JP2010255076A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 Download PDF

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Abstract

【課題】メンテナンス性を向上させるとともに、プラズマ処理の均一性および処理能力を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】このプラズマ処理装置1では、上部電極10は、複数のガス噴出孔13aを有する複数のシャワー電極13と、シャワー電極13の下面上に配置される平板14とを含む。平板14は、複数のシャワー電極13同士の間に形成された隙間S2の下側(下部電極20側)を覆うように配置されている。
【選択図】図1

Description

この発明は、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関する。
従来、太陽電池などの半導体デバイスの製造には、成膜などのプラズマ処理を行うために、プラズマ処理装置が広く用いられている。
例えば基板(プラズマ処理対象物)に成膜などのプラズマ処理を行う場合、プラズマ処理装置の上部電極および下部電極の間に基板を配置し、上部電極に高周波電圧を印加する。これにより、プラズマ処理用ガスがプラズマ状態になり、基板の表面に、反応生成物からなる膜が形成される。このとき、基板の表面だけでなく、プラズマチャンバの内面(内壁)や、上部電極および下部電極の表面などにも、反応生成物が付着する。この反応生成物は、プラズマ処理が行われる度に堆積し、その内部応力などより、プラズマチャンバの内面(内壁)や上部電極および下部電極の表面などから剥離する場合がある。この場合、剥離した反応生成物の一部は、基板の表面に付着し、プラズマ処理に悪影響を及ぼす。このため、プラズマチャンバの内面(内壁)や上部電極および下部電極の表面などに付着した反応生成物を、定期的に除去する必要がある。
また、プラズマ処理装置は、プラズマ処理の処理能力を向上し製品の製造コストを削減するために、複数の基板を同時にプラズマ処理するバッチ処理方式が主流となっている。複数の基板を同時にプラズマ処理する場合、プラズマ処理の均一性を向上させるためには、上部電極や下部電極をそれぞれ一体型に形成することが望ましい。しかしながら、上部電極や下部電極をそれぞれ一体型に形成すると、上部電極や下部電極が大型化する。特に、上部電極が大型化した場合、上部電極をプラズマ処理装置から取り外すのが困難になるので、反応生成物を除去する際のメンテナンス性が低下するという不都合がある。
この不都合を解消するために、複数の電極部品を組合せて1つの上部電極として機能させる分割型の電極が用いられている。
図6は、従来の一例によるプラズマ処理装置の構造を示した概略図である。図6に示すように、従来の一例によるプラズマ処理装置101は、プラズマチャンバ102と、プラズマチャンバ102内に配置された上部電極110および下部電極120とを備えている。
上部電極110には、ガス供給部103がガス供給管104を介して接続されており、上部電極110の後述する内部空間S101には、ガス供給部103からプラズマ処理用ガスが供給される。また、上部電極110には、高周波電源105が電気的に接続されている。
また、上部電極110は、ガス供給管104および高周波電源105が接続された上部電極板111と、中間板112と、複数のシャワー電極113とを含んでいる。
中間板112には、複数のシャワー電極113にそれぞれ対応する位置に、複数の開口部112aが形成されている。
複数のシャワー電極113は、中間板112を介して上部電極板111に電気的に接続されており、複数のシャワー電極113にも高周波電圧が印加される。また、シャワー電極113には、シャワー電極113の厚み方向に貫通した複数のガス噴出孔113aが形成されている。
そして、上部電極板111、中間板112およびシャワー電極113によって、上部電極110に複数の内部空間S101が形成されている。
下部電極120は、接地されている。また、下部電極120には、ヒータ121が内蔵されており、下部電極120は所定の温度に保持される。
このプラズマ処理装置101では、複数の基板130を載せたトレイ131を下部電極120上に配置し、上部電極110に高周波電圧を印加することにより、基板130にプラズマ処理を行う。
ところで、上記のようなプラズマ処理装置101では、シャワー電極113と隣接するシャワー電極113との間に隙間S102を設ける必要がある。これは、以下の理由による。すなわち、下部電極120に内蔵されたヒータ121を通電した場合、プラズマチャンバ102内が昇温されるが、昇温中や昇温直後において、上部電極板111、中間板112およびシャワー電極113の温度分布は一定にならない。このため、隣接するシャワー電極113同士の間に隙間S102を設けていない場合、シャワー電極113が膨張して、隣接するシャワー電極113を押圧する場合がある。この場合、シャワー電極113、中間板112および上部電極板111に応力が発生し、シャワー電極113、中間板112および上部電極板111が変形する場合がある。このため、シャワー電極113と隣接するシャワー電極113との間に隙間S102を設ける必要がある。
