中心が等方性溶融液の場合と同様に無秩序で分布してお
り、−万分子の長袖が互いに平行に方向づけられている
ことを示す。これは等方性溶融液Ｖｃｆ？ける状態とは
異なっていて、そこでは分子軸は統計的に分布されて存
在する。従って、異方性の機械的性質、′成気的住質を
生じ、しから光学的性質をも生じる。
そのを、コレステリック相の場合には、付加的な秩序原
理として分子長軸の配列方向の連続的ならせん状変化が
付随し、このことは特有の光学的特性、例えば強い光学
活性又は光の選択的反射を導く。いわゆるスメクチック
相では、やはり前杷のネマチック状態について特徴付け
られているような配向秩序に補足して、分子の重心が空
間内で規則的に、例えば立体的な軸に沿ってのみ配置さ
れることがさらに加わるが、別のスメクチック変態では
２木又ぽ全部で３本の相互に独立した軸に沿って配置さ
ｎることがさらに茄わる。それにも拘らず、この相（グ
液状である・小円板状分子、・よいわゆるディスコチッ
ク相を形成することかでさ、その相では標準小円板のみ
が互いに平行に配列されている（ネマチック相参照）か
又はその相では小円板は円柱内で規則的に又は不規則的
に配列されている。この場合には円柱構造という。
特徴的かつ適用に極めて鼠要な液晶構造の大きさｔよ、
配向秩序の良さに対する１つの尺度である配向の秩序パ
ラメーターである。その値は、全ての分子長軸が完全に
方向性を失なった場合（等方性溶融物における様に）０
及びそれが完全に平行に配向された場合１との間にある
。
表示構Ｆｙ、要素、懐中計算機、腕時計又はデジタル計
測器のよう々工業的製品における液晶物質の広汎な普及
は、いわゆるディレクターによって代表することができ
る配列方向を、外部から作用する電界、電界又は機械釣
場によって善感に変えることができるという特性に基づ
く。
それによってひき起こされた光学的特性における変化は
、表示構成要素における他の要禦、例えば偏光子、セル
壁尋と組合せ工情報表示のために適用することができる
。その際セル壁は液状中間相の保護に用いられ、かつ液
晶薄膜の要求された巨視的形態を与える。
近年、液晶相の時性とポリマーのそれと全組合せること
が多くの適用範囲に有利であり得ることが知られて来た
。その際有利なポリマー特性は良好な機械的特性であり
、これはその様な物質から薄い、形状安定の薄膜を製造
することを可能にし、並びに凍結過程（ガラス転移）を
起こさせることは所定の配向構造の固定を可能にさせた
。例えば熱噴計で測定可能ながラス転位温度τｇの表示
は、固体の液晶相の存在範囲を明らかにするのに用いら
れる。ポリマーはこの温度以上で粘弾性又は粘塑性状態
を示す。
一般的に液晶相の形成のための、かつ特にポリマー系に
おけるこのような相の形成のための理論甚びに実験的所
見は、可決性のスペーサー基及び可決性の側分子と績合
した、剛直性の中間構造単位（例えばこれに低分子の液
晶について特徴的である）の使用により液晶ポリマーを
導くことを示す。その際極めて種々の構造原理が可能で
ある。中間基側鎖一液晶の群に２いては、可焼性のスペ
ーサーを介して、場合によりこのスペーサー燕しでも、
可決性又は半可撓性の主鎖に固定している。この際中間
基では円筒状又は小円板状が重要である。この除主頌は
、可撓性巣立によって分離されている中間基を官有する
こともできる。１個のポリマー内に種々のスペーサー及
び／又は中間基が生起することを特徴とするコポリマー
は同様に液晶相を形成することができる。
この側鎖液晶のほかに、主鎖−ポリマーも一定の条件下
で液晶相を示す。このための条件は、鎖が剛直性基から
完全に構成されているか、又は剛直性及び可読性の基か
ら構成されているかである。種々の中間基及び／又はス
ペーサー基より成るコポリマーは同様に液晶相を形成す
ることができる。中間基はむしろ円筒状もしくはむしろ
小円板状の形態を示し得る。中間相の特性並びにこの柑
並びにガラス状態の存在範囲は、中間基の構造を介して
、スペーサーの長さ及びスペーサーの可焼性、主鎖の可
決性を介して並びにその立体規則度及び長さにより近似
的に調整することができる。従来実際に市場では、剛直
性単位を除いた主鎖ポリマー（Ｂ工による）又は主に剛
直性単位を有する主鎖ポリマーが等大されているにすぎ
ない。これはｇ度及び剛直性に対して極めて高い値を示
す一自己硬化性熱可塑性プラスチックという。その使用
分野は極端に機械的特性が要求されている工業的な一部
Ｏテ、ｆｌ）る（キルクーオｙ、　マー　）　（Ｋｉｒ
ｋ−Ｏｔｈｍｅｒ　）著、エンサイクロペディア・オデ
・ケミカル・チクノロシイ（Ｆ！ｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉ
ａ　ｏｆ　ＣｈｅｍｉｃａｌＴｅｏｈｎｏｌｏｇｙ　）
第３版、渠１４轡、第第１４〜４２１貞（１９８４年）
；ヴエンドル７（１、Ｈ，Ｗｅｎｄｏｒｆｆ　）著、タ
ンストストツフエ（Ｋｕｕａｔｓｔｏｆｆｅ　）　礪７
５　巻、５２４〜５２８貞（１９８３年）：ドッグ（Ｍ
、Ｇ、　ｐｏｂｂ　）著、Ｊ、Ｌ　Ｍｅ工ｎｔｙｒｅ　
Ａｄｖ、　Ｐｏｌｙｍ、　Ｓｃｉ、３０／　６１巻、６
１〜９８頁（１９８４年）参照）。
可決性及び剛直性単位上官するポリマーは市場に出され
た系においてケ工未だ便用さ才Ｌ″′Ｃいない。その利
点は、９１ＩＩ鎖−液晶に比べて高い配向の秩序パーラ
メーター値にある（ノニル（Ｃ，Ｎｏｅｌ）　、ラウプ
レトレ（Ｆ’　、　Ｌａｕｐｒｅ　ｔｒｅ　）、フリー
ドリツヒ（Ｃ，？ｒｉｅｄｒｉｃｈ　）　、ファゴーレ
（Ｂ、　Ｆａｇｏｌｌｅ　）、ポゾオ（Ｌ、　Ｂｏｓｉ
ｏ　）者、ポリ−ｒ−（Ｐｏ１．ｙｍｅｒ　）ｆＪ２５
合８０合一０８〜８１（１９８４年）；ヴンダーリツヒ
（Ｂ、　Ｗｕｏｉｅｒｌｉｃｈ）著、工、　Ｇｒｅｂｏ
ｗｉｃｚ　Ａｄｖ、　Ｐｏｌｙｍｅｒ、　Ｓｃｉ、　＄
　３０／６１巻１〜３０頁（１９８４年）参照）。中間
側基を有するポリマーもかなり最近より強く注目されて
来た（フィンケルマン（Ｈ，Ｆｉｎｋｅｌｏｈｎｎ）著
、“ポリマー・リフイド・クリスタルズ（Ｐｏｌｙｍｅ
ｒ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌｇ　）　”アカデミ
ツク・プレス（Ａｃａｄｅｍｉｃ　Ｆｒｅｅｓ　）　（
１９８２年）；フィンケルマン（Ｈ，ｉＦｉｎｋａｌｍ
ａｎｎ　）　、レーアデ（Ｇ、　Ｒｓｈａｇｅ　）著、
Ａｄｖ、　Ｐｏｌｙｍ、　Ｓｃｉ、　Ｍ　３０／６１巻
、第９９〜１７２頁（１９８４年）；シバエフ　（Ｖ、
Ｐ、　Ｓｈｉ’ｂａａｖ　）　、プラト（Ｎ、ＬＰｌｓ
ｔ、ｄ　）著、Ａｄｖ、　Ｐｏｌｙｍ、　８ａｉ、　第
