JPS62263971A - 気相成長装置 - Google Patents

気相成長装置

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JPS62263971A
JPS62263971A JP10683686A JP10683686A JPS62263971A JP S62263971 A JPS62263971 A JP S62263971A JP 10683686 A JP10683686 A JP 10683686A JP 10683686 A JP10683686 A JP 10683686A JP S62263971 A JPS62263971 A JP S62263971A
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JP
Japan
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nozzle
raw material
gas
exhaust
vapor phase
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Pending
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JP10683686A
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English (en)
Inventor
Kotaro Sakoda
佐古田 光太郎
Minoru Kuwayama
桑山 実
Hiroyuki Shichida
七田 弘之
Ryosuke Yamaguchi
良祐 山口
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Mitsubishi Power Ltd
Original Assignee
Babcock Hitachi KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、気相成長装置に係り、特に原料ガスノズルと
排気ノズルの交換が容易でかつ均一な膜特性を得るのに
好適な気相成長装置に関する。
〔発明の背景〕
第8図および第9図に示す従来装置は、基板1、この基
板lを支持する基板支持台2および加熱ヒータ3を収納
する減圧容器4と、この減圧容器4を覆う容器l[5と
、減圧容器4内に導入されかつ端部にフランジ15を有
する原料ガス導入配管6と、減圧容器4の下方に設けた
排気ロアと、減圧容器4内に導入されかつ端部にフラン
ジ18を有する排気ガス排出配管8と、減圧容器4内で
原料ガス導入配管フランジ15と接続される原料ガスノ
ズル9と、同様に減圧容器4内で排気ガスfJF出配管
フランジ18と接続される排気ノズルIOとによって構
成され、原料ガスノズル9および排気ノズル10はそれ
ぞれ第9図に示すごとくガス噴出孔またはガス吸引孔1
9を備えている。
上記構成の従来装置においては、原料ガスノズル9およ
び排気ノズル10は両方共減圧容器4の内部でのみ交換
可能となっている。原料ガスノズル9は、例えば、第9
図に示すように、定ピツチで明けられた孔19を複数個
有する原料ガス供給管、または反応ガスチャンバ(孔付
き)に一旦供給し、該チャンバに明けられた孔から原料
ガスを噴出するという方式(この方式は図示しない)が
採用されており、排気ノズル10は排気の孔19を複数
個設けた管状の排気管から吸引されるようになっている
(特開昭51−1041)7号)。
上記従来装置においては原料ガス供給部の原料ガスノズ
ル9と排気部の排気ノズル10は減圧容器4の内部で交
換可能としであるため、成膜条件を変えたい場合、すな
わちノズル孔の径、ピッチ等の変更、ノズルの位置の変
更等を行おうとする場合やノズル内部を洗浄する場合に
は、減圧容器4の内部を洗浄し、内部全体を大気に曝し
た状態でノズルを交換し、さらに元の状態に戻す必要が
あり、多大な労力と時間を必要とするという欠点がある
また、従来の原料ガスノズル9と排気ノズル10に明け
られた孔は、第9図に示すごとく、一端を開口し、他端
を閉塞した管状の長手方向に、はぼ同じ大きさの開口径
を有するガス噴出孔またはガス吸引孔19を複数個設け
ている。これらのガス噴出孔またはガス吸引孔19は一
定の大きさの開口径および定ピツチ間隔で設けであるの
で、原料ガスノズル9の場合は原料ガス導入配管6から
ノズルの閉塞端に向かって明けられている孔から噴出す
るガス量は一定でない。従って、基板1上へのガス供給
量(供給速度)は変化しそして基板1の表面に均一な噴
出量で反応ガスを噴出することができない。また、排気
ノズル10の場合は排気ガス排出配管8からノズルの閉
塞端に向かって明けられている孔から吸引するガス量は
一定でなく、従って基板1上のガス吸引N(排出速度)
は変化しそして基板1の表面から均一な吸引量で反応ガ
スを吸引することができないという欠点を有している。
さらに、これらのことから基板1の表面に所望の薄膜を
均一膜厚および膜質で形成することができず、製造歩留