なお、上記のように、上部電極に複数のシャワー電極を設けた構造は、例えば、特許文献1に開示されている。
特開2008−106304号公報
しかしながら、図6に示した従来の一例によるプラズマ処理装置101のように、隣接するシャワー電極113同士の間に隙間S102を設ける場合、高周波電圧が印加されるシャワー電極113と接地された下部電極120との間で発生するプラズマ放電が、隙間S102の周辺部分と隙間S102の周辺以外の部分とで不均一になる。このため、基板(プラズマ処理対象物)130へのプラズマ処理が不均一になるという問題点がある。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、メンテナンス性を向上させるとともに、プラズマ処理の均一性および処理能力を向上させることが可能なプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することである。
上記目的を達成するために、この発明の第1の局面によるプラズマ処理装置は、一方電極と、一方電極から所定の距離を隔てて対向配置された他方電極とを備え、一方電極は、複数のガス噴出孔を有する複数のシャワー電極と、シャワー電極の他方電極側の表面上に配置される第1電極部とを含み、複数のシャワー電極同士の間には、隙間が形成されており、第1電極部は、複数のシャワー電極同士の間に形成された隙間の他方電極側を覆うように配置されている。
この第1の局面によるプラズマ処理装置では、上記のように、一方電極に、シャワー電極を複数設けることによって、各シャワー電極が大型化するのを抑制することができるので、シャワー電極をプラズマ処理装置から取り外すことが困難になるのを抑制できる。これにより、反応生成物を除去する際のメンテナンス性を向上させることができる。
また、第1の局面によるプラズマ処理装置では、上記のように、一方電極に、シャワー電極を複数設けることによって、各シャワー電極が大型化するのを抑制しながら、一方電極を大型化することができる。これにより、複数のプラズマ処理対象物(基板など)を同時にプラズマ処理することができるので、プラズマ処理の処理能力を向上させることができる。
また、第1の局面によるプラズマ処理装置では、上記のように、一方電極に、第1電極部を設け、第1電極部を、複数のシャワー電極同士の間に形成された隙間の他方電極側を覆うように配置する。これにより、一方電極と他方電極との間で発生するプラズマ放電が、隙間の周辺部分と隙間の周辺以外の部分とで不均一になるのを抑制することができる。その結果、プラズマ処理の均一性を向上させることができる。
また、第1の局面によるプラズマ処理装置では、上記のように、複数のシャワー電極同士の間に隙間を形成することによって、一方電極の昇温中や昇温直後に、シャワー電極の膨張に起因してシャワー電極が隣接するシャワー電極を押圧するのを抑制することができる。これにより、シャワー電極などに応力が発生するのを抑制することができるので、シャワー電極などが変形するのを抑制することができる。
上記第1の局面によるプラズマ処理装置において、好ましくは、第1電極部は、シャワー電極よりも小さい厚みを有する。このように構成すれば、第1電極部の他方電極側の表面とシャワー電極の他方電極側の表面との段差を小さくすることができるので、一方電極と他方電極との間で発生するプラズマ放電が、第1電極部の周辺部分と第1電極部の周辺以外の部分とで不均一になるのを抑制することができる。その結果、プラズマ処理の均一性をより向上させることができる。
上記第1の局面によるプラズマ処理装置において、好ましくは、一方電極は、シャワー電極の他方電極とは反対側に配置される第2電極部をさらに含み、第1電極部は、ネジを用いて、第2電極部またはシャワー電極にネジ止めされており、第1電極部のネジが挿入される第1ネジ穴は、ネジのネジ径よりも大きい内径を有する。このように構成すれば、第1電極部の第1ネジ穴の内径とネジのネジ径との差だけ、第1電極部を、ネジ、第2電極部およびシャワー電極に対して動くようにすることができる。これにより、一方電極の昇温中や昇温直後に、シャワー電極や第1電極部などの膨張に起因してシャワー電極や第1電極部などに応力が発生するのを抑制することができる。その結果、シャワー電極や第1電極部などが変形するのを、容易に抑制することができる。
上記第1の局面によるプラズマ処理装置において、好ましくは、一方電極は、シャワー電極の他方電極とは反対側に配置される第2電極部をさらに含み、シャワー電極は、ネジを用いて、第2電極部にネジ止めされており、シャワー電極のネジが挿入される第2ネジ穴は、ネジのネジ径よりも大きい内径を有する。このように構成すれば、シャワー電極の第2ネジ穴の内径とネジのネジ径との差だけ、シャワー電極を、ネジおよび第2電極部に対して動くようにすることができる。これにより、一方電極の昇温中や昇温直後に、シャワー電極や第2電極部の膨張に起因してシャワー電極や第2電極部に応力が発生するのを抑制することができる。その結果、シャワー電極や第2電極部が変形するのを、容易に抑制することができる。
