JPS62275338A - 光磁気デイスクとその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 （産業上の利用分野） この発明は光磁気ディスクとその製造方法に関するもの
である。

（従来技術） 従来、この種の光磁気ディスクの構造は第８図に示づよ
うにＰＭＭＡ樹脂又はＰＣ樹脂の基板１の上に下地ｌｌ
！２、記録層３、保護１ｉ１４及び反ｔＡｍ５が積層さ
れた構造であった。そして、記録層３はＧｄＴｂＦｅ、
ＴｂＦｅＣｏ又はＴｂＦｅの磁性体材料から構成されて
いる。

一方、下地層２は記録層３が基板１と直接接することに
よって生ずる界面酸化を防止するために同基板１と記録
層３の間に形成されていて、二酸化ケイ素（Ｓｉ０２）
、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）又は窒化アルミニウム（Ａ
ｌＮ）の誘電体材料から構成されている。又、保［４は
記録１１３の耐候性を向上させるために同記録層３と反
射層５の間に形成され、同じ＜５ｉ０２、Ｓｉ３Ｎ４又
はＡｌＮの誘電体材料から構成されている。尚、反射層
５はアルミニウム（Ａ１）又は銅（ＣＵ）等の材料で構
成されている。

（発明が解決しようとする問題点） ところが、上記各層を形成する際、基板１と下地層２の
間若しくは下地１１２と記録層３の間に水蒸気、酸素等
が吸着し若しくは透過し、この水蒸気、酸素が記録層３
を腐蝕させたり、Ｃ／Ｎ比の劣化を生じさせる問題があ
った。同様に保ｍ層４と反射層５の間でも同じ問題があ
った。

そこで、記録層３に用いられる磁性体に白金（Ｐｔ）、
アルミニウム（Ａ　Ｉ　）　、クロム（Ｃｒ）又はチタ
ン（Ｔ　ｉ　）の添加物を添加させ腐蝕に耐える記録層
３を形成する方法も提案されているが、添加物を゛添加
する割り合いにおいて磁性体の組成比も考慮する必要が
ることから、その形成方法も問題があった。

（目的） この発明の目的は上記問題点を解消すべく製造上、払拭
できない水蒸気、酸素の吸着に基づいて記録層が酸化さ
れ腐蝕されるのを防止プることができる光磁気ディスク
とその製造方法を提供するにある。

（問題点を解決するための手段） 上記目的を達成すべく、第１の発明は情報が記録される
記録層の少なくとも一側に酸化防止のためのに耐酸化性
に優れた誘電体層を形成した光磁気ディスクをその要旨
とするものである。

第２の発明は情報が記録される光磁気ディスクの記録層
の少なくとも一側に誘電体材料と耐酸化性に優れた添加
物とから構成される資材を物理蒸着にて前記添加物を含
む複合誘電体の薄膜を付着させて形成したことを特徴と
する光磁気ディスクの製造方法をその要旨とするもので
ある。

（作用） 第１の発明においてｗ４電体にて構成された記録層は耐
酸化性に優れた誘電体層にて酸化が押えられる。

第２の発明は誘電体と耐酸化性にしれた添加物とから構
成される資材を物理蒸着することにより、耐酸化性に優
れた添加物が混ざり合った複合誘電体が形成される。

（第一実施例） 以下、この発明を具体化した一実施例を図面に従って説
明する。

第１図は光磁気ディスクの下地層及び保Ｗ１１！！を形
成する高周波スパッタ装置の概略図であって、スパッタ
至１１内にはその上部に陽極部１２が設けられ、その陽
極部１２には磁気ディスクの基材となる本実施例ではＰ
ＭＭＡ樹脂よりなる基板１４が装着される。スパッタ室
１１の下部には陰極部１５が絶縁体１６を介して支持配
置され、その上部に資材としてのターゲット１７が載置
されている。そして、この陽極部１２及び陰極部１５は
ＲＦ電源に接続される。陰極部１５とＲＦ電源の間には
コンデンサ１８，１９及びコイル２０とから構成される
整合回路２１が設けられ、スパッタｖ１１に送り込まれ
てくるスパッタガスに有効に高周波電力が供給されるよ
うにしている。又、前記基板１４とターゲット１７との
中間位置はシャッタ２２が配置されている。

