JPS62283433A - 可逆的光学的情報記憶法 - Google Patents
可逆的光学的情報記憶法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
6 発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は、ポリマー液晶を1史用しながら可逆的光学的
にデータを記憶させる方法に関するものである。
にデータを記憶させる方法に関するものである。
従来の技術
固体の結晶相と流動性の溶融液(以下等方性溶a液とし
て表示する)との間で、一定の物質に中間相が現われ、
これは構造的及び力学的観点から秩序のある結晶状態並
びに秩序のない藩融状憑の性質とそれ自体の中に合せ持
つ。従ってこの相は流動性で(儂あるが、例えば結晶性
物質、しかし同様に部分的結晶性物質の大多数について
特有でるる光学的特性を有する二これは7f)!、屈折
性である。すぐに認めることがでさることから中間相(
メソ相)又は液晶相ともとう。
て表示する)との間で、一定の物質に中間相が現われ、
これは構造的及び力学的観点から秩序のある結晶状態並
びに秩序のない藩融状憑の性質とそれ自体の中に合せ持
つ。従ってこの相は流動性で(儂あるが、例えば結晶性
物質、しかし同様に部分的結晶性物質の大多数について
特有でるる光学的特性を有する二これは7f)!、屈折
性である。すぐに認めることがでさることから中間相(
メソ相)又は液晶相ともとう。
この中間相は温度変化により得られ(この場合には熱互
変液晶という)、又は液状で4度変化によっても得られ
る。次に熱互変液晶のみ全考察する。この中間相の存在
範囲を特徴付けるために、一般に例えば熱量測定による
か又は閣光顕微貌により定められる、結晶状態から液晶
状態への転移温度並びに液晶状態から等方性溶融状態(
透明点)への転移温度を示す。更に種々の液晶状態が存
在する場合には転移温度を泪旨して定めることが示され
る。中間相が発生することは分子幾可学における特殊性
と関係し工いる。球状対称分子は中間相を形成すること
は出来ないが、分子はその形態を大まかに円筒状又に小
円板状として特徴付けることができる。この際分子は剛
直性であって良く、その最大寸法と最小寸法との比(例
えば円筒長さ/円筒直径)は約3の臨界値を明らかに越
えなくてはならない。
変液晶という)、又は液状で4度変化によっても得られ
る。次に熱互変液晶のみ全考察する。この中間相の存在
範囲を特徴付けるために、一般に例えば熱量測定による
か又は閣光顕微貌により定められる、結晶状態から液晶
状態への転移温度並びに液晶状態から等方性溶融状態(
透明点)への転移温度を示す。更に種々の液晶状態が存
在する場合には転移温度を泪旨して定めることが示され
る。中間相が発生することは分子幾可学における特殊性
と関係し工いる。球状対称分子は中間相を形成すること
は出来ないが、分子はその形態を大まかに円筒状又に小
円板状として特徴付けることができる。この際分子は剛
直性であって良く、その最大寸法と最小寸法との比(例
えば円筒長さ/円筒直径)は約3の臨界値を明らかに越
えなくてはならない。
ところでこのような中間相の構造は、円筒形分子につい
て最も簡単な場合には、いわゆるネマチック相中で分子
中心が等方性溶融液の場合と同様に無秩序で分布してお
り、−万分子の長袖が互いに平行に方向づけられている
ことを示す。これは等方性溶融液Vcf?ける状態とは
異なっていて、そこでは分子軸は統計的に分布されて存
在する。従って、異方性の機械的性質、′成気的住質を
生じ、しから光学的性質をも生じる。
て最も簡単な場合には、いわゆるネマチック相中で分子
中心が等方性溶融液の場合と同様に無秩序で分布してお
り、−万分子の長袖が互いに平行に方向づけられている
ことを示す。これは等方性溶融液Vcf?ける状態とは
異なっていて、そこでは分子軸は統計的に分布されて存
在する。従って、異方性の機械的性質、′成気的住質を
生じ、しから光学的性質をも生じる。
そのを、コレステリック相の場合には、付加的な秩序原
理として分子長軸の配列方向の連続的ならせん状変化が
付随し、このことは特有の光学的特性、例えば強い光学
活性又は光の選択的反射を導く。いわゆるスメクチック
相では、やはり前杷のネマチック状態について特徴付け
られているような配向秩序に補足して、分子の重心が空
間内で規則的に、例えば立体的な軸に沿ってのみ配置さ
れることがさらに加わるが、別のスメクチック変態では
2木又ぽ全部で3本の相互に独立した軸に沿って配置さ
nることがさらに茄わる。それにも拘らず、この相(グ
液状である・小円板状分子、・よいわゆるディスコチッ
ク相を形成することかでさ、その相では標準小円板のみ
が互いに平行に配列されている(ネマチック相参照)か
又はその相では小円板は円柱内で規則的に又は不規則的
に配列されている。この場合には円柱構造という。
理として分子長軸の配列方向の連続的ならせん状変化が
付随し、このことは特有の光学的特性、例えば強い光学
活性又は光の選択的反射を導く。いわゆるスメクチック
相では、やはり前杷のネマチック状態について特徴付け
られているような配向秩序に補足して、分子の重心が空
間内で規則的に、例えば立体的な軸に沿ってのみ配置さ
れることがさらに加わるが、別のスメクチック変態では
2木又ぽ全部で3本の相互に独立した軸に沿って配置さ
nることがさらに茄わる。それにも拘らず、この相(グ
液状である・小円板状分子、・よいわゆるディスコチッ
ク相を形成することかでさ、その相では標準小円板のみ
が互いに平行に配列されている(ネマチック相参照)か
又はその相では小円板は円柱内で規則的に又は不規則的
に配列されている。この場合には円柱構造という。
特徴的かつ適用に極めて鼠要な液晶構造の大きさtよ、
配向秩序の良さに対する1つの尺度である配向の秩序パ
ラメーターである。その値は、全ての分子長軸が完全に
方向性を失なった場合(等方性溶融物における様に)0
及びそれが完全に平行に配向された場合1との間にある
。
配向秩序の良さに対する1つの尺度である配向の秩序パ
ラメーターである。その値は、全ての分子長軸が完全に
方向性を失なった場合(等方性溶融物における様に)0
及びそれが完全に平行に配向された場合1との間にある
。
表示構Fy、要素、懐中計算機、腕時計又はデジタル計
測器のよう々工業的製品における液晶物質の広汎な普及
は、いわゆるディレクターによって代表することができ
る配列方向を、外部から作用する電界、電界又は機械釣
場によって善感に変えることができるという特性に基づ
く。
測器のよう々工業的製品における液晶物質の広汎な普及
は、いわゆるディレクターによって代表することができ
る配列方向を、外部から作用する電界、電界又は機械釣
場によって善感に変えることができるという特性に基づ
く。
それによってひき起こされた光学的特性における変化は
、表示構成要素における他の要禦、例えば偏光子、セル
壁尋と組合せ工情報表示のために適用することができる
。その際セル壁は液状中間相の保護に用いられ、かつ液
晶薄膜の要求された巨視的形態を与える。
、表示構成要素における他の要禦、例えば偏光子、セル
壁尋と組合せ工情報表示のために適用することができる
。その際セル壁は液状中間相の保護に用いられ、かつ液
晶薄膜の要求された巨視的形態を与える。
近年、液晶相の時性とポリマーのそれと全組合せること
が多くの適用範囲に有利であり得ることが知られて来た
。その際有利なポリマー特性は良好な機械的特性であり
、これはその様な物質から薄い、形状安定の薄膜を製造
することを可能にし、並びに凍結過程(ガラス転移)を
起こさせることは所定の配向構造の固定を可能にさせた
。例えば熱噴計で測定可能ながラス転位温度τgの表示
は、固体の液晶相の存在範囲を明らかにするのに用いら
れる。ポリマーはこの温度以上で粘弾性又は粘塑性状態
を示す。
が多くの適用範囲に有利であり得ることが知られて来た
。その際有利なポリマー特性は良好な機械的特性であり
、これはその様な物質から薄い、形状安定の薄膜を製造
することを可能にし、並びに凍結過程(ガラス転移)を
起こさせることは所定の配向構造の固定を可能にさせた
。例えば熱噴計で測定可能ながラス転位温度τgの表示
は、固体の液晶相の存在範囲を明らかにするのに用いら
れる。ポリマーはこの温度以上で粘弾性又は粘塑性状態
を示す。
一般的に液晶相の形成のための、かつ特にポリマー系に
おけるこのような相の形成のための理論甚びに実験的所
見は、可決性のスペーサー基及び可決性の側分子と績合
した、剛直性の中間構造単位(例えばこれに低分子の液
晶について特徴的である)の使用により液晶ポリマーを
導くことを示す。その際極めて種々の構造原理が可能で
ある。中間基側鎖一液晶の群に2いては、可焼性のスペ
ーサーを介して、場合によりこのスペーサー燕しでも、
可決性又は半可撓性の主鎖に固定している。この際中間
基では円筒状又は小円板状が重要である。この除主頌は
、可撓性巣立によって分離されている中間基を官有する
こともできる。1個のポリマー内に種々のスペーサー及
び/又は中間基が生起することを特徴とするコポリマー
は同様に液晶相を形成することができる。
おけるこのような相の形成のための理論甚びに実験的所
見は、可決性のスペーサー基及び可決性の側分子と績合
した、剛直性の中間構造単位(例えばこれに低分子の液
晶について特徴的である)の使用により液晶ポリマーを
導くことを示す。その際極めて種々の構造原理が可能で
ある。中間基側鎖一液晶の群に2いては、可焼性のスペ
ーサーを介して、場合によりこのスペーサー燕しでも、
可決性又は半可撓性の主鎖に固定している。この際中間
基では円筒状又は小円板状が重要である。この除主頌は
、可撓性巣立によって分離されている中間基を官有する
こともできる。1個のポリマー内に種々のスペーサー及
び/又は中間基が生起することを特徴とするコポリマー
は同様に液晶相を形成することができる。
この側鎖液晶のほかに、主鎖−ポリマーも一定の条件下
で液晶相を示す。このための条件は、鎖が剛直性基から
完全に構成されているか、又は剛直性及び可読性の基か
ら構成されているかである。種々の中間基及び/又はス
ペーサー基より成るコポリマーは同様に液晶相を形成す
ることができる。中間基はむしろ円筒状もしくはむしろ
小円板状の形態を示し得る。中間相の特性並びにこの柑
並びにガラス状態の存在範囲は、中間基の構造を介して
、スペーサーの長さ及びスペーサーの可焼性、主鎖の可
決性を介して並びにその立体規則度及び長さにより近似
的に調整することができる。従来実際に市場では、剛直
性単位を除いた主鎖ポリマー(B工による)又は主に剛
直性単位を有する主鎖ポリマーが等大されているにすぎ
ない。これはg度及び剛直性に対して極めて高い値を示
す一自己硬化性熱可塑性プラスチックという。その使用
分野は極端に機械的特性が要求されている工業的な一部
Oテ、fl)る(キルクーオy、 マー ) (Kir
k−Othmer )著、エンサイクロペディア・オデ
・ケミカル・チクノロシイ(F!ncyclopedi
a of ChemicalTeohnology )
第3版、渠14轡、第第14〜421貞(1984年)
;ヴエンドル7(1、H,Wendorff )著、タ
ンストストツフエ(Kuuatstoffe ) 礪7
5 巻、524〜528貞(1983年):ドッグ(M
、G、 pobb )著、J、L Me工ntyre
Adv、 Polym、 Sci、30/ 61巻、6
1〜98頁(1984年)参照)。
で液晶相を示す。このための条件は、鎖が剛直性基から
完全に構成されているか、又は剛直性及び可読性の基か
ら構成されているかである。種々の中間基及び/又はス
ペーサー基より成るコポリマーは同様に液晶相を形成す
ることができる。中間基はむしろ円筒状もしくはむしろ
小円板状の形態を示し得る。中間相の特性並びにこの柑
並びにガラス状態の存在範囲は、中間基の構造を介して
、スペーサーの長さ及びスペーサーの可焼性、主鎖の可
決性を介して並びにその立体規則度及び長さにより近似
