JPS62256451A - 真空ウエハ−伸張装置および方法 - Google Patents
真空ウエハ−伸張装置および方法Info
- Publication number
- JPS62256451A JPS62256451A JP62084507A JP8450787A JPS62256451A JP S62256451 A JPS62256451 A JP S62256451A JP 62084507 A JP62084507 A JP 62084507A JP 8450787 A JP8450787 A JP 8450787A JP S62256451 A JPS62256451 A JP S62256451A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- vacuum
- mounting bracket
- stretching
- bracket member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 70
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 26
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 claims description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0052—Means for supporting or holding work during breaking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T225/00—Severing by tearing or breaking
- Y10T225/10—Methods
- Y10T225/12—With preliminary weakening
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T225/00—Severing by tearing or breaking
- Y10T225/30—Breaking or tearing apparatus
- Y10T225/307—Combined with preliminary weakener or with nonbreaking cutter
- Y10T225/321—Preliminary weakener
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49789—Obtaining plural product pieces from unitary workpiece
- Y10T29/4979—Breaking through weakened portion
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/53—Means to assemble or disassemble
- Y10T29/53961—Means to assemble or disassemble with work-holder for assembly
- Y10T29/53974—Means to assemble or disassemble with work-holder for assembly having means to permit support movement while work is thereon
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子回路に使用するためのウェハーの真空伸張
装置および方法に関して、更に詳細には、本発明はブラ
ケット上に取り付けられた可撓性部材に接続されている
複数の半導体電子デバイスからなる裁断されたウェハー
に関する。このブラケットは、ブラケット取付は手段上
に除去可能に取り付けるのに適当なものであり、ブラケ
ット取付は手段は周囲に内部を真空にできる溝を有して
おり、この溝に可撓性支持材料が引き込まれることが可
能とされ、可撓性部材がこれと接続する半導体電子デバ
イスの切断されたウェハとともに伸張される。
装置および方法に関して、更に詳細には、本発明はブラ
ケット上に取り付けられた可撓性部材に接続されている
複数の半導体電子デバイスからなる裁断されたウェハー
に関する。このブラケットは、ブラケット取付は手段上
に除去可能に取り付けるのに適当なものであり、ブラケ
ット取付は手段は周囲に内部を真空にできる溝を有して
おり、この溝に可撓性支持材料が引き込まれることが可
能とされ、可撓性部材がこれと接続する半導体電子デバ
イスの切断されたウェハとともに伸張される。
ウェハーを伸張する装置がすでに利用可能であることは
知られている。当接部材間にウェハーが位置され、ウェ
ハーを伸張するのに好適な装置も知られている。ここで
、この当接部材は可撓性部材に対向手段に対向して物理
的に突き当たり、つエバーを伸張するものである。しか
しながら、従来の装置は煩雑かつ高価である。また、ウ
ェハー伸張の際に可撓性材料表面に外部摩擦力が加わり
得られる伸張は均一ではない。
知られている。当接部材間にウェハーが位置され、ウェ
ハーを伸張するのに好適な装置も知られている。ここで
、この当接部材は可撓性部材に対向手段に対向して物理
的に突き当たり、つエバーを伸張するものである。しか
しながら、従来の装置は煩雑かつ高価である。また、ウ
ェハー伸張の際に可撓性材料表面に外部摩擦力が加わり