ターゲット１７は本実／Ｉ１例では第３図に示すように
円板状であって、二酸化ケイ素（Ｓｉ０２）、酸化アル
ミニウム（Ａｌ２Ｏ２＞、富化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、
酸化ケイ素（Ｓｉｎ）又は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）
の誘電体材料からなる誘電材部１７ａと金属としての白
金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａ　Ｉ　）　、クロム（Ｃ
ｒ）又はチタン（Ｔ　ｉ　）若しくはこれらの金属酸化
物の耐酸化性に優れた添加物からなる添加材部１７ｂか
ら構成されている。ｙ、電材部１７ａと添加材部１７ｂ
は円板の中心点を中心に扇状に形成され、それぞれ４個
の誘電材部１７ａと添加材部１７ｂが交互に配置されて
いる。

又、４個の誘電材部１７ａは互いに同一形状（山角が等
角度ｅ１）にするとともに、４個の添加材部１７ｂも互
いに同一形状（山角が等角度ｅ２）にしている。

そして、このように形成されたターゲット１７を使用し
てスパッタを行なうことによって、前記誘電体材料に耐
酸化性に優れた添加物が均一に混合し複合誘電体の膜、
即ち、下地層２３を基板１４に形成する。尚、この複合
誘電体よりなる下地層２３の添加物の含有率はターゲッ
ト１７の誘電材部１７ａと添加材部１７ｔ）の面積比で
決定されている。

下地層２３が形成されると、次にアモルファスＧｄＴｂ
Ｆｅ又はアモルファスＴｂＦｅＣｏのアモルファス磁性
体材料よりなる記録１ｉｉ１２４を形成する。この記録
層２４の形成は本実施例では従来の方法で行なうことと
するため、その説明は省略する。

記録Ｊ１２４が形成されると、同記録層２４の上に保護
層２５を形成するための作業に移る。保護層２５も前記
下地層２３と同様にスパッタにて形成する。その結果、
保護層２５は下地層２３と同様に添加物を含む複合誘電
体の層となる。尚、前記と同様に保護層２５の添加物の
含有率はターゲット１７の誘電材部１７ａと添加材部１
７ｂの面積比で決定されている。

そして、保護層２５が形成されると、最後に反射層２６
を公知の方法で形成することによって光磁気ディスクの
製造は終了する。

従って、この様に形成された光磁気ディスクは下地層２
３及び保護層２５が耐酸化性に優れた添加物を含む複合
誘電体で形成されているので、記録層２４と下地層２３
の界面及び記録層２４と保護層２５の界面においてそれ
ぞれ記録層２４のアモルファス磁性材料と下地１ｉ１２
３及び保護Ｊｉ２５の添加物との化合物が形成され、そ
の形成によって記録層２４は耐酸化性が向上し製造時に
付着する水蒸気、酸素によって酸化腐蝕されるといった
虞はなく光磁気ディスクの長寿命化を図ることができる
。

又、ベース基板１４と下地Ｂ２３との間及び保護層２５
と反射層２６との間に製造時に付着する水蒸気、酸素に
よって下地層２３及び保護層２５は酸化されない。その
結果、下地層２３、保護層２５等が酸化されそれに基づ
いて記録Ｗ１２４が酸化腐蝕されるといった虞もない。

又、本実施例ではターゲット１７を扇形の誘電材部１７
ａと添加材部１７ｂを交互に配置し円板状に形成し、そ
れをスパッタにて複合誘電体膜を形成したので、耐酸化
性に優れた添加物がまんべんなく誘電体に混ざった下地
層２３及び保護層２５を製造することができる。さらに
、本実施例では誘電材部１７ａと添加材部１７ｂの扇形
状を適宜変更するだけで複合誘電体中の耐酸化性に優れ
た添加物の含有率を簡単、かつ正確に変更することがで
きる。