的に調整することができる。従来実際に市場では、剛直
性単位を除いた主鎖ポリマー(B工による)又は主に剛
直性単位を有する主鎖ポリマーが等大されているにすぎ
ない。これはg度及び剛直性に対して極めて高い値を示
す一自己硬化性熱可塑性プラスチックという。その使用
分野は極端に機械的特性が要求されている工業的な一部
Oテ、fl)る(キルクーオy、 マー ) (Kir
k−Othmer )著、エンサイクロペディア・オデ
・ケミカル・チクノロシイ(F!ncyclopedi
a of ChemicalTeohnology )
第3版、渠14轡、第第14〜421貞(1984年)
;ヴエンドル7(1、H,Wendorff )著、タ
ンストストツフエ(Kuuatstoffe ) 礪7
5 巻、524〜528貞(1983年):ドッグ(M
、G、 pobb )著、J、L Me工ntyre
Adv、 Polym、 Sci、30/ 61巻、6
1〜98頁(1984年)参照)。
可決性及び剛直性単位上官するポリマーは市場に出され
た系においてケ工未だ便用さ才L″′Cいない。その利
点は、91II鎖−液晶に比べて高い配向の秩序パーラ
メーター値にある(ノニル(C,Noel) 、ラウプ
レトレ(F’ 、 Laupre tre )、フリー
ドリツヒ(C,?riedrich ) 、ファゴーレ
(B、 Fagolle )、ポゾオ(L、 Bosi
o )者、ポリ−r−(Po1.ymer )fJ25
合80合一08〜81(1984年);ヴンダーリツヒ
(B、 Wuoierlich)著、工、 Grebo
wicz Adv、 Polymer、 Sci、 $
30/61巻1〜30頁(1984年)参照)。中間
側基を有するポリマーもかなり最近より強く注目されて
来た(フィンケルマン(H,Finkelohnn)著
、“ポリマー・リフイド・クリスタルズ(Polyme
r Liquid Crystalg ) ”アカデミ
ツク・プレス(Academic Frees ) (
1982年);フィンケルマン(H,iFinkalm
ann ) 、レーアデ(G、 Rshage )著、
Adv、 Polym、 Sci、 M 30/61巻
、第99〜172頁(1984年);シバエフ (V、
P、 Shi’baav ) 、プラト(N、LPls
t、d )著、Adv、 Polym、 8ai、 第
30 / 61 舎、第176〜252頁(1984年
)参照)。
た系においてケ工未だ便用さ才L″′Cいない。その利
点は、91II鎖−液晶に比べて高い配向の秩序パーラ
メーター値にある(ノニル(C,Noel) 、ラウプ
レトレ(F’ 、 Laupre tre )、フリー
ドリツヒ(C,?riedrich ) 、ファゴーレ
(B、 Fagolle )、ポゾオ(L、 Bosi
o )者、ポリ−r−(Po1.ymer )fJ25
合80合一08〜81(1984年);ヴンダーリツヒ
(B、 Wuoierlich)著、工、 Grebo
wicz Adv、 Polymer、 Sci、 $
30/61巻1〜30頁(1984年)参照)。中間
側基を有するポリマーもかなり最近より強く注目されて
来た(フィンケルマン(H,Finkelohnn)著
、“ポリマー・リフイド・クリスタルズ(Polyme
r Liquid Crystalg ) ”アカデミ
ツク・プレス(Academic Frees ) (
1982年);フィンケルマン(H,iFinkalm
ann ) 、レーアデ(G、 Rshage )著、
Adv、 Polym、 Sci、 M 30/61巻
、第99〜172頁(1984年);シバエフ (V、
P、 Shi’baav ) 、プラト(N、LPls
t、d )著、Adv、 Polym、 8ai、 第
30 / 61 舎、第176〜252頁(1984年
)参照)。
米国特ff第4293435号明細蕾から、がラス状態
への転移と結びついている液晶ポリマーの特性の工業的
利用は公知である。その際一定の方法で液晶ポリマーの
配置及び配向を変える(例えば電界、磁界もしくは圧力
)条件を使用して情報を記憶させる。この公知技術水4
は英国特、ffg21第67第7号明細書に論じられて
いる。これは次のことが参照される、すなわち前記米国
特許明細書で所定の、固体状態の装置をガラス転位温度
(Tg)以下で採序することは、7gが常用の室温(T
a )以上にあることを意味し、すなわち合理的な時間
内で情報を入力するとするならば、Ta以上で100’
Oの程度にある温度でポリマー系を使用することを意味
する。
への転移と結びついている液晶ポリマーの特性の工業的
利用は公知である。その際一定の方法で液晶ポリマーの
配置及び配向を変える(例えば電界、磁界もしくは圧力
)条件を使用して情報を記憶させる。この公知技術水4
は英国特、ffg21第67第7号明細書に論じられて
いる。これは次のことが参照される、すなわち前記米国
特許明細書で所定の、固体状態の装置をガラス転位温度
(Tg)以下で採序することは、7gが常用の室温(T
a )以上にあることを意味し、すなわち合理的な時間
内で情報を入力するとするならば、Ta以上で100’
Oの程度にある温度でポリマー系を使用することを意味
する。
このような温度く不便であり、ポリマーの分解を必然的
に長時間伴なうであろう。この罐点は前記英国特許によ
れば、一定のポリマー側鎖一液晶を便用する場合に回避
することができる。その時に装置の保管のためにtM匣
範囲全範囲以下に保持することはもはや必要ではなく、
多年にわたって安定した記憶はTg以上及びポリマー材
料が液状になりはじめる温度(Tf)以下の温度で可能
であり得る。
に長時間伴なうであろう。この罐点は前記英国特許によ
れば、一定のポリマー側鎖一液晶を便用する場合に回避
することができる。その時に装置の保管のためにtM匣
範囲全範囲以下に保持することはもはや必要ではなく、
多年にわたって安定した記憶はTg以上及びポリマー材
料が液状になりはじめる温度(Tf)以下の温度で可能
であり得る。
Tfの測定は2個の交差させた(口)光フィルターの間
で液晶ポリマーを通る光の通過を追跡することによって
ガラス転位温度から上昇する温度で行なうことができる
。光透過性はスメクチック−等方性相転移以下数置を突
発的に上昇する。この上昇は、異方性ではめるが僅かに
透過性の領域状態が、高度に複屈折の、透過性の領域状
頓に転移することに由来する。この温度Tf以上の温度
範囲は1液状範囲(液状領域)”として表わされる。温
度の上昇と共に、Tmでその最高を達成するまで光透過
性も上昇する。
で液晶ポリマーを通る光の通過を追跡することによって
ガラス転位温度から上昇する温度で行なうことができる
。光透過性はスメクチック−等方性相転移以下数置を突
発的に上昇する。この上昇は、異方性ではめるが僅かに
透過性の領域状態が、高度に複屈折の、透過性の領域状
頓に転移することに由来する。この温度Tf以上の温度
範囲は1液状範囲(液状領域)”として表わされる。温
度の上昇と共に、Tmでその最高を達成するまで光透過
性も上昇する。
Tml′1ml性(透明)相が先ず出現する点を示す。
交差偏光子における等方性相の出現は光の消光となるの
で、更に温度を高めることは光透過の減少を伴ない、そ
の減少程度は、複屈折に役に立つ構造の最後の基が消え
る、いわゆる透明温度(Tc)が達成されるまで等方性
領域が増大するような度合である。
で、更に温度を高めることは光透過の減少を伴ない、そ
の減少程度は、複屈折に役に立つ構造の最後の基が消え
る、いわゆる透明温度(Tc)が達成されるまで等方性
領域が増大するような度合である。
英国時51”;21第67第7号明細書には、中間側鎖
を有する液晶ポリマーを含有する物質層、並びに物質の
温度がTg〜Tfの範囲にある粘性状態よりなる物質の
少なくとも一部を液状範囲に熱変換させるための構成部
材及び物質の少なくとも一部を液状範囲に調節するため
の構成部材を有する装置が特許請求されており、それに
より物質中の分子組織が選択的に変化することを喚起し
かつそれによって、液状領域の冷却及び粘性状曹への逆
戻V説も保持されて残る情報が入力される。従ってこの
英国特許については、Tf > Ta > THにあて
はまるポリマー物質を便用するという本質的前提がある
。更に物質層がスメクチック側鎖を有する液晶ポリマー
を含有する装置tが6己戒される。ジフェニルシアン−
側鎖又は安息香はエステル−側鎖を有するポリシロキサ
ン−型のポリマー液晶が特に有利である。
を有する液晶ポリマーを含有する物質層、並びに物質の
温度がTg〜Tfの範囲にある粘性状態よりなる物質の
少なくとも一部を液状範囲に熱変換させるための構成部
材及び物質の少なくとも一部を液状範囲に調節するため
の構成部材を有する装置が特許請求されており、それに
より物質中の分子組織が選択的に変化することを喚起し
かつそれによって、液状領域の冷却及び粘性状曹への逆
戻V説も保持されて残る情報が入力される。従ってこの
英国特許については、Tf > Ta > THにあて
はまるポリマー物質を便用するという本質的前提がある
。更に物質層がスメクチック側鎖を有する液晶ポリマー
を含有する装置tが6己戒される。ジフェニルシアン−
側鎖又は安息香はエステル−側鎖を有するポリシロキサ
ン−型のポリマー液晶が特に有利である。
発明を達成する手段
高い記録密度のほかに可逆的記憶のための可能性も有す
る光学的記憶媒体への大きな関心が依然としである。前
記の光学的データ記憶の問題解明は、比較的に狭く限ら
れた工栗的解明である。すなわち前記英国vj行明細誓
による装置は、ポリマー物質を粘性状態範囲で保つよう
に温度を選択するという本質的前提を有する疲晶1t1
Mポリマーの使用に基づいている。細分化されて開示さ
れているものは、殊にジフェニルシアン−又は安息香酸
エステルー側鎖を有するポリシロキサン−液晶に及ぶ。
る光学的記憶媒体への大きな関心が依然としである。前
記の光学的データ記憶の問題解明は、比較的に狭く限ら
れた工栗的解明である。すなわち前記英国vj行明細誓
による装置は、ポリマー物質を粘性状態範囲で保つよう
に温度を選択するという本質的前提を有する疲晶1t1
Mポリマーの使用に基づいている。細分化されて開示さ
れているものは、殊にジフェニルシアン−又は安息香酸
エステルー側鎖を有するポリシロキサン−液晶に及ぶ。
記憶された情報の安定性は、存在する分子移動度及び有
限の弛緩時間のために、例えば外からの妨害場により糸
に影#を及ぼす可能性によっても、明確には保証されて
いない。更に、その実現化を狭すぎない遊び空間内で実
施可能にすべき工粱的屏明が望まれた。
限の弛緩時間のために、例えば外からの妨害場により糸
に影#を及ぼす可能性によっても、明確には保証されて
いない。更に、その実現化を狭すぎない遊び空間内で実
施可能にすべき工粱的屏明が望まれた。
ところで、液晶記憶媒体による可逆的光学的情報記憶法
が判明し、この際記憶媒体としての液晶側鎖ポリマーよ
ジなる#膜中でレーザー光線を用いて局部的に再配向さ
せることにより情報を記憶させる。中間側鎖を有するポ
リマー液晶を含有する記憶媒体は有利に装置の一部であ
る。装置はポリマー液晶の立体的秩序及び/又は配向?
選択的に変化させることにより情報を記憶させることに
向けられていて、その際ポリマー液晶と含有する薄膜は
、情報の記憶のために前もって備えられた状態で、すな
わち情報の(像 記憶の際にはポリマー液晶のガラス温度Tg以下の形状
安定範囲にあり、又はポリマー液晶のがラス転位温度T
g以上の粘塑性状態にあり、かつポリマー液晶の立体的
配置及び/又に配向の選択的変化を殊にレーザー光−に
より局部的に行ない、それによって情報を含有する局部
的秩序状帳はレーザー光−の遮断後にポリマー7夜晶の
Tg以下の温度範囲で凍結状、■になる。
が判明し、この際記憶媒体としての液晶側鎖ポリマーよ
ジなる#膜中でレーザー光線を用いて局部的に再配向さ
せることにより情報を記憶させる。中間側鎖を有するポ
リマー液晶を含有する記憶媒体は有利に装置の一部であ
る。装置はポリマー液晶の立体的秩序及び/又は配向?