得られる伸張は均一ではない。
従って、現在使用されているウェハー検査装置および処
理装置に取り付けるための、かつ複数の半導体電子デバ
イスを効率よくかつ均一に伸張するのに好ましく、効率
的で、経済的で、簡単構造でかつ容易に組み込める真空
ウェハー伸張装置および方法が提供されることが期待さ
れている。
理装置に取り付けるための、かつ複数の半導体電子デバ
イスを効率よくかつ均一に伸張するのに好ましく、効率
的で、経済的で、簡単構造でかつ容易に組み込める真空
ウェハー伸張装置および方法が提供されることが期待さ
れている。
本発明の真空ウェハー伸張装置および方法は、安価であ
り容易に入手できかつ迅速に組み立てられる部品からな
る簡単な構造なものであるが、検査および処理のための
効率的なウェハーの伸張を実現する。
り容易に入手できかつ迅速に組み立てられる部品からな
る簡単な構造なものであるが、検査および処理のための
効率的なウェハーの伸張を実現する。
〔発明の目的〕
本発明の目的は検査および処理のための複数の半導体デ
バイスを有する裁断されたウェハーを伸張するのに一般
的に使用されるウェハー真空伸張装置を提供することに
ある。
バイスを有する裁断されたウェハーを伸張するのに一般
的に使用されるウェハー真空伸張装置を提供することに
ある。
本発明の別の目的はウェハーを伸張するだめの真空装置
にうまく適合するブラケット取付は手段上に取り外し可
能に取り付けられて使用されるウェハー伸張装置および
方法を提供することにある。
にうまく適合するブラケット取付は手段上に取り外し可
能に取り付けられて使用されるウェハー伸張装置および
方法を提供することにある。
本発明の別の目的は現在使用されているウェハー検査装
置および処理装置に取り付けるためのウェハー伸張装置
および方法を提供することにある。
置および処理装置に取り付けるためのウェハー伸張装置
および方法を提供することにある。
本発明の別の目的は入手可能なウェハー検査装置および
処理装置に作動的に結合できる少数部品からなる経済的
にコンパクトに組み立てることのできるウェハー伸張装
置および方法を提供することにある。
処理装置に作動的に結合できる少数部品からなる経済的
にコンパクトに組み立てることのできるウェハー伸張装
置および方法を提供することにある。
本発明の別の目的は複数の半導体電子デバイスが検査お
よび処理される時、付加手段で調節するのに好適なブラ
ケット取付は手段上に取り外し可能に取り付けることが
できる真空ウェハー伸張装置および方法を提供すること
にある。
よび処理される時、付加手段で調節するのに好適なブラ
ケット取付は手段上に取り外し可能に取り付けることが
できる真空ウェハー伸張装置および方法を提供すること
にある。
本発明の別の目的は、耐久構造の、長寿命、経済的かつ
使い易い部品を利用するウェハー伸張装置および方法に
よって上述の目的を達成することにある。
使い易い部品を利用するウェハー伸張装置および方法に
よって上述の目的を達成することにある。
本発明の前述およびその他の目的、特徴および利点は以
下の添付図面に示された本発明の好適な実施例に関する
より詳細な記述から明らかになるであろう。
下の添付図面に示された本発明の好適な実施例に関する
より詳細な記述から明らかになるであろう。
第1図は参照番号1で示される従来のウェハーホールグ
ーの斜視図である。このウェハーホールグーは支持部材
3、可撓性部材5、および複数の半導体電子デバイス7
を有する裁断されたウェハーから構成される。支持部材
3はリング状に構成され、周囲に可撓性部材5がおよぶ
ようにされているのが好ましい。また、支持部材3は少
なくとも一つの位置決め部9.10を有しており、取付
はブラケット16の上部14に組み込まれた少なくとも
一つのピン12と係合するようになっている(第3図を
参照)。第2図において、ウェハーホールグーlの断面
が示されており、支持部材3、可撓性部材5および複数
の半導体電子デバイスを存する裁断されたウェハーの相
対的結合位置関係が示されている。
ーの斜視図である。このウェハーホールグーは支持部材
3、可撓性部材5、および複数の半導体電子デバイス7
を有する裁断されたウェハーから構成される。支持部材
3はリング状に構成され、周囲に可撓性部材5がおよぶ
ようにされているのが好ましい。また、支持部材3は少
なくとも一つの位置決め部9.10を有しており、取付
はブラケット16の上部14に組み込まれた少なくとも
一つのピン12と係合するようになっている(第3図を
参照)。第2図において、ウェハーホールグーlの断面
が示されており、支持部材3、可撓性部材5および複数
の半導体電子デバイスを存する裁断されたウェハーの相
対的結合位置関係が示されている。
第3図に示される様に、ウェハーホールグ−1は取付は
ブラケット16の上方部分14上に取り付けられている
。支持部材3の位置決め部9.10は取付はブラケット
16上のピンに当接している。第3図に更に示される様
に、チューブ18が口部20に嵌合されている。口部2
0は一連の傾斜部22を有しており、取付はブラケ・ノ
ド16の上方部分14に一体的に接続している。口部2
0と取付はブラケット16との間にはワッシャ23が嵌
合しており、これは真空ウェハーホールグ−1が使用さ
れる時にシーラントとして働く。
ブラケット16の上方部分14上に取り付けられている
。支持部材3の位置決め部9.10は取付はブラケット
16上のピンに当接している。第3図に更に示される様
に、チューブ18が口部20に嵌合されている。口部2
0は一連の傾斜部22を有しており、取付はブラケ・ノ
ド16の上方部分14に一体的に接続している。口部2