上記第1の局面によるプラズマ処理装置において、好ましくは、一方電極は、シャワー電極の他方電極とは反対側に配置される第2電極部をさらに含み、第1電極部は、シャワー電極と共に、第2電極部にネジ止めされている。このように構成すれば、第1電極部とシャワー電極とを同時に取り付けたり、同時に取り外すことができるので、メンテナンス性をより向上させることができる。
上記第1の局面によるプラズマ処理装置において、好ましくは、一方電極は、シャワー電極の他方電極とは反対側に配置される電極板と、電極板およびシャワー電極の間に配置され開口部を有する中間板とをさらに含む。このように構成すれば、電極板と中間板とを1つの部材で形成する場合に比べて、シャワー電極の他方電極とは反対側に配置される部材(電極板および中間板)が大型化するのを抑制することができる。これにより、メンテナンス性をより向上させることができる。
この発明の第2の局面によるプラズマ処理方法は、上記の構成のプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、一方電極および他方電極の間に複数のプラズマ処理対象物を配置する工程と、一方電極および他方電極の少なくとも一方に電圧を印加することにより、複数のプラズマ処理対象物に同時にプラズマ処理を行う工程とを備える。このように構成すれば、メンテナンス性を向上させるとともに、プラズマ処理の均一性および処理能力を向上させることが可能なプラズマ処理装置を用いて、複数のプラズマ処理対象物に同時にプラズマ処理を行うことができる。これにより、プラズマ処理対象物の品質を向上させながら、生産性を向上させることができる。
以上のように、本発明によれば、メンテナンス性を向上させるとともに、プラズマ処理の均一性および処理能力を向上させることが可能なプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を容易に得ることができる。
本発明の一実施形態によるプラズマ処理装置の構造を示した概略図である。 図1に示した本発明の一実施形態によるプラズマ処理装置の上部電極の構造を示した分解斜視図である。 図1に示した本発明の一実施形態によるプラズマ処理装置の上部電極の構造を示した断面図である。 図1に示した本発明の一実施形態によるプラズマ処理装置の上部電極の構造を示した拡大断面図である。 本発明の変形例によるプラズマ処理装置の上部電極の構造を示した拡大断面図である。 従来の一例によるプラズマ処理装置の構造を示した概略図である。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
まず、図1〜図4を参照して、本発明の一実施形態によるプラズマ処理装置1の構造について説明する。
本発明の一実施形態によるプラズマ処理装置1は、例えば、太陽電池などの製造に用いられる。また、プラズマ処理装置1は、図1に示すように、プラズマチャンバ2と、プラズマチャンバ2内に配置された上部電極10および下部電極20とを備えている。なお、上部電極10は、本発明の「一方電極」の一例であり、下部電極20は、本発明の「他方電極」の一例である。
プラズマチャンバ2には、圧力計3および排気装置4が取り付けられている。圧力計3は、プラズマチャンバ2の内圧を計測するために設けられている。また、圧力計3と排気装置4には、制御部5が接続されている。この制御部5は、圧力計3の出力に基づいてプラズマチャンバ2の内圧を算出するとともに、プラズマチャンバ2の内圧が所定値になるように排気装置4を制御する機能を有する。
上部電極10には、ガスボンベなどからなるガス供給部6がガス供給管7を介して接続されており、上部電極10の後述する内部空間S1には、ガス供給部6からプラズマ処理用ガスが供給される。また、上部電極10には、高周波電源8が接続されている。
ここで、本実施形態では、図1および図2に示すように、上部電極10は、金属製の上部電極板11と、金属製の中間板12と、複数の金属製のシャワー電極13と、複数の金属製の平板14とを含んでいる。なお、上部電極板11は、本発明の「電極板」の一例であり、中間板12は、本発明の「第2電極部」の一例である。また、平板14は、本発明の「第1電極部」の一例である。
上部電極板11および中間板12は、シャワー電極13の上側(下部電極20とは反対側)に配置されている。
また、上部電極板11には、図2および図3に示すように、上部電極板11の厚み方向(A方向)に貫通した複数の取付穴11aが形成されている。この取付穴11aに、ガス供給管7(図3参照)が取り付けられている。
また、上部電極板11には、図4に示すように、ネジ30が固定される複数のネジ穴11bが形成されている。また、上部電極板11には、図1に示すように、高周波電源8が電気的に接続されている。