３０　／　６１　舎、第１７６〜２５２頁（１９８４年
）参照）。
米国特ｆｆ第４２９３４３５号明細蕾から、がラス状態
への転移と結びついている液晶ポリマーの特性の工業的
利用は公知である。その際一定の方法で液晶ポリマーの
配置及び配向を変える（例えば電界、磁界もしくは圧力
）条件を使用して情報を記憶させる。この公知技術水４
は英国特、ｆｆｇ２１第６７第７号明細書に論じられて
いる。これは次のことが参照される、すなわち前記米国
特許明細書で所定の、固体状態の装置をガラス転位温度
（Ｔｇ）以下で採序することは、７ｇが常用の室温（Ｔ
ａ　）以上にあることを意味し、すなわち合理的な時間
内で情報を入力するとするならば、Ｔａ以上で１００’
Ｏの程度にある温度でポリマー系を使用することを意味
する。
このような温度く不便であり、ポリマーの分解を必然的
に長時間伴なうであろう。この罐点は前記英国特許によ
れば、一定のポリマー側鎖一液晶を便用する場合に回避
することができる。その時に装置の保管のためにｔＭ匣
範囲全範囲以下に保持することはもはや必要ではなく、
多年にわたって安定した記憶はＴｇ以上及びポリマー材
料が液状になりはじめる温度（Ｔｆ）以下の温度で可能
であり得る。
Ｔｆの測定は２個の交差させた（口）光フィルターの間
で液晶ポリマーを通る光の通過を追跡することによって
ガラス転位温度から上昇する温度で行なうことができる
。光透過性はスメクチック−等方性相転移以下数置を突
発的に上昇する。この上昇は、異方性ではめるが僅かに
透過性の領域状態が、高度に複屈折の、透過性の領域状
頓に転移することに由来する。この温度Ｔｆ以上の温度
範囲は１液状範囲（液状領域）”として表わされる。温
度の上昇と共に、Ｔｍでその最高を達成するまで光透過
性も上昇する。
Ｔｍｌ′１ｍｌ性（透明）相が先ず出現する点を示す。
交差偏光子における等方性相の出現は光の消光となるの
で、更に温度を高めることは光透過の減少を伴ない、そ
の減少程度は、複屈折に役に立つ構造の最後の基が消え
る、いわゆる透明温度（Ｔｃ）が達成されるまで等方性
領域が増大するような度合である。
英国時５１”；２１第６７第７号明細書には、中間側鎖
を有する液晶ポリマーを含有する物質層、並びに物質の
温度がＴｇ〜Ｔｆの範囲にある粘性状態よりなる物質の
少なくとも一部を液状範囲に熱変換させるための構成部
材及び物質の少なくとも一部を液状範囲に調節するため
の構成部材を有する装置が特許請求されており、それに
より物質中の分子組織が選択的に変化することを喚起し
かつそれによって、液状領域の冷却及び粘性状曹への逆
戻Ｖ説も保持されて残る情報が入力される。従ってこの
英国特許については、Ｔｆ　＞　Ｔａ　＞　ＴＨにあて
はまるポリマー物質を便用するという本質的前提がある
。更に物質層がスメクチック側鎖を有する液晶ポリマー
を含有する装置ｔが６己戒される。ジフェニルシアン−
側鎖又は安息香はエステル−側鎖を有するポリシロキサ
ン−型のポリマー液晶が特に有利である。
発明を達成する手段 高い記録密度のほかに可逆的記憶のための可能性も有す
る光学的記憶媒体への大きな関心が依然としである。前
記の光学的データ記憶の問題解明は、比較的に狭く限ら
れた工栗的解明である。すなわち前記英国ｖｊ行明細誓
による装置は、ポリマー物質を粘性状態範囲で保つよう
に温度を選択するという本質的前提を有する疲晶１ｔ１
Ｍポリマーの使用に基づいている。細分化されて開示さ
れているものは、殊にジフェニルシアン−又は安息香酸
エステルー側鎖を有するポリシロキサン−液晶に及ぶ。
記憶された情報の安定性は、存在する分子移動度及び有
限の弛緩時間のために、例えば外からの妨害場により糸
に影＃を及ぼす可能性によっても、明確には保証されて
いない。更に、その実現化を狭すぎない遊び空間内で実
施可能にすべき工粱的屏明が望まれた。
ところで、液晶記憶媒体による可逆的光学的情報記憶法
が判明し、この際記憶媒体としての液晶側鎖ポリマーよ
ジなる＃膜中でレーザー光線を用いて局部的に再配向さ
せることにより情報を記憶させる。中間側鎖を有するポ
リマー液晶を含有する記憶媒体は有利に装置の一部であ
る。装置はポリマー液晶の立体的秩序及び／又は配向？
選択的に変化させることにより情報を記憶させることに
向けられていて、その際ポリマー液晶と含有する薄膜は
、情報の記憶のために前もって備えられた状態で、すな
わち情報の（像 記憶の際にはポリマー液晶のガラス温度Ｔｇ以下の形状
安定範囲にあり、又はポリマー液晶のがラス転位温度Ｔ
ｇ以上の粘塑性状態にあり、かつポリマー液晶の立体的
配置及び／又に配向の選択的変化を殊にレーザー光−に
より局部的に行ない、それによって情報を含有する局部
的秩序状帳はレーザー光−の遮断後にポリマー７夜晶の
Ｔｇ以下の温度範囲で凍結状、■になる。
種々の配向法に対して液晶ポリマーの構造についての要
求は文献に引用されている。すなわち例えば電界におけ
るホメオトロピック配列は使用される周波数範囲のため
にプラスの誘′亀異方性を必要とする。それに反して均
等の配向は屡々構成されるポリイミドよジなる限界表面
によって形成され得る。このために鉢方性形ｅ［する中
間層が必要である。
ケルカー（Ｒ，Ｋｒ１ｋｅｒ　）　、ハック（Ｒ，Ｈａ
ｔｚ　）ハンドブック・オブ・リフイド・クリスタルズ
（Ｈａｎｄｂｏｏｋ　　ｏｆ　　Ｌｉｑｕｉｄ　　Ｃｒ
ｙｓｔａｌｓ　　）、　　ヒ　エ　ミ　−出版（Ｖｅｒ
ｘａｇ　Ｃｈｅｍｉｓ　）　１９８１年参照。プラット
（Ｐｒａｎｏｔｏ　）、ハース（Ｗ、　Ｆ（ａａｓｅ　
）、ＭＯｌＣｒｙｓｔ、　　Ｌｉｑ、　　Ｃｒ１ｓｔ、
　　９　８　　巻、　　２９９〜３０８頁（１９８３年
）参照。ツエンチル（Ｒ，Ｚｅｎｔｅｌ）、リングスド
ルフ（Ｒ，Ｒｌｎｇｓｄｏｒｆ　）　、ｍａｋｒｏｍｏ
ｌ。
Ｃｈｅｍ、　１８２巻、１２４５〜１２５６頁（１９８
２年）。Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌｓ　ａｎｄＯｒ
ｄｅｒｅｄ　　Ｆ’１ｕｉｄｓ、Ａ、Ｇｒｉｆｆｉｎ　
　＆ｌ　　Ｊ、ＬＰ、Ｊｏｈｎｓｏｎ　。
第４巷、Ｐｌｅｎｕｍ　Ｐｒｅｓｓ　、Ｎｅｗ　Ｙｏｒ
ｋ　ｉ　９８４年参照Ｏ 本発明により使用可能なポリマー液晶ＰＦＫは、一般式
Ｉニ −Ｙ 〔式中Ａ−Ｂ框ポリマーの主鎖の要素を表わし、Ｘｉ間
隔保持単泣（゛スペーサー（ａｐａｃｅｒ）”）ｆｃ表
わしかつＹは中間側基を表わす〕によって表わされる繰
り返し単位から全部又は部分的に成る。
この際中間側基は得られる液晶特性についての原因とな
る。スメクチック型の側鎖が特に重要である。
この際要素Ａ−Ｂは殊にラジカル重合可能な単位Ａ′＝