0と取付はブラケット16との間にはワッシャ23が嵌
合しており、これは真空ウェハーホールグ−1が使用さ
れる時にシーラントとして働く。
チューブ18は真空発生装置(図示せず)に接続される
。
。
取付はブラケット16の上方部分14は周囲に溝25を
有しており、後述される様に、ウェハーホールグー1が
使用される時内部を真空とすることができる。適当な真
空を生成するために、必要とあらば上方部分゛14の開
口2日に別の口部(図示せず)を設けることができる。
有しており、後述される様に、ウェハーホールグー1が
使用される時内部を真空とすることができる。適当な真
空を生成するために、必要とあらば上方部分゛14の開
口2日に別の口部(図示せず)を設けることができる。
この間口28が使用されない場合は、ボルト30がこの
中に嵌め込まれ溝25内に生成された真空がうまく維持
される。
中に嵌め込まれ溝25内に生成された真空がうまく維持
される。
第4図にくわしく示される様に、上方部分14は取付は
ブラケット16に嵌合してい。上方部分14は下方に延
びる部材17を有し、取付はブラケット16の内面部1
9に接触している。第4図に同様に示されるように、溝
25は真空ウェハー伸張装置1の可撓性部材5の下に位
置している。
ブラケット16に嵌合してい。上方部分14は下方に延
びる部材17を有し、取付はブラケット16の内面部1
9に接触している。第4図に同様に示されるように、溝
25は真空ウェハー伸張装置1の可撓性部材5の下に位
置している。
取付はブラケット16には、上方部分14の位置をこの
取付はブラケットに対して調節するための調節ネジ27
が設けられている(第8図および第9図参照)。
取付はブラケットに対して調節するための調節ネジ27
が設けられている(第8図および第9図参照)。
第5図および第6図は第3図の6−6線に沿った断面図
であり、真空ウェハー伸張装置lの作用を示している。
であり、真空ウェハー伸張装置lの作用を示している。
第5図において、ウェハーホールグー1は使用状態では
なく、取付はブラケット16の上方部分14に簡単に取
り付けられている。
なく、取付はブラケット16の上方部分14に簡単に取
り付けられている。
ここで、可撓性部材5は溝25の上に単に設置されてい
るだけである。第6図において、溝25の内側が真空に
され、可撓性部材5が溝25内に引き込まれている。可
撓性部材5が溝25内に引き込まれると、可撓性部材5
が引き伸ばされる。従って、可撓性部材の上で互いにく
うついていた複数の半導体電子デバイス7を存する裁断
されたウェハーが同様に伸張される。可撓性部材5と上
方部分14との間に生じる摩擦を最小化するため、上方
部分に面取り32が施されている。
るだけである。第6図において、溝25の内側が真空に
され、可撓性部材5が溝25内に引き込まれている。可
撓性部材5が溝25内に引き込まれると、可撓性部材5
が引き伸ばされる。従って、可撓性部材の上で互いにく
うついていた複数の半導体電子デバイス7を存する裁断
されたウェハーが同様に伸張される。可撓性部材5と上
方部分14との間に生じる摩擦を最小化するため、上方
部分に面取り32が施されている。
伸張の際に、半導体電子デバイス7を検査、処理するこ
とができる。可撓性部材5が伸張されると半導体電子デ
バイス7は互いに分離され、各デバイスの間にギャップ
が形成される。各デバイスが互いに分離されると、各半
導体デバイス7は第7図に示される様に通常のピックア
ンプ工具35によって一個づつ取り上げることができる
。第7図において、ビックアップ工具35は真空吸引等
によって作動することができる。第5図同様第7図にお
いても示されるように、複数の半導体電子デバイス7は
まずスクライブ即ち切断されて分離され、伸張時にデバ
イス間にギャップ33が容易に作り出されることが可能
とされる。
とができる。可撓性部材5が伸張されると半導体電子デ
バイス7は互いに分離され、各デバイスの間にギャップ
が形成される。各デバイスが互いに分離されると、各半
導体デバイス7は第7図に示される様に通常のピックア
ンプ工具35によって一個づつ取り上げることができる
。第7図において、ビックアップ工具35は真空吸引等
によって作動することができる。第5図同様第7図にお
いても示されるように、複数の半導体電子デバイス7は
まずスクライブ即ち切断されて分離され、伸張時にデバ
イス間にギャップ33が容易に作り出されることが可能
とされる。
第8図は断面図であり、取付はブラケット16に対する
位置調節のための調節ネジ27が作動的に上方部分14
に結合しているのが示される。ここで、この調節は、例
えば上方部分14と取付はブラケット16の間のX−Y
の関係を操作することにより行うことができ、伸張され
た時の複数の半導体電子デバイス7を検査する際に使用
される。
位置調節のための調節ネジ27が作動的に上方部分14
に結合しているのが示される。ここで、この調節は、例
えば上方部分14と取付はブラケット16の間のX−Y
の関係を操作することにより行うことができ、伸張され
た時の複数の半導体電子デバイス7を検査する際に使用
される。
第8図に更に示される様に、調節ネジ27は、このネジ
に適合する貫通孔40を有する好ましくは除去可能な部
材38によって上方部分14に取り付けられている。取
付はブラケット16は管状部材43に適合する開口部4
2を有している。管)X部材43は内部にネジ27のネ
ジ山47と噛み合うメネジ45を有している。
に適合する貫通孔40を有する好ましくは除去可能な部
材38によって上方部分14に取り付けられている。取
付はブラケット16は管状部材43に適合する開口部4
