JPS62257612A - ヨ−ク型薄膜磁気ヘツド - Google Patents
ヨ−ク型薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS62257612A JPS62257612A JP10159486A JP10159486A JPS62257612A JP S62257612 A JPS62257612 A JP S62257612A JP 10159486 A JP10159486 A JP 10159486A JP 10159486 A JP10159486 A JP 10159486A JP S62257612 A JPS62257612 A JP S62257612A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
主粟上皇肌朋分立
この発明は再生専用のヨーク型薄膜磁気ヘッドに関し、
特にヨークと、磁気変化検出素子である磁気抵抗素子と
の磁気的結合構造に関する。
特にヨークと、磁気変化検出素子である磁気抵抗素子と
の磁気的結合構造に関する。
従米坐肢■
外部から加えられる磁界の変化で磁気抵抗値が変化する
磁気抵抗素子〔以下ＭＲ素子と称す〕は、磁気テープに
記録された情報を読み取ることに優れ、またＭＲ素子は
薄膜化が容易であり、さらに一般のバルク型磁気ヘッド
のような巻。
磁気抵抗素子〔以下ＭＲ素子と称す〕は、磁気テープに
記録された情報を読み取ることに優れ、またＭＲ素子は
薄膜化が容易であり、さらに一般のバルク型磁気ヘッド
のような巻。
線を要しないといった構造上の優位性から、再生専用の
磁気ヘッドに賞月されている。このＭＲ素子を使った磁
気ヘッドは大別して２タイプがあり、１タイプはＭＲ素
子を磁気テープに直接に接触〔又は近接〕させて、磁気
テープのｔｉ報を読み取るようにしたものであり、他の
１タイプは磁気テープの磁界変化を磁性体のヨークを通
してＭＲ棄子に導くものである。
磁気ヘッドに賞月されている。このＭＲ素子を使った磁
気ヘッドは大別して２タイプがあり、１タイプはＭＲ素
子を磁気テープに直接に接触〔又は近接〕させて、磁気
テープのｔｉ報を読み取るようにしたものであり、他の
１タイプは磁気テープの磁界変化を磁性体のヨークを通
してＭＲ棄子に導くものである。
上記前者タイプの磁気ヘッドは構造が簡単であるが、大
気中の水分で酸化してＭＲ素子の特性が劣化し易く、信
頼性が劣る問題があって、現在は上記後者タイプのヨー
ク型厚ＩＩＮ磁気ヘッドが主流となっている。このヨー
ク型薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ素子を絶縁層で気密にシー
ルして保護し、信頼性を上げた構造のもので、その従来
構造例としては、電子通信学会技術研究報告ＭＲ−８４
・４４があり、第７図及び第８図を参照して説明する。
気中の水分で酸化してＭＲ素子の特性が劣化し易く、信
頼性が劣る問題があって、現在は上記後者タイプのヨー
ク型厚ＩＩＮ磁気ヘッドが主流となっている。このヨー
ク型薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ素子を絶縁層で気密にシー
ルして保護し、信頼性を上げた構造のもので、その従来
構造例としては、電子通信学会技術研究報告ＭＲ−８４
・４４があり、第７図及び第８図を参照して説明する。
第７図及び第８図に示す磁気ヘッドはＮｉ −Ｚｎ合金
やＭｎ −Ｚｎ合金などの磁性体の基板（１）上に５ｉ
０２やＡ’２ｏ、の絶縁層（２）、Ｃｕ等のバイアス導
体（３）、ＮｉＦｅ合金などのＭＲ素子（４）、Ｎｉ−
Ｆｅ合金などの磁性体のフロントヨーク（５）及び磁性
