JPS62269313A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS62269313A JPS62269313A JP11307286A JP11307286A JPS62269313A JP S62269313 A JPS62269313 A JP S62269313A JP 11307286 A JP11307286 A JP 11307286A JP 11307286 A JP11307286 A JP 11307286A JP S62269313 A JPS62269313 A JP S62269313A
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- Japan
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- quartz tube
- boat
- container
- high temperature
- semiconductor manufacturing
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造装置１：関し、特に酸化、拡散
等に使用される半導体製造装置に関するものである。
等に使用される半導体製造装置に関するものである。
第２図は従来の酸化、拡散等（二使用される半導体製造
装置を示す断面図であり、以下この図より説明する。図
のよう（二石英チューブ＋４１の先端（：複数のウェハ
（２１を並べたボート（１１を載置して、前記石英チュ
ーブ（４）を金属鋳物製のホルダー〇〇によって固定し
、ボートローダ−（８目＝取りつけ、また（７）は石英
チューブ（４）を挿入し、これを加熱する拡散炉、（５
）は前記石英チューブ内にガスを送りこむ管、（９１は
有毒ガス排気口である。
装置を示す断面図であり、以下この図より説明する。図
のよう（二石英チューブ＋４１の先端（：複数のウェハ
（２１を並べたボート（１１を載置して、前記石英チュ
ーブ（４）を金属鋳物製のホルダー〇〇によって固定し
、ボートローダ−（８目＝取りつけ、また（７）は石英
チューブ（４）を挿入し、これを加熱する拡散炉、（５
）は前記石英チューブ内にガスを送りこむ管、（９１は
有毒ガス排気口である。
従来の半導体製造装置は上述のように構成されている。
石英チューブ（４）の先端にウェハ（２１を並べたボー
ト（１１を載置しこの石英チューブ（４１を拡散炉（７
）にボートローダ−（８）（二よって挿入する。このと
き場合によっては、管１５１１ｍより窒素ガスまたは他
のガスを石英チューブ（４１１：送りこむこともある。
ト（１１を載置しこの石英チューブ（４１を拡散炉（７
）にボートローダ−（８）（二よって挿入する。このと
き場合によっては、管１５１１ｍより窒素ガスまたは他
のガスを石英チューブ（４１１：送りこむこともある。
従来の半導体製造装置は以上のように構成されているの
で拡散炉内の均熱領域にてウェハーを処理する場合石英
チューブ（４）を長くしなければならないため、熱容量
が大きくなり処理終了後ウェハや石英チューブ（４）の
冷却１二時間がかかった。また、高温Ｃ：なると石英チ
ューブ（４）の重さやボート（１１ウエハ（２１などの
重さにより、前記石英チューブ（４）が破損するという
問題点があった。
で拡散炉内の均熱領域にてウェハーを処理する場合石英
チューブ（４）を長くしなければならないため、熱容量
が大きくなり処理終了後ウェハや石英チューブ（４）の
冷却１二時間がかかった。また、高温Ｃ：なると石英チ
ューブ（４）の重さやボート（１１ウエハ（２１などの
重さにより、前記石英チューブ（４）が破損するという
問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、石英管の冷却が容易であり、かつ高温処理に
対しても石英管の曲りなどの破損がない半導体製造装置
を得ることを目的とする。
たもので、石英管の冷却が容易であり、かつ高温処理に
対しても石英管の曲りなどの破損がない半導体製造装置
を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体製造装置は、ボートを収容する容
器が載置される容器載置台を設けたものである。
器が載置される容器載置台を設けたものである。
この発明の半導体製造装置は容器載置台により容器が短
かくできるととも（：、容器を高温下に置いても容器に
破損が生じない。
かくできるととも（：、容器を高温下に置いても容器に
破損が生じない。
第１図ｆ−）（ｂ）はこの発明の一実施例を示す断面図
と正面図である。ボート（１１上（二のせたウェハ（２
１をシリコンカーバイト等で作られているパドル（３）
（−載置し、後方より細長い窒素ガス供給管（５）で窒
素などの不活性ガスを送りこみながら拡散炉（７）に挿
入する。本発明の一実施例ではボート（１）をパドル（
３１で支持しているので、石英チューブ（４）は従来の
もののようにセラミックホルダーＯｕに取りつけるため
長くする必要はなく、したがって石英チューブ（４）を
短かくすることができるので、石英チューブ（４１の冷
却時間が短縮化され、高温での処理を施しても折れや曲
りなどの破損はない。
と正面図である。ボート（１１上（二のせたウェハ（２
１をシリコンカーバイト等で作られているパドル（３）
（−載置し、後方より細長い窒素ガス供給管（５）で窒
素などの不活性ガスを送りこみながら拡散炉（７）に挿
入する。本発明の一実施例ではボート（１）をパドル（
３１で支持しているので、石英チューブ（４）は従来の
もののようにセラミックホルダーＯｕに取りつけるため
長くする必要はなく、したがって石英チューブ（４）を
短かくすることができるので、石英チューブ（４１の冷
却時間が短縮化され、高温での処理を施しても折れや曲
りなどの破損はない。
以上のように、この発明によれば、ボートを収容する容
器が載置される容器載置台を設けたので、高温での熱処
理を安全かつ迅速にできるという優れた効果を有する。
器が載置される容器載置台を設けたので、高温での熱処
理を安全かつ迅速にできるという優れた効果を有する。
第１図ｔａ＋ （ｂ＋はこの発明の一実施例を示す断面
図および正面図、第２図は従来の半導体製造装置である
。 （１）は石英ボード、（２）はウェハ、（３）はＳｉＯ
パドル、（４）は石英チューブ、（５）は窒素ガス供給
管、（６）はエンドリッド、（７）は拡散炉、（８）は
ホードローター、（９ｊはガス排気口、００）はセラミ
ックホルダーである。 図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
図および正面図、第２図は従来の半導体製造装置である
。 （１）は石英ボード、（２）はウェハ、（３）はＳｉＯ
パドル、（４）は石英チューブ、（５）は窒素ガス供給
管、（６）はエンドリッド、（７）は拡散炉、（８）は
ホードローター、（９ｊはガス排気口、００）はセラミ
ックホルダーである。 図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 熱処理が施される複数のウェハを載置するボートが収
容され、一端に開放部を有し、かつ、他端に不活性ガス
流入口を有する容器と、この容器を載置する容器載置台
とを備えたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11307286A JPS62269313A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11307286A JPS62269313A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62269313A true JPS62269313A (ja) | 1987-11-21 |
Family
ID=14602778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11307286A Pending JPS62269313A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62269313A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5245158A (en) * | 1991-01-17 | 1993-09-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device manufacturing apparatus |
| WO2001095373A2 (en) * | 2000-06-02 | 2001-12-13 | Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. | Silicon carbide cantilever paddle |
-
1986
- 1986-05-16 JP JP11307286A patent/JPS62269313A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5245158A (en) * | 1991-01-17 | 1993-09-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device manufacturing apparatus |
| WO2001095373A2 (en) * | 2000-06-02 | 2001-12-13 | Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. | Silicon carbide cantilever paddle |
| WO2001095373A3 (en) * | 2000-06-02 | 2002-06-06 | Saint Gobain Ceramics | Silicon carbide cantilever paddle |
| US6631934B1 (en) | 2000-06-02 | 2003-10-14 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Silicon carbide cantilever paddle |
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