2を有している。管)X部材43は内部にネジ27のネ
ジ山47と噛み合うメネジ45を有している。
第9図において、調節ネジ27が所定の位置で使用され
ると、ネジ27を一方向に回転すると、ネジ27は管状
部材43内へ入り込む。次に、第8図に示される様に環
状ストッパー45は部材38に当接すること、取付はブ
ラケット16に対して上方部分14が移動することにな
る。
ると、ネジ27を一方向に回転すると、ネジ27は管状
部材43内へ入り込む。次に、第8図に示される様に環
状ストッパー45は部材38に当接すること、取付はブ
ラケット16に対して上方部分14が移動することにな
る。
第10図に示される様に、真空ウェハー伸張装置1はA
S M (Advanced Sea+icondu
ctorMaterials) Desert 200
0または2000H型の様な検査処理装置50に組み込
むことができる。
S M (Advanced Sea+icondu
ctorMaterials) Desert 200
0または2000H型の様な検査処理装置50に組み込
むことができる。
この検査処理装置50は、例えばダイスをリードフレー
ムに接続したり、パッケージするためにウェハーを取り
上げ所定の位置に設置するのに好適である。検査の目的
に使用される場合は、真空ウェハー伸張装wtlが、通
常検査処理装置50に取り付けられ、複数の半導体電子
デバイス7が上述された様に伸張された時、半導体電子
デバイス7は少なくとも一つのテレビジョンモニターの
使用によって「光学的に認識」される。半導体電子デバ
イス7が「光学的に認識」されると、ウェハの欠陥パタ
ーンを認識する処理が半導体電子デバイ・スフの全ての
箇所にわたって行われる。カド、周辺および中心部分の
様なウェハ部分の欠陥をモニターすることができる。
ムに接続したり、パッケージするためにウェハーを取り
上げ所定の位置に設置するのに好適である。検査の目的
に使用される場合は、真空ウェハー伸張装wtlが、通
常検査処理装置50に取り付けられ、複数の半導体電子
デバイス7が上述された様に伸張された時、半導体電子
デバイス7は少なくとも一つのテレビジョンモニターの
使用によって「光学的に認識」される。半導体電子デバ
イス7が「光学的に認識」されると、ウェハの欠陥パタ
ーンを認識する処理が半導体電子デバイ・スフの全ての
箇所にわたって行われる。カド、周辺および中心部分の
様なウェハ部分の欠陥をモニターすることができる。
可撓性材料5はマイラーフィルム等から作り出されるの
が好ましい。さらに、支持部材3はプラスチックまたは
ステンレススチールの様な金属から作り出されるのが好
ましい。上方部分14、取付はブラケット16および上
述したこれら部品と関連する部品は剛質プラスチックあ
るいはアルミニウム、ステンレススチールの様な金属か
ら作り出されるのが好ましい。
が好ましい。さらに、支持部材3はプラスチックまたは
ステンレススチールの様な金属から作り出されるのが好
ましい。上方部分14、取付はブラケット16および上
述したこれら部品と関連する部品は剛質プラスチックあ
るいはアルミニウム、ステンレススチールの様な金属か
ら作り出されるのが好ましい。
本発明が好ましい実施例についてのみ記述されたが、本
発明の思想から離れることなしに形態および細かな変更
を行うことができることは当業者は納得するであろう。
発明の思想から離れることなしに形態および細かな変更
を行うことができることは当業者は納得するであろう。
第1図はウェハ検査処理装置に取り付けられる従来のウ
ェハーホールグーの斜視図、 第2図は第1図のウェハーホールグーの2−2断面図、 第3図は真空ホースが取付部材に接続された状態の本発
明の真空ウェハー伸張装置の平面図、第4図は第3図の
4−4断面図であり、本発明の真空伸張装置の取付部材
上にウェハーホールグーが取り付けられることが示され
ている。 第5図は第3図の6−6断面図であり、可撓性部材の上
に複数の半導体電子デバイスが設置され、本発明のウェ
ハー伸張装置の取付は部材に結合されている。 第6図は第3図の6−6断面図であり、可撓性部材が取
付は部材に設けられた溝に引き込まれている状態が示さ
れている。 第7図は可撓性部材から少なくとも一つの半導体電子デ
バイスをピックアップ工具が取り上げる様子を示す斜視
図、 第8図は第3図の5−5断面図であり、調節ネジが取付
部材に作動的に結合している状態が示されている。 第9図は第3図に示された真空ウェハー伸張装置の背面
図であり、調節ネジが取付部材に作動的に結合している
状態が示されている。 第10図は本発明の真空ウェハー伸張装置を組み込むの
に好適なウェハー検査処理装置の斜視図。 1・・・従来のウェハーホールグー、3・・・支持部材
、5・・・可撓性部材、7・・・半導体を子デバイス、
9.10・・・位置決め部、14・・・上方部分、16
・・・取付はブラケット、18・・・チューブ、20・
・・口部、22・・・傾斜部、25・・・溝、2日・・
・開口、27・・・調節ネジ、30・・・ボルト、35
・・・ピックアップ工具、43・・・管状部材、45・
・・環状ストッパー、50・・・検査処理装置。
ェハーホールグーの斜視図、 第2図は第1図のウェハーホールグーの2−2断面図、 第3図は真空ホースが取付部材に接続された状態の本発
明の真空ウェハー伸張装置の平面図、第4図は第3図の
4−4断面図であり、本発明の真空伸張装置の取付部材
上にウェハーホールグーが取り付けられることが示され
ている。 第5図は第3図の6−6断面図であり、可撓性部材の上
に複数の半導体電子デバイスが設置され、本発明のウェ