Ｂ′（相応のモノ？　−；　Ａ’＝　Ｂ’　−Ｘ　−Ｙ
　）に相応する。
単位Ａ′−Ｂ′においては、ラジカル１合可能なビニル
化合物中に存在するようをビニル基、例えば単泣二Ｈ２
ｃ＝ｃ−ｑ−〔式中Ｒ１は水嵩１ｇ子又はメチル基を表
わし、かりＱは二車、晴合き活−Ｃ−：　−ＣａＨａ−
ｋ表わし、ｅ　ＯＭ　Ｒ２Ｕ　水素ＩＩ”Ｆ又は１〜６
個の炭素原子上官するアルキル４を表わす」の単位が殊
に重要である。
スペーサー基Ｘは１〜１４個の鎖員を有する（可９性の
）鎖であり、殊にアルキレン基−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ式中
ｎは１〜１４である〕であり、この際場合によジ各頌１
は、例えばハロゲン原子、例えば塩素原子により置換さ
れていて良く又Ｈエーテル橋に代えられていて良い。
中間側鎖Ｙはスペーサー基Ｘを本来の中間基Ｍと結びつ
げる官能基ｖ？、例えば−〇−；Ｒ，Ｒ２ Ｒ２、は前記のものである〕を有する。史に中間側基Ｙ
Ｉｃは次のものがあてはまる：、Ａ当な中間基は、ケル
カー及びノ・ソツ著、！・ンドプツク・オブ・リフイド
・クリスタルズ、ヒエミー出版、１９８０年、６７〜１
１６頁に挙げられている。
殊に、例えば芳沓族４に有する中間基Ｍに殊に前記の端
金官能基ＶＦを介して晴合しｔいて、この中間基Ｍは、
殊に式： 〔式中りは、＆　−Ｎ−Ｎ−、−Ｃ−０−、−０−Ｃ−
。
−ＣミＣ−；　　よジなる僑を表わし、ｍはゼロ又はに
表わし　Ｌ／及びｄはＬもしくＵｎと同情のものであり
、この除Ｒ３は水素原子、 （０）、　（ＣＨ２）ｐＨ，−Ｃｏｏ（ＣＨ２）、／、
Ｈ，−ＣＮ又ハノ）ロデン原子、特に弗素原子、塩累原
子又は臭素原子を表わし、ｐ及びｐ′は１〜８の故、特
に１〜６を表わし、かつｒ？ゴゼロ又は１を表わす〕に
よって表わされて良い。
式中Ｍが次の中間基２表わす式Ｉのポリマーが特に挙げ
られる： （式ＩＢ） （式ＩＣ）　　　　　　　　　　　　　Ｃ式１１Ｄ）（
式ＩＫ）　　　　　　　　　　　（式ＩＮＣＨ３ 更に（メタ）アクリル酸の誘導体（この際ＲＩ　　　　
　　　　　　ＲＩ　　Ｒ２を表わす）及び式中スペーサ
ーＸが−（ＣＨｚ）ｎ−基〔ｎ＝１〜１４〕である誘導
体が有利である。
ポリマー液晶側鎖ポリマーはＭ縮合生成物であっても良
い： これは例えばポリエステル又はポリアミド型■： 〔式中Ｔは炭化水素基、特に１〜２藺の炭素原子を有す
るアルキレン基又は芳香族ｉｔ表わし、２は酸素原子又
は基−Ｎ−Ｒ２を表わし、Ｒ２は出発化合物のジオール
に相応し、２〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基、
特に芳香族基、殊にベンシル系基を表わし、−Ｘ−Ｙ−
は一般式■に挙げたものであるＪＫＰＡして良い。中間
基が式■Ｂに相応するポリマー並びにＲ３が一〇Ｎ基を
表わすそれが挙げられる。更に、債合官能基ｖＦがエー
テル基であるスペーサー基が有利で相応する。
弐■の化合物の製造は自体公知である。これは常用の公
知技術水準の重縮合法に従う（ホウベン−ワイル（Ｈｏ
ｕｂａｎ−Ｗｅｙｌ、　）　第４版、１４／２巻、デオ
ルグ・ティメ（ＧｅｏｒｇＴｈｉｅｍｓ　Ｖｅｒｍｇ）
出版１９６１年参照）。
最後に単位−Ｘ−Ｙ　ｉポリマー類似の反応によっても
前記のポリマー鎖に導入することができる。このような
方法１１例えばパレオス（Ｃ，Ｍ、　Ｐａ１ｅｏｓ　）
等著、Ｊ、　Ｐｏｌｙｍ、　ｓｃｉ、　Ｐｏｌｙｍ。
Ｃｈｅｍ、　Ｅｄ、第１９巻、１４２７頁（１９８１年
）に、及びフィンケルマン（Ｈ，Ｆｉｎｋｅ’１ｍａｎ
ｎ　）　”Ｊ著、Ｍａｋｒｏｍｏｌ、　Ｃｈａｍ、　Ｒ
ａｐｉｄ　Ｃｏｍｍｕｎ、　第１巻、３１．７３３（１
９８０年）に記載されている。
これらは例えば適当な化合物、例えば Ｈ，Ｃ−ＣＨ−Ｙ　（式中Ｙｌ″ｊ中間基である）を反
応性もしくは活性可能な主鎖、例えばポリ〔オキシ（メ
チルシリレン）〕に付加させることによって得ることが
できる。
一般にポリマー液晶ＰＦ’にの分子量は１０３〜１０５
の範囲内に、一般に５０００〜２０００００の範囲内に
あり、殊に約１０００００である（デル透過クロマトグ
ラ？イーにより　ＩｊｌｌＪ定）。
等方性相における粘度は（近似値として）１０４ポアｆ
の範囲にある。
本発明により使用される液晶ポリマーのがラス転位温度
（Ｔｇ）は一般に一４０℃〜１１０°Ｃの範囲内、特に
−１０℃〜８０℃の範囲内にある（ガラス転位温度Ｔｇ
について：ブランドルツブ（工、　Ｂｒａｎａｒｕｐ　
）及びインマーグツト（Ｅ、Ｈ，Ｉｍｍｅｒｇｕｔ　）
著、ポリマー・ハンドブック（Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｈａｎ
ｄｂｏｏｋ　）　第２版、ｌｌ−１３９、ウイリ（Ｊ、
　ＷＦｌｅｙ　）　１９７５年参照）。
装置 本発明による方法は有利に次に記載した装置に依り実施
する： 情報記憶処理のために提案された液晶ポリマーは書込み
レーザーの波長にその吸収性を適合させねばならない。
これは例えば適当な染料の混合によって又はポリマー鎖
中へそれを重合させることにより行なわれる。この際染
料分子自体は中間特性を示し得る。殊にその中間基自体
が、１００％、！合された中間染料の極端な場合にも相
応する要求された波長範囲で吸収するポリマー液晶分使
用することができる。従って記憶媒体の必要な吸光は染
料羨度により調整される。
適当な染料は文献から公知である。液晶相への混入のた
めの適当な染料としては、一連の条件を光たすものが挙
げられる（例えばコンスタント（Ｊ、　Ｃｏｎ５ｔａｎ
ｔ　）等著、Ｋ、　Ｐｈｙ、　Ｄ　：　Ａｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ、第１１巻、４７９頁以降（１９７８年）、ジ
：ｌ−７ｘ　（Ｆ、　Ｊｏｎｅｓ　）等著、　　Ｍｏ１
．　Ｃｒｙｓｔ。
Ｌｉｑ、　Ｃｒ５ｔａｌ、第３０巻、９９貞以降（１９
８０年）、欧州特許出願公開第４３９０４号明細龜同＠
５５８３８号明細書、同第６５８０９号明細書参照）。
染料は電界の作用下でイオン化すべきでなく、出来る限
り高い分子吸光係数及び同時に使用した液晶マトリック
ス（すなわち記憶媒体）中での良好な溶解性を有するべ
きであり、かつ化学的／光化学的に安定でなければなら
ない。相応の特性を有する染料は例えばアントラキノン
の群に見出せる（欧州特許出願公開第５６４９２号明細
書、同第４４８９３号明細書、同第５９０３（５号明細
書、同第５４２１７号明細書参照）。
適当なアゾ染料は例えば西ドイツ国特許出願公開第３４
０６２０９号明細誉に記載されている。記憶媒体での染