尚、本実施例では下地層２３及び保護［１２５を共に複
合誘電体にて形成したが、これをいずれか一方だけに具
体化して実施してもよい。又、本実施例ではターゲット
１７を扇形の誘電材部１７ａと添加材部１７ｂを交互に
配置し円板状に形成したが、これを誘電体材料とＰｔ、
Ａｌ、Ｏｒ又はＴｉ若しくはこれらの金属酸化物とを混
合した複合材料をターゲットとして使用してもよい。

さらに、本実施例ではスパッタにて複合誘電体層を形成
したが、これを例えば真空蒸着法等、その他の薄膜形成
方法で実施してもよい。

（第二実施例） 次に、この発明の第二の実施例について第４図に従って
説明する。

本実施例は誘電体＄４料がガラスで添加物が耐酸化性に
優れた金属若しくは半金属とした誘電体層を記録層２４
の下側に形成したものである。

第４図において、基板３１はガラス又はセラミックより
なり、その上側に耐酸化性に優れた半金属であるホウ素
（Ｂ）を含むガラスよりなる酸化防止層としてのガラス
層３２が形成されている。

ガラス層３２の上側には前記実施例と同じアモルファス
磁性材料よりなる記録層２４が形成されている。

記録層２４の上側には前記第一実施例で説明した保護層
２５が形成され、そめ保１！ＷＡ２５の上側には反射層
２６が形成されている。

従って、この様に形成された光磁気ディスクはガラス層
３２が耐酸化性に優れたホウ素を含むガラスで形成され
ているので、記録層２４とガラス層３２の界面において
それぞれ記録層２４のアモルファス磁性材料とガラス層
３２のホウ素との化合物が形成され、その形成によって
記録層２４は耐酸化性が向上し製造時に付着する水蒸気
、Ｓ索によって酸化腐蝕されるといった虞はなく光磁気
ディスクの長寿命化を図ることができる。

尚、本実施例では耐酸化性に優れた半金属をホウ素とし
たが、これを例えばシリコン（Ｓ　ｉ　’）、ゲルマニ
ウム（Ｇ８）、リン（Ｐ）、又は、炭素（Ｃ）等、その
他の半金属を用いて実施してもよい。これら半金属も同
様に記録層２４とガラス層３２の界面においてアモルフ
ァス磁性材料と半金属との化合物が形成されその形成に
よって記録層２４は耐酸化性が向上する。

又、半金属に代えて耐酸化性に優れた白金（Ｐｔ）、ア
ルミニウム（Ａ　Ｉ　＞　、クロム（Ｃｒ）、チタン（
Ｔ　ｉ　）　、又はコバルト（Ｃｏ）等の金属であって
もよい。これら金属も同様に記録層２４とガラス層３２
の界面においてアモルファス磁性材料と金属との化合物
が形成され、その形成によって記録層２４は耐酸化性が
向上する。さらに、各半金属同志又は各金属同志を適宜
混合したり、半金属と金属を適宜混合してガラスに含ま
せるようにして実施してもよい。

ざらに又、本実施例の場合にはセラミックの基板３１上
にガラス層３２を形成したが、これを第５図に示すよう
に前記金属又は半金属を含んだガラスを基板３３とし、
その上側に記録層２４を形成してもよい。前記と同様に
記録層２４の酸化防止を図ることができるとともに、光
磁気ディスクの製造工程が簡略できることになる。

（第三実施例） 次に、この発明の第三の実施例について説明する。

本実施例は誘電体層を非化学口論的組成の有する誘電体
とし、それを第６図に示すように２つの記録層２４ａ、
２４ｂを有する２層光磁気ディスクに具体化したもので
ある。

そして、同ディスクの構造はＰＭＭＡ樹脂、ＰＣ樹脂、
セラミック、又は、ガラスからなる基板１４の上に非化
学量論的組成の有する誘電体よりなる下地層２３が形成
され、その下地層２３の上に下部の記録層２４ａが形成
される。前記記録層２４ａの上側に形成された中間層３
４は前記保護層２３と同様に非化学口論的組成の有する
誘電体よりなり、その上側には上部記録層２４１）が形
成されている。上部記録層２４ｂの上側に形成された保
護層２５は同じく非化学口論的組成の有する誘電体より
なり、その上側には反射層２６が形成されている。