ハー伸張装置の取付は部材に結合されている。 第6図は第3図の6−6断面図であり、可撓性部材が取
付は部材に設けられた溝に引き込まれている状態が示さ
れている。 第7図は可撓性部材から少なくとも一つの半導体電子デ
バイスをピックアップ工具が取り上げる様子を示す斜視
図、 第8図は第3図の5−5断面図であり、調節ネジが取付
部材に作動的に結合している状態が示されている。 第9図は第3図に示された真空ウェハー伸張装置の背面
図であり、調節ネジが取付部材に作動的に結合している
状態が示されている。 第10図は本発明の真空ウェハー伸張装置を組み込むの
に好適なウェハー検査処理装置の斜視図。 1・・・従来のウェハーホールグー、3・・・支持部材
、5・・・可撓性部材、7・・・半導体を子デバイス、
9.10・・・位置決め部、14・・・上方部分、16
・・・取付はブラケット、18・・・チューブ、20・
・・口部、22・・・傾斜部、25・・・溝、2日・・
・開口、27・・・調節ネジ、30・・・ボルト、35
・・・ピックアップ工具、43・・・管状部材、45・
・・環状ストッパー、50・・・検査処理装置。
Claims (14)
- (1)電子回路に使用するのに適している複数の半導体
電子デバイス、前記複数の半導体電子デバイスを継ぐ可
撓性部材、前記可撓性部材が取り付けられ、ピンと係合
する少なくとも一つの位置決め部を有する支持枠部材、
前記支持枠部材が取り付けられ、前記可撓性部材の一部
が入いる溝を周囲に有する上方部分を有する取付けブラ
ケット部材および、 前記溝内に真空を生成するように前記取付けブラケット
部材の上方部分に結合された真空発生装置から成るウェ
ハー検査処理装置に取り付けられる真空ウェハー伸張装
置。 - (2)前記取付けブラケット部材に対する前記上方部分
の位置を調節するように、前記取付けブラケット部材に
結合された調節手段を更に含むことを特徴とする特許請
求の範囲第(1)項記載の真空ウェハー伸張装置。 - (3)前記ウェハーが半導体デバイスに裁断されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第(2)項記載の真空
ウェハー伸張装置。 - (4)前記可撓性部材がマイラーフィルム材料から出来
ていることを特徴とする特許請求の範囲第(3)項記載
の真空ウェハー伸張装置。 - (5)前記枠部材が略リング状に形成されていることを
特徴とする特許請求の範囲第(4)項記載の真空ウェハ
ー伸張装置。 - (6)前記真空発生装置が、チューブ状部材によって前
記取付けブラケット部材の前記上方部分に結合されてお
り、前記チューブ状部材は、前記取付けブラケット部材
の前記上方部分に一体的に結合される口部に嵌合されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第(5)項記載の
真空ウェハー伸張装置。 - (7)前記調節手段が、前記取付けブラケット部材と前
記上部との両方に結合する調節ネジから成ることを特徴
とする特許請求の範囲第(6)項記載の真空ウェハー伸
張装置。 - (8)前記支持枠部材が可撓性金属から形成されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第(7)項記載の真空
ウェハー伸張装置。 - (9)前記支持枠部材がアルミニウムから形成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第(8)項記載の真
空ウェハー伸張装置。 - (10)前記取付けブラケット部材がアルミニウムおよ
びステンレススチールからなる群から選ばれる金属から
形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第(7
)項記載の真空ウェハー伸張装置。 - (11)前記取付けブラケット部材が硬質プラスチック
から形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第
(7)項記載の真空ウェハー伸張装置。 - (12)少なくとも一つのウェハーを可撓性材料に接合
するステップ、前記ウェハーを半導体電子デバイスに分
割するステップ、前記ウェハーをスクライブするステッ
プ前記可撓性材料を支持枠部材に結合するステップ、前
記支持枠部材を、調節可能な上方部分を有する取付けブ
ラケット部材上に設置するステップ、前記取付けブラケ
ット部材をウェハー検査処理装置に設置するステップ、
真空生成装置を作動して、前記取付けブラケット部材内
を真空にするステップ、前記可撓性材料の下を真空にす
るステップ、前記可撓性材料を伸張ステップ、および複
数の半導体電子デバイスを引き離すステップからなる複
数のウェハーを伸張する方法。 - (13)前記半導体電子デバイスの欠陥をテレビジョン
モニターによって光学的に検査するステップを更に含む
ことを特徴とする特許請求の範囲第(12)項記載の方
法。 - (14)別のプロセスのため少なくとも一つのウェハー
を取り上げるステップを更に含むことを特徴とする特許
請求の範囲第(12)項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/855,841 US4744550A (en) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | Vacuum wafer expander apparatus |
US855841 | 1986-04-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62256451A true JPS62256451A (ja) | 1987-11-09 |
