JPS62246928A - ポリカ−ボネ−トの変性法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ポリカーボネートは公知であり、そして、そのｗｉ者な
特質のため、多くの分野の応用に使用されてきた。しか
しながら、例えば有機溶媒に対する抵抗力および応力亀
裂に対する耐性は、特定的な応用に対しては不過当であ
る。

フェノール、ｐ−ｔ−ブチルフェノールまたは２゜６−
ノメチルフエノールのみで末端が普通におさまっている
ポリカーボネートと比較すると、本発明に従うポリカー
ボネートは機械的または熱的特性に変化を示 さない。直に、それらのものは、殊に光開始剤の存在下
およびＵＶ光の照射下では、架橋に適しており、従って
有機溶媒（（対して低抗力を有【２、応力亀裂に対して
強く、難燃化剤を加えることｂζよって殊に優れた防炎
性を６するポリカーボネートを製造するのを可能にする
。

本発明は、ジフェノールおよび一官能基の連鎖停止剤を
基材とする、一般式（［）式中、２はジフェノールの基
であり、 ｎは約２０乃辛４００の整数で あり。

であり、該式中、 ｍは０または１を意味し、 Ｒ＃ｉＨまたは０１〜Ｃ１−アルキルを意味する。

に相当することを特徴とする、約１α０００乃至２０Ｑ
、０００．好ましくは約２０，０００および８Ｑ、００
０の間の分子量ｍｙ　（重量平均）を有する、新規な、
高分子量の、架橋可能なポリカーボネートに関する。

本発明は、また、一般式（ＩＩ） ＨＯ−ｚ　−ＯＨ（…） 式中、２は、場合によりアルキル置換またはへロゲン置
換することができ、且つ。

好ましくは約６乃至３０個のＣ原子を 含有する。二価の芳香族の基である。

のジフェノールおよび／またはそれらのクロロ炭酸エス
テルを、ポリカーボネートの製造法とじて公知の方法に
従って、均一または不均一な相の系に於いて、使用した
構成単位２のモル数に対して約０，０５および５モル％
、好ましくは約１１乃至式中、ｍおよびＲは式（１）に
対して示した意味を有する、 の化合物と反応させることを特徴とする。約１０．１１
００および２００．００１）の間、好ましくは約２へ０
００およびａｏ、ｏｏｏの間のＭｙ　（重量平均）を有
する新規な高分子量ポリカーボネートの製造法にも闇す
る。

本発明は、また、本発明に従う式（りのポリカーボネー
トまたはポリカーボネート混合物を。

ポリカーボネートの重量に対して約０．５乃至５重量％
、好ましくは約１乃至３重量％の光開始剤。

および、場合により、ポリカーボネートの重置に対して
約０．５乃至５重量％、好ましくは約１および３重量％
の間の光還元城および、場合により、ポリカーボネート
の重量に対して約（１０５および５重量％の間、好まし
くは約（１１および２重量％の間の難燃化剤を添加した
後、紫外光で照射することを特徴とする、ポリカーボネ
ートの変性（改良）方法にも関する。

本発明は、また、上記の方法により得られる。

架橋ポリカーボネートにも関する。

連鎖の停止に使用される七ツマ−は安価であり市場で容
易に入手でき、ポリカーボネートの製造法として公知の
方法でポリマー中に難なく組み入れることができるので
、紫外光により容易に架橋できるポリカーボネートは経
済的な条件下で製造することができる。

本発明に従って好適な式（ＩＩＩ）の化合物の例は。

アクリロイルクロリド、メタクリロイルクロリド、イン
プロペニルフェニルクロロカーボネートおよびＰ−ヒド
ロキシスチレンクロロカーボネートである。

本発明に従って使用すべき式（■１）に従う連鎖停止剤
に加えて、ポリカーボネートの合成に適した通常の一官
能基のフェノールは全て本発明に従って共に使用するこ
ともできる。