料の含ｆＵ有利に１〜５０重量％の範囲内にある。
側鎖中に中間基及び染料基を有するポリマーは、欧州特
許出願公！ｍ！７５７４号明細書、同第９０２８２号明
細書、同第１４０１３３号明細書の目的でおる（リング
ストルア　（Ｌ　Ｒ１ｎｇ８ｉｏｒｆ）、シュミット（
ＬＷ、　Ｓｃｈｍｉａｔ　）マクロモレキラーレ・ヒエ
ミイ（Ｍａｋｒｏｍｏｌ、　Ｃｈｅｍ、　）第１８５巻
１３２７〜１３３４頁（１９８４年）；レッジ（Ｂ、　
Ｒｅｅｋ　、）、リングストルア（Ｈ，Ｒｌｎｐｄｏｒ
ｆ）、Ｍａｋｒｏｍｏｌ、　Ｃｈｅｍ、　Ｒａｐｉｄ　
Ｃｏｍｍｕｎ、同様に参照）。
前記の式Ｉのポリマー液晶ＰＦＫと同様に繰り返し単位
−Ａ−Ｂ−が染料含有のモノマ一単位の主鎖要素を形成
することができる。従って相応のモノマーＡ’−Ｂ’−
Ｘ−τは基τ中に染料基を含有する。
同時に染料基である中間基Ｍの例として、基サー基−（
ＣＨ２）６−が有利である。
ポリマーは原則的には薄層（薄膜）又は積層の形で、固
体又は可憐性のマトリックス層の被覆として適用するこ
とができる。ポリマー液晶を含有する、もしくはそれか
ら成るｇ膜の厚さは有利に１０−３〜１０−６１７１の
範囲内にある。本発明による装置は本明細書中に記載し
た構成（第１図参照）において、２枚の平面的に平行に
配列した透明な板２、殊に適当な間隔、一般Ｋ　１　ａ
ｍ以下、殊に約１０μｍの間隔にあるガラス板よりなる
記録セル１を包括する。底面積は数ぼ２〜ａｍ２である
。ガラス板２の両内面を工ｎｏｚ／ＳｎＯ□で導電性に
蒸着し、導電性の接触部を外向きに得た。この様に準備
したガラス板２を温度安定性の接着剤、例えばシリコー
ン接着剤を用いて、それぞれ数Ｍｌ巾の入口及び出口の
み分有するセル状の内部空間を形成するように並んで固
定した。
この際両プラス板２の所望の間隔は殊にポリイミド−プ
ラスチックよりなる適度の寸法の２個の適当な間隔支持
体３により一定に調整する。
記録セルは（に電極４を有する。接着剤の乾燥後、等方
性状侭で存在する殊に式■の液晶ポリマーを加熱可能な
装置上でセルに光だす。な２空のセル室は毛管作用によ
ジボリマー浴礪液で完全に光たされる。
なお部分的に空いているセルの全円に対する方法の利点
は特に、気泡が閉じ込められることを確実に阻止するこ
とにある。更にこのように僅かな経費で一定の範囲内で
変動しつる形状寸法（外側寸法、間隔）を有する規格化
されたセルー未裏品を製造することができ、次いで必要
に応じてこれに第２過程で前記の方法で相応の液晶ポリ
マーを充たすことができる。配向は自体公知の方法で配
向された搗（整列場（〔１ραｔｆｉｅｌｄ）　）　、
特に磁界及び殊に電界の印加により又は界面活性を介し
て行なわれる。同様に必要な配向は適当な剪断又は延伸
によって形成することができる。電界の（有利な）適用
の場合には、そうして光填した記録セル１にＴｇ　（定
義前記参照）以上の温度で正弦形の交流電圧（係ａ　”
Ｉ　＝　５００　Ｖ　；　＝　Ｉ　ＫＭ　）　ｆ：印加
し、印／ＩＯ省圧の維持下で室温に冷却する。絶対透明
の液晶薄膜が得られ、これは等方性状態にある物質とは
純粋に視覚的に相違しない。液晶ポリマーのがラス転位
温度Ｔｇは室温Ｔａ以上でめる。室温としては２０゛Ｃ
の温度が挙げられる。情報の読取りは単色コヒーレント
光でポリマー薄ｍを照明することによって行なうことが
できる。情報の記憶のために液晶ポリマー薄膜の種々の
配向可能性が本発明による装置（第１図参照）で可能で
ある： １）中間基はポリマー薄膜層の平面法線に対して平行に
一様に整列される。これは（透明な）電極で被覆されな
板２上に交流電界を印加することによって（この際電界
はポリマー薄膜層の法線に対して平行にある）、磁界の
印加により又は表面処理によって行なうことができる。
２）中間基は薄膜平面に対して平行であるか又はそれに
対して煩むさ、かつ巨視的な前もって与えられた方向に
対して平行に配向される。これは・１当な物質、例えば
ポリイミドによる板２の被覆により、かつ所望の優先配
向に沿ったこの被覆の構造化により、又は例えば酸化珪
紫での基板の適当な斜方蒸着により行なうことができる
。
１）及び２）の両方の場合とも、配向は液晶状態で行な
われる。
配向を冷却によりガラス状態に凍１結する。Ｉ！Ｕ記の
ように製造した記録セル１は光学的情報の記憶のための
固有の記憶媒体を形成する。この方法は一般にポリマー
液晶分子を含有する記憶媒体中でポリマー液晶分子の秩
序状態の局部へ選択的変化に基づく。
記憶媒体中に含有される液＆Ｎ　ｌｌ１ｇは巨視的に配
向された、又は配向が乱れた形で存在し得る。
秩序状態の変化を局部的１界、磁界又は表面活性基によ
り行なうことができる。この際記憶媒体を局部的又は全
体的に熱源で加熱することができる。熱源が選択的に局
部的にｒ「用する場合には、秩序状態の変化を記１．は
媒体の全寸法を越えて作用する電界、磁界又は表面活性
基により誘起することかできる。特に有利な適用は散乱
中心効果及び非巌形元学的効果（光学的に誇発される７
Ｌ／デリツク（Ｆｒｅｄｅｒｉｋ　）　−Ｍ第１　）に
基づく。
す＃報記憶処理 散乱中心法 情報の記憶の最も簡単な方法は原則的に、配向された液
晶ポリマ一層を局部的に等方性相に変えるピント合せさ
れたレーザー光線を用いる散乱中心の形成にある。局部
的に生じた巨視的に等方性の範囲をガラス＠度以下で凍
、峻させる。
この際有利に次のように行なう二本発明により液晶ポリ
マーから形成した薄膜を干渉計での剤定により生じた格
子の干渉鏝大値で局部的に加熱することにより型温から
等方性相にまで／ＩＯ熱する。レーザー光線、例えばア
ルゴン−レーザーの波長５１４．５　ｎｍを有する光を
使用する。
ピント合せされたレーザー光線も使用し、その際レーザ
ー光線及び記憶媒体を定義した方法で互いに相対的に動
かす。
レーザー光線′ｊＭ：遮断し欠いで冷却することにより
、安定した配向が乱れた（巨視的に等方性）範囲となる
。それによって生じる散乱中心を光学的情報として読取
ることができる。１１報金通当な波長及び強度のノーず
一光巌で読み込み、かつ他の波長の他のレーザー光重で
情報を損なうことなく読取ることができるように、記憶
媒体の吸収性を有利に選択する。
記録される記録セルの記憶特性の評辿のための実験構成
はマツハーツエンダー（Ｍａｃｈ−Ｚｅｈａ乙ｒ）−干
渉計（エンサイクロペデイエ・ナチュアヴイツセンシャ
フト・ラント・テヒニツク（Ｋｎｃｙｃｌｏｐａｅｄｉ
ｅ　Ｎａｔｕｒｗｉｓｓｅｎｓｃｈａｆｔ　ｕｎｄＴｅ
ｃｈｎ工ｋ）第２巻、モデルネ・インダストリエ（Ｍｏ
ａｅｒｎｅ　Ｉｎａｕｓｔｒｉｅ　）出版１９８０年参
照）に基づく。これにより２本の直＋１偏光の平面部分