選択的に変化させることにより情報を記憶させることに
向けられていて、その際ポリマー液晶と含有する薄膜は
、情報の記憶のために前もって備えられた状態で、すな
わち情報の(像 記憶の際にはポリマー液晶のガラス温度Tg以下の形状
安定範囲にあり、又はポリマー液晶のがラス転位温度T
g以上の粘塑性状態にあり、かつポリマー液晶の立体的
配置及び/又に配向の選択的変化を殊にレーザー光−に
より局部的に行ない、それによって情報を含有する局部
的秩序状帳はレーザー光−の遮断後にポリマー7夜晶の
Tg以下の温度範囲で凍結状、■になる。
種々の配向法に対して液晶ポリマーの構造についての要
求は文献に引用されている。すなわち例えば電界におけ
るホメオトロピック配列は使用される周波数範囲のため
にプラスの誘′亀異方性を必要とする。それに反して均
等の配向は屡々構成されるポリイミドよジなる限界表面
によって形成され得る。このために鉢方性形e[する中
間層が必要である。
求は文献に引用されている。すなわち例えば電界におけ
るホメオトロピック配列は使用される周波数範囲のため
にプラスの誘′亀異方性を必要とする。それに反して均
等の配向は屡々構成されるポリイミドよジなる限界表面
によって形成され得る。このために鉢方性形e[する中
間層が必要である。
ケルカー(R,Kr1ker ) 、ハック(R,Ha
tz )ハンドブック・オブ・リフイド・クリスタルズ
(Handbook of Liquid Cr
ystals )、 ヒ エ ミ −出版(Ver
xag Chemis ) 1981年参照。プラット
(Pranoto )、ハース(W、 F(aase
)、MOlCryst、 Liq、 Cr1st、
9 8 巻、 299〜308頁(1983年
)参照。ツエンチル(R,Zentel)、リングスド
ルフ(R,Rlngsdorf ) 、makromo
l。
tz )ハンドブック・オブ・リフイド・クリスタルズ
(Handbook of Liquid Cr
ystals )、 ヒ エ ミ −出版(Ver
xag Chemis ) 1981年参照。プラット
(Pranoto )、ハース(W、 F(aase
)、MOlCryst、 Liq、 Cr1st、
9 8 巻、 299〜308頁(1983年
)参照。ツエンチル(R,Zentel)、リングスド
ルフ(R,Rlngsdorf ) 、makromo
l。
Chem、 182巻、1245〜1256頁(198
2年)。Liquid Crystals andOr
dered F’1uids、A、Griffin
&l J、LP、Johnson 。
2年)。Liquid Crystals andOr
dered F’1uids、A、Griffin
&l J、LP、Johnson 。
第4巷、Plenum Press 、New Yor
k i 984年参照O 本発明により使用可能なポリマー液晶PFKは、一般式
Iニ −Y 〔式中A−B框ポリマーの主鎖の要素を表わし、Xi間
隔保持単泣(゛スペーサー(apacer)”)fc表
わしかつYは中間側基を表わす〕によって表わされる繰
り返し単位から全部又は部分的に成る。
k i 984年参照O 本発明により使用可能なポリマー液晶PFKは、一般式
Iニ −Y 〔式中A−B框ポリマーの主鎖の要素を表わし、Xi間
隔保持単泣(゛スペーサー(apacer)”)fc表
わしかつYは中間側基を表わす〕によって表わされる繰
り返し単位から全部又は部分的に成る。
この際中間側基は得られる液晶特性についての原因とな
る。スメクチック型の側鎖が特に重要である。
る。スメクチック型の側鎖が特に重要である。
この際要素A−Bは殊にラジカル重合可能な単位A′=
B′(相応のモノ? −; A’= B’ −X −Y
)に相応する。
B′(相応のモノ? −; A’= B’ −X −Y
)に相応する。
単位A′−B′においては、ラジカル1合可能なビニル
化合物中に存在するようをビニル基、例えば単泣二H2
c=c−q−〔式中R1は水嵩1g子又はメチル基を表
わし、かりQは二車、晴合き活−C−: −CaHa−
k表わし、e OM R2U 水素II”F又は1〜6
個の炭素原子上官するアルキル4を表わす」の単位が殊
に重要である。
化合物中に存在するようをビニル基、例えば単泣二H2
c=c−q−〔式中R1は水嵩1g子又はメチル基を表
わし、かりQは二車、晴合き活−C−: −CaHa−
k表わし、e OM R2U 水素II”F又は1〜6
個の炭素原子上官するアルキル4を表わす」の単位が殊
に重要である。
スペーサー基Xは1〜14個の鎖員を有する(可9性の
)鎖であり、殊にアルキレン基−(CH2)n−C式中
nは1〜14である〕であり、この際場合によジ各頌1
は、例えばハロゲン原子、例えば塩素原子により置換さ
れていて良く又Hエーテル橋に代えられていて良い。
)鎖であり、殊にアルキレン基−(CH2)n−C式中
nは1〜14である〕であり、この際場合によジ各頌1
は、例えばハロゲン原子、例えば塩素原子により置換さ
れていて良く又Hエーテル橋に代えられていて良い。
中間側鎖Yはスペーサー基Xを本来の中間基Mと結びつ
げる官能基v?、例えば−〇−;R,R2 R2、は前記のものである〕を有する。史に中間側基Y
Icは次のものがあてはまる:、A当な中間基は、ケル
カー及びノ・ソツ著、!・ンドプツク・オブ・リフイド
・クリスタルズ、ヒエミー出版、1980年、67〜1
16頁に挙げられている。
げる官能基v?、例えば−〇−;R,R2 R2、は前記のものである〕を有する。史に中間側基Y
Icは次のものがあてはまる:、A当な中間基は、ケル
カー及びノ・ソツ著、!・ンドプツク・オブ・リフイド
・クリスタルズ、ヒエミー出版、1980年、67〜1
16頁に挙げられている。
殊に、例えば芳沓族4に有する中間基Mに殊に前記の端
金官能基VFを介して晴合しtいて、この中間基Mは、
殊に式: 〔式中りは、& −N−N−、−C−0−、−0−C−
。
金官能基VFを介して晴合しtいて、この中間基Mは、
殊に式: 〔式中りは、& −N−N−、−C−0−、−0−C−
。
−CミC−; よジなる僑を表わし、mはゼロ又はに
表わし L/及びdはLもしくUnと同情のものであり
、この除R3は水素原子、 (0)、 (CH2)pH,−Coo(CH2)、/、
H,−CN又ハノ)ロデン原子、特に弗素原子、塩累原
子又は臭素原子を表わし、p及びp′は1〜8の故、特
に1〜6を表わし、かつr?ゴゼロ又は1を表わす〕に
よって表わされて良い。
表わし L/及びdはLもしくUnと同情のものであり
、この除R3は水素原子、 (0)、 (CH2)pH,−Coo(CH2)、/、
H,−CN又ハノ)ロデン原子、特に弗素原子、塩累原
子又は臭素原子を表わし、p及びp′は1〜8の故、特
に1〜6を表わし、かつr?ゴゼロ又は1を表わす〕に
よって表わされて良い。
式中Mが次の中間基2表わす式Iのポリマーが特に挙げ
られる: (式IB) (式IC) C式11D)(
式IK) (式INCH3 更に(メタ)アクリル酸の誘導体(この際RI
RI R2を表わす)及び式中スペーサ
ーXが−(CHz)n−基〔n=1〜14〕である誘導
体が有利である。
られる: (式IB) (式IC) C式11D)(
式IK) (式INCH3 更に(メタ)アクリル酸の誘導体(この際RI
RI R2を表わす)及び式中スペーサ
ーXが−(CHz)n−基〔n=1〜14〕である誘導
体が有利である。
ポリマー液晶側鎖ポリマーはM縮合生成物であっても良
い: これは例えばポリエステル又はポリアミド型■: 〔式中Tは炭化水素基、特に1〜2藺の炭素原子を有す
るアルキレン基又は芳香族it表わし、2は酸素原子又
は基−N−R2を表わし、R2は出発化合物のジオール
に相応し、2〜20個の炭素原子を有する炭化水素基、
特に芳香族基、殊にベンシル系基を表わし、−X−Y−
は一般式■に挙げたものであるJKPAして良い。中間
基が式■Bに相応するポリマー並びにR3が一〇N基を
表わすそれが挙げられる。更に、債合官能基vFがエー
テル基であるスペーサー基が有利で相応する。
い: これは例えばポリエステル又はポリアミド型■: 〔式中Tは炭化水素基、特に1〜2藺の炭素原子を有す
るアルキレン基又は芳香族it表わし、2は酸素原子又
は基−N−R2を表わし、R2は出発化合物のジオール
に相応し、2〜20個の炭素原子を有する炭化水素基、
特に芳香族基、殊にベンシル系基を表わし、−X−Y−
は一般式■に挙げたものであるJKPAして良い。中間
基が式■Bに相応するポリマー並びにR3が一〇N基を
表わすそれが挙げられる。更に、債合官能基vFがエー
テル基であるスペーサー基が有利で相応する。
弐■の化合物の製造は自体公知である。これは常用の公
知技術水準の重縮合法に従う(ホウベン−ワイル(Ho
uban−Weyl、 ) 第4版、14/2巻、デオ
ルグ・ティメ(GeorgThiems Vermg)
出版1961年参照)。
知技術水準の重縮合法に従う(ホウベン−ワイル(Ho
uban−Weyl、 ) 第4版、14/2巻、デオ
ルグ・ティメ(GeorgThiems Vermg)
出版1961年参照)。
最後に単位−X−Y iポリマー類似の反応によっても
前記のポリマー鎖に導入することができる。このような
方法11例えばパレオス(C,M、 Pa1eos )
等著、J、 Polym、 sci、 Polym。
前記のポリマー鎖に導入することができる。このような
方法11例えばパレオス(C,M、 Pa1eos )
等著、J、 Polym、 sci、 Polym。
Chem、 Ed、第19巻、1427頁(1981年
)に、及びフィンケルマン(H,Finke’1man
n ) ”J著、Makromol、 Cham、 R
apid Commun、 第1巻、31.733(1
980年)に記載されている。
)に、及びフィンケルマン(H,Finke’1man
n ) ”J著、Makromol、 Cham、 R
apid Commun、 第1巻、31.733(1
980年)に記載されている。
これらは例えば適当な化合物、例えば
H,C−CH−Y (式中Yl″j中間基である)を反
応性もしくは活性可能な主鎖、例えばポリ〔オキシ(メ
チルシリレン)〕に付加させることによって得ることが
できる。
応性もしくは活性可能な主鎖、例えばポリ〔オキシ(メ
チルシリレン)〕に付加させることによって得ることが
できる。
一般にポリマー液晶PF’にの分子量は103〜105
の範囲内に、一般に5000〜200000の範囲内に
あり、殊に約100000である(デル透過クロマトグ
ラ?イーにより IjllJ定)。
の範囲内に、一般に5000〜200000の範囲内に
あり、殊に約100000である(デル透過クロマトグ
ラ?イーにより IjllJ定)。
等方性相における粘度は(近似値として)104ポアf
の範囲にある。
の範囲にある。
本発明により使用される液晶ポリマーのがラス転位温度
(Tg)は一般に一40℃〜110°Cの範囲内、特に
−10℃〜80℃の範囲内にある(ガラス転位温度Tg
について:ブランドルツブ(工、 Branarup
)及びインマーグツト(E、H,Immergut )
著、ポリマー・ハンドブック(Polymer Han
dbook ) 第2版、ll−139、ウイリ(J、
WFley ) 1975年参照)。
(Tg)は一般に一40℃〜110°Cの範囲内、特に
−10℃〜80℃の範囲内にある(ガラス転位温度Tg
について:ブランドルツブ(工、 Branarup
)及びインマーグツト(E、H,Immergut )
著、ポリマー・ハンドブック(Polymer Han
dbook ) 第2版、ll−139、ウイリ(J、
WFley ) 1975年参照)。
装置
本発明による方法は有利に次に記載した装置に依り実施
する: 情報記憶処理のために提案された液晶ポリマーは書込み
レーザーの波長にその吸収性を適合させねばならない。
する: 情報記憶処理のために提案された液晶ポリマーは書込み
レーザーの波長にその吸収性を適合させねばならない。
これは例えば適当な染料の混合によって又はポリマー鎖
中へそれを重合させることにより行なわれる。この際染
料分子自体は中間特性を示し得る。殊にその中間基自体
が、100%、!合された中間染料の極端な場合にも相
応する要求された波長範囲で吸収するポリマー液晶分使
用することができる。従って記憶媒体の必要な吸光は染
料羨度により調整される。
中へそれを重合させることにより行なわれる。この際染
料分子自体は中間特性を示し得る。殊にその中間基自体
が、100%、!合された中間染料の極端な場合にも相
応する要求された波長範囲で吸収するポリマー液晶分使
用することができる。従って記憶媒体の必要な吸光は染
料羨度により調整される。
適当な染料は文献から公知である。液晶相への混入のた
めの適当な染料としては、一連の条件を光たすものが挙
げられる(例えばコンスタント(J、 Con5tan
