JP2009079265A - プラズマ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】製膜室内に配置された基板17の一方の面側に接地電極120を配設し、他方の面側に接地電極120と対面する高周波電極110を配設し、プラズマ放電によって基板17の他方の面に薄膜を成膜するプラズマ装置100であって、高周波電極110の基板17に対面する側の面とは反対側の面に対面すると共に該高周波電極110に接続され、外部から供給される高周波電力を高周波電極110に給電する電源接続平板電極106と、成膜を行うためのガスを溜めるガス溜り部111と、該ガス溜り部111に溜まったガスを基板17側に導出する複数の孔114とを有する高周波電極110とを具備し、電源接続平板電極106は、外部から供給される成膜を行うためのガスを高周波電極110のガス溜り部111に導入するガス流通孔131を内部に形成する構成とした。
【選択図】図1
Description
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係るプラズマCVD装置100を示す断面図である。このプラズマCVD装置100は、アモルファスSiや微結晶Si等のSi系薄膜を基板17上に堆積させることにより、薄膜Si系太陽電池を製造する容量結合型の平行平板電極方式のプラズマCVD装置である。
図3は、本発明の第2の実施の形態に係るプラズマCVD装置200を示す断面図である。本実施の形態のプラズマCVD装置200は、第1の実施の形態のプラズマCVD装置100に比べて、基板17自体で封止される反応室201を形成する点が異なる。従って、図3においては、図1との対応部分には同一符号を付して、重複した説明を省略する。
上述の第1及び第2の実施の形態においては、高周波電極110の各セル115a、115b、115c及び115dにそれぞれ1つのガス溜り部111を形成する場合について述べたが、本発明はこれに限られるものではなく、各セル115a、115b、115c及び115dにそれぞれ表面平板電極110bと同様に複数の孔が形成された平板を設けることにより、各セル115a、115b、115c及び115dにそれぞれ複数段のガス溜り部を形成するようにしてもよい。このようにすれば、一段と均等混合ガスを吹き出して、基板17に均一な薄膜を成膜することができる。
さらに、本発明の範囲を逸脱しない限りにおいて、適宜変更して実施することが可能である。
Claims (5)
- 製膜室内に配置された基板の一方の面側に接地電極を配設し、他方の面側に前記接地電極と対面する高周波電極を配設し、プラズマ放電によって前記基板の他方の面に薄膜を成膜するプラズマ装置であって、
前記高周波電極の前記基板に対面する側の面とは反対側の面に対面すると共に該高周波電極に接続され、外部から供給される高周波電力を前記高周波電極に給電する電源接続平板電極と、
前記成膜を行うためのガスを溜めるガス溜り部と、該ガス溜り部に溜まったガスを前記基板側に導出する複数の孔とを有する前記高周波電極とを具備し、
前記電源接続平板電極は、外部から供給される前記成膜を行うためのガスを前記高周波電極のガス溜り部に導入するガス流通孔を内部に形成したことを特徴とするプラズマ装置。 - 前記高周波電極は、前記基板に対面する領域が複数に分割形成され、該分割形成された各々のセルが前記電源接続平板電極に対して着脱可能であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ装置。
- 前記電源接続平板電極に形成された前記ガス流通孔と外部に設けられた前記ガスの供給源とを接続し、一部に可撓性の管部が設けられたガス供給管を具備することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のプラズマ装置。
- 前記電源接続平板電極に固定される間隔維持接続板と、
前記間隔維持接続板に設けられ、前記高周波電極を接続位置に位置決めする位置決め部とを具備することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のプラズマ装置。 - 一方が開口し、前記高周波電極及び前記電源接続平板電極を内部に収める函体を具備し、
前記函体の開口に対向する前記接地電極と前記函体の側壁の開口側端部との間に前記基板を挟むことにより、該基板と前記函体とによって成膜空間を形成することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のプラズマ装置。
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