波金型ねるために１００μｍ及び１．０ｍの間の１間隔
を有する正弦形の強度格子を形成することができる。凸
レンズと結合させて球面波と平面波と重ねることによっ
て７レネルデーンプレートと同様の強度分布が実現され
る。
−非線形光学的効：＋４２−（光学的に誘起された７レ
デリツク遷移） 直線偏光されたレーザーの誉さ込み光源の電界は、液晶
分子の陽光可能なプラスの異方性のために位相物体とし
て第２のレーザービーム（ヘリウム−ネオン−レーザー
の直朦四尤す！シた波）によって睨み収ることができる
、屈折巡の局部豹変ＦＡを誘起する。このことは、液晶
分子を光学釣場の中では図的に局部的に再配向すること
によって達成される。この場合、この再配向（光学的ｉ
’（誘起されたフレデリック遷移）は、液晶重合体のが
ラス転移温度’ｒｇよりも高い温度で異方性相中で行な
われる。次の冷却の際に、屈折藁構造体は、Ｔ：ｇより
も低い温度で位相物体として凍結する。この場合、この
薄膜は、目で見て完全に透明のままであることができる
。
温度４節は、外部から加熱することによって行なうこと
ができ、この場合蓄込み波の周波数はあまり重要でない
。特に、温度を調節することは、４ｉＦき込み波を吸収
することによって行なわれ；冷却することは、ノーデー
を越祈する際に行なわれる。この場合、誓込み波は、２
つの条佇を同時に充足させるはずでめる： α）干渉最大についての光学釣場の強度は、選択された
夜晶亘合体に対して″′７レデリツクによるしきい値電
圧”よりも高くなけルばならない。
β）ｇ度は、吸収によって干渉段大の温度上昇が重合体
をガラス転移温度を越えるがネマティック相→等方性相
の相遷移の温度（ＴＮ工）を越えないで加熱するように
行なわれる程度に選択しなければならない。
レーず一波長及び液晶ポリマーの適当な調和により完全
な二元情報（可能な最大の再配向）のほかに種々の再配
向度が可能であり、このことは連続的位相変調に相応す
る。
本方法の工業的に極めて重要な観点は、光学的アナログ
技術に極めて重要であるような高い回折率を有する位相
物体を形成しうろことにある（慣用のホログラフィ−１
合成ホログラフィー）。
記載した記録セルの記ｔｌｉｔｔ！！ｊ性の評１曲のた
めの実験構成に、マツハーツエンダー−干渉計（エンサ
イクロペデイエ・ナチュアヴイツセンシャフト・ラント
・テヒニツク、４２巻、モデルネ・インダストリエ出版
１９８０年参照）に基づく。これによって２本の直線偏
光の平面部分波を憲ねることによって１００μｍ及び１
．０μｍの間の線間隔を有する正弦形の強度格子を形成
することができる。凸レンズと結合させて球面波と平面
波を重ねることにより強度分布ヲフレネル・戸−ンプレ
ートと同様に実現させる。
記憶された情報の消去 記憶された情報は原則的には電界又はｌＬａ界での温度
上昇（ＴＮ工以上）及び冷却により再び消去することが
できる。記憶された情報の消去は、局部的に電界又は磁
界における温度上昇及び欠いて冷却により、局部範囲で
本来の秩Ｆ！ｆ−状、櫟の復元下に再び復元することが
できる。記憶媒体の温度を上昇させ、かつ電界又は磁界
で冷却することによって、−沢的に全ての人力された情
報を消去し、かつ元来の状態をＵ元することができる。
この際有利に次の様に行なわれる： 第１書込み過程のための準備と同様に、液晶ポリマー中
に記憶された情報を、記録セルｉｆｃＴｇ以上に加熱し
、かつ次いで印加された交流電圧（概Ｈ値５００ＶＸＶ
＝１Ｋｈｚ）ｆ冷ｉｆることによって消去する。誉込み
過程及び消去過程を何度も繰り返した後に、実施された
処理のいずれの場合も記録セルでの不可逆変化は生じな
いことを確認した。
可逆的アナログデータ記憶 （第２〜５図参照） ＃紀したように、非線形光学的効果の適用は光学的方法
でデータをアナログ記憶させ、それを光学的に読み、必
要とめれば再び消去しかつ繰り返しデータを書込みする
可能性をもたらす。
データ記憶は本発明による記憶媒体中でホログラフィ−
法により行なわれる。一般に記憶すべき情報は表現可能
な物質構造、例えば物象又は二次元的に組織化された対
象、例えば印刷ページ又はグラフィック像に関する。こ
のために記憶すべ＠構造を単色コヒーレント光源で照射
する。同一の光源に由来する参照光波に比較して記憶す
べき構造体から分散された光の方向、振幅及び位相によ
って決定される干渉縞を、有利に巨視的に配向された液
晶ポリマーよりなる薄膜にホログラフィ−により記録し
かつ記憶させる（記憶媒体参照）。液晶ポリマー薄膜の
厚さは有利にこの際も１〜２０μｍである。平らに平行
の、透明板は透明なプラスチック例えばＰＭＭＡから又
は殊に燕儂ガラスから製造することができる。
記憶媒体中に有利に染料が存在する。この際染料分子は
液晶ポリマーの成分でめつｃ＆く、又はこれは記憶媒体
に加え″′Ｃ混合されかつその中で分配されていて良い
。液晶ポリマーのガラス転位温度’ｒｇは室温Ｔａ以上
にある。情報の読取りを単色コヒーレント光でポリマー
導膜を煕明することによって行なうことができる。情報
の記憶化のために本発明による装［１（ｍ　１図参照）
中で液晶ポリマー薄膜の種々の配向可能性が可能である
： １）中間基はポリマー薄膜層の平面法廟に幻して平行に
単一で整列される。これは（透明な）１！極で抜機され
た板２上に交流電界を印加することによって（この際゛
電界はポリマー薄膜層の法線に対して平行にある）、磁
界の印加により又は表面処理によって行なうことができ
る。
２）中間基はＫＭ平面に対して平行であるか又はそれに
対して傾むき、かつ巨視的な所定の方向に対して平行に
配向される。これは適当な物質、例えばポリイミドによ
る板２の被覆により、かつ所望の優先配向に沿ったこの
被覆の構造化により、又は例えば酸化珪素での基板の適
当な斜方蒸着により行なうことができる。必要な配向を
適当な剪断又は蝙伸により同様に行なうことがでさる。
１）＆び２）の両方の場合とも配向は液晶状態で行なわ
れる。
配向を冷却によりガラス状態に凍結する。
記憶化は前記の方法で行なわれ、その際単色光源として
、その波長が記憶媒体の吸収範囲にあるレーザーを使用
する。その波長がずっと少ない程度で記憶媒体によって
吸収されるレーザーを用いて読取る。この際記憶化及び
読取りは室温で固体薄膜で行なわれ得る。情報の消去は
異方性又は等方性範囲で試料をがラス転位温度Ｔｇ以上
で加熱することにより行なわれる。
可逆的デジタルデータ記憶 本発明のもう１つの形態は光学的方法でのデジタルデー
タ記憶に関し、その際この場合も情報の光学的方法での
読取り、消去及び再誉込みが意図されている。この際記
憶媒体の光学的に透明な、前もって配向された液晶ポリ