t )等著、K、 Phy、 D : Appl。
めの適当な染料としては、一連の条件を光たすものが挙
げられる(例えばコンスタント(J、 Con5tan
t )等著、K、 Phy、 D : Appl。
Phys、第11巻、479頁以降(1978年)、ジ
:l−7x (F、 Jones )等著、 Mo1
. Cryst。
:l−7x (F、 Jones )等著、 Mo1
. Cryst。
Liq、 Cr5tal、第30巻、99貞以降(19
80年)、欧州特許出願公開第43904号明細龜同@
55838号明細書、同第65809号明細書参照)。
80年)、欧州特許出願公開第43904号明細龜同@
55838号明細書、同第65809号明細書参照)。
染料は電界の作用下でイオン化すべきでなく、出来る限
り高い分子吸光係数及び同時に使用した液晶マトリック
ス(すなわち記憶媒体)中での良好な溶解性を有するべ
きであり、かつ化学的/光化学的に安定でなければなら
ない。相応の特性を有する染料は例えばアントラキノン
の群に見出せる(欧州特許出願公開第56492号明細
書、同第44893号明細書、同第5903(5号明細
書、同第54217号明細書参照)。
り高い分子吸光係数及び同時に使用した液晶マトリック
ス(すなわち記憶媒体)中での良好な溶解性を有するべ
きであり、かつ化学的/光化学的に安定でなければなら
ない。相応の特性を有する染料は例えばアントラキノン
の群に見出せる(欧州特許出願公開第56492号明細
書、同第44893号明細書、同第5903(5号明細
書、同第54217号明細書参照)。
適当なアゾ染料は例えば西ドイツ国特許出願公開第34
06209号明細誉に記載されている。記憶媒体での染
料の含fU有利に1〜50重量%の範囲内にある。
06209号明細誉に記載されている。記憶媒体での染
料の含fU有利に1〜50重量%の範囲内にある。
側鎖中に中間基及び染料基を有するポリマーは、欧州特
許出願公!m!7574号明細書、同第90282号明
細書、同第140133号明細書の目的でおる(リング
ストルア (L R1ng8iorf)、シュミット(
LW、 Schmiat )マクロモレキラーレ・ヒエ
ミイ(Makromol、 Chem、 )第185巻
1327〜1334頁(1984年);レッジ(B、
Reek 、)、リングストルア(H,Rlnpdor
f)、Makromol、 Chem、 Rapid
Commun、同様に参照)。
許出願公!m!7574号明細書、同第90282号明
細書、同第140133号明細書の目的でおる(リング
ストルア (L R1ng8iorf)、シュミット(
LW、 Schmiat )マクロモレキラーレ・ヒエ
ミイ(Makromol、 Chem、 )第185巻
1327〜1334頁(1984年);レッジ(B、
Reek 、)、リングストルア(H,Rlnpdor
f)、Makromol、 Chem、 Rapid
Commun、同様に参照)。
前記の式Iのポリマー液晶PFKと同様に繰り返し単位
−A−B−が染料含有のモノマ一単位の主鎖要素を形成
することができる。従って相応のモノマーA’−B’−
X−τは基τ中に染料基を含有する。
−A−B−が染料含有のモノマ一単位の主鎖要素を形成
することができる。従って相応のモノマーA’−B’−
X−τは基τ中に染料基を含有する。
同時に染料基である中間基Mの例として、基サー基−(
CH2)6−が有利である。
CH2)6−が有利である。
ポリマーは原則的には薄層(薄膜)又は積層の形で、固
体又は可憐性のマトリックス層の被覆として適用するこ
とができる。ポリマー液晶を含有する、もしくはそれか
ら成るg膜の厚さは有利に10−3〜10−6171の
範囲内にある。本発明による装置は本明細書中に記載し
た構成(第1図参照)において、2枚の平面的に平行に
配列した透明な板2、殊に適当な間隔、一般K 1 a
m以下、殊に約10μmの間隔にあるガラス板よりなる
記録セル1を包括する。底面積は数ぼ2〜am2である
。ガラス板2の両内面を工noz/SnO□で導電性に
蒸着し、導電性の接触部を外向きに得た。この様に準備
したガラス板2を温度安定性の接着剤、例えばシリコー
ン接着剤を用いて、それぞれ数Ml巾の入口及び出口の
み分有するセル状の内部空間を形成するように並んで固
定した。
体又は可憐性のマトリックス層の被覆として適用するこ
とができる。ポリマー液晶を含有する、もしくはそれか
ら成るg膜の厚さは有利に10−3〜10−6171の
範囲内にある。本発明による装置は本明細書中に記載し
た構成(第1図参照)において、2枚の平面的に平行に
配列した透明な板2、殊に適当な間隔、一般K 1 a
m以下、殊に約10μmの間隔にあるガラス板よりなる
記録セル1を包括する。底面積は数ぼ2〜am2である
。ガラス板2の両内面を工noz/SnO□で導電性に
蒸着し、導電性の接触部を外向きに得た。この様に準備
したガラス板2を温度安定性の接着剤、例えばシリコー
ン接着剤を用いて、それぞれ数Ml巾の入口及び出口の
み分有するセル状の内部空間を形成するように並んで固
定した。
この際両プラス板2の所望の間隔は殊にポリイミド−プ
ラスチックよりなる適度の寸法の2個の適当な間隔支持
体3により一定に調整する。
ラスチックよりなる適度の寸法の2個の適当な間隔支持
体3により一定に調整する。
記録セルは(に電極4を有する。接着剤の乾燥後、等方
性状侭で存在する殊に式■の液晶ポリマーを加熱可能な
装置上でセルに光だす。な2空のセル室は毛管作用によ
ジボリマー浴礪液で完全に光たされる。
性状侭で存在する殊に式■の液晶ポリマーを加熱可能な
装置上でセルに光だす。な2空のセル室は毛管作用によ
ジボリマー浴礪液で完全に光たされる。
なお部分的に空いているセルの全円に対する方法の利点
は特に、気泡が閉じ込められることを確実に阻止するこ
とにある。更にこのように僅かな経費で一定の範囲内で
変動しつる形状寸法(外側寸法、間隔)を有する規格化
されたセルー未裏品を製造することができ、次いで必要
に応じてこれに第2過程で前記の方法で相応の液晶ポリ
マーを充たすことができる。配向は自体公知の方法で配
向された搗(整列場(〔1ραtfield) ) 、
特に磁界及び殊に電界の印加により又は界面活性を介し
て行なわれる。同様に必要な配向は適当な剪断又は延伸
によって形成することができる。電界の(有利な)適用
の場合には、そうして光填した記録セル1にTg (定
義前記参照)以上の温度で正弦形の交流電圧(係a ”
I = 500 V ; = I KM ) f:印加
し、印/IO省圧の維持下で室温に冷却する。絶対透明
の液晶薄膜が得られ、これは等方性状態にある物質とは
純粋に視覚的に相違しない。液晶ポリマーのがラス転位
温度Tgは室温Ta以上でめる。室温としては20゛C
の温度が挙げられる。情報の読取りは単色コヒーレント
光でポリマー薄mを照明することによって行なうことが
できる。情報の記憶のために液晶ポリマー薄膜の種々の
配向可能性が本発明による装置(第1図参照)で可能で
ある: 1)中間基はポリマー薄膜層の平面法線に対して平行に
一様に整列される。これは(透明な)電極で被覆されな
板2上に交流電界を印加することによって(この際電界
はポリマー薄膜層の法線に対して平行にある)、磁界の
印加により又は表面処理によって行なうことができる。
は特に、気泡が閉じ込められることを確実に阻止するこ
とにある。更にこのように僅かな経費で一定の範囲内で
変動しつる形状寸法(外側寸法、間隔)を有する規格化
されたセルー未裏品を製造することができ、次いで必要
に応じてこれに第2過程で前記の方法で相応の液晶ポリ
マーを充たすことができる。配向は自体公知の方法で配
向された搗(整列場(〔1ραtfield) ) 、
特に磁界及び殊に電界の印加により又は界面活性を介し
て行なわれる。同様に必要な配向は適当な剪断又は延伸
によって形成することができる。電界の(有利な)適用
の場合には、そうして光填した記録セル1にTg (定
義前記参照)以上の温度で正弦形の交流電圧(係a ”
I = 500 V ; = I KM ) f:印加
し、印/IO省圧の維持下で室温に冷却する。絶対透明
の液晶薄膜が得られ、これは等方性状態にある物質とは
純粋に視覚的に相違しない。液晶ポリマーのがラス転位
温度Tgは室温Ta以上でめる。室温としては20゛C
の温度が挙げられる。情報の読取りは単色コヒーレント
光でポリマー薄mを照明することによって行なうことが
できる。情報の記憶のために液晶ポリマー薄膜の種々の
配向可能性が本発明による装置(第1図参照)で可能で
ある: 1)中間基はポリマー薄膜層の平面法線に対して平行に
一様に整列される。これは(透明な)電極で被覆されな
板2上に交流電界を印加することによって(この際電界
はポリマー薄膜層の法線に対して平行にある)、磁界の
印加により又は表面処理によって行なうことができる。
2)中間基は薄膜平面に対して平行であるか又はそれに
対して煩むさ、かつ巨視的な前もって与えられた方向に
対して平行に配向される。これは・1当な物質、例えば
ポリイミドによる板2の被覆により、かつ所望の優先配
向に沿ったこの被覆の構造化により、又は例えば酸化珪
紫での基板の適当な斜方蒸着により行なうことができる
。
対して煩むさ、かつ巨視的な前もって与えられた方向に
対して平行に配向される。これは・1当な物質、例えば
ポリイミドによる板2の被覆により、かつ所望の優先配
向に沿ったこの被覆の構造化により、又は例えば酸化珪
紫での基板の適当な斜方蒸着により行なうことができる
。
1)及び2)の両方の場合とも、配向は液晶状態で行な
われる。
われる。
配向を冷却によりガラス状態に凍1結する。I!U記の
ように製造した記録セル1は光学的情報の記憶のための
固有の記憶媒体を形成する。この方法は一般にポリマー
液晶分子を含有する記憶媒体中でポリマー液晶分子の秩
序状態の局部へ選択的変化に基づく。
ように製造した記録セル1は光学的情報の記憶のための
固有の記憶媒体を形成する。この方法は一般にポリマー
液晶分子を含有する記憶媒体中でポリマー液晶分子の秩
序状態の局部へ選択的変化に基づく。
記憶媒体中に含有される液&N ll1gは巨視的に配
向された、又は配向が乱れた形で存在し得る。
向された、又は配向が乱れた形で存在し得る。
秩序状態の変化を局部的1界、磁界又は表面活性基によ
り行なうことができる。この際記憶媒体を局部的又は全
体的に熱源で加熱することができる。熱源が選択的に局
部的にr「用する場合には、秩序状態の変化を記1.は
媒体の全寸法を越えて作用する電界、磁界又は表面活性
基により誘起することかできる。特に有利な適用は散乱
中心効果及び非巌形元学的効果(光学的に誇発される7
L/デリツク(Frederik ) −M第1 )に
基づく。
り行なうことができる。この際記憶媒体を局部的又は全
体的に熱源で加熱することができる。熱源が選択的に局
部的にr「用する場合には、秩序状態の変化を記1.は
媒体の全寸法を越えて作用する電界、磁界又は表面活性
基により誘起することかできる。特に有利な適用は散乱
中心効果及び非巌形元学的効果(光学的に誇発される7
L/デリツク(Frederik ) −M第1 )に
基づく。
す#報記憶処理
散乱中心法
情報の記憶の最も簡単な方法は原則的に、配向された液
晶ポリマ一層を局部的に等方性相に変えるピント合せさ
れたレーザー光線を用いる散乱中心の形成にある。局部
的に生じた巨視的に等方性の範囲をガラス@度以下で凍
、峻させる。
晶ポリマ一層を局部的に等方性相に変えるピント合せさ
れたレーザー光線を用いる散乱中心の形成にある。局部
的に生じた巨視的に等方性の範囲をガラス@度以下で凍
、峻させる。
この際有利に次のように行なう二本発明により液晶ポリ
マーから形成した薄膜を干渉計での剤定により生じた格
子の干渉鏝大値で局部的に加熱することにより型温から
等方性相にまで/IO熱する。レーザー光線、例えばア
ルゴン−レーザーの波長514.5 nmを有する光を
使用する。
マーから形成した薄膜を干渉計での剤定により生じた格
子の干渉鏝大値で局部的に加熱することにより型温から
等方性相にまで/IO熱する。レーザー光線、例えばア
ルゴン−レーザーの波長514.5 nmを有する光を
使用する。
ピント合せされたレーザー光線も使用し、その際レーザ
ー光線及び記憶媒体を定義した方法で互いに相対的に動
かす。
ー光線及び記憶媒体を定義した方法で互いに相対的に動
かす。
レーザー光線′jM:遮断し欠いで冷却することにより
、安定した配向が乱れた(巨視的に等方性)範囲となる
。それによって生じる散乱中心を光学的情報として読取
ることができる。11報金通当な波長及び強度のノーず
一光巌で読み込み、かつ他の波長の他のレーザー光重で
情報を損なうことなく読取ることができるように、記憶
媒体の吸収性を有利に選択する。
、安定した配向が乱れた(巨視的に等方性)範囲となる