中間板12は、図1および図2に示すように、上部電極板11とシャワー電極13との間に配置されている。また、中間板12には、複数のシャワー電極13にそれぞれ対応する位置に、複数の開口部12aが形成されている。
また、中間板12には、図2および図4に示すように、中間板12の厚み方向(A方向)に貫通した複数のネジ穴12bが形成されている。これら複数のネジ穴12bは、図4に示すように、上部電極板11の複数のネジ穴11bにそれぞれ対応する位置に形成されている。そして、中間板12は、ネジ穴12bにネジ30が挿入されることにより、上部電極板11のネジ穴11bにネジ止めされている。
また、ネジ穴12bは、ネジ30のネジ径よりも大きい内径を有するように形成されている。これにより、ネジ穴12bの内径とネジ30のネジ径との差だけ、中間板12は、ネジ30および上部電極板11に対して、B方向およびC方向に移動可能となる。
また、中間板12の下面には、ネジ31または32(図2参照)が固定される複数のネジ穴12cが形成されている。
シャワー電極13は、例えば約5mmの厚みに形成されている。なお、シャワー電極13の厚みは、約5mmに限定されない。また、シャワー電極13は、略直方体の外形を有する。すなわち、シャワー電極13の側面部分は、凹凸形状に形成されていない。
また、シャワー電極13は、図2に示すように、B方向に複数設けられている。なお、シャワー電極13は、B方向だけでなくC方向にも、複数設けられていてもよい。
また、本実施形態では、シャワー電極13は、隣接するシャワー電極13からB方向に所定の間隔を隔てて配置されている。すなわち、隣接するシャワー電極13同士の間には、シャワー電極13の面方向(B方向)に、隙間S2(図1参照)が形成されている。
また、シャワー電極13には、図2および図4に示すように、シャワー電極13の厚み方向(A方向)に貫通した複数(例えば、数百個程度)のガス噴出孔13aと複数のネジ穴13bとが形成されている。複数のネジ穴13bは、中間板12の複数のネジ穴12cにそれぞれ対応する位置に形成されている。そして、シャワー電極13は、ネジ穴13bにネジ31または32(図2参照)が挿入されることにより、中間板12のネジ穴12c(図4参照)にネジ止めされている。なお、ネジ穴13bは、本発明の「第2ネジ穴」の一例である。
また、本実施形態では、ネジ穴13bは、図4に示すように、ネジ31および32(図2参照)のネジ径よりも大きい内径を有するように形成されている。これにより、ネジ穴13bの内径とネジ31または32のネジ径との差だけ、シャワー電極13は、ネジ31、32および中間板12に対して、B方向およびC方向に移動可能となる。
そして、図1に示すように、上部電極板11、中間板12およびシャワー電極13によって、上部電極10に複数の内部空間S1が形成されている。この内部空間S1に供給されたプラズマ処理用ガスは、シャワー電極13の複数のガス噴出孔13aから下部電極20側に噴出される。
また、複数のシャワー電極13は、中間板12を介して上部電極板11に電気的に接続されており、複数のシャワー電極13にも高周波電圧が印加される。
平板14は、シャワー電極13よりも小さい、例えば約1.5mmの厚みに形成されている。なお、平板14の厚みは、約1.5mmに限定されない。
また、本実施形態では、平板14は、隣接するシャワー電極13同士の間の隙間S2の下側(下部電極20側)を覆うように、シャワー電極13の下面(下部電極20側の表面)上に、密着するように配置されている。
具体的には、図4に示すように、平板14には、平板14の厚み方向(A方向)に貫通した複数のネジ穴14aが形成されている。この複数のネジ穴14aは、中間板12の複数のネジ穴12cとシャワー電極13の複数のネジ穴13bとに対応する位置に形成されている。そして、平板14は、ネジ穴14aにネジ31が挿入されることにより、シャワー電極13と共に、中間板12のネジ穴12cにネジ止めされている。なお、ネジ穴14aは、本発明の「第1ネジ穴」の一例である。
また、本実施形態では、ネジ穴14aは、ネジ31のネジ径よりも大きい内径を有するように形成されている。これにより、ネジ穴14aの内径とネジ31のネジ径との差だけ、平板14は、ネジ31、中間板12およびシャワー電極13に対して、B方向およびC方向に移動可能となる。
また、複数の平板14は、シャワー電極13に電気的に接続されており、複数の平板14にも高周波電圧が印加される。
なお、図3および図4では、ネジ30の頭部が中間板12の下面(下部電極20側の表面)から下側に突出していない構造を図示しているが、ネジ30の頭部が中間板12の下面から下側に突出していてもよい。また、同様に、ネジ31の頭部が平板14の下面(下部電極20側の表面)から下側に突出していない構造を図示しているが、ネジ31の頭部が平板14の下面から下側に突出していてもよい。
下部電極20は、図1に示すように、上部電極10から所定の距離を隔てて対向配置されているとともに、接地されている。また、下部電極20には、ヒータ21が内蔵されている。このヒータ21は、後述するトレイ41の有無にかかわらず通電されており、トレイ41を500℃程度に保持するように温度調整されている。