前記下地層２３、中間層３４及び保護層２５を構成する
非化学量論的組成の有する誘電体は耐酸化性を向上させ
る特性を持ち、本実施例ではＳｉ−＄ｅｉｃｈＳ　ｉ　
Ｏ２で構成している。そして、各層２３．３４．２５は
前記第一実施例で説明したスッパッタ装置にて作成して
いる。この場合、第３図に示すようにターゲット１７に
おける二酸化ケイ素（Ｓｉ０２）よりなる誘電材部１７
ａとケイ素（Ｓ　ｉ　）よりなる添加材部１７ｂとの面
積比はスッパッタにてｆａｌｌを形成した場合その組成
が非化学量論的組成となる面積比にする。

このように、Ｓｉ−微１ｃｈＳ　ｉ　Ｏ２なる非化学ｊ
論的組成の誘電体にて下地層２３、中間層３４及び保護
層２５を形成することにより、前記各実施例と同様に記
録層２４ａ、２４ｂは耐酸化性が向上することが認めら
れた。その結果、記録層２４ａ、　２４ｂは製造時に付
着する水蒸気、酸素によって酸化腐蝕されるといった虞
はなく光磁気ディスクの長寿命化を図ることができる。

本実施例では３　ｉ　−ＲｉｃｈＳ　ｉ　Ｏ２なる非化
学量論的組成の誘電体にて実施したが、これを例えばＳ
　ｉ　−１２ｉｃｈ８　３Ｎ　　４、Ｓ　ｉ　−Ｒｉｃ
ｈＡ　Ｉ　　２０　３またはＡｌ−１ｃｈＡ！Ｎの非化
学量論的組成の誘電体を用いて実施してもよい。

又、本実施例では２層光磁気ディスクに具体化したもの
であるが、第７図に示すように多数の記録層２４に積層
された多層光磁気ディスクにおいて各中間層３４に具体
化してもよい。

尚、本発明は前記各実施例に限定されるものではなく、
例えば第一実施例で具体化した耐酸化性に優れた添加物
を含んだ誘電体層及び第二実施例で具体化した金属若し
くは半金属を含んだガラス層及び基板を前記第三実施例
で説明した２層光磁気ディスク及び多層光磁気ディスク
に具体化したり、第三実施例で具体化した非化学量論的
組成の誘電体を前記第−及び第二実施例の下地層及び保
護層に具体化してもよい。

