JPS62249472A - 相補型半導体集積回路装置 - Google Patents
相補型半導体集積回路装置Info
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- JPS62249472A JPS62249472A JP61093621A JP9362186A JPS62249472A JP S62249472 A JPS62249472 A JP S62249472A JP 61093621 A JP61093621 A JP 61093621A JP 9362186 A JP9362186 A JP 9362186A JP S62249472 A JPS62249472 A JP S62249472A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
- H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
- H01L27/092—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は相補型半導体集積回路装置に関し、特に出力ト
ランジスタと電源配線との接続に関する。
ランジスタと電源配線との接続に関する。
従来、例えば多ビツト系の相補ｆｉＭＯｓメモリ回路装
置の出力回路部のレイアウトパターンおよびその等価回
路としては、第３図及び第４図に示すように、Ｐチャン
ネル出力トランジスタ３１のソース領域３２とｖｃｏｇ
Ｌ源のアルミ配線３３とが、又Ｎチャンネル出力トラン
ジスタ３４のソース領域３５とＧＮＤ電源のアルミ配線
３６とがそれぞれオーミック接続されている。−力出力
端子用ボンディングパッド３７からはＰチャンネル出力
トランジスタ３１のドレイン領域３８には直接アルミ配
線でオーミック接続されるがＮチャンネル出力トランジ
スタ３４のドレイン領域３９とはＮ＋拡散抵抗４０を介
してアルミ配線でオーミック接続されていた。
置の出力回路部のレイアウトパターンおよびその等価回
路としては、第３図及び第４図に示すように、Ｐチャン
ネル出力トランジスタ３１のソース領域３２とｖｃｏｇ
Ｌ源のアルミ配線３３とが、又Ｎチャンネル出力トラン
ジスタ３４のソース領域３５とＧＮＤ電源のアルミ配線
３６とがそれぞれオーミック接続されている。−力出力
端子用ボンディングパッド３７からはＰチャンネル出力
トランジスタ３１のドレイン領域３８には直接アルミ配
線でオーミック接続されるがＮチャンネル出力トランジ
スタ３４のドレイン領域３９とはＮ＋拡散抵抗４０を介
してアルミ配線でオーミック接続されていた。
上述した従来の出力回路パターンレイアウト法ではＶＣ
Ｃ電源用アルミ配線がＮチャンネル出力トランジスタの
ドレイ／領域上ｔ−通過する為ドレイン領域のＮ＋拡散
層を延長して、トンネル配線を形成する必要がある。通
常Ｎ＋拡散層の層抵抗は約５０Ω／口程度あ）、上述し
たトンネル配線のパターンレイプラトでは、数十オーム
のトンネル抵抗が形成されてしまい、出力電流、出力電
圧。
Ｃ電源用アルミ配線がＮチャンネル出力トランジスタの
ドレイ／領域上ｔ−通過する為ドレイン領域のＮ＋拡散
層を延長して、トンネル配線を形成する必要がある。通
常Ｎ＋拡散層の層抵抗は約５０Ω／口程度あ）、上述し
たトンネル配線のパターンレイプラトでは、数十オーム
のトンネル抵抗が形成されてしまい、出力電流、出力電
圧。
動作スピード等の回路特性に悪影響を及ぼすという欠点
がある。
がある。
特に、複数の出力回路をもつ多ピット系相補型Ｌ′ＶＬ
ＯＳ メーｔ＝９回路装置では、ＧＮＤ、 Ｖｃｃ 両
電源アルミ配線幅が太くなシ、このトンネル抵抗値が大
きくなる。上述したトンネル抵抗値を小さくする方法と
して、Ｎ十拡散層の幅を広げ長さ７幅の比を小さくする
方法があるが、端子容量の増加やパターンレイアウト面
積の制限から実現でさず大きな問題となる。
ＯＳ メーｔ＝９回路装置では、ＧＮＤ、 Ｖｃｃ 両
電源アルミ配線幅が太くなシ、このトンネル抵抗値が大
きくなる。上述したトンネル抵抗値を小さくする方法と
して、Ｎ十拡散層の幅を広げ長さ７幅の比を小さくする
方法があるが、端子容量の増加やパターンレイアウト面
積の制限から実現でさず大きな問題となる。
本発明は、出力回路の出力トランジスタのソース領域と
電源との接続にポリサイドによるトンネル配線全使用し
たものである。
電源との接続にポリサイドによるトンネル配線全使用し
たものである。
本発明の相補型半導体集積回路装置は、複数の出力回路
を有する相補型半導体集積回路装置において、出力回路
を構成する出力トランジスタのソース領域と電源配線と
がポリサイド配線で接続されていることを特徴とする。
を有する相補型半導体集積回路装置において、出力回路
を構成する出力トランジスタのソース領域と電源配線と
がポリサイド配線で接続されていることを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は相補型ＭＯＳメモリ回路の出力回路レイアウト
パターンであり、第２図は第１図のトンネル抵抗を含む
等価回路である。Ｎチャンネル出力トランジスタ１１の
ソース領域１２はＧＮＤ′ｉ！源用アルミ配線１３に直
接オーミック接続される。
パターンであり、第２図は第１図のトンネル抵抗を含む
等価回路である。Ｎチャンネル出力トランジスタ１１の
ソース領域１２はＧＮＤ′ｉ！源用アルミ配線１３に直
接オーミック接続される。
一方Ｐチャンネル出力トランジスタ１４のソース領域１
５はタングステンポリサイドによるポリサイド配線１６
によるトンネル配線を介して、Ｖｃｃ・電源用アルミ配
線１７にオーミック接続されている。出力端子用ポンデ
ィングパッド１８からはＮチャンネル出力トランジスタ
１１及びＰチャンネル出力トランジスタ１４のドレイン
領域１９．２０へアルミ配線２１，２２によシそれぞれ
オーミック接続されている。
５はタングステンポリサイドによるポリサイド配線１６