次に、図1および図2を参照して、本発明の一実施形態によるプラズマ処理装置1を用いたプラズマ処理方法について説明する。
まず、プラズマ処理装置1の主電源(図示せず)をオンするとともに、下部電極20のヒータ21を通電する。これにより、下部電極20や上部電極10などが所定の温度に昇温される。昇温中や昇温直後においては、上部電極板11、中間板12、シャワー電極13および平板14などの温度分布が一定にならないので、昇温後、所定の時間が経過するまで、この状態を保持する。
そして、図示しない搬送部などにより、複数の基板40を載せたトレイ41を、下部電極20上(上部電極10と下部電極20との間)に配置する。これにより、トレイ41が500℃程度に保持される。なお、基板40は、本発明の「プラズマ処理対象物」の一例である。
その後、排気装置4により、プラズマチャンバ2の内圧が所定値になるように調整しながら、プラズマ処理用ガスを、ガス供給部6からガス供給管7を介して、上部電極10の内部空間S1に供給する。これにより、プラズマ処理用ガスは、シャワー電極13の複数のガス噴出孔13aから下部電極20側に噴出し、プラズマチャンバ2内に供給される。
プラズマチャンバ2の内圧が100Pa程度に安定した後、高周波電源8を起動することにより、上部電極板11に、例えば約13.56MHzの高周波電圧を1000W程度印加する。このとき、複数のシャワー電極13および複数の平板14にも、高周波電圧が印加される。これにより、プラズマ処理用ガスがプラズマ状態になり、基板40の表面に、反応生成物からなる膜が形成される。
そして、予め設定された秒数が経過した後、高周波電源8の出力を停止する。その後、プラズマ処理用ガスの供給を停止する。
このようにして、複数の基板40に、同時に成膜(プラズマ処理)が行われる。
本実施形態では、上記のように、上部電極10に、シャワー電極13を複数設けることによって、各シャワー電極13が大型化するのを抑制することができるので、シャワー電極13を取り外すことが困難になるのを抑制できる。これにより、反応生成物を除去する際のプラズマ処理装置1のメンテナンス性を向上させることができる。
また、本実施形態では、上記のように、上部電極10に、シャワー電極13を複数設けることによって、各シャワー電極13が大型化するのを抑制しながら、上部電極10を大型化することができる。これにより、複数の基板40を同時にプラズマ処理することができるので、プラズマ処理の処理能力を向上させることができる。
また、本実施形態では、上記のように、平板14を、複数のシャワー電極13同士の間に形成された隙間S2の下側(下部電極20側)を覆うように配置する。これにより、上部電極10と下部電極20との間で発生するプラズマ放電が、隙間S2の周辺部分と隙間S2の周辺以外の部分とで不均一になるのを抑制することができる。その結果、プラズマ処理の均一性を向上させることができる。
また、本実施形態では、上記のように、複数のシャワー電極13同士の間に隙間S2を設けることによって、上部電極10の昇温中や昇温直後に、シャワー電極13の膨張に起因してシャワー電極13が隣接するシャワー電極13を押圧するのを抑制することができる。これにより、シャワー電極13などに応力が発生するのを抑制することができるので、シャワー電極13などが変形するのを抑制することができる。
また、本実施形態では、上記のように、平板14を、シャワー電極13よりも小さい厚みに形成することによって、平板14の下面(下部電極20側の表面)とシャワー電極13の下面(下部電極20側の表面)との段差を小さくすることができる。これにより、上部電極10と下部電極20との間で発生するプラズマ放電が、平板14の周辺部分と平板14の周辺以外の部分とで不均一になるのを抑制することができる。その結果、プラズマ処理の均一性をより向上させることができる。
また、本実施形態では、上記のように、平板14のネジ穴14aを、ネジ31のネジ径よりも大きい内径を有するように形成することによって、平板14のネジ穴14aの内径とネジ31のネジ径との差だけ、平板14を、ネジ31、中間板12およびシャワー電極13に対して動くようにすることができる。これにより、上部電極10の昇温中や昇温直後に、シャワー電極13や平板14などの膨張に起因してシャワー電極13や平板14などに応力が発生するのを抑制することができる。その結果、シャワー電極13や平板14などが変形するのを、容易に抑制することができる。
また、本実施形態では、上記のように、シャワー電極13のネジ穴13bを、ネジ31および32のネジ径よりも大きい内径を有するように形成することによって、シャワー電極13のネジ穴13bの内径とネジ31または32のネジ径との差だけ、シャワー電極13を、ネジ31、32および中間板12に対して動くようにすることができる。これにより、上部電極10の昇温中や昇温直後に、シャワー電極13や中間板12などの膨張に起因してシャワー電極13や中間板12などに応力が発生するのを抑制することができる。その結果、シャワー電極13や中間板12などが変形するのを、容易に抑制することができる。