Family
ID=25322215
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62084507A Pending JPS62256451A (ja) | 1986-04-24 | 1987-04-06 | 真空ウエハ−伸張装置および方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4744550A (ja) |
JP (1) | JPS62256451A (ja) |
DE (1) | DE3713817A1 (ja) |
FR (1) | FR2601842A1 (ja) |
GB (1) | GB2189647B (ja) |
NL (1) | NL8700975A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004105109A1 (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-02 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | ダイシング装置 |
JP2009045926A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-03-05 | Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh | レーザーによって脆い物質で作られた平行平面板を複数の個々のプレートに分割する方法及び装置 |
US7542263B2 (en) | 2004-02-19 | 2009-06-02 | Asml Holding N.V. | Overlay correction by reducing wafer slipping after alignment |
JP2010108996A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Lintec Corp | エキスパンド装置及びエキスパンド方法 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4981345A (en) * | 1990-05-15 | 1991-01-01 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Sample holder support for microscopes |
US5086477A (en) * | 1990-08-07 | 1992-02-04 | Northwest Technology Corp. | Automated system for extracting design and layout information from an integrated circuit |
US5195729A (en) * | 1991-05-17 | 1993-03-23 | National Semiconductor Corporation | Wafer carrier |
US5310104A (en) * | 1991-12-16 | 1994-05-10 | General Electric Company | Method and apparatus for cleaving a semiconductor wafer into individual die and providing for low stress die removal |
US5480842A (en) * | 1994-04-11 | 1996-01-02 | At&T Corp. | Method for fabricating thin, strong, and flexible die for smart cards |
JP3441879B2 (ja) | 1996-03-29 | 2003-09-02 | 日本碍子株式会社 | チップ剥離装置 |
WO1999039885A1 (en) * | 1998-02-06 | 1999-08-12 | Dynatex International | Apparatus and process for membrane mounted die breaking with automated visualization |
JP3045157B1 (ja) * | 1998-11-25 | 2000-05-29 | 松下電器産業株式会社 | アウトサート成型品 |
JP2001196328A (ja) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | Csp基板の分割方法 |
US20030051353A1 (en) * | 2001-02-13 | 2003-03-20 | Andreas Gartner | Formation of a disk from a fracturable material |
JP2003234359A (ja) * | 2002-02-08 | 2003-08-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US20070243317A1 (en) * | 2002-07-15 | 2007-10-18 | Du Bois Dale R | Thermal Processing System and Configurable Vertical Chamber |