体基板（１）と直接接続しているバンクヨーク（６）の
各薄膜を積層したものである。バイアス導体（３）は基
板（１）の近くを横切る〔紙面表面−裏面方向に〕帯状
のものであり、ＭＲ素子（４）はバイアス導体（３）の
一部に平行に対向する３００人〜５００人の厚さの矩形
ｇｌｌＱで、その両端からリード（７）（７゛）が導出
される。フロントヨーク（５）の一端と基板（１）の一
端との間で例えば、２５００人〜３０００人の磁気ギャ
ップ（ｇ）が形成される、フロントヨーク（５）は磁気
ギャップ（ｇ）からＭＲ素子（４）の一端部上まで延び
、バックヨーク（６）はＭＲ素子（４）の他の一端部上
から延びて基板（１）上に達する。フロントヨーク（５
）の後方端部とＭＲ素子（４）の間、及びバックヨーク
（６）の前方端部とＭＲ素子（４）の間に絶縁１ｉ（２
）の一部が介在して、両ヨーク （５） （６）とＭ
Ｒ素子（４）は電気的絶縁された状態で磁気的結合され
、これにより磁気ギャップ（ｇ）に加えられた外部磁束
は、図番で示すと、（５）−（４）−（６）−（１）の
閉ループの磁気回路を流れる。
やＭｎ −Ｚｎ合金などの磁性体の基板（１）上に５ｉ
０２やＡ’２ｏ、の絶縁層（２）、Ｃｕ等のバイアス導
体（３）、ＮｉＦｅ合金などのＭＲ素子（４）、Ｎｉ−
Ｆｅ合金などの磁性体のフロントヨーク（５）及び磁性
体基板（１）と直接接続しているバンクヨーク（６）の
各薄膜を積層したものである。バイアス導体（３）は基
板（１）の近くを横切る〔紙面表面−裏面方向に〕帯状
のものであり、ＭＲ素子（４）はバイアス導体（３）の
一部に平行に対向する３００人〜５００人の厚さの矩形
ｇｌｌＱで、その両端からリード（７）（７゛）が導出
される。フロントヨーク（５）の一端と基板（１）の一
端との間で例えば、２５００人〜３０００人の磁気ギャ
ップ（ｇ）が形成される、フロントヨーク（５）は磁気
ギャップ（ｇ）からＭＲ素子（４）の一端部上まで延び
、バックヨーク（６）はＭＲ素子（４）の他の一端部上
から延びて基板（１）上に達する。フロントヨーク（５
）の後方端部とＭＲ素子（４）の間、及びバックヨーク
（６）の前方端部とＭＲ素子（４）の間に絶縁１ｉ（２
）の一部が介在して、両ヨーク （５） （６）とＭ
Ｒ素子（４）は電気的絶縁された状態で磁気的結合され
、これにより磁気ギャップ（ｇ）に加えられた外部磁束
は、図番で示すと、（５）−（４）−（６）−（１）の
閉ループの磁気回路を流れる。
ＭＲ素子（４）にリード（７”） （７’）を介して
、ＭＲ素子（４）の磁気抵抗変化を検出するための電流
１１を流し、バイアス導体（３）にＭＲ素子（４）に垂
直なバイアス磁界を印加するためにバイアス電流■２を
流して、磁気ギャップ（ｇ）に極接近させて磁気テープ
（８）を走行させる。すると磁気テープ（８）の情報で
ある信号磁束が、フロントヨーク（５）からＭＲ棄子（
４）、バンクヨーク（６）、基板（１）へと前述の閉ル
ープを通り、ＭＲ素子（４）の電気抵抗値が変化して、
ＭＲ素子（４）を流れる電流■１から磁気テープ（８）
の情報が読み取られ、再生が行われる。
、ＭＲ素子（４）の磁気抵抗変化を検出するための電流
１１を流し、バイアス導体（３）にＭＲ素子（４）に垂
直なバイアス磁界を印加するためにバイアス電流■２を
流して、磁気ギャップ（ｇ）に極接近させて磁気テープ
（８）を走行させる。すると磁気テープ（８）の情報で
ある信号磁束が、フロントヨーク（５）からＭＲ棄子（
４）、バンクヨーク（６）、基板（１）へと前述の閉ル
ープを通り、ＭＲ素子（４）の電気抵抗値が変化して、
ＭＲ素子（４）を流れる電流■１から磁気テープ（８）
の情報が読み取られ、再生が行われる。
！！りｎ・° よ゛と る。 占
