JPS62257765A - 固体撮像素子 - Google Patents

固体撮像素子

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Publication number
JPS62257765A
JPS62257765A JP61099326A JP9932686A JPS62257765A JP S62257765 A JPS62257765 A JP S62257765A JP 61099326 A JP61099326 A JP 61099326A JP 9932686 A JP9932686 A JP 9932686A JP S62257765 A JPS62257765 A JP S62257765A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
main scanning
light receiving
scanning
solid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61099326A
Other languages
English (en)
Inventor
Yutaka Kikuchi
豊 菊池
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP61099326A priority Critical patent/JPS62257765A/ja
Publication of JPS62257765A publication Critical patent/JPS62257765A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/148Charge coupled imagers
    • H01L27/14831Area CCD imagers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分D) 本発明は1次元に複数個の受光素子を並設した固体撮像
素子に関する。
(従来の技術) 一般に1画像読取装置は、複数個の光センサを並設した
1次元ラインセンサ5例えばCODラインセンサ等の固
体撮像素子にて、主走査方向の1次元の読取りを行ない
、ミラー、レンズ等の光学系の移動により副走査方向を
スキャンすることで、原稿やフィルム等の画像読取りを
行なっている。
ところで、第5図(a)は従来の固体撮像素子の受光部
の説明図であり、複数個並設された受光部a1〜anの
各々の間には、チャンネルストッパと呼ばれる遮光部す
が設けられ、該遮光部すは1つの受光部毎に独立させ、
光の漏れを防止するものである。このため、同図に示す
ようにCODの受光部a1〜anの7パーチヤ巾L;L
3は受光部の並列方向である主走査方向が各受光部のピ
ッチ島からチャンネルストッパ巾(遮光部rtDuzを
減算した長さ!;L3であり、主走査方向に対して直角
な副走査方向は、受光部中文4である。そして従来では
主走査方向と副走査方向は、はぼ同一の画素密度にて読
み取りすることが多く、受光部サイズが主走査方向の受
光部ピッチ交1と副走査方向の受光部中文4とを同−巾
としてあった。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記従来例では、実際に画像読み取りを
行なう際に、走査スピードを上げるため、副走査方向の
読み取りが1画素密度毎にステップ移動し、停止した状
態で主走査方向の読み取りをすることではなく、一定速
度にて副走査方向を走査する。この場合、走査速度は副
走査方向の画像密度から決定される。したがって、実際
の受光部における副走査方向の7パーチヤサイズは、第
5図(b)の斜線部で示すように、副走査方向の受光部
中文4に画素密度重文5を加算したものとなる。この画
素密度重文5は、主走査、副走査が同一の画素密度であ
るとすると、主走査方向の各受光部のピッチ文1に等し
い、この結果、従来の1次元の固体撮像素子による主走
査、光学系移動による副走査の画像読取時には、主走査
と比較して副走査について所望の解像度が得られないと
いう問題点があった。
そこで、本発明は従来例の上記した問題点を解決するた
めになされたもので、その目的とするところは、主走査
と副走査との解像度の差がなく、より高精度な画像読取
りの可能な固体撮像素子を提供することにある。
(問題点を解決するための手段) 上記の目的を達成するために、本発明にあっては、1次
元に複数個の受光素子を並設した固体撮像素子において
、前記受光素子の受光部における垂直方向の受光巾が前
記受光部の並列方向の受光巾に対して狭く形成したこと
により構成されている。
(作 用) 本発明においては、受光素子の受光部における垂直方向
の受光巾が受光部の並列方向の受光巾に対して狭く形成
し、主走査、副走査の際の解像度のばらつきを小さくす
るものである。
(実施例) 以下に本発明を図示の実施例に基づいて説明する。第2
図は本発明を適用した画像;光取装置の構成図であり、
同図において、1は原稿台ガラスで、該原稿台ガラスl
上には画像面を下にして原稿2が載置されている。また
、光路は原稿台ガラス1の下方に配設され照明ランプ3
、第1ミラー4で構成された第1ミラーユニツト5と、
互いに90°の角度を有して配設された反射ミラー6a
、6bにより構成された第2ミラーユニツト7と、レン
ズ8と、固体撮像素子としてのC0D(電荷結合素子)
ラインセンサ9とから形成され、原稿2の画像である原
稿画像はCCDラインセンサ9に結像する。そして、画
像読取装置はCCDラインセンサ9により主走査方向の
読み取りを行なうと共に、第1ミラーユニツト5と第2
ミラーユニツト7をに2%の速度で矢印方向に走査する
ことで、原稿画像の副走査方向の読み取りを行なう。
第1図(a)は本発明に係る固体撮像素子の第1実施例
を示す受光部の説明図であり、CCDラインセンサ9に
おいて複数個並設された矩形状の受光部11の各々の間
にはチャンネルストッパと呼ばれる遮光部12が設けら
れ、該遮光部12は1つの受光部11毎に独立させ、光
の漏れを防止するものである。遮光部12を設けたこと
により、受光部11の7パーチヤ巾立3は、受光部11