マー薄映中テ単色レーデー光線によりデジタル位相構造
が形成される。レーザー光線及び記憶媒体を一定の方法
で互いに相対的に動かし、レーザー光線の強度を変調す
る。記憶された情報の読取りは、記憶された情報に影響
を及ぼさない一定の強度及び適当な波長のレーザー光線
及び記憶媒体を一定１Ｃ…対的に移動させることによっ
て行なわれる。
記憶媒体の工業的準備（ポリマーの配列）は可逆的アナ
ログデータ記憶と同様に行なわれる。
記憶は前記の方法で行なわれ、この際単色光源として、
その波長が記憶媒体の吸収範囲にあるレーザーを使用す
る。その波長がずっと少ない程度で使用記憶媒体によっ
て吸収されるレーザーを用いて読取られる。この際記憶
及び読取りは室温で固体薄膜で行なわれ得る。情報の消
去はがラス転位温度Ｔｇ以上で異方性又は等方性範囲で
試料を加熱することによって行表われる。
可逆的合成ホログラフィ− この際前記の（可逆的デジタルデータ記憶のための）方
法でデジタル法で、書込み光線及び起上は媒体の一定の
相対的移動により、前もって配向された液晶プラスチッ
ク薄膜中に位相構造を形成する。再生はこの場合にはレ
ーザー光厭及び記憶媒体の一定の相対的移動によるデジ
タル記憶の場合と同様では々く、参照波での合成ホログ
ラムの完全な照明によって行なわれる。必要な強度変調
を確かめるために必要な情報は前もって計算により確か
められる。前記の方法は例えばレンズ等のような一定の
光学的特性を有する位相構造体の製造を可能にする。こ
れは計算によりデジタル形で行なわれるので、複雑な加
工処理（ガラス研磨、光沢）は著しく簡素化され得る。
この方法で製造した光学的構成部分（メガネ用ガラス、
レンで）のＭ量が僅かであることも極めて重要である。
有利な作用 可逆的光学的データ記憶のための本発明による装置は殊
に可逆的デジタル情報記憶（皿ＢＯＷ）の分野での適用
に好適である。もう１つの非常に重要な適用可能性はア
ナログ情報処理の分野で現われる（ホログラフィ−）。
その使用分野は殊に工業的プロセス制御で認められる。
光学的アナログ技術で、可干渉光学的相互ＩＪ　ｍ　ｋ
　４礎とする確認、分類及び試験のような製品管理の重
要な段階を極めて迅速で１つ効果的に処理することがで
きる。
液晶ポリマーの製造 本発明によＶ使用可能なポリマー、特に氏ｌのものは自
体公知の方法で製造することがでさる：西ドイツ国特許
出願公開第２７２２５８９号明細書、同第２８３１９０
９号明細書、同第３０２０６４５号明細書、同第３０２
７７５７号明細書、同第３２１１４００号明細書、欧州
４？杵出願公開第９０２８２号明１ｎ１１１書参照。
型：直接待合スペーサー−中間基 例としてＩＡ型の化合物の製造が記載されている（シベ
ーフ（ｖ、Ｐ、　８ｈｉｂａｅｖ　）等著、ヨーロピア
ン・ポリマー・シャーナル（ｆｏｕｒ、　Ｐｏｌｙｍ。
Ｊ、）第１８巻６５１頁（１９８２年）参照）。
他に記号が使用された場合には、それは前記のものに相
応する。この際式■： Ｂｒ−（ＣＨ２）ｎ’　−ＣＯＯＨｍ 〔式中♂はｎ−１と同じものを表わすＪの化合物から、
殊にＤＭＦ中で、無機の酸りＯリド、例えば５ｏｃｔ２
　を用いて、化合物■；Ｂｒ−（ＣＨ２）、／　−ＣＯ
Ｃ／、　　　　　　　ｌＶに変換することができる。
ツ これをフリーデル−クラ７／　（Ｐｒ１ｅｄｅｌ−Ｃｒ
ａｆｔ日）−反応で、？１１えはニトロペンゾール中で
ジフェニルを用いて式ｖ二 Ｂｒ−（ＣＨ２）Ｃ１’　−Ｃｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｃ６Ｈ５
”ｌ／の化合物に変換することができ、これを例えば水
素化アルミニウムリチウムで化合物■：Ｂｒ−（ＣＨ２
）ＣＬ−Ｃ６Ｅ１４−Ｃ６Ｈ６ＶＩに還元する。
これをＣＬ２ＣＨＯＣ４ＨＱ及び四塩化チタンと反工６
させて化合物Ｖｆｆ二 にすることができる。化合物シｉｔヒドロキシルアミン
ー塩と有利に塩基例えばビリシンの存在で反応させてオ
キシムにし、これを脱水剤により、例えば無水物、例え
ば無水＃鍍金用いてニトリルＶｌ に変換することができる。
化合物ＶＩヲ例えばＤＭＦ中で（メタ）アクリル酸の塩
と反応させることにより、ｉＡａ型：〔式中Ｒ１は水素
原子又はメチル基を表わす〕の化合物が得られる。
例えば化合物Ｖ及び（メタ）アクリル酸の塩かう直接化
合物ＩＡｂ二 ■ ＣＨ２−Ｃ−Ｃｏｏ−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ６Ｈ，−Ｃ６Ｈ
５１Ａ１：＋を同様に°４造することができる。
型：エーテル僑？介する結合スペーサー−中間基 列としてはＩＡ型の化合物の構造が記１戒されている（
シベーフ者、前記引用文参照、プレー）　（Ｎ、Ａ、　
Ｐｌａｔｅ　）、シペー７著、ジャーナル・オデ・ポリ
マー・サイエンス・ポリマー・シンポジ７　（Ｊ、　Ｐ
ｏｌｙｍ、　Ｓｃｉ、　Ｐｏｌｙｍ、　Ｓｙｍｐｏｓ、
）（ｚσｐＡｃ１９７８　）−３６７巻１頁（１９８０
年）参照）。
化合物ｌＶを例えば水訛化アルミニナム“リチウムを用
いてエーテル中で還元して化合物■：Ｂｒ−（ＣＨ２）
ａ−ＯＨ（／。
とし、これを化合物■： ＫＯ−Ｃ，Ｈ，−Ｃ，Ｈ，−ＣＮ　　　　　　　Ｍと、
例えばメタノール中で反応させて、化合物■二 ＨＯ−（ＣＨ２）ｔｌ−０−Ｃ，Ｈ４−Ｃ６Ｈ，−ＯＮ
　　　　、１にする。
ヒドロキシ化合＃！Ｉ■７＆：（メタ）アクリルばのク
ロリドで酸２容体、例えばをアずンの存在で化合物ＩＡ
ｃ二 ＣＨ２−Ｃ−Ｃｏｏ−（ＣＨ２）ｎ−０−ｆコ、［（、
−Ｃ，Ｈ，−ＣＮＡｃ に変換する。
構造ＩＡ及び１１！１−１Ｊに関して大きく変え得るこ
とによって次の合成法が可能である（ボルノがル（Ｍ、
　Ｐｏｒｔｕｇａｌｌ　）　、リングストルア（Ｈ，Ｒ
ｌｎｇｓｄｏｒｆ　）、ツニンテル（Ｒ，Ｚｅｎｔｅｌ
　）著、マクロモレキュラーレ・ヒエミー（ＭａｋｒＯ
−ｍＯｌ、　ｃｈｅｍ、）　１８３巻２６１１頁（１９
８２年）；リングストルア、シュネラー（Ａ、　５ｃｈ
ｎθ１ｌｅｒ　）著、Ｂｒ１ｔ、　Ｐｏｌｙｍ、Ｊ、ｍ
ｌ　３惨４３ｇ（１９８１年）参照）。
この際化合物Ｘに かう、化合物Ｘｆｆ　： ＨＯ−（ＣＨ２）。−ＣＬ　　　　　　　　ｘＩＶとの
反応により、塩基の存在で、ぽＸｖ：ｔ　１！７！造す
る。こｔｕを１（メタ）アクリル酸で酸触媒下、例えば
ｐ−ドルオールスルホン酸を用いてクロロホルム中で（
メタ）アクリル酸エステルＸ■： に変換する。化合物ＸＶＩを例えば■と同様に酸クロリ
ドに変換することができ、これをフェノールで、もしく
はｐ−位で置換されたフェノールで化合物１１二 Ｊｎ もしくは化合物１ｚｓ　　ＩＦ％　　１０％　　ＩＨ％