上記ヨーク型薄膜磁気ヘッドにおいて、ＭＲ素子（４）
とフロントヨーク（５）及びバックヨーク（６）を直接
に接続すると、ＭＲ素子（４）に流れる電流が両ヨーク
（５）（６）に流れて、感度が悪くなるので、ＭＲ素子
（４）の両端部上に両ヨーク（５）（６）の端部を絶縁
層（２）で電気的絶縁かつ磁気的結合させている。この
ような結合構造の場合、フラットなＭＲ素子（４）の両
端部上で両ヨーク（５）（６）の端面が近接して対向す
ることになり、そのためフロントヨーク（５）からＭＲ
素子（４）に流れる磁束の一部は、フロントヨーク（５
）から直接にバックヨーク（６）にＭＲ素子（４）を飛
び越して流れることがあり、これがヨーク型薄膜磁気ヘ
ッドの効率を悪くする一要因になっている。
とフロントヨーク（５）及びバックヨーク（６）を直接
に接続すると、ＭＲ素子（４）に流れる電流が両ヨーク
（５）（６）に流れて、感度が悪くなるので、ＭＲ素子
（４）の両端部上に両ヨーク（５）（６）の端部を絶縁
層（２）で電気的絶縁かつ磁気的結合させている。この
ような結合構造の場合、フラットなＭＲ素子（４）の両
端部上で両ヨーク（５）（６）の端面が近接して対向す
ることになり、そのためフロントヨーク（５）からＭＲ
素子（４）に流れる磁束の一部は、フロントヨーク（５
）から直接にバックヨーク（６）にＭＲ素子（４）を飛
び越して流れることがあり、これがヨーク型薄膜磁気ヘ
ッドの効率を悪くする一要因になっている。
ロー占をη° ための
本発明は上記効率上の問題点に鑑みてなされたもので、
フロントヨークとＭＲ素子、及びバンクヨークとＭＲ素
子の一方の端部を相手１１の端部に膜厚方向で絶縁層を
介してオーバラップ被覆させた結合構造のヨーク型薄膜
磁気ヘッドにて、上記問題点を解決するようにしたもの
である。
フロントヨークとＭＲ素子、及びバンクヨークとＭＲ素
子の一方の端部を相手１１の端部に膜厚方向で絶縁層を
介してオーバラップ被覆させた結合構造のヨーク型薄膜
磁気ヘッドにて、上記問題点を解決するようにしたもの
である。
立里
上記フロントヨーク及びバンクヨークとＭＲ素子の結合
構造は、フロントヨークとバックヨーク間のｕ！接の磁
束の流れを抑制し、確実にフロントヨークからＭＲ素子
を通りバックヨークへと流れる磁束を多くする。
構造は、フロントヨークとバックヨーク間のｕ！接の磁
束の流れを抑制し、確実にフロントヨークからＭＲ素子
を通りバックヨークへと流れる磁束を多くする。
裏見去
以下、本発明の各実施例を第１図乃至第６図を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
第１図及び第２図は本発明の第１の実施例を説明するた
めのもので、第１図のヨーク型薄膜磁気ヘッドの要部断
面図において、（１０）はＮｉ−Ｚｎ合金などの磁性体
の基板、（１１）〜（１５）は基板（ｌＯ）上に接層形
成された薄膜で、（１１）は５ｉ０２やＡｌ２Ｏ，など
の絶縁層、（１２）はＣｕなどのバイアス導体、（１３
）はＮｉ−Ｆｅ合金などのＭＲ素子、（１４）及び（１
５）はＮｉ −Ｆｅ合金などの磁性体のフロントヨーク
及びバックヨークである。（１２）〜（１５）は第７図
の（３）〜（６）に相当する部分で、第７図の磁気ヘッ
ドとの相違点はＭＲ１子（１３）とフロントヨーク（１
４）及びバックヨーク（１５）との磁気的結合構造であ
る。
めのもので、第１図のヨーク型薄膜磁気ヘッドの要部断
面図において、（１０）はＮｉ−Ｚｎ合金などの磁性体
の基板、（１１）〜（１５）は基板（ｌＯ）上に接層形
成された薄膜で、（１１）は５ｉ０２やＡｌ２Ｏ，など
の絶縁層、（１２）はＣｕなどのバイアス導体、（１３