（発明の効果） 以上詳述したように、第１の発明によれば記録層の耐酸
化性を向上させ光磁気ディスクの長寿命化を図ることが
でき、第２の発明によれば簡単な方法で′耐酸化性に優
れた光磁気ディスクを非常に簡単に製造することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図はこの発明を具体化した第一実施例を示
し、第１図は光磁気ディスクの下地層及び保護層を形成
するためのスパッタ装置の概略図、第２図は光磁気ディ
スクの構造を示す要部断面図、第３図は同じくターゲッ
トの正面図、第４図及び第５図はこの発明の第二実施例
を示し、第４図は光磁気ディスクの要部断面図、第５図
はその別例を示す光磁気ディスクの要部断面図、第６図
及び第７図はこの発明の第三実施例を示し、第６図は２
層光磁気ディスクの要部断面図、第７図は多層光磁気デ
ィスクの要部断面図、第８図は従来の光磁気ディスクの
構造を説明するための要部断面図である。 図中、１１はスパッタ至、１２は陽極部、１４゜３１．
３３は基板、１５は陰極部、１７はターゲット、１７ａ
は誘電材部、１７ｂは添加材部、２３は下地層、２４．
２４ａ、２４ｂは記録層、２５は保護層、２６は反射層
、３２はガラス層、３４ば中間層である。 特許出願人　　　　　ブラザー工業株式会社代　理　人
　　　　　弁理士　　恩１）傅宣第２図 図面その１ 第１図 第５図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、情報が記録される記録層の少なくとも一側に酸化防
   止のためのに耐酸化性に優れた誘電体層を形成した光磁
   気ディスク。 ２、記録層は磁性材料である特許請求の範囲第１項記載
   の光磁気ディスク。 ３、磁性材料はアモルファス磁性材料である特許請求の
   範囲第２項記載の光磁気ディスク。 ４、アモルファス磁性材料はアモルファスＧｄＴｂＦｅ
   又はアモルファスＴｂＦｅＣｏである特許請求の範囲第
   ３項記載の光磁気ディスク。 ５、耐酸化性に優れた誘電体層は誘電体材料に耐酸化性
   に優れた添加物を含ませたものからなる特許請求の範囲
   第１項記載の光磁気ディスク。 ６、誘電体材料は二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒
   化ケイ素、又は、窒化アルミニウムであり、添加物は耐
   酸化性に優れた金属若しくは金属酸化物の少なくともい
   ずれか一方からなる特許請求の範囲第５項記載の光磁気
   ディスク。 ７、耐酸化性に優れた金属は白金、アルミニウム、クロ
   ム、チタン、又は、コバルトである特許請求の範囲第６
   項記載の光磁気ディスク。 ８、耐酸化性に優れた金属酸化物は酸化白金、酸化アル
   ミニウム、酸化クロム、酸化チタン、又は、酸化コバル
   トである特許請求の範囲第６項記載の光磁気ディスク。 ９、誘電体材料はガラスからなり、添加物は耐酸化性に
   優れた金属若しくは半金属の少なくともいずれか一方か
   らなる特許請求の範囲第５項記載の光磁気ディスク。 １０、耐酸化性に優れた金属は白金、アルミニウム、ク
   ロム、チタン、又は、コバルトである特許請求の範囲第
   ９項記載の光磁気ディスク。 １１、耐酸化性に優れた半金属はシリコン、ゲルマニウ
   ム、ホウ素、りん、又は、炭素である特許請求の範囲第
   ９項記載の光磁気ディスク。 １２、耐酸化性に優れた誘電体層は非化学量論的組成を
   有する誘電体である特許請求の範囲第１項記載の光磁気
   ディスク。 １３、非化学量論的組成を有する誘電体はＳｉ−Ｒｉｃ
   ｈＳｉＯ２、Ｓｉ−ＲｉｃｈＳ３Ｎ４、Ｓｉ−Ｒｉｃｈ
   Ａｌ２Ｏ３、又は、Ａｌ−ＲｉｃｈＡｌＮである特許請
   求の範囲第１２項記載の光磁気ディスク。 １４、誘電体層は記録層の上側に保護層として形成した
   ものである特許請求の範囲第１項記載の光磁気ディスク
   。 １５、誘電体層は記録層の下側に下地層として形成した
   ものである特許請求の範囲第１項記載の光磁気ディスク
   。 １６、誘電体層は多層光磁気ディスクにおいて形成され
   る複数の記録層の間に中間層として形成したものである
   特許請求の範囲第１項記載の光磁気ディスク。 １７、誘電体層は記録層の下側に基板として形成したも
   のである特許請求の範囲第１項記載の光磁気ディスク。 １８、情報が記録される光磁気ディスクの記録層の少な
   くとも一側に誘電体材料と耐酸化性に優れた添加物とか
   ら構成される資材を物理蒸着にて前記添加物を含む複合
   誘電体の薄膜を付着させて形成したことを特徴とする光
   磁気ディスクの製造方法。 １９、物理蒸着はスパッタである特許請求の範囲第１８
   項記載の光磁気ディスクの製造方法。 ２０、物理蒸着は真空蒸着である特許請求の範囲第１８
   項記載の光磁気ディスクの製造方法。 ２１、誘電体材料と耐酸化性に優れた添加物とから構成
   される資材は円板形状でその円板をその中心点から放射
   状に複数分割し、その分割した複数の領域部分を交互に
   誘電体材料と耐酸化性に優れた添加物で成形したもので
   ある特許請求の範囲第１８項記載の光磁気ディスクの製
   造方法。 ２２、誘電体材料で成形された各領域部分は互いに等角
   度であり、耐酸化性に優れた添加物で成形された各領域
   部分は互いに等角度であり、その誘電体材料で成形され
   た領域部分の角度と耐酸化性に優れた添加物で成形され
   た領域部分の角度は複合誘電体の組成比に対応させたも
   のである特許請求の範囲第２１項記載の光磁気ディスク
   の製造方法。