。それによって生じる散乱中心を光学的情報として読取
ることができる。11報金通当な波長及び強度のノーず
一光巌で読み込み、かつ他の波長の他のレーザー光重で
情報を損なうことなく読取ることができるように、記憶
媒体の吸収性を有利に選択する。
記録される記録セルの記憶特性の評辿のための実験構成
はマツハーツエンダー(Mach−Zeha乙r)−干
渉計(エンサイクロペデイエ・ナチュアヴイツセンシャ
フト・ラント・テヒニツク(Kncyclopaedi
e Naturwissenschaft undTe
chn工k)第2巻、モデルネ・インダストリエ(Mo
aerne Inaustrie )出版1980年参
照)に基づく。これにより2本の直+1偏光の平面部分
波金型ねるために100μm及び1.0mの間の1間隔
を有する正弦形の強度格子を形成することができる。凸
レンズと結合させて球面波と平面波と重ねることによっ
て7レネルデーンプレートと同様の強度分布が実現され
る。
はマツハーツエンダー(Mach−Zeha乙r)−干
渉計(エンサイクロペデイエ・ナチュアヴイツセンシャ
フト・ラント・テヒニツク(Kncyclopaedi
e Naturwissenschaft undTe
chn工k)第2巻、モデルネ・インダストリエ(Mo
aerne Inaustrie )出版1980年参
照)に基づく。これにより2本の直+1偏光の平面部分
波金型ねるために100μm及び1.0mの間の1間隔
を有する正弦形の強度格子を形成することができる。凸
レンズと結合させて球面波と平面波と重ねることによっ
て7レネルデーンプレートと同様の強度分布が実現され
る。
−非線形光学的効:+42−(光学的に誘起された7レ
デリツク遷移) 直線偏光されたレーザーの誉さ込み光源の電界は、液晶
分子の陽光可能なプラスの異方性のために位相物体とし
て第2のレーザービーム(ヘリウム−ネオン−レーザー
の直朦四尤す!シた波)によって睨み収ることができる
、屈折巡の局部豹変FAを誘起する。このことは、液晶
分子を光学釣場の中では図的に局部的に再配向すること
によって達成される。この場合、この再配向(光学的i
’(誘起されたフレデリック遷移)は、液晶重合体のが
ラス転移温度’rgよりも高い温度で異方性相中で行な
われる。次の冷却の際に、屈折藁構造体は、T:gより
も低い温度で位相物体として凍結する。この場合、この
薄膜は、目で見て完全に透明のままであることができる
。
デリツク遷移) 直線偏光されたレーザーの誉さ込み光源の電界は、液晶
分子の陽光可能なプラスの異方性のために位相物体とし
て第2のレーザービーム(ヘリウム−ネオン−レーザー
の直朦四尤す!シた波)によって睨み収ることができる
、屈折巡の局部豹変FAを誘起する。このことは、液晶
分子を光学釣場の中では図的に局部的に再配向すること
によって達成される。この場合、この再配向(光学的i
’(誘起されたフレデリック遷移)は、液晶重合体のが
ラス転移温度’rgよりも高い温度で異方性相中で行な
われる。次の冷却の際に、屈折藁構造体は、T:gより
も低い温度で位相物体として凍結する。この場合、この
薄膜は、目で見て完全に透明のままであることができる
。
温度4節は、外部から加熱することによって行なうこと
ができ、この場合蓄込み波の周波数はあまり重要でない
。特に、温度を調節することは、4iFき込み波を吸収
することによって行なわれ;冷却することは、ノーデー
を越祈する際に行なわれる。この場合、誓込み波は、2
つの条佇を同時に充足させるはずでめる: α)干渉最大についての光学釣場の強度は、選択された
夜晶亘合体に対して″′7レデリツクによるしきい値電
圧”よりも高くなけルばならない。
ができ、この場合蓄込み波の周波数はあまり重要でない
。特に、温度を調節することは、4iFき込み波を吸収
することによって行なわれ;冷却することは、ノーデー
を越祈する際に行なわれる。この場合、誓込み波は、2
つの条佇を同時に充足させるはずでめる: α)干渉最大についての光学釣場の強度は、選択された
夜晶亘合体に対して″′7レデリツクによるしきい値電
圧”よりも高くなけルばならない。
β)g度は、吸収によって干渉段大の温度上昇が重合体
をガラス転移温度を越えるがネマティック相→等方性相
の相遷移の温度(TN工)を越えないで加熱するように
行なわれる程度に選択しなければならない。
をガラス転移温度を越えるがネマティック相→等方性相
の相遷移の温度(TN工)を越えないで加熱するように
行なわれる程度に選択しなければならない。
レーず一波長及び液晶ポリマーの適当な調和により完全
な二元情報(可能な最大の再配向)のほかに種々の再配
向度が可能であり、このことは連続的位相変調に相応す
る。
な二元情報(可能な最大の再配向)のほかに種々の再配
向度が可能であり、このことは連続的位相変調に相応す
る。
本方法の工業的に極めて重要な観点は、光学的アナログ
技術に極めて重要であるような高い回折率を有する位相
物体を形成しうろことにある(慣用のホログラフィ−1
合成ホログラフィー)。
技術に極めて重要であるような高い回折率を有する位相
物体を形成しうろことにある(慣用のホログラフィ−1
合成ホログラフィー)。
記載した記録セルの記tlitt!!j性の評1曲のた
めの実験構成に、マツハーツエンダー−干渉計(エンサ
イクロペデイエ・ナチュアヴイツセンシャフト・ラント
・テヒニツク、42巻、モデルネ・インダストリエ出版
1980年参照)に基づく。これによって2本の直線偏
光の平面部分波を憲ねることによって100μm及び1
.0μmの間の線間隔を有する正弦形の強度格子を形成
することができる。凸レンズと結合させて球面波と平面
波を重ねることにより強度分布ヲフレネル・戸−ンプレ
ートと同様に実現させる。
めの実験構成に、マツハーツエンダー−干渉計(エンサ
イクロペデイエ・ナチュアヴイツセンシャフト・ラント
・テヒニツク、42巻、モデルネ・インダストリエ出版
1980年参照)に基づく。これによって2本の直線偏
光の平面部分波を憲ねることによって100μm及び1
.0μmの間の線間隔を有する正弦形の強度格子を形成
することができる。凸レンズと結合させて球面波と平面
波を重ねることにより強度分布ヲフレネル・戸−ンプレ
ートと同様に実現させる。
記憶された情報の消去
記憶された情報は原則的には電界又はlLa界での温度
上昇(TN工以上)及び冷却により再び消去することが
できる。記憶された情報の消去は、局部的に電界又は磁
界における温度上昇及び欠いて冷却により、局部範囲で
本来の秩F!f−状、櫟の復元下に再び復元することが
できる。記憶媒体の温度を上昇させ、かつ電界又は磁界
で冷却することによって、−沢的に全ての人力された情
報を消去し、かつ元来の状態をU元することができる。
上昇(TN工以上)及び冷却により再び消去することが
できる。記憶された情報の消去は、局部的に電界又は磁
界における温度上昇及び欠いて冷却により、局部範囲で
本来の秩F!f−状、櫟の復元下に再び復元することが
できる。記憶媒体の温度を上昇させ、かつ電界又は磁界
で冷却することによって、−沢的に全ての人力された情
報を消去し、かつ元来の状態をU元することができる。
この際有利に次の様に行なわれる:
第1書込み過程のための準備と同様に、液晶ポリマー中
に記憶された情報を、記録セルifcTg以上に加熱し
、かつ次いで印加された交流電圧(概H値500VXV
=1Khz)f冷ifることによって消去する。誉込み
過程及び消去過程を何度も繰り返した後に、実施された
処理のいずれの場合も記録セルでの不可逆変化は生じな
いことを確認した。
に記憶された情報を、記録セルifcTg以上に加熱し
、かつ次いで印加された交流電圧(概H値500VXV
=1Khz)f冷ifることによって消去する。誉込み
過程及び消去過程を何度も繰り返した後に、実施された
処理のいずれの場合も記録セルでの不可逆変化は生じな
いことを確認した。
可逆的アナログデータ記憶
(第2〜5図参照)
#紀したように、非線形光学的効果の適用は光学的方法
でデータをアナログ記憶させ、それを光学的に読み、必
要とめれば再び消去しかつ繰り返しデータを書込みする
可能性をもたらす。
でデータをアナログ記憶させ、それを光学的に読み、必
要とめれば再び消去しかつ繰り返しデータを書込みする
可能性をもたらす。
データ記憶は本発明による記憶媒体中でホログラフィ−
法により行なわれる。一般に記憶すべき情報は表現可能
な物質構造、例えば物象又は二次元的に組織化された対
象、例えば印刷ページ又はグラフィック像に関する。こ
のために記憶すべ@構造を単色コヒーレント光源で照射
する。同一の光源に由来する参照光波に比較して記憶す
べき構造体から分散された光の方向、振幅及び位相によ
って決定される干渉縞を、有利に巨視的に配向された液
晶ポリマーよりなる薄膜にホログラフィ−により記録し
かつ記憶させる(記憶媒体参照)。液晶ポリマー薄膜の
厚さは有利にこの際も1〜20μmである。平らに平行
の、透明板は透明なプラスチック例えばPMMAから又
は殊に燕儂ガラスから製造することができる。
法により行なわれる。一般に記憶すべき情報は表現可能
な物質構造、例えば物象又は二次元的に組織化された対
象、例えば印刷ページ又はグラフィック像に関する。こ
のために記憶すべ@構造を単色コヒーレント光源で照射
する。同一の光源に由来する参照光波に比較して記憶す
べき構造体から分散された光の方向、振幅及び位相によ
って決定される干渉縞を、有利に巨視的に配向された液
晶ポリマーよりなる薄膜にホログラフィ−により記録し
かつ記憶させる(記憶媒体参照)。液晶ポリマー薄膜の
厚さは有利にこの際も1〜20μmである。平らに平行
の、透明板は透明なプラスチック例えばPMMAから又
は殊に燕儂ガラスから製造することができる。
記憶媒体中に有利に染料が存在する。この際染料分子は
液晶ポリマーの成分でめつc&く、又はこれは記憶媒体
に加え″′C混合されかつその中で分配されていて良い
。液晶ポリマーのガラス転位温度’rgは室温Ta以上
にある。情報の読取りを単色コヒーレント光でポリマー
導膜を煕明することによって行なうことができる。情報
の記憶化のために本発明による装[1(m 1図参照)
中で液晶ポリマー薄膜の種々の配向可能性が可能である
: 1)中間基はポリマー薄膜層の平面法廟に幻して平行に
単一で整列される。これは(透明な)1!極で抜機され
た板2上に交流電界を印加することによって(この際゛
電界はポリマー薄膜層の法線に対して平行にある)、磁
界の印加により又は表面処理によって行なうことができ
る。
液晶ポリマーの成分でめつc&く、又はこれは記憶媒体
に加え″′C混合されかつその中で分配されていて良い
。液晶ポリマーのガラス転位温度’rgは室温Ta以上
にある。情報の読取りを単色コヒーレント光でポリマー
導膜を煕明することによって行なうことができる。情報
の記憶化のために本発明による装[1(m 1図参照)
中で液晶ポリマー薄膜の種々の配向可能性が可能である
: 1)中間基はポリマー薄膜層の平面法廟に幻して平行に
単一で整列される。これは(透明な)1!極で抜機され
た板2上に交流電界を印加することによって(この際゛
電界はポリマー薄膜層の法線に対して平行にある)、磁
界の印加により又は表面処理によって行なうことができ
る。
2)中間基はKM平面に対して平行であるか又はそれに
対して傾むき、かつ巨視的な所定の方向に対して平行に
配向される。これは適当な物質、例えばポリイミドによ
る板2の被覆により、かつ所望の優先配向に沿ったこの
被覆の構造化により、又は例えば酸化珪素での基板の適
当な斜方蒸着により行なうことができる。必要な配向を
適当な剪断又は蝙伸により同様に行なうことがでさる。
対して傾むき、かつ巨視的な所定の方向に対して平行に
配向される。これは適当な物質、例えばポリイミドによ
る板2の被覆により、かつ所望の優先配向に沿ったこの
被覆の構造化により、又は例えば酸化珪素での基板の適
当な斜方蒸着により行なうことができる。必要な配向を
適当な剪断又は蝙伸により同様に行なうことがでさる。
1)&び2)の両方の場合とも配向は液晶状態で行なわ
れる。
れる。
配向を冷却によりガラス状態に凍結する。
記憶化は前記の方法で行なわれ、その際単色光源として
、その波長が記憶媒体の吸収範囲にあるレーザーを使用
する。その波長がずっと少ない程度で記憶媒体によって
吸収されるレーザーを用いて読取る。この際記憶化及び
読取りは室温で固体薄膜で行なわれ得る。情報の消去は
異方性又は等方性範囲で試料をがラス転位温度Tg以上
で加熱することにより行なわれる。
、その波長が記憶媒体の吸収範囲にあるレーザーを使用
する。その波長がずっと少ない程度で記憶媒体によって
吸収されるレーザーを用いて読取る。この際記憶化及び
読取りは室温で固体薄膜で行なわれ得る。情報の消去は
異方性又は等方性範囲で試料をがラス転位温度Tg以上
で加熱することにより行なわれる。