）はＮｉ−Ｆｅ合金などのＭＲ素子、（１４）及び（１
５）はＮｉ −Ｆｅ合金などの磁性体のフロントヨーク
及びバックヨークである。（１２）〜（１５）は第７図
の（３）〜（６）に相当する部分で、第７図の磁気ヘッ
ドとの相違点はＭＲ１子（１３）とフロントヨーク（１
４）及びバックヨーク（１５）との磁気的結合構造であ
る。
第１図の第１の実施例の特徴は、フロントヨーク（１４
）のＭＲ素子側端部（ｍｌ）と、バンクヨーク（１５）
のＭＲ素子側端部（ｍｌ）を断面二股状にして、この両
者の端部（ｍｌ）（ｍｔ ）内にＭＲ素子（１２）の両
端部（ｎｌ）（ｎｚ）を！（！ｌｌ石層１１）を介して
配置した結合構造にしたことである。ＭＲ素子（１３）
の両端部（ｎｔ ）（ｎｚ）は中央部（ｎｓ）からテー
パ状に延びた先端部であり、この中央部（ｎｓ）と両端
部（ｎｔ ） （ｎｚ ）の間のテーパ部（ｎ４）（
ｎｓ ）がフロントヨーク（１５）とバックヨーク（１
６）の端部（ｍｌ ） （ｍｚ ）の下部端面と絶縁
層（１１）を介して対向する。従って、ｋｉ Ｒ素子（
１３）の両端部（ｎｔ ）（ｎｚ）は両ヨーク（１４）
（１５）の端部（ｍｔ ）（ｍｌ）に上下から包含
されて磁気的結合し、更にＭＲ素子（■３）のテーパ部
（ｎ４）（ｎｓ ）も両ヨーク（１４）（１５）の端部
（ｆｎｌ）（ｍｌ）に対向して磁気的結合するので、Ｍ
Ｒ素子（１３）と両ヨーク（１４） （１５）の磁気
的結合性が一段と向上し１、フロントヨーク（１４）と
バックヨーク（１５）間を流れる磁束のほとんどがＭＲ
素子（１３）を通り、磁気ヘッドの効率が良くなる。
）のＭＲ素子側端部（ｍｌ）と、バンクヨーク（１５）
のＭＲ素子側端部（ｍｌ）を断面二股状にして、この両
者の端部（ｍｌ）（ｍｔ ）内にＭＲ素子（１２）の両
端部（ｎｌ）（ｎｚ）を！（！ｌｌ石層１１）を介して
配置した結合構造にしたことである。ＭＲ素子（１３）
の両端部（ｎｔ ）（ｎｚ）は中央部（ｎｓ）からテー
パ状に延びた先端部であり、この中央部（ｎｓ）と両端
部（ｎｔ ） （ｎｚ ）の間のテーパ部（ｎ４）（
ｎｓ ）がフロントヨーク（１５）とバックヨーク（１
６）の端部（ｍｌ ） （ｍｚ ）の下部端面と絶縁
層（１１）を介して対向する。従って、ｋｉ Ｒ素子（
１３）の両端部（ｎｔ ）（ｎｚ）は両ヨーク（１４）
（１５）の端部（ｍｔ ）（ｍｌ）に上下から包含
されて磁気的結合し、更にＭＲ素子（■３）のテーパ部
（ｎ４）（ｎｓ ）も両ヨーク（１４）（１５）の端部
（ｆｎｌ）（ｍｌ）に対向して磁気的結合するので、Ｍ
Ｒ素子（１３）と両ヨーク（１４） （１５）の磁気
的結合性が一段と向上し１、フロントヨーク（１４）と
バックヨーク（１５）間を流れる磁束のほとんどがＭＲ
素子（１３）を通り、磁気ヘッドの効率が良くなる。
上述のような磁気的結合構造は、例えば第２図の（イ）
〜（ト）に示す工程で形成される。
〜（ト）に示す工程で形成される。
先ず第２図の（イ）に示すように、下地となる絶縁層（
１１ａ ）上にＮｉ−Ｆｅ合金などのヨーク材料を蒸着
〔又はスパッタリング〕してから、窓開けして下層フロ
ントヨーク（１４ａ）と下層バックヨーク（１５ａ）を
形成する０次に、第２図の（ロ）に示すように下層フロ
ントヨーク（１４ａ）と下層バックヨーク（１５ａ ）
と、この両ヨーク（１４ａ）（１５ａ）の間の絶縁層（
１１ａ ） の上面に絶［１（ｌｌｂ）を形成する０次
に、第２図の（ハ）に示すように、絶ｔｆｆｉｒ４（ｌ
ｌｂ）上の所定位置にＭＲ素子（１３）を形成する。こ
のＭＲ素子（１３）は絶縁層（Ｊｌｂ）上にＭＲ素子材
料を蒸着〔又はスパッタリング〕してから、不要部分が
フォトリソグラフィ技術により除去されて形成される。
１１ａ ）上にＮｉ−Ｆｅ合金などのヨーク材料を蒸着