JP2004146727A (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-20 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハの搬送方法 |
KR101151023B1 (ko) * | 2002-10-28 | 2012-05-30 | 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 | 익스팬드방법 및 익스팬드장치 |
US6978989B2 (en) * | 2003-08-07 | 2005-12-27 | Glendo Corporation | Holder for supporting workpiece in a fixed location pivotal about dual axes |
CN101198450A (zh) * | 2005-06-16 | 2008-06-11 | Nxp股份有限公司 | 拉伸持箔器的箔片的工具、从晶片移除晶粒的机器及方法 |
US20090061597A1 (en) * | 2007-08-30 | 2009-03-05 | Kavlico Corporation | Singulator method and apparatus |
DE102016101452B4 (de) * | 2016-01-27 | 2018-10-11 | Infineon Technologies Ag | Inspektion elektronischer Chips durch Rückseitenbeleuchtung |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5011652A (ja) * | 1973-06-01 | 1975-02-06 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2970730A (en) * | 1957-01-08 | 1961-02-07 | Motorola Inc | Dicing semiconductor wafers |
US3448510A (en) * | 1966-05-20 | 1969-06-10 | Western Electric Co | Methods and apparatus for separating articles initially in a compact array,and composite assemblies so formed |
US3562058A (en) * | 1967-05-16 | 1971-02-09 | Texas Instruments Inc | Method for breaking and separating substrate material |
NL6709523A (ja) * | 1967-07-08 | 1969-01-10 | ||
GB1243346A (en) * | 1968-11-29 | 1971-08-18 | Associated Semiconductor Mft | Improvements in and relating to methods of separating into pieces plates of material |
US3727282A (en) * | 1970-02-05 | 1973-04-17 | Burroughs Corp | Semiconductor handling apparatus |
US3677875A (en) * | 1970-08-19 | 1972-07-18 | Raychem Corp | Method and means of die matrix expansion |
US3918150A (en) * | 1974-02-08 | 1975-11-11 | Gen Electric | System for separating a semiconductor wafer into discrete pellets |
US4296542A (en) * | 1980-07-11 | 1981-10-27 | Presco, Inc. | Control of small parts in a manufacturing operation |
-
1986
- 1986-04-24 US US06/855,841 patent/US4744550A/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-04-06 JP JP62084507A patent/JPS62256451A/ja active Pending
- 1987-04-21 FR FR8705952A patent/FR2601842A1/fr active Pending
- 1987-04-23 GB GB8709586A patent/GB2189647B/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-04-24 NL NL8700975A patent/NL8700975A/nl not_active Application Discontinuation