が著しく低下するという欠点を生じる。このため、現状
ではさらに、ノズル交換の容易性、反応ガスの均一供給
および排気ガスの均一排気の改善が望まれている。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き、原料ガス
ノズルと排気ノズルの交換が容易にできかつ基板の表面
に均一な膜厚および膜質の薄膜を容5に形成することが
できる気相成長装置を提供するにある。
〔発明の概要〕
この目的を達成するために、本発明は、原料ガス供給部
の原料ガスノズルと排気部の排気/゛ズルを減圧容器の
外部から取り外し7可能としたことを特徴とする。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を図面について説明する。
第1図および第2図は本発明による気相成長装置の一実
施例を示す正面図および部分平面図であって、1は基板
であり、第8図および第9図に対応する部分には同一符
号を付けている。
第1図および第2図において、原料ガス供給部は原料ガ
ス導入配管6、原料ガス導入配管フランジ15(他の方
式、例えばネジ方式、カブラ方式等でも良い−)、原料
ガスノズル盲板14、原料ガス導入口13および原料ガ
スノズル9から構成される。また、排気部は排気ガス排
出配管8、排気ガス排出配管フランジ18(他の方式、
例えばネジ方式、カプラ方式等でも良い)、排出ガスノ
ズル盲板17、排出ガスノズル導入口16および排気ノ
ズル10から構成される。
減圧容器4には薄膜の堆積前に短時間で真空に引いたり
、不純物混入防止のために減圧容器4内を高真空、超真
空にするのに役立つ排気ロア、および基板支持台2上に
載置された基板2を加熱するための加熱ヒータ3が設け
である。
第3図(a)は本実施例において使用する2重管式の原
料ガスノズルの1実施例を示す長手方向断面図で、第3
図(blは第3図(atのb−bgに沿う断面図である
。図において、2重管式の原料ガスノズル9の内管23
には原料ガス22のガス噴出口19が設けられる。また
、外管24には内管23と反対側にガス噴出口19が設
けられる。図において、内管23のガス噴出口19はそ
の上方にかつ外管24のガス噴出口19はその下方に設
けである。この実施例において原料ガス22は減圧容器
4外で予め混合して供給するものである。
第4図(al、 (blは2重管式の原料ガスノズルの
他の実施例を示し、第4図(alは長手方向断面図、第
4図(b)はそのb −b VAに沿う断面図である。
この実施例において内管23は外管24内に2本あり、
これらの内管23には原料ガス22−1.22−2が供
給されている。内管23には各々ガス噴出口19が設け
られ、かつ外管24にも同様にガス噴出口19か設けで
ある。これらの管23.24に設けられるガス噴出口1
9は、第4図(blに示すごとく、反対方向、すなわち
、内管23のガス噴出口19は図において左方にかつ外
管24のガス噴出口19は右方に設けられている。原料
ガス22−1.22−2は両内管23と外管24との間
の空間で混合されかつ外管24のガス噴出口19から基
板1上へ供給される。
第5図ial、 (blは2重管式の排気ノズルの1実
施例を示し、第5図1a)は長手方向断面図、第5図山
)は第5図(alO線b−bに沿う断面図である。図に
おいて外管24には排気ガスのガス吸引口19がかつま
た内管23にもガス吸引口19が設けられる。これら両
管23および24のガス吸引口19は第5図(b)から
明らかなように、一方が他方の反対側に、すなわち図に
おいて外管24のガス吸引口19が上方にかつ内管23
のガス吸引口19が下方に設けられる。
なお、第3図ないし第5図に示した2重管はいずれも外
管24と内管23が切り離しできるようにフランジ26
およびボルトまたはビス25により組み立てられている
上述した実施例によれば、以下の効果を得ることができ
る。
+1)配管フランジ15.18を減圧容器4の外に設け
て原料ガスノズル9および排気ノズル10を外部から容
易に交換可能としたため、減圧容器4の容器II5を開
ける必要がなくかつしたがって減圧容器4全体を大気に
さらす必要がなくなるので、原料ガスノズル9および排
気ノズル10の取り扱い(交換、洗浄、復旧等)作業時
間を大幅に減することができ、またノズルに関する運転
条件を容易に変更可能にすることができるという効果を
有する。
(2)原料ガスノズル9を2重管式とすることにより、
1重管の場合に管の長手方向に生ずる圧力分布く噴出量
に差を生ずる)を2重管の内管23と外管24の間の空
間で均一化して外管24のガス噴出口19からガスを供
給することができるため、基板l上に均一に原料ガスを
供給することができる。
(3)内管23を原料ガスの種類に応じて複数本(第4
図の実施例では2本)にすることにより、減圧容器4外
のガス供給配管内での原料ガスの反応を防止することが
でき、配管内での燃焼、爆発(気相成長に使用されるガ
スには5=Ha等の可燃性ガスが使用されるケースが多
い)を防止でき、しかも配管内に堆積する反応物質の洗
浄を行う必要がなくなる。
(4)排気ノズル10を2重管式とすることにより、1
重管の場合に管の長手方向に生ずる圧力分布(吸引流量