可逆的デジタルデータ記憶
本発明のもう1つの形態は光学的方法でのデジタルデー
タ記憶に関し、その際この場合も情報の光学的方法での
読取り、消去及び再誉込みが意図されている。この際記
憶媒体の光学的に透明な、前もって配向された液晶ポリ
マー薄映中テ単色レーデー光線によりデジタル位相構造
が形成される。レーザー光線及び記憶媒体を一定の方法
で互いに相対的に動かし、レーザー光線の強度を変調す
る。記憶された情報の読取りは、記憶された情報に影響
を及ぼさない一定の強度及び適当な波長のレーザー光線
及び記憶媒体を一定1C…対的に移動させることによっ
て行なわれる。
タ記憶に関し、その際この場合も情報の光学的方法での
読取り、消去及び再誉込みが意図されている。この際記
憶媒体の光学的に透明な、前もって配向された液晶ポリ
マー薄映中テ単色レーデー光線によりデジタル位相構造
が形成される。レーザー光線及び記憶媒体を一定の方法
で互いに相対的に動かし、レーザー光線の強度を変調す
る。記憶された情報の読取りは、記憶された情報に影響
を及ぼさない一定の強度及び適当な波長のレーザー光線
及び記憶媒体を一定1C…対的に移動させることによっ
て行なわれる。
記憶媒体の工業的準備(ポリマーの配列)は可逆的アナ
ログデータ記憶と同様に行なわれる。
ログデータ記憶と同様に行なわれる。
記憶は前記の方法で行なわれ、この際単色光源として、
その波長が記憶媒体の吸収範囲にあるレーザーを使用す
る。その波長がずっと少ない程度で使用記憶媒体によっ
て吸収されるレーザーを用いて読取られる。この際記憶
及び読取りは室温で固体薄膜で行なわれ得る。情報の消
去はがラス転位温度Tg以上で異方性又は等方性範囲で
試料を加熱することによって行表われる。
その波長が記憶媒体の吸収範囲にあるレーザーを使用す
る。その波長がずっと少ない程度で使用記憶媒体によっ
て吸収されるレーザーを用いて読取られる。この際記憶
及び読取りは室温で固体薄膜で行なわれ得る。情報の消
去はがラス転位温度Tg以上で異方性又は等方性範囲で
試料を加熱することによって行表われる。
可逆的合成ホログラフィ−
この際前記の(可逆的デジタルデータ記憶のための)方
法でデジタル法で、書込み光線及び起上は媒体の一定の
相対的移動により、前もって配向された液晶プラスチッ
ク薄膜中に位相構造を形成する。再生はこの場合にはレ
ーザー光厭及び記憶媒体の一定の相対的移動によるデジ
タル記憶の場合と同様では々く、参照波での合成ホログ
ラムの完全な照明によって行なわれる。必要な強度変調
を確かめるために必要な情報は前もって計算により確か
められる。前記の方法は例えばレンズ等のような一定の
光学的特性を有する位相構造体の製造を可能にする。こ
れは計算によりデジタル形で行なわれるので、複雑な加
工処理(ガラス研磨、光沢)は著しく簡素化され得る。
法でデジタル法で、書込み光線及び起上は媒体の一定の
相対的移動により、前もって配向された液晶プラスチッ
ク薄膜中に位相構造を形成する。再生はこの場合にはレ
ーザー光厭及び記憶媒体の一定の相対的移動によるデジ
タル記憶の場合と同様では々く、参照波での合成ホログ
ラムの完全な照明によって行なわれる。必要な強度変調
を確かめるために必要な情報は前もって計算により確か
められる。前記の方法は例えばレンズ等のような一定の
光学的特性を有する位相構造体の製造を可能にする。こ
れは計算によりデジタル形で行なわれるので、複雑な加
工処理(ガラス研磨、光沢)は著しく簡素化され得る。
この方法で製造した光学的構成部分(メガネ用ガラス、
レンで)のM量が僅かであることも極めて重要である。
レンで)のM量が僅かであることも極めて重要である。
有利な作用
可逆的光学的データ記憶のための本発明による装置は殊
に可逆的デジタル情報記憶(皿BOW)の分野での適用
に好適である。もう1つの非常に重要な適用可能性はア
ナログ情報処理の分野で現われる(ホログラフィ−)。
に可逆的デジタル情報記憶(皿BOW)の分野での適用
に好適である。もう1つの非常に重要な適用可能性はア
ナログ情報処理の分野で現われる(ホログラフィ−)。
その使用分野は殊に工業的プロセス制御で認められる。
光学的アナログ技術で、可干渉光学的相互IJ m k
4礎とする確認、分類及び試験のような製品管理の重
要な段階を極めて迅速で1つ効果的に処理することがで
きる。
4礎とする確認、分類及び試験のような製品管理の重
要な段階を極めて迅速で1つ効果的に処理することがで
きる。
液晶ポリマーの製造
本発明によV使用可能なポリマー、特に氏lのものは自
体公知の方法で製造することがでさる:西ドイツ国特許
出願公開第2722589号明細書、同第283190
9号明細書、同第3020645号明細書、同第302
7757号明細書、同第3211400号明細書、欧州
4?杵出願公開第90282号明1n111書参照。
体公知の方法で製造することがでさる:西ドイツ国特許
出願公開第2722589号明細書、同第283190
9号明細書、同第3020645号明細書、同第302
7757号明細書、同第3211400号明細書、欧州
4?杵出願公開第90282号明1n111書参照。
型:直接待合スペーサー−中間基
例としてIA型の化合物の製造が記載されている(シベ
ーフ(v、P、 8hibaev )等著、ヨーロピア
ン・ポリマー・シャーナル(four、 Polym。
ーフ(v、P、 8hibaev )等著、ヨーロピア
ン・ポリマー・シャーナル(four、 Polym。
J、)第18巻651頁(1982年)参照)。
他に記号が使用された場合には、それは前記のものに相
応する。この際式■: Br−(CH2)n’ −COOHm 〔式中♂はn−1と同じものを表わすJの化合物から、
殊にDMF中で、無機の酸りOリド、例えば5oct2
を用いて、化合物■;Br−(CH2)、/ −CO
C/、 lVに変換することができる。
応する。この際式■: Br−(CH2)n’ −COOHm 〔式中♂はn−1と同じものを表わすJの化合物から、
殊にDMF中で、無機の酸りOリド、例えば5oct2
を用いて、化合物■;Br−(CH2)、/ −CO
C/、 lVに変換することができる。
ツ
これをフリーデル−クラ7/ (Pr1edel−Cr
aft日)−反応で、?11えはニトロペンゾール中で
ジフェニルを用いて式v二 Br−(CH2)C1’ −Co−C6H4−C6H5
”l/の化合物に変換することができ、これを例えば水
素化アルミニウムリチウムで化合物■:Br−(CH2
)CL−C6E14−C6H6VIに還元する。
aft日)−反応で、?11えはニトロペンゾール中で
ジフェニルを用いて式v二 Br−(CH2)C1’ −Co−C6H4−C6H5
”l/の化合物に変換することができ、これを例えば水
素化アルミニウムリチウムで化合物■:Br−(CH2
)CL−C6E14−C6H6VIに還元する。
これをCL2CHOC4HQ及び四塩化チタンと反工6
させて化合物Vff二 にすることができる。化合物シitヒドロキシルアミン
ー塩と有利に塩基例えばビリシンの存在で反応させてオ
キシムにし、これを脱水剤により、例えば無水物、例え
ば無水#鍍金用いてニトリルVl に変換することができる。
させて化合物Vff二 にすることができる。化合物シitヒドロキシルアミン
ー塩と有利に塩基例えばビリシンの存在で反応させてオ
キシムにし、これを脱水剤により、例えば無水物、例え
ば無水#鍍金用いてニトリルVl に変換することができる。
化合物VIヲ例えばDMF中で(メタ)アクリル酸の塩
と反応させることにより、iAa型:〔式中R1は水素
原子又はメチル基を表わす〕の化合物が得られる。
と反応させることにより、iAa型:〔式中R1は水素
原子又はメチル基を表わす〕の化合物が得られる。
例えば化合物V及び(メタ)アクリル酸の塩かう直接化
合物IAb二 ■ CH2−C−Coo−(CH2)n−C6H,−C6H
51A1:+を同様に°4造することができる。
合物IAb二 ■ CH2−C−Coo−(CH2)n−C6H,−C6H
51A1:+を同様に°4造することができる。
型:エーテル僑?介する結合スペーサー−中間基
列としてはIA型の化合物の構造が記1戒されている(
シベーフ者、前記引用文参照、プレー) (N、A、
Plate )、シペー7著、ジャーナル・オデ・ポリ
マー・サイエンス・ポリマー・シンポジ7 (J、 P
olym、 Sci、 Polym、 Sympos、
)(zσpAc1978 )−367巻1頁(1980
年)参照)。
シベーフ者、前記引用文参照、プレー) (N、A、
Plate )、シペー7著、ジャーナル・オデ・ポリ
マー・サイエンス・ポリマー・シンポジ7 (J、 P
olym、 Sci、 Polym、 Sympos、
)(zσpAc1978 )−367巻1頁(1980
年)参照)。
化合物lVを例えば水訛化アルミニナム“リチウムを用
いてエーテル中で還元して化合物■:Br−(CH2)
a−OH(/。
いてエーテル中で還元して化合物■:Br−(CH2)
a−OH(/。
とし、これを化合物■:
KO−C,H,−C,H,−CN Mと、
例えばメタノール中で反応させて、化合物■二 HO−(CH2)tl−0−C,H4−C6H,−ON
、1にする。
例えばメタノール中で反応させて、化合物■二 HO−(CH2)tl−0−C,H4−C6H,−ON
、1にする。
ヒドロキシ化合#!I■7&:(メタ)アクリルばのク
ロリドで酸2容体、例えばをアずンの存在で化合物IA
c二 CH2−C−Coo−(CH2)n−0−fコ、[(、
−C,H,−CNAc に変換する。
ロリドで酸2容体、例えばをアずンの存在で化合物IA
c二 CH2−C−Coo−(CH2)n−0−fコ、[(、
−C,H,−CNAc に変換する。
構造IA及び11!1−1Jに関して大きく変え得るこ
とによって次の合成法が可能である(ボルノがル(M、
Portugall ) 、リングストルア(H,R
lngsdorf )、ツニンテル(R,Zentel
)著、マクロモレキュラーレ・ヒエミー(MakrO
−mOl、 chem、) 183巻2611頁(19
82年);リングストルア、シュネラー(A、 5ch
nθ1ler )著、Br1t、 Polym、J、m
l 3惨43g(1981年)参照)。
とによって次の合成法が可能である(ボルノがル(M、
Portugall ) 、リングストルア(H,R
lngsdorf )、ツニンテル(R,Zentel
)著、マクロモレキュラーレ・ヒエミー(MakrO
−mOl、 chem、) 183巻2611頁(19
82年);リングストルア、シュネラー(A、 5ch
nθ1ler )著、Br1t、 Polym、J、m
l 3惨43g(1981年)参照)。
この際化合物Xに
かう、化合物Xff :
HO−(CH2)。−CL xIVとの
反応により、塩基の存在で、ぽXv:t 1!7!造す
る。こtuを1(メタ)アクリル酸で酸触媒下、例えば
p−ドルオールスルホン酸を用いてクロロホルム中で(
メタ)アクリル酸エステルX■: に変換する。化合物XVIを例えば■と同様に酸クロリ
ドに変換することができ、これをフェノールで、もしく
はp−位で置換されたフェノールで化合物11二 Jn もしくは化合物1zs IF% 10% IH%
IJに変換することができる。
反応により、塩基の存在で、ぽXv:t 1!7!造す
る。こtuを1(メタ)アクリル酸で酸触媒下、例えば
p−ドルオールスルホン酸を用いてクロロホルム中で(
メタ)アクリル酸エステルX■: に変換する。化合物XVIを例えば■と同様に酸クロリ
ドに変換することができ、これをフェノールで、もしく
はp−位で置換されたフェノールで化合物11二 Jn もしくは化合物1zs IF% 10% IH%
IJに変換することができる。
型二エステル基を介する結合スペーサー−中間価
例としてはIA型の化合物の製造が記載されている(プ
レート等著、前記引用文中参照;シベーフ等著、前記引
用文中参照)が、この方法は中間基IA〜(、TK対し
て一般に使用可能である。この際化合物■から中間基に
相応のパラ−フェノールと、殊に酸結合剤の存在でかつ
不活性溶剤例えばTHIF中で反応させて、飼えば化合
物X■: にすることができる。その他の反応は(メタ)アクリル
酸の塩で行なわれる。対掌性中心Rを有する化合物のた
めの例として次の合成が挙げられる: のビフェニルジフェノールをEXIX:BR−CH2−
C’E(−(、’2H。
レート等著、前記引用文中参照;シベーフ等著、前記引
用文中参照)が、この方法は中間基IA〜(、TK対し
て一般に使用可能である。この際化合物■から中間基に
相応のパラ−フェノールと、殊に酸結合剤の存在でかつ
不活性溶剤例えばTHIF中で反応させて、飼えば化合
物X■: にすることができる。その他の反応は(メタ)アクリル
酸の塩で行なわれる。対掌性中心Rを有する化合物のた
めの例として次の合成が挙げられる: のビフェニルジフェノールをEXIX:BR−CH2−