によるトンネル配線を介して、Ｖｃｃ・電源用アルミ配
線１７にオーミック接続されている。出力端子用ポンデ
ィングパッド１８からはＮチャンネル出力トランジスタ
１１及びＰチャンネル出力トランジスタ１４のドレイン
領域１９．２０へアルミ配線２１，２２によシそれぞれ
オーミック接続されている。
以上説明したように本発明は、出力トランジスタのソー
ス領域と電源線との接続にポリサイド配線を使用するこ
とにより、従来のＮ＋拡散層配線を使用した場合と比較
して、抵抗値を１桁以上小さくでき、従ってレイアウト
パターン面積の増加を必要とせず、出力電流、出力電圧
及び動作スピード等の回路特性改善に寄与する効果があ
る。
ス領域と電源線との接続にポリサイド配線を使用するこ
とにより、従来のＮ＋拡散層配線を使用した場合と比較
して、抵抗値を１桁以上小さくでき、従ってレイアウト
パターン面積の増加を必要とせず、出力電流、出力電圧
及び動作スピード等の回路特性改善に寄与する効果があ
る。
同、本実施例ではポリサイド配線をＰチャンネル出力ト
ランジスタのソース領域とＶｃｃ電源用アルミ配線との
接続に使用したが、逆に、Ｎチャンネル出力トランジス
タのソース領域とＧＮＤｉ源用アルミ配線の接続に使用
しても良い。又、ポリサイド配線にはタングステンの他
にモリブデンやチタン等によるポリサイドを用いても良
い。
ランジスタのソース領域とＶｃｃ電源用アルミ配線との
接続に使用したが、逆に、Ｎチャンネル出力トランジス
タのソース領域とＧＮＤｉ源用アルミ配線の接続に使用
しても良い。又、ポリサイド配線にはタングステンの他
にモリブデンやチタン等によるポリサイドを用いても良
い。
第１図は本発明の一実施例の出力回路のレイアウトパタ
ーン図、第２図は第１図の等価回路、第３図は従来の出
力回路のレイアウトパターン図、第４図は第３図の等価
回路図である。 １１．３４・・・・−Ｎチャンネル出力トランジスタ、
１４．３１・・・・・・Ｐチャンネル出力トランジスタ
、１２．３５・・・・・・Ｎチャンネル出力トランジス
タのソース領域、１５．３２・・・・・・Ｐチャンネル
出力トランジスタのソース領域、１３．３６・・・・・
・ＧＮＤ電源用アルミ配線、１７．３３・・・・・・Ｖ
ｃｃ電源用アルミ配線、１８，３７゛・°°°°出力端
子用ポンディングパッド、１６・・・・・・ポリサイド
配線、４０・・−・・・Ｎ＋拡散層配線。 代理人 弁理士 内 原 １ 日（ ５ｔ７／ 図 第 ２ 凹
ーン図、第２図は第１図の等価回路、第３図は従来の出
力回路のレイアウトパターン図、第４図は第３図の等価
回路図である。 １１．３４・・・・−Ｎチャンネル出力トランジスタ、
１４．３１・・・・・・Ｐチャンネル出力トランジスタ
、１２．３５・・・・・・Ｎチャンネル出力トランジス
タのソース領域、１５．３２・・・・・・Ｐチャンネル
出力トランジスタのソース領域、１３．３６・・・・・
・ＧＮＤ電源用アルミ配線、１７．３３・・・・・・Ｖ
ｃｃ電源用アルミ配線、１８，３７゛・°°°°出力端
子用ポンディングパッド、１６・・・・・・ポリサイド
配線、４０・・−・・・Ｎ＋拡散層配線。 代理人 弁理士 内 原 １ 日（ ５ｔ７／ 図 第 ２ 凹
Claims (1)
- 複数の出力回路を有する相補型半導体集積回路装置にお
いて、出力回路を構成する出力トランジスタのソース領
域と電源配線とがポリサイド配線で接続されていること
を特徴とする相補型半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61093621A JPH0682791B2 (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 相補型半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61093621A JPH0682791B2 (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 相補型半導体集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62249472A true JPS62249472A (ja) | 1987-10-30 |
| JPH0682791B2 JPH0682791B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=14087391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61093621A Expired - Lifetime JPH0682791B2 (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 相補型半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682791B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60154554A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-14 | Nec Corp | 相補型絶縁ゲ−ト電界効果半導体装置 |
-
1986
- 1986-04-22 JP JP61093621A patent/JPH0682791B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60154554A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-14 | Nec Corp | 相補型絶縁ゲ−ト電界効果半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0682791B2 (ja) | 1994-10-19 |
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