- 1987-04-24 DE DE19873713817 patent/DE3713817A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5011652A (ja) * | 1973-06-01 | 1975-02-06 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004105109A1 (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-02 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | ダイシング装置 |
JPWO2004105109A1 (ja) * | 2003-05-22 | 2006-07-20 | 株式会社東京精密 | ダイシング装置 |
JP4640173B2 (ja) * | 2003-05-22 | 2011-03-02 | 株式会社東京精密 | ダイシング装置 |
US7542263B2 (en) | 2004-02-19 | 2009-06-02 | Asml Holding N.V. | Overlay correction by reducing wafer slipping after alignment |
US7786607B2 (en) | 2004-02-19 | 2010-08-31 | Asml Holding N.V. | Overlay correction by reducing wafer slipping after alignment |
JP2009045926A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-03-05 | Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh | レーザーによって脆い物質で作られた平行平面板を複数の個々のプレートに分割する方法及び装置 |
JP2010108996A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Lintec Corp | エキスパンド装置及びエキスパンド方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2189647A (en) | 1987-10-28 |
GB8709586D0 (en) | 1987-05-28 |
DE3713817A1 (de) | 1987-10-29 |
US4744550A (en) | 1988-05-17 |
FR2601842A1 (fr) | 1988-01-22 |
NL8700975A (nl) | 1987-11-16 |
GB2189647B (en) | 1990-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS62256451A (ja) | 真空ウエハ−伸張装置および方法 | |
EP0884766B1 (en) | Method and apparatus for dicing a wafer and separating chips | |
US7284941B2 (en) | Method and apparatus for picking up a semiconductor chip, method and apparatus for removing a semiconductor chip from a dicing tape, and a method of forming a perforated dicing tape | |
CN1154160C (zh) | 划片座及利用它来切割无带衬底的方法和设备 | |
US4644639A (en) | Method of supporting an article | |
US5482899A (en) | Leveling block for semiconductor demounter | |
US4896418A (en) | Direct mounting method for semiconductors | |
KR100564081B1 (ko) | 다이 픽업 방법 및 다이 픽업 지그 | |
JP4093297B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
KR102561376B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 및 웨이퍼의 가공에 사용하는 보조구 | |
JP2606890B2 (ja) | 半導体チップのピックアップ方法 | |
CN117680389B (zh) | 一种晶圆ng挑选机 | |
JPS6329412B2 (ja) | ||
JP3097314B2 (ja) | コレット位置出し方法及び装置 | |
CN221041079U (zh) | 一种加工设备 | |
US6930387B2 (en) | Dicing tape and die ejection method | |
JPH04252049A (ja) | ウエハ貼付け方法 | |
JPH05109869A (ja) | ダイボンデイング装置 | |
JPS6343327A (ja) | エピスパイククラツシユ装置 | |
JPH04192348A (ja) | テープチップの剥離方法および装置 | |
JPH0217481Y2 (ja) | ||
JP2794666B2 (ja) | 半導体チップの照明方法 | |
JPH0144018B2 (ja) | ||
JPH10335270A (ja) | ペレットのピックアップ装置 | |
JPH0964048A (ja) | 導電性ボールの搭載装置および搭載方法 |