C’E(−(、’2H。
CE。
のプロミドとアルカリ金属アルコラードの存在で反応さ
せて、フェノールXX: にする。
せて、フェノールXX: にする。
塩Jk ’175 fJU下エタノール中で化合物口と
の反応により、アルコールXXI CH3XX[ が得らル、これと(メタ)アクリルばてエステル化する
。
の反応により、アルコールXXI CH3XX[ が得らル、これと(メタ)アクリルばてエステル化する
。
反応XIV〜Wと同様にし工、化合物XIYがら式X■
二 のフェノールとの反応により、塩基、例えば苛性カリ浴
液の存在でアセトン中で、式xxitt :のアルコー
ルを、・製造することがでさ、これを(メタ)アクリル
酸クロリドとの反応により■B型の化合物に変換するこ
とができるっ式■の酸アミドは例えば(メタ)アクリル
酸クロリドと式Xxrv二 HN−(CH2)、−COOHXXIVのアミンとの反
応によって(メタ)アクリル咳アミ ドXXV : を得ることかでさ、これを例えばcをc−oca3との
反らにより不活性塩基の任在で中間基?有するフェノー
ル、例えばXXVI でID型の化合物に変換することがでさる。
二 のフェノールとの反応により、塩基、例えば苛性カリ浴
液の存在でアセトン中で、式xxitt :のアルコー
ルを、・製造することがでさ、これを(メタ)アクリル
酸クロリドとの反応により■B型の化合物に変換するこ
とができるっ式■の酸アミドは例えば(メタ)アクリル
酸クロリドと式Xxrv二 HN−(CH2)、−COOHXXIVのアミンとの反
応によって(メタ)アクリル咳アミ ドXXV : を得ることかでさ、これを例えばcをc−oca3との
反らにより不活性塩基の任在で中間基?有するフェノー
ル、例えばXXVI でID型の化合物に変換することがでさる。
モノマーの重合
モノマー、例工ば■型のモノマーの重合の場合には公知
技術水準の1合法に依ジ行tうことができる(ホウベン
−ワイル(Houben−Weyl )、第4版、14
/1巻、デオルグ・テイーメ(GeorgThieme
)出版1961年、ラウツヒーデンチがム(H,Ra
uch−Puntigam ) Th。
技術水準の1合法に依ジ行tうことができる(ホウベン
−ワイル(Houben−Weyl )、第4版、14
/1巻、デオルグ・テイーメ(GeorgThieme
)出版1961年、ラウツヒーデンチがム(H,Ra
uch−Puntigam ) Th。
Voelker ”アクリル−・ラント・メタクリルウ
エアビンドウングン(Acryl−und Matha
crylve −rbi ncLungen )”スジ
リンガ−(Springer )出版、ベルリン196
7年;キルクーオスマー(Kirk−Othmer )
第3版、第18轡、ウイリイ(、T、 file7
) 1982年、シルドクネヒット(8childkn
acht )、スケイスト(5keist )、ポリメ
リゼイション・プロセスズ(Polymθriz−at
ion Processes )、第29巻1ノ)イ
・ボリマーズ(Hlgh Polymers ) ’
133貞(ウィリ−インターサイエンス(WlleT
−工ntersc1encs )1977年)参照)。
エアビンドウングン(Acryl−und Matha
crylve −rbi ncLungen )”スジ
リンガ−(Springer )出版、ベルリン196
7年;キルクーオスマー(Kirk−Othmer )
第3版、第18轡、ウイリイ(、T、 file7
) 1982年、シルドクネヒット(8childkn
acht )、スケイスト(5keist )、ポリメ
リゼイション・プロセスズ(Polymθriz−at
ion Processes )、第29巻1ノ)イ
・ボリマーズ(Hlgh Polymers ) ’
133貞(ウィリ−インターサイエンス(WlleT
−工ntersc1encs )1977年)参照)。
式■の化合物の重合のためにはラジカル重合が重要であ
る。例えば溶液重合、懸濁/乳化重合又は粒状重合が挙
げられる。例えば常用のラジカル開始剤、例えばアゾ−
又はベル化合物(ラウツヒーゾンチがム、ゲルケル前記
引用文中参照又<シラントラップ−インマーグツト(B
randrup−Immergut )、月ポリマーハ
ンドズック前記引用文中参照)をその為に所定の量で、
例えば七ツマ−に対して0.1〜1重を俤で使用する。
る。例えば溶液重合、懸濁/乳化重合又は粒状重合が挙
げられる。例えば常用のラジカル開始剤、例えばアゾ−
又はベル化合物(ラウツヒーゾンチがム、ゲルケル前記
引用文中参照又<シラントラップ−インマーグツト(B
randrup−Immergut )、月ポリマーハ
ンドズック前記引用文中参照)をその為に所定の量で、
例えば七ツマ−に対して0.1〜1重を俤で使用する。
(典型:アゾイソブチロニトリル、過酸化ジベンゾイル
、過酸化シラクロイル〕。場合により重合は調整剤例え
ば常用の硫黄、filJi剤を一般に七ツマ−に対して
0.05〜約2ffi量チの割合でij用することによ
□って調整することができる(同様に西ドイツ国特許出
願公開 第1083548号明?#J4参照)。
、過酸化シラクロイル〕。場合により重合は調整剤例え
ば常用の硫黄、filJi剤を一般に七ツマ−に対して
0.05〜約2ffi量チの割合でij用することによ
□って調整することができる(同様に西ドイツ国特許出
願公開 第1083548号明?#J4参照)。
常用の温度管理及び後処理法も同様に行なわれる。
方法は式Iの(メタ)アクリル化合物に基づ10R2
溶液重合法二
式Iのモノマー約0.35モルヲトルオール850a中
に溶解する。これにアゾイソブチロニトリル1.8ミU
モルを加え、約8時間不活曲がス下で約666°にで加
熱する。
に溶解する。これにアゾイソブチロニトリル1.8ミU
モルを加え、約8時間不活曲がス下で約666°にで加
熱する。
生成したポリマーを沈殿剤例えばメタノール1200モ
ルでの沈殿によジ得、分離しかつ】」轟な溶剤、列えば
ジクロルメタン中の浴#&びメタノールでの新たな沈殿
によりlIl製する。
ルでの沈殿によジ得、分離しかつ】」轟な溶剤、列えば
ジクロルメタン中の浴#&びメタノールでの新たな沈殿
によりlIl製する。
引続きそうして得られる、一般に粉末−粘稠物を水流真
窒で約506°にで亘憧が一定するまで乾燥することが
でさる〇 ガラス転位温度及び透明点の温ig、を熱分析により測
定する。
窒で約506°にで亘憧が一定するまで乾燥することが
でさる〇 ガラス転位温度及び透明点の温ig、を熱分析により測
定する。
第1図は本発明方法を実施するだめの装置を示す略示縦
析面図、であり、 第2図はアナログ光学的に示した2本の平面波のホログ
ラムの線図であり、この場合十字格子間隔は4μmもし
くは15μmであり、第6図は第1図からの十字格子の
フラウンホーファー回折像を示す略図でるり、 第第1司・はアナログ光学的に示した球可波のホログラ
ムの線図であり、この場合フレネルr −ンプレートの
中心直径は200μmでfりり。 第51Δは虚像物体球面波及び実像物体球面波の再構1
戊を示す略図である。 1・・・記録セル、2・・・ガラス板、3・・・間隔支
持第2区 ≧、・11、粂、≧・虫さ々ミ、→1ミ11≦ミミI勢
ミI砧■導ミ1第1&jミI冬いミ冬弛ミ溢P々ぜ、・
状・第3図 第5図 手続補正書(方式) %式% 2、発明の名称 可逆的光学的情報記憶法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 レーム・ゲゼルシャフト・ミツト・ベシュレン
クテル・ハフツ/グ 4、代理人 3、補正の対象 (1)明細書の図面の簡単な説明の馴 (2) 図 面 7、補正の内容 (1) 明細書力58頁躬17行の「線図Jを「写真
」と補正する。 −同第58頁第20行の「略図」を「写真」と補正する
。 −同第59頁第2行の「線図」を「写真」と補正する。 −同第59頁粥5行の「略図」を「写真」と補正する。 (λ)→ 別紙のとおり 但し図面の浄書(内容に変更なし) 8、 添付書類の目録 1、 上申書 2、 図 面
析面図、であり、 第2図はアナログ光学的に示した2本の平面波のホログ
ラムの線図であり、この場合十字格子間隔は4μmもし
くは15μmであり、第6図は第1図からの十字格子の
フラウンホーファー回折像を示す略図でるり、 第第1司・はアナログ光学的に示した球可波のホログラ
ムの線図であり、この場合フレネルr −ンプレートの
中心直径は200μmでfりり。 第51Δは虚像物体球面波及び実像物体球面波の再構1
戊を示す略図である。 1・・・記録セル、2・・・ガラス板、3・・・間隔支
持第2区 ≧、・11、粂、≧・虫さ々ミ、→1ミ11≦ミミI勢
ミI砧■導ミ1第1&jミI冬いミ冬弛ミ溢P々ぜ、・
状・第3図 第5図 手続補正書(方式) %式% 2、発明の名称 可逆的光学的情報記憶法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 レーム・ゲゼルシャフト・ミツト・ベシュレン
クテル・ハフツ/グ 4、代理人 3、補正の対象 (1)明細書の図面の簡単な説明の馴 (2) 図 面 7、補正の内容 (1) 明細書力58頁躬17行の「線図Jを「写真
」と補正する。 −同第58頁第20行の「略図」を「写真」と補正する
。 −同第59頁第2行の「線図」を「写真」と補正する。 −同第59頁粥5行の「略図」を「写真」と補正する。 (λ)→ 別紙のとおり 但し図面の浄書(内容に変更なし) 8、 添付書類の目録 1、 上申書 2、 図 面
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、液晶記憶媒体により可逆的光学的に情報を記憶させ
るために、異方性相における液晶側鎖ポリマーよりなる
薄膜に、電界、磁界又は表面活性場を組合せた局部的に
作用する熱源を用いて局部的再配向により情報を記憶さ
せることを特徴とする可逆的光学的情報記憶法。 2、記憶媒体として巨視的に配向されたポリマー液晶薄
膜を使用する特許請求の範囲第1項記載の方法。 3、記憶媒体として巨視的に配向が乱れた液晶薄膜を使
用する特許請求の範囲第1項記載の方法。 4、情報記憶処理を行なう記憶媒体の温度は、液晶側鎖
ポリマーのガラス転位温度Tg以下の形状安定状態の範
囲にある特許請求の範囲第1項記載の方法。 5、情報記憶処理を行なう記憶媒体の温度は、液晶側鎖
ポリマーのガラス転位温度Tg以上の粘弾性状態にある
特許請求の範囲第1項記載の方法。 6、記憶された情報を消去するため及び巨視的に配向さ
れた初期状態を復元するために局部的に温度を上昇させ
次いで電界、磁界又は表面活性場で冷却させることによ
り、初期配向状態を局部範囲で復元させる特許請求の範
囲第1項又は第2項に記載の方法。 7、入力された全情報を消去するため及び巨視的に配向
された初期状態を復元するために、記憶媒体の温度を上
昇させかつ電界、磁界又は表面活性場で冷却させる特許
請求の範囲第1項又は第2項記載の方法。 8、入力された全情報を消去するため及び巨視的に配向
が乱れた状態を復元するために、記憶媒体の温度をT_
N_Iを越える温度に上昇させ、次いで冷却させる特許
請求の範囲第1項から第3項までのいずれか1項に記載
の方法。 9、使用する液晶ポリマーを温度上昇により異方性の液
相にさせる特許請求の範囲第6項又は第7項記載の方法
。 10、使用する液晶ポリマーを温度上昇により等方性相
にさせる特許請求の範囲第6項又は第7項記載の方法。 11、液晶ポリマーは10^3〜10^5の範囲内の分
子量Mnを有する特許請求の範囲第1項から第10項ま
でのいずれか1項に記載の方法。 12、熱源としてレーザーを用いて方法を実施する特許
請求の範囲第1項から第11項までのいずれか1項に記
載の方法。 13、適当な波長及び適当な強度のレーザー光線で情報
を記憶させ、かつ記憶された情報を損なうことなしに、
他の波長のレーザー光線で読取ることができるように記
憶媒体の吸収挙動は選択されている特許請求の範囲第1
項から第12項までのいずれか1項に記載の方法。 14、液晶ポリマーの中間側鎖はスメクチツク型のもの
である特許請求の範囲第1項から第13項までのいずれ
か1項に記載の方法。 15、液晶ポリマーは、アクリレート型及び/又はメタ
クリレート型に属するモノマーから構成されている特許
請求の範囲第1項から第 14項までのいずれか1項に記載の方法。 16、液晶ポリマーは、ポリエステル型に属するモノマ
ーから構成されている特許請求の範囲第1項から第14
項までのいずれか1項に記載の方法。 17、配向状態の変化を電界を印加することによつて達
成する特許請求の範囲第1項から第16項までのいずれ
か1項に記載の方法。 18、巨視的に配向された薄膜は2枚の重なり合つて配
置された板又は薄膜の間に存在する特許請求の範囲第1