〔又はスパッタリング〕してから、窓開けして下層フロ
ントヨーク（１４ａ）と下層バックヨーク（１５ａ）を
形成する０次に、第２図の（ロ）に示すように下層フロ
ントヨーク（１４ａ）と下層バックヨーク（１５ａ ）
と、この両ヨーク（１４ａ）（１５ａ）の間の絶縁層（
１１ａ ） の上面に絶［１（ｌｌｂ）を形成する０次
に、第２図の（ハ）に示すように、絶ｔｆｆｉｒ４（ｌ
ｌｂ）上の所定位置にＭＲ素子（１３）を形成する。こ
のＭＲ素子（１３）は絶縁層（Ｊｌｂ）上にＭＲ素子材
料を蒸着〔又はスパッタリング〕してから、不要部分が
フォトリソグラフィ技術により除去されて形成される。
次に、第２図の（ニ）に示すように、ＭＲ素子（１３）
と絶縁Ｆｉ（ｌｌｂ）上に絶縁層（１１Ｃ）を形成して
から、第２図の（ホ）に示すように上下２ｒｒ１ノ絶縁
層（１１ｂ ） （１１ｃ ）のＭＲ素子（１３）を
囲む部分を残して、他を除去する０次に、第２図の（へ
）に示すように、残された絶縁層（１１ｃ ）上と露呈
した下層フロントヨーク（１４ａ）及び下層バックヨー
ク（１５ａ）の上にヨーク材料を蒸着〔又はスパッタリ
ング〕してコーク層（１６）を形成する。そして、この
ヨーク層（１６）のＭＲ素子中央部（ｎｓ）と対向する
部分を同様にフォトリソグラフィ技術で除去して二分割
し、下層フロントヨーク（１４ａ ）上に上層フロント
ヨーク（１４ｂ ）を、下層バックヨーク（１５ａ）上
に上層バックヨーク（１５ｂ）を間層して、所望のフロ
ントヨーク（１４）とバックヨーク（１５）を得る。後
は必要に応じてフロン１−ヨーク（１４）とバックヨー
ク（１５）上と、両ヨーク（１４） （１５）の間の
絶縁層（１１）を形成する。
と絶縁Ｆｉ（ｌｌｂ）上に絶縁層（１１Ｃ）を形成して
から、第２図の（ホ）に示すように上下２ｒｒ１ノ絶縁
層（１１ｂ ） （１１ｃ ）のＭＲ素子（１３）を
囲む部分を残して、他を除去する０次に、第２図の（へ
）に示すように、残された絶縁層（１１ｃ ）上と露呈
した下層フロントヨーク（１４ａ）及び下層バックヨー
ク（１５ａ）の上にヨーク材料を蒸着〔又はスパッタリ
ング〕してコーク層（１６）を形成する。そして、この
ヨーク層（１６）のＭＲ素子中央部（ｎｓ）と対向する
部分を同様にフォトリソグラフィ技術で除去して二分割
し、下層フロントヨーク（１４ａ ）上に上層フロント
ヨーク（１４ｂ ）を、下層バックヨーク（１５ａ）上
に上層バックヨーク（１５ｂ）を間層して、所望のフロ
ントヨーク（１４）とバックヨーク（１５）を得る。後
は必要に応じてフロン１−ヨーク（１４）とバックヨー
ク（１５）上と、両ヨーク（１４） （１５）の間の
絶縁層（１１）を形成する。
次に、本発明の他の各実施例を、第３図乃至第６図によ
り説明する。
り説明する。
第３図の第２の実施例は、フラットなＭＲ素子（１３″
）の両端部をフロントヨーク（１４’）およびバックヨ
ーク（１５″）の断面二股状の端部内に配置したもので
ある。
）の両端部をフロントヨーク（１４’）およびバックヨ
ーク（１５″）の断面二股状の端部内に配置したもので
ある。
第４図の第３の実施例は、上記の各実施例とは逆に、Ｍ
Ｒ素子の端部をフロントヨークとバックヨークの端部に
被せるようにして磁気的結合させたものである。即ち、
第４図における（１７）はＭＲ素子、（１８）及び（１
９）はフロントヨーク及びバックヨークであり、この実
施例の特徴は、ＭＲ素子（１７）の両端部を断面二股状
にして、この両端部内にフロントヨーク（１８）とバッ
クコーク（１９〕の端部を絶縁層（１１）を介して配置
したことである。この場合も、両ヨーク（１８） （
１９）の端面にＭＲ素子（１７）の両端部が対向して、