の並列方向である主走査方向の各受光部11のビ′9チ
文1から遮光部中文2を減算した長さとなり、主走査方
向に対して直角な副走査方向は受光部申立4である。未
実施例では、1画素の受光部11における副走査方向の
受光部中14が主走査方向の受光部重文3よりも狭くな
るように形成されている。したがって、受光部11はそ
の並列方向に対して長い矩形状に形成されている。換言
すれば、受光素子の受光部11における垂直方向の受光
部中文4は、受光部11の並列方向の受光部中文3対し
て狭く形成したことである。また。
第1図(b)においてi5は副走査方向の画素密度中で
ある。
しかして、未実施例では一定速度にて副走査方向を走査
すると、副走査方向の受光部中i4と主走査方向の受光
部中文3との関係が交4く交3であるから、主走査、副
走査のばらつきが小さくなる。
第3図は本発明に係る固体撮像素子の第2実施例を示す
受光部の説明図であり、この実施例では受光部11自体
を第1実施例のように形成するのではなく、遮光部12
aによって、受光部11を矩形状とし、且つ副走査方向
の受光部中立4と主走査方向の受光部重文3との関係を
文4く文3としたものである8例えば各受光部11毎に
区分するチャンネルストッパ部を利用して受光マスクと
したものである。この結果、光の漏れを防止する効果が
一段と向上する。
第4図は本発明に係る固体撮像素子の第3実施例を示す
受光部の説明図であり、この実施例は第2実施例と同様
に遮光部12aにより受光マスクをしたものであるが、
画素の受光部11を主走査方向に長い長円形状とした場
合を示す、この場合、受光部11は楕円形状でもよい、
したがって、本実施例は、画素読取後、レーザービーム
プリンタにて出力する際に、レーザービームによる書き
込み時のドツト形状が円形をしているため、画像出力と
のマツチングが良好となる。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、例
えば上記実施例では固体撮像素子としてCCDラインセ
ンサを使用したが、CCD等の縮小型であっても、また
密着型の等倍センサであっても適用可俺である。
(9:、明の効果) 本発明に係る固体撮像素子は以上の構成及び作用からな
るもので、受光素子の受光部における垂直方向の受光巾
が該受光部の並列方向の受光巾に対して狭く形成したの
で、主走査に対して副走査の解像度が向上してばらつき
が小さくなり、高精細な画像読取りができるという効果
を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)は本発明に係る固体撮像素子の第1実施例
を示す受光部の説明図、第1図(b)は同実施例におけ
る1画素当りのアパーチャサイズを示す説明図、第2図
は本発明を適用した画像読衣装はの構成図、第3図は本
発明に係る固体撮像素子の第2実施例を示す受光部の説
明図、第4図は本発明に係る固体撮像素子の第3実施例
を示す受光部の説明図、第5図(a)は従来の固体撮像
素子における受光部の説明図、第5図(b)は同従来例
における1画素当りの7パーチヤサイズの説明図である
。 符号の説明 9・・・CCDラインセンサ(固体撮像素子)11・・
・受光部    12・・・遮光部交3・・・走査方向
の受光部巾 fL4・・・副走査方向の受光部巾 代理人 弁理士  址  良  和  信第1図 第2図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)1次元に複数個の受光素子を並設した固体撮像素
    子において、前記受光素子の受光部における垂直方向の
    受光巾が該受光部の並列方向の受光巾に対して狭く形成
    したことを特徴とする固体撮像素子。
  2. (2)前記受光素子の受光部が並列方向に対して長い矩
    形状であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の固体撮像素子。
  3. (3)前記受光素子の受光部が並列方向に対して長い長
    円形状であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の固体撮像素子。
JP61099326A 1986-05-01 1986-05-01 固体撮像素子 Pending JPS62257765A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61099326A JPS62257765A (ja) 1986-05-01 1986-05-01 固体撮像素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61099326A JPS62257765A (ja) 1986-05-01 1986-05-01 固体撮像素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62257765A true JPS62257765A (ja) 1987-11-10

Family

ID=14244510

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61099326A Pending JPS62257765A (ja) 1986-05-01 1986-05-01 固体撮像素子

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JP (1) JPS62257765A (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56120173A (en) * 1981-02-06 1981-09-21 Toshiba Corp Solid state image sensing device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56120173A (en) * 1981-02-06 1981-09-21 Toshiba Corp Solid state image sensing device

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