また、本実施形態では、上記のように、平板14を、シャワー電極13と共に、中間板12にネジ止めすることによって、平板14とシャワー電極13とを同時に取り付けたり、同時に取り外すことができる。これにより、プラズマ処理装置1のメンテナンス性をより向上させることができる。
また、本実施形態では、上記のように、上部電極板11と中間板12とを別の部材で構成することによって、上部電極板11と中間板12とを1つの部材で形成する場合に比べて、上部電極10のうちシャワー電極13よりも上側に配置される部材(上部電極板11および中間板12)が大型化するのを抑制することができる。これにより、プラズマ処理装置1のメンテナンス性をより向上させることができる。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
例えば、上記実施形態では、プラズマ処理の一例として、プラズマ処理対象物(基板)に成膜を行う例について示したが、本発明はこれに限らず、プラズマ処理対象物(基板)に、成膜以外の、例えば表面改質や洗浄などのプラズマ処理を行ってもよい。
また、上記実施形態では、プラズマ処理を、基板に行う例について示したが、本発明はこれに限らず、プラズマ処理を、基板以外のプラズマ処理対象物に行ってもよい。
また、上記実施形態では、プラズマ処理装置を、太陽電池の製造に用いる例について示したが、本発明はこれに限らず、プラズマ処理装置を、太陽電池以外の半導体デバイスの製造に用いてもよいし、半導体デバイス以外の製造に用いてもよい。
また、上記実施形態では、平板(第1電極部)を、シャワー電極よりも小さい厚みに形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、平板(第1電極部)を、シャワー電極以上の厚みに形成してもよい。
また、上記実施形態では、平板を中間板にネジ止めした例について示したが、本発明はこれに限らず、平板を、シャワー電極にネジ止めしてもよい。
また、上記実施形態では、平板を、シャワー電極と共に、中間板にネジ止めした例について示したが、本発明はこれに限らず、平板を、シャワー電極および中間板と共に、上部電極板にネジ止めしてもよい。
また、上記実施形態では、平板をネジを用いて中間板に取り付けた例について示したが、本発明はこれに限らず、平板を、ネジを用いることなく中間板やシャワー電極などに取り付けてもよい。
また、上記実施形態では、上部電極板と中間板とを別の部材で構成した例について示したが、本発明はこれに限らず、上部電極のうちシャワー電極よりも上側に配置される部分(上部電極板および中間板)を1つの部材で形成してもよい。
また、上記実施形態では、シャワー電極の側面部分を、凹凸形状に形成しない例について示したが、本発明はこれに限らず、図5に示した本発明の変形例のように、シャワー電極53の側面部分を、凹凸形状に形成してもよい。この場合、隣接するシャワー電極53の側面部分(凹凸形状に形成された部分)同士を厚み方向に重なるように配置してもよい。そして、平板54を、隣接するシャワー電極53同士の間の隙間S12の下側を覆うように、シャワー電極53の下面上に配置してもよい。
1 プラズマ処理装置
10 上部電極(一方電極)
11 上部電極板(電極板)
12 中間板(第2電極部)
12a 開口部
13、53 シャワー電極
13a ガス噴出孔
13b ネジ穴(第2ネジ穴)
14、54 平板(第1電極部)
14a ネジ穴(第1ネジ穴)
20 下部電極(他方電極)
31、32 ネジ
40 基板(プラズマ処理対象物)
S2、S12 隙間

Claims (7)

  1. 一方電極と、
    前記一方電極から所定の距離を隔てて対向配置された他方電極とを備え、
    前記一方電極は、
    複数のガス噴出孔を有する複数のシャワー電極と、
    前記シャワー電極の前記他方電極側の表面上に配置される第1電極部とを含み、
    前記複数のシャワー電極同士の間には、隙間が形成されており、
    前記第1電極部は、前記複数のシャワー電極同士の間に形成された前記隙間の前記他方電極側を覆うように配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 前記第1電極部は、前記シャワー電極よりも小さい厚みを有することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
  3. 前記一方電極は、前記シャワー電極の前記他方電極とは反対側に配置される第2電極部をさらに含み、
    前記第1電極部は、ネジを用いて、前記第2電極部または前記シャワー電極にネジ止めされており、
    前記第1電極部の前記ネジが挿入される第1ネジ穴は、前記ネジのネジ径よりも大きい内径を有することを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ処理装置。