磁気的結合性が一段と良くなる。
Ｒ素子の端部をフロントヨークとバックヨークの端部に
被せるようにして磁気的結合させたものである。即ち、
第４図における（１７）はＭＲ素子、（１８）及び（１
９）はフロントヨーク及びバックヨークであり、この実
施例の特徴は、ＭＲ素子（１７）の両端部を断面二股状
にして、この両端部内にフロントヨーク（１８）とバッ
クコーク（１９〕の端部を絶縁層（１１）を介して配置
したことである。この場合も、両ヨーク（１８） （
１９）の端面にＭＲ素子（１７）の両端部が対向して、
磁気的結合性が一段と良くなる。
第５図の第４の実施例と、第６図の第５の実！Ｉｆｉ、
例は上記第３の実施例の変形構造を工夫したもので、第
５図の第４の実施例は、ＭＲ素子（１７’）の両端部が
同一方向にテーパ状に延び、このテーパ状両端部をフロ
ントヨーク（１８）とバンクヨーク（１９）のテーパ状
端面に絶縁層（１１）を介して被せた形状で磁気的結合
させたものである。第６図の第５の実施例は、Ｍ Ｒ素
子（１７”）の両端部が互いに逆方向に斜方状に延び、
その各々の端部をフロントヨーク（１８’）とバンクヨ
ーク（１９″）のテーパ状端面に絶縁層（１１）を介し
て被せた形状で磁気的結合させたものである。
例は上記第３の実施例の変形構造を工夫したもので、第
５図の第４の実施例は、ＭＲ素子（１７’）の両端部が
同一方向にテーパ状に延び、このテーパ状両端部をフロ
ントヨーク（１８）とバンクヨーク（１９）のテーパ状
端面に絶縁層（１１）を介して被せた形状で磁気的結合
させたものである。第６図の第５の実施例は、Ｍ Ｒ素
子（１７”）の両端部が互いに逆方向に斜方状に延び、
その各々の端部をフロントヨーク（１８’）とバンクヨ
ーク（１９″）のテーパ状端面に絶縁層（１１）を介し
て被せた形状で磁気的結合させたものである。
炙」お二洟果
本発明によれば、フロントヨーク及びバックコークとＭ
Ｒ素子の磁気的結合性が良（なり、フロントヨークとバ
ックヨーク間の磁束の流れがＭＲ素子に集中し°ζ、磁
束利用効率の良い高、感度、高性能のヨーク型薄膜磁気
ヘッドが提供できる。
Ｒ素子の磁気的結合性が良（なり、フロントヨークとバ
ックヨーク間の磁束の流れがＭＲ素子に集中し°ζ、磁
束利用効率の良い高、感度、高性能のヨーク型薄膜磁気
ヘッドが提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例を示す要部断面図、第２
図の（イ）〜（ト）は第１図の磁気ヘッドの一部の製造
工程例を示す各製造工程での部分断面図である。 第３図乃至第６図は本発明の第２〜第５の実施例を示す
断面図である。 第７図は従来のヨーク型薄膜磁気ヘッドの断面図、第８
図は第７図の磁気ヘッドの概略平面図である。 （１０） −・−・基板、 （１１）・
−絶縁層、（１３） （１３’）・−磁気抵抗素子（
ＭＲ素子〕、（１４） （１４”）・−・−・フロン
トヨーク、（１５） （１５’） −バックヨーク、
（１７） （１７’） （１７°’）−−一−磁気
抵抗素子（ＭＲ素子〕、 （１８） （１Ｂ’） −フロントヨーク、（１９）
（１９°）・−・・バックヨーク。 特 許 出 願 人 関西日本電気株式会社代
理 人 江 原 省 吾第７図 宕 ８ 図
図の（イ）〜（ト）は第１図の磁気ヘッドの一部の製造
工程例を示す各製造工程での部分断面図である。 第３図乃至第６図は本発明の第２〜第５の実施例を示す
断面図である。 第７図は従来のヨーク型薄膜磁気ヘッドの断面図、第８
図は第７図の磁気ヘッドの概略平面図である。 （１０） −・−・基板、 （１１）・
−絶縁層、（１３） （１３’）・−磁気抵抗素子（
ＭＲ素子〕、（１４） （１４”）・−・−・フロン