　　ＩＪに変換することができる。
型二エステル基を介する結合スペーサー−中間価 例としてはＩＡ型の化合物の製造が記載されている（プ
レート等著、前記引用文中参照；シベーフ等著、前記引
用文中参照）が、この方法は中間基ＩＡ〜（、ＴＫ対し
て一般に使用可能である。この際化合物■から中間基に
相応のパラ−フェノールと、殊に酸結合剤の存在でかつ
不活性溶剤例えばＴＨＩＦ中で反応させて、飼えば化合
物Ｘ■： にすることができる。その他の反応は（メタ）アクリル
酸の塩で行なわれる。対掌性中心Ｒを有する化合物のた
めの例として次の合成が挙げられる： のビフェニルジフェノールをＥＸＩＸ：ＢＲ−ＣＨ２−
Ｃ’Ｅ（−（、’２Ｈ。
ＣＥ。
のプロミドとアルカリ金属アルコラードの存在で反応さ
せて、フェノールＸＸ： にする。
塩Ｊｋ　’１７５　ｆＪＵ下エタノール中で化合物口と
の反応により、アルコールＸＸＩ ＣＨ３ＸＸ［ が得らル、これと（メタ）アクリルばてエステル化する
。
反応ＸＩＶ〜Ｗと同様にし工、化合物ＸＩＹがら式Ｘ■
二 のフェノールとの反応により、塩基、例えば苛性カリ浴
液の存在でアセトン中で、式ｘｘｉｔｔ　：のアルコー
ルを、・製造することがでさ、これを（メタ）アクリル
酸クロリドとの反応により■Ｂ型の化合物に変換するこ
とができるっ式■の酸アミドは例えば（メタ）アクリル
酸クロリドと式Ｘｘｒｖ二 ＨＮ−（ＣＨ２）、−ＣＯＯＨＸＸＩＶのアミンとの反
応によって（メタ）アクリル咳アミ　ドＸＸＶ　： を得ることかでさ、これを例えばｃをｃ−ｏｃａ３との
反らにより不活性塩基の任在で中間基？有するフェノー
ル、例えばＸＸＶＩ でＩＤ型の化合物に変換することがでさる。
モノマーの重合 モノマー、例工ば■型のモノマーの重合の場合には公知
技術水準の１合法に依ジ行ｔうことができる（ホウベン
−ワイル（Ｈｏｕｂｅｎ−Ｗｅｙｌ　）、第４版、１４
／１巻、デオルグ・テイーメ（ＧｅｏｒｇＴｈｉｅｍｅ
　）出版１９６１年、ラウツヒーデンチがム（Ｈ，Ｒａ
ｕｃｈ−Ｐｕｎｔｉｇａｍ　）　Ｔｈ。
Ｖｏｅｌｋｅｒ　”アクリル−・ラント・メタクリルウ
エアビンドウングン（Ａｃｒｙｌ−ｕｎｄ　Ｍａｔｈａ
ｃｒｙｌｖｅ　−ｒｂｉ　ｎｃＬｕｎｇｅｎ　）”スジ
リンガ−（Ｓｐｒｉｎｇｅｒ　）出版、ベルリン１９６
７年；キルクーオスマー（Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ　）
　第３版、第１８轡、ウイリイ（、Ｔ、　ｆｉｌｅ７　
）　１９８２年、シルドクネヒット（８ｃｈｉｌｄｋｎ
ａｃｈｔ　）、スケイスト（５ｋｅｉｓｔ　）、ポリメ
リゼイション・プロセスズ（Ｐｏｌｙｍθｒｉｚ−ａｔ
ｉｏｎ　Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ　　）、第２９巻１ノ）イ
　・ボリマーズ（Ｈｌｇｈ　Ｐｏｌｙｍｅｒｓ　）　’
　１３３貞（ウィリ−インターサイエンス（ＷｌｌｅＴ
−工ｎｔｅｒｓｃ１ｅｎｃｓ　）１９７７年）参照）。
式■の化合物の重合のためにはラジカル重合が重要であ
る。例えば溶液重合、懸濁／乳化重合又は粒状重合が挙
げられる。例えば常用のラジカル開始剤、例えばアゾ−
又はベル化合物（ラウツヒーゾンチがム、ゲルケル前記
引用文中参照又＜シラントラップ−インマーグツト（Ｂ
ｒａｎｄｒｕｐ−Ｉｍｍｅｒｇｕｔ　）、月ポリマーハ
ンドズック前記引用文中参照）をその為に所定の量で、
例えば七ツマ−に対して０．１〜１重を俤で使用する。
（典型：アゾイソブチロニトリル、過酸化ジベンゾイル
、過酸化シラクロイル〕。場合により重合は調整剤例え
ば常用の硫黄、ｆｉｌＪｉ剤を一般に七ツマ−に対して
０．０５〜約２ｆｆｉ量チの割合でｉｊ用することによ
□って調整することができる（同様に西ドイツ国特許出
願公開 第１０８３５４８号明？＃Ｊ４参照）。
常用の温度管理及び後処理法も同様に行なわれる。
方法は式Ｉの（メタ）アクリル化合物に基づ１０Ｒ２ 溶液重合法二 式Ｉのモノマー約０．３５モルヲトルオール８５０ａ中
に溶解する。これにアゾイソブチロニトリル１．８ミＵ
モルを加え、約８時間不活曲がス下で約６６６°にで加
熱する。
生成したポリマーを沈殿剤例えばメタノール１２００モ
ルでの沈殿によジ得、分離しかつ】」轟な溶剤、列えば
ジクロルメタン中の浴＃＆びメタノールでの新たな沈殿
によりｌＩｌ製する。
引続きそうして得られる、一般に粉末−粘稠物を水流真
窒で約５０６°にで亘憧が一定するまで乾燥することが
でさる〇 ガラス転位温度及び透明点の温ｉｇ、を熱分析により測
定する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明方法を実施するだめの装置を示す略示縦
析面図、であり、 第２図はアナログ光学的に示した２本の平面波のホログ
ラムの線図であり、この場合十字格子間隔は４μｍもし
くは１５μｍであり、第６図は第１図からの十字格子の
フラウンホーファー回折像を示す略図でるり、 第第１司・はアナログ光学的に示した球可波のホログラ
ムの線図であり、この場合フレネルｒ　−ンプレートの
中心直径は２００μｍでｆりり。 第５１Δは虚像物体球面波及び実像物体球面波の再構１
戊を示す略図である。 １・・・記録セル、２・・・ガラス板、３・・・間隔支
持第２区 ≧、・１１、粂、≧・虫さ々ミ、→１ミ１１≦ミミＩ勢
ミＩ砧■導ミ１第１＆ｊミＩ冬いミ冬弛ミ溢Ｐ々ぜ、・
状・第３図 第５図 手続補正書（方式） ％式％ ２、発明の名称 可逆的光学的情報記憶法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 名　称　レーム・ゲゼルシャフト・ミツト・ベシュレン
クテル・ハフツ／グ ４、代理人 ３、補正の対象 （１）明細書の図面の簡単な説明の馴 （２）　　図　面 ７、補正の内容 （１）　　明細書力５８頁躬１７行の「線図Ｊを「写真
」と補正する。 −同第５８頁第２０行の「略図」を「写真」と補正する
。 −同第５９頁第２行の「線図」を「写真」と補正する。 −同第５９頁粥５行の「略図」を「写真」と補正する。 （λ）→　別紙のとおり 但し図面の浄書（内容に変更なし） ８、　添付書類の目録 １、　上申書 ２、　　図　　面

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、液晶記憶媒体により可逆的光学的に情報を記憶させ
    るために、異方性相における液晶側鎖ポリマーよりなる
    薄膜に、電界、磁界又は表面活性場を組合せた局部的に
    作用する熱源を用いて局部的再配向により情報を記憶さ