  4. 前記一方電極は、前記シャワー電極の前記他方電極とは反対側に配置される第2電極部をさらに含み、
    前記シャワー電極は、ネジを用いて、前記第2電極部にネジ止めされており、
    前記シャワー電極の前記ネジが挿入される第2ネジ穴は、前記ネジのネジ径よりも大きい内径を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
  5. 前記一方電極は、前記シャワー電極の前記他方電極とは反対側に配置される第2電極部をさらに含み、
    前記第1電極部は、前記シャワー電極と共に、前記第2電極部にネジ止めされていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
  6. 前記一方電極は、前記シャワー電極の前記他方電極とは反対側に配置される電極板と、前記電極板および前記シャワー電極の間に配置され開口部を有する中間板とをさらに含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
  7. 請求項1〜6のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、
    一方電極および他方電極の間に複数のプラズマ処理対象物を配置する工程と、
    前記一方電極および前記他方電極の少なくとも一方に電圧を印加することにより、前記複数のプラズマ処理対象物に同時にプラズマ処理を行う工程とを備えることを特徴とするプラズマ処理方法。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09129555A (ja) * 1995-10-26 1997-05-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマ化学蒸着装置
JP2002313744A (ja) * 2001-04-19 2002-10-25 Sharp Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法、それらを用いて作製した薄膜、基板および半導体装置
JP2003109908A (ja) * 2001-10-01 2003-04-11 Sharp Corp プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、基板および半導体装置
JP2006086470A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Sharp Corp プラズマ発生装置
JP2008106304A (ja) * 2006-10-25 2008-05-08 Fuji Electric Holdings Co Ltd 薄膜形成装置
JP2009079265A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Fuji Electric Systems Co Ltd プラズマ装置
JP2010168609A (ja) * 2009-01-21 2010-08-05 Fuji Electric Systems Co Ltd 薄膜形成装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09129555A (ja) * 1995-10-26 1997-05-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマ化学蒸着装置
JP2002313744A (ja) * 2001-04-19 2002-10-25 Sharp Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法、それらを用いて作製した薄膜、基板および半導体装置
JP2003109908A (ja) * 2001-10-01 2003-04-11 Sharp Corp プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、基板および半導体装置
JP2006086470A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Sharp Corp プラズマ発生装置
JP2008106304A (ja) * 2006-10-25 2008-05-08 Fuji Electric Holdings Co Ltd 薄膜形成装置
JP2009079265A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Fuji Electric Systems Co Ltd プラズマ装置
JP2010168609A (ja) * 2009-01-21 2010-08-05 Fuji Electric Systems Co Ltd 薄膜形成装置

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