トヨーク、（１５） （１５’） −バックヨーク、
（１７） （１７’） （１７°’）−−一−磁気
抵抗素子（ＭＲ素子〕、 （１８） （１Ｂ’） −フロントヨーク、（１９）
（１９°）・−・・バックヨーク。 特 許 出 願 人 関西日本電気株式会社代
理 人 江 原 省 吾第７図 宕 ８ 図
Claims (1)
- （１）薄膜のフロントヨークとバックヨークの間に薄膜
の磁気抵抗素子を電気的絶縁し、磁気的結合させて配置
したものであって、 前記フロントヨークと磁気抵抗素子、及び前記バックヨ
ークと磁気抵抗素子の一方の端部を、相手側の端部に膜
厚方向で絶縁層を介してオーバラップ被覆させたことを
特徴とするヨーク型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10159486A JPS62257612A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | ヨ−ク型薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10159486A JPS62257612A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | ヨ−ク型薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62257612A true JPS62257612A (ja) | 1987-11-10 |
Family
ID=14304706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10159486A Pending JPS62257612A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | ヨ−ク型薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62257612A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0497403A1 (en) * | 1991-01-30 | 1992-08-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Magnetic head and method of manufacturing such a magnetic head |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP10159486A patent/JPS62257612A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0497403A1 (en) * | 1991-01-30 | 1992-08-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Magnetic head and method of manufacturing such a magnetic head |
| US5291363A (en) * | 1991-01-30 | 1994-03-01 | U.S. Philips Corporation | Magnetic head provided with a flux guide and a magnetoresistive element |
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