    せることを特徴とする可逆的光学的情報記憶法。 ２、記憶媒体として巨視的に配向されたポリマー液晶薄
    膜を使用する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、記憶媒体として巨視的に配向が乱れた液晶薄膜を使
    用する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ４、情報記憶処理を行なう記憶媒体の温度は、液晶側鎖
    ポリマーのガラス転位温度Ｔｇ以下の形状安定状態の範
    囲にある特許請求の範囲第１項記載の方法。 ５、情報記憶処理を行なう記憶媒体の温度は、液晶側鎖
    ポリマーのガラス転位温度Ｔｇ以上の粘弾性状態にある
    特許請求の範囲第１項記載の方法。 ６、記憶された情報を消去するため及び巨視的に配向さ
    れた初期状態を復元するために局部的に温度を上昇させ
    次いで電界、磁界又は表面活性場で冷却させることによ
    り、初期配向状態を局部範囲で復元させる特許請求の範
    囲第１項又は第２項に記載の方法。 ７、入力された全情報を消去するため及び巨視的に配向
    された初期状態を復元するために、記憶媒体の温度を上
    昇させかつ電界、磁界又は表面活性場で冷却させる特許
    請求の範囲第１項又は第２項記載の方法。 ８、入力された全情報を消去するため及び巨視的に配向
    が乱れた状態を復元するために、記憶媒体の温度をＴ＿
    Ｎ＿Ｉを越える温度に上昇させ、次いで冷却させる特許
    請求の範囲第１項から第３項までのいずれか１項に記載
    の方法。 ９、使用する液晶ポリマーを温度上昇により異方性の液
    相にさせる特許請求の範囲第６項又は第７項記載の方法
    。 １０、使用する液晶ポリマーを温度上昇により等方性相
    にさせる特許請求の範囲第６項又は第７項記載の方法。 １１、液晶ポリマーは１０＾３〜１０＾５の範囲内の分
    子量Ｍｎを有する特許請求の範囲第１項から第１０項ま
    でのいずれか１項に記載の方法。 １２、熱源としてレーザーを用いて方法を実施する特許
    請求の範囲第１項から第１１項までのいずれか１項に記
    載の方法。 １３、適当な波長及び適当な強度のレーザー光線で情報
    を記憶させ、かつ記憶された情報を損なうことなしに、
    他の波長のレーザー光線で読取ることができるように記
    憶媒体の吸収挙動は選択されている特許請求の範囲第１
    項から第１２項までのいずれか１項に記載の方法。 １４、液晶ポリマーの中間側鎖はスメクチツク型のもの
    である特許請求の範囲第１項から第１３項までのいずれ
    か１項に記載の方法。 １５、液晶ポリマーは、アクリレート型及び／又はメタ
    クリレート型に属するモノマーから構成されている特許
    請求の範囲第１項から第 １４項までのいずれか１項に記載の方法。 １６、液晶ポリマーは、ポリエステル型に属するモノマ
    ーから構成されている特許請求の範囲第１項から第１４
    項までのいずれか１項に記載の方法。 １７、配向状態の変化を電界を印加することによつて達
    成する特許請求の範囲第１項から第１６項までのいずれ
    か１項に記載の方法。 １８、巨視的に配向された薄膜は２枚の重なり合つて配
    置された板又は薄膜の間に存在する特許請求の範囲第１
    項から第１７項までのいずれか１項に記載の方法。 １９、記憶媒体はその吸収挙動が書込みレーザーの放射
    波長に適応している特許請求の範囲第１項から第１８項
    までのいずれか１項に記載の方法。 ２０、記憶媒体はその吸収挙動が書込みレーザーの放射
    波長に適合している染料を含有する特許請求の範囲１９
    項記載の方法。 ２１、液晶ポリマーは染料含有コモノマー単位を重合さ
    せることによりその吸収挙動が書込みレーザーの放射波
    長に適合している特許請求の範囲第１９項記載の方法。 ２２、記憶媒体の必要な吸光度を染料濃度により調整す
    る特許請求の範囲第１３項から第２１項までのいずれか
    １項に記載の方法。 ２３、読取り波長は書込み処理に重要な染料の吸収最大
    の外にある特許請求の範囲第１項から第２２項までのい
    ずれか１項に記載の方法。 ２４、図示可能な物質構造体から出発して、記憶すべき
    構造体を単色コヒーレント光源で照射し、かつ記憶すべ
    き構造体から散乱された光の方向、振幅及び位相によつ
    て、同じ光源から発する参照光波と相対的に定められる
    干渉縞を、記憶媒体としての液晶側鎖ポリマーよりなる
    巨視的に配向された薄膜を包含する装置中でホログラフ
    イーで記録しかつ記憶させる特許請求の範囲第１項から
    第２３項までのいずれか１項に記載の方法。 ２５、アナログ光学的に記憶された情報の読取りは、単
    色コヒーレント光で巨視的に配向された薄膜を照明する
    ことによつて行なわれる特許請求の範囲第２４項記載の
    方法。 ２６、記憶させるために任意の横断面のレーザー光線に
    よりデジタル位相構造を記憶媒体としての巨視的に配向
    された薄膜中に生起させる特許請求の範囲第１項から第
    ２３項までのいずれか１項に記載の方法。 ２７、レーザー光線及び記憶媒体を、情報の記憶化の際
    並びに読取りの際に、一定の方法で互いに相対的に移動
    させる特許請求の範囲第 ２６項記載の方法。 ２８、記憶化の際に移動中にレーザー光線の強度を適当
    な方法で変調する特許請求の範囲第２６項又は第２７項
    記載の方法。 ２９、デジタル法で記憶化処理の際に所定の強度変調に
    より位相構造を記憶媒体中に生起させ、得られた合成ホ
    ログラムを参照波で照明することによつて再生を行なう
    特許請求の範囲第２６項記載の方法。 ３０、位相構造を生起させるために必要な強度変調を計
    算により確かめる特許請求の範囲第２９項記載の方法。 ３１、生起された情報密度（単位長さ当りの線の数で表
    わされる）を全部で３つの座標軸に対して一方では記憶
    媒体の線測定により、かつ他方では１ｍｍ当り最高２０
    ００本の線により制限する特許請求の範囲第２４項から
    第３０項までのいずれか１項に記載の方法。
JP62022647A 1986-02-04 1987-02-04 可逆的光学的情報記憶法 Pending JPS62283433A (ja)

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