に差を生ずる)を2重管の外管24と内管23の空間で
均一化して外管24のガス吸引口19からガスを吸引す
ることができるため、基板l上のガスを均一に排気する
ことができる。
C3)2重管の内管23と外管24を切り離せるような
構造にしであるため、原料ガスノズル9および排気ノズ
ル10を外部に取り出した後容易に洗浄することが可能
である。
第6図(alおよび第7図(alは本発明による気相成
長装置に用いる原料ガスノズルおよび排気ノズルの他の
実施例をそれぞれ示し、第6図(b)および第7図(b
lはそれぞれ第6図(alおよび第7図(blの線b−
すに沿う断面図である。これらの実施例において前述し
た実施例と対応する部分には同一符号を付けている。第
6図ta+において原料ガスノズル9は前述した実施例
と同様に内管23および外管24からなる2重管式であ
り、ガス噴出口19はスリットとして設けられており、
これらのスリット19は、第6図山)に示すように、互
いに反対の側、すなわち図において内管23のスリット
19は左方にかつ外管24のスリット19は右方に設け
られている。
第7図(blにおいて排気ノズル10は同様に内管23
および外管24からなる2重管式であり、ガス吸引口1
9はスリットとして設けられており、これらのスリット
19は、第7図(b)に示すように、互いに反対の側、
すなわち図において内管23のスリット19は左方にか
つ外管24のスリット19は右方に設けられている。
この実施例によれば、第3図ないし第5図に示した実施
例におけるような小径孔を多数製作する場合に比べて、
スリット19は容易に製作される1ま ため、より実用的である。ガスの混合性、原料ガスの均
一供給性および排気ガスの均一吸引性については小径孔
の場合と同一の効果を維持する。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、原料ガスノズル
と排気ノズルを減圧容器の外部から取り外し可能とした
ため、成膜条件の変更、ノズル内部の洗浄等の要求の発
生に際してノズル交換が容易にでき、また2重管式とす
ることにより基板の表面に均一な膜厚、膜質の薄膜を容
易に形成することができ、上記従来技術の欠点を除いて
優れた機能を気相成長装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による気相成長装置の一実施例を示す正
面図、第2図は第1図の部分平面図、第3図ialは本
発明による気相成長装置に使用する2重管式原料ガスノ
ズルを示す長手方向断面図、第3図(blは第3図ta
+の線b−bに沿う断面図、第4図(Mlは2重管式原
料ガスノズルが2本の内管を有する実施例を示す長手方
向断面図、第4図(blは第4図(a)の線b−bに沿
う断面図、第5図+1)1は本発明による気相成長装置
に使用する2重管式排気ノズルを示す長手方向断面図、
第5図(b)は第5図+8)の線b−bに沿う断面図、
第6図talは本発明による気相成長装置に使用する2
重管式原料ガスノズルの他の実施例を示す長手方向部分
正面断面図、第6図(blは第6図(alの線b−bに
沿う断面図、第7図(jl)は本発明による気相成長装
置に使用する2重管式排気ノズルの他の実施例を示す長
手方向部分正面断面図、第7図〜)は第7図+51)の
線b−bに沿う断面図、第8図は従来技術による気相成
長装置を示す正面図、第9図は第8図の従来装置に使用
する原料ガスノズルおよび排気ノズルを説明する部分正
面図である。 4・・・減圧容器、9・・・原料ガスノズル、10・・
・排気ノズル、19・・・ガス噴出口(ガス吸引口)、
23・・・内管、24・・・外管。 第1図 第2図

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)少なくとも減圧容器と、該減圧容器に設けられた
    原料ガス供給部と、排気部とからなる固体膜を成長せし
    める気相成長装置において、前記原料ガス供給部の原料
    ガスノズルと前記排気部の排気ノズルとを前記減圧容器
    の外部から取り外し可能としたことを特徴とする気相成
    長装置。
  2. (2)前記原料ガスノズルがガス噴出口を有する2重管
    式のノズルにより構成されることを特徴とする特許請求
    の範囲第(1)項に記載の気相成長装置。
  3. (3)前記排気ノズルがガス吸引口を有する2重管式の
    ノズルにより構成されることを特徴とする特許請求の範
    囲第(1)項に記載の気相成長装置。
  4. (4)前記ガス噴出口および前記ガス吸引口が多数の小
    孔からなることを特徴とする特許請求の範囲第(2)項
    および第(3)項に記載の気相成長装置。
  5. (5)前記ガス噴出口および前記ガス吸引口がスリット
    からなることを特徴とする特許請求の範囲第(2)項お
    よび第(3)項に記載の気相成長装置。
JP10683686A 1986-05-12 1986-05-12 気相成長装置 Pending JPS62263971A (ja)

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