項から第17項までのいずれか1項に記載の方法。 19、記憶媒体はその吸収挙動が書込みレーザーの放射
波長に適応している特許請求の範囲第1項から第18項
までのいずれか1項に記載の方法。 20、記憶媒体はその吸収挙動が書込みレーザーの放射
波長に適合している染料を含有する特許請求の範囲19
項記載の方法。 21、液晶ポリマーは染料含有コモノマー単位を重合さ
せることによりその吸収挙動が書込みレーザーの放射波
長に適合している特許請求の範囲第19項記載の方法。 22、記憶媒体の必要な吸光度を染料濃度により調整す
る特許請求の範囲第13項から第21項までのいずれか
1項に記載の方法。 23、読取り波長は書込み処理に重要な染料の吸収最大
の外にある特許請求の範囲第1項から第22項までのい
ずれか1項に記載の方法。 24、図示可能な物質構造体から出発して、記憶すべき
構造体を単色コヒーレント光源で照射し、かつ記憶すべ
き構造体から散乱された光の方向、振幅及び位相によつ
て、同じ光源から発する参照光波と相対的に定められる
干渉縞を、記憶媒体としての液晶側鎖ポリマーよりなる
巨視的に配向された薄膜を包含する装置中でホログラフ
イーで記録しかつ記憶させる特許請求の範囲第1項から
第23項までのいずれか1項に記載の方法。 25、アナログ光学的に記憶された情報の読取りは、単
色コヒーレント光で巨視的に配向された薄膜を照明する
ことによつて行なわれる特許請求の範囲第24項記載の
方法。 26、記憶させるために任意の横断面のレーザー光線に
よりデジタル位相構造を記憶媒体としての巨視的に配向
された薄膜中に生起させる特許請求の範囲第1項から第
23項までのいずれか1項に記載の方法。 27、レーザー光線及び記憶媒体を、情報の記憶化の際
並びに読取りの際に、一定の方法で互いに相対的に移動
させる特許請求の範囲第 26項記載の方法。 28、記憶化の際に移動中にレーザー光線の強度を適当
な方法で変調する特許請求の範囲第26項又は第27項
記載の方法。 29、デジタル法で記憶化処理の際に所定の強度変調に
より位相構造を記憶媒体中に生起させ、得られた合成ホ
ログラムを参照波で照明することによつて再生を行なう
特許請求の範囲第26項記載の方法。 30、位相構造を生起させるために必要な強度変調を計
算により確かめる特許請求の範囲第29項記載の方法。 31、生起された情報密度(単位長さ当りの線の数で表
わされる)を全部で3つの座標軸に対して一方では記憶
媒体の線測定により、かつ他方では1mm当り最高20
00本の線により制限する特許請求の範囲第24項から
第30項までのいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863603268 DE3603268A1 (de) | 1986-02-04 | 1986-02-04 | Verfahren zur reversiblen, optischen datenspeicherung (iii) |
DE3603268.9 | 1986-02-04 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62283433A true JPS62283433A (ja) | 1987-12-09 |
Family
ID=6293267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62022647A Pending JPS62283433A (ja) | 1986-02-04 | 1987-02-04 | 可逆的光学的情報記憶法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4837745A (ja) |
EP (1) | EP0231857B1 (ja) |
JP (1) | JPS62283433A (ja) |
KR (1) | KR930000157B1 (ja) |
DE (2) | DE3603268A1 (ja) |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0642005B2 (ja) * | 1985-12-11 | 1994-06-01 | 日本石油株式会社 | 光学フイルタ− |
DE3623395A1 (de) * | 1986-07-11 | 1988-01-21 | Roehm Gmbh | Vorrichtung zur reversiblen, optischen datenspeicherung unter verwendung von polymeren fluessigkristallen |
EP0457369B1 (en) * | 1987-09-08 | 1998-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording apparatus |
WO1989006849A1 (en) * | 1988-01-21 | 1989-07-27 | Gabriel Ordonez | Electronically programmable display devices |
DE3810722A1 (de) * | 1988-03-30 | 1989-10-12 | Roehm Gmbh | Vorrichtung zur reversiblen optischen datenspeicherung |
JPH0218390A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-01-22 | Seiko Instr Inc | 方向性構造を有する物質の製造方法 |
DE3825066A1 (de) * | 1988-07-23 | 1990-01-25 | Roehm Gmbh | Verfahren zur herstellung von duennen, anisotropen schichten auf oberflaechenstrukturierten traegern |
US5187248A (en) * | 1989-05-26 | 1993-02-16 | Basf Aktiengesellschaft | Monomers and their use for the production of a laser-optical recording element which can be repeatedly erased and recorded on |
US5187298A (en) * | 1990-05-18 | 1993-02-16 | Basf Aktiengesellschaft | Monomers and their use for the production of a laser-optical recording element which can be repeatedly erased and recorded on |
DE3930667A1 (de) * | 1989-09-14 | 1991-03-28 | Basf Ag | Reversible oder irreversible erzeugung einer abbildung |
US5262081A (en) * | 1990-03-01 | 1993-11-16 | Akzo N.V. | Liquid crystalline polyesters for optical data storage |
US5212027A (en) * | 1990-05-18 | 1993-05-18 | Basf Aktiengesellschaft | Monomers and their use for the production of a laser-optical recording element which can be repeatedly erased and recorded on |
JP3056249B2 (ja) * | 1990-08-02 | 2000-06-26 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 液晶性ポリマー類および可逆的な情報記憶に対してそれらを光誘導配向させる方法 |
US5117297A (en) * | 1990-08-09 | 1992-05-26 | Western Publishing Company | Liquid crystal writing slate with DC imaging system |
US5115330A (en) * | 1990-08-09 | 1992-05-19 | Western Publishing Company | Liquid crystal writing slate |
US5111316A (en) * | 1990-08-09 | 1992-05-05 | Western Publishing Company | Liquid crystal writing state |
US5136404A (en) * | 1990-08-09 | 1992-08-04 | Western Publishing Company | Liquid crystal writing slate with improved light-transmission retention |
DE4106353A1 (de) * | 1991-02-28 | 1992-09-03 | Basf Ag | Reversible oder irreversible erzeugung einer abbildung |
DE4139563A1 (de) * | 1991-11-30 | 1993-06-03 | Roehm Gmbh | Reversibel vernetzte, orientierbare fluessigkristalline polymere |
EP0608924A1 (en) * | 1993-01-26 | 1994-08-03 | Akzo Nobel N.V. | Homeotropically oriented liquid crystalline polymer film comprising dichroic dye |
US5751452A (en) * | 1993-02-22 | 1998-05-12 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical devices with high polymer material and method of forming the same |
US5313320A (en) * | 1993-03-18 | 1994-05-17 | California Institute Of Technology | Method for aligning side-group liquid-crystalline polymers |
US5589237A (en) * | 1993-06-25 | 1996-12-31 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Reversible display medium |
KR19990028735A (ko) * | 1995-07-05 | 1999-04-15 | 모리슨 그랜트 | 광 저장 시스템 |
SE9503062L (sv) * | 1995-09-05 | 1997-06-24 | Peter Toth | Sätt och anordning vid informationslagring |
DE19932902A1 (de) | 1999-07-12 | 2001-01-25 | Beiersdorf Ag | Datenspeicher |
DE19935775A1 (de) * | 1999-07-26 | 2001-02-08 | Beiersdorf Ag | Datenspeicher und Verfahren zum Schreiben von Information in einen Datenspeicher |
DE10008328A1 (de) * | 2000-02-23 | 2002-01-31 | Tesa Ag | Datenspeicher |
DE10028113A1 (de) * | 2000-06-07 | 2001-12-20 | Beiersdorf Ag | Datenspeicher |
DE10039374A1 (de) * | 2000-08-11 | 2002-02-21 | Eml Europ Media Lab Gmbh | Holographischer Datenspeicher |
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