好ましくは６乃至５０個のＣ原子を含有する式（ＩＩ）
のジフェノールの適当な例は、ヒドロキノン、レゾルシ
ノール、ジヒドロキシジフェニル、ビス−（ヒドロキシ
フェニル）−アルカン、ビス−（ヒドロキシフェニル）
−シクロアルカン、ビス−（ヒドロキシフェニル）スル
フィド、ビス−（ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス
−（ヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス−（ヒド
ロキシフェニル）スルホン、α、α′−ビス−（ヒドロ
キシフェニル）−ジイソプロピルベンゼンおよびこれら
のものの核アルキル化並びに核へロゲン化化合物である
。

これらのものおよび他の好適なジフェノールは、例えば
、米国特許第ｉ２８．１６５号、同２，９９９，８３５
号、同幻４８，１７２号、同へ２７１，５６８号、同２
，９９１．２７３号、同３，２７１，５６７号、同３，
２８０，０７８号、同３，０．１４，８９１号；および
同２，９９９，８４６号、西ドイツ国特許出願公開明細
書ｆｆ１ｔ５７０，７０３号。

同２．０６＆ＱＳＱ号、同２．０６１０５２号、同２，
２１１，９５６号および２．２１１９５７号、フランス
国特許第ｔ！Ｍｔ５１８号および単行本［ＩＳｃｈｎｅ
ｌｌＣｈｅｍｉｓｔｒｙ　　ａｎｄ　　Ｐｈｙｓｉｃｓ
　　ｏｆ　　Ｐｏ１ｙｅａｒ−ｂｏｎａｔ＠ｓ、、Ｉｎ
ｔｅｒｓｅｌｅｎｅｅ　　Ｐｕｂ１１ｓｈ＊ｒ＋ｓＮｅ
ｗ　Ｙｏｒｋ、、１９６４年」に記載されている。

好ましいジフェノールの例は、２．２−ビス−（４−ヒ
ドロキシフェニル）−プロパン、２．２−ビス−（３，
５−ジメチル−４−ヒドロキンフェニル）−プロパン、
２，２−ビス−（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフ
ェニル）−プロパン、２．２−ビス−（３，５−ジブロ
モ−４−ヒドロキシフェニル）−フロパンオヨヒ１，１
−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−シクロへキチン
である。

式（Ｉｔ）のジフェノールの何如なる望みの混合物を使
用することも可能である。

ポリカーボネートは、用いるジフェノールに対して少量
の、好ましくは約（ＬＯ５および１０モル％の間の量の
、３官能基または３官能基より多くの基の化合物、殊に
３または３より多くのフェノール性ヒドロキシル基を有
する化合物を組み入れることによって、分款させること
ができる。

この種のポリカーボネートは、例えば、西ドイツ国特許
出願公告明細書第１，５７［Ｌ５３３号、同１，５９５
．７６２号、同２．１１４９７４号、同２，１１５．３
４７号および同２．５０（ＬＯ９２号、連合王国特許第
１、０７９．８２１号および米国特許ｆＪ３，５４４．
５１４号に記載されている。

本発明に従うポリカーボネートの製造は実質上下記の２
つの公知の方法（Ｈ，５ｃｈｎ＊１１．Ｏｈｅｍｌ−ｓ
ｔｒｙ　　ａｎｄ　　Ｐｈｙｓｌｅａ　　ｏｆ　　Ｐｏ
１ｙｅａｒｂｏｎ＋ａｔｅｓ。

Ｐｏｌｙｍ＠ｒ　　Ｒ＠ｙ、、第■巻、２７頁以降。

Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｅｅ　　Ｉ’ｕｂ目ｇｈｅｒａ参
照）により行なうことができ、それは半環には下記の如
く記述される。

１　不均一な相の系に於ける芳香族ポリカーボネートの
製造（相境界法） この方法に於いては、式（■）のジフェノールをアルカ
リ性の水ｌ―に溶解させる５本発明に従うポリカーボネ
ートの製造に必要な１式（ＩＩＩ）に従う連鎖調節剤を
、有機溶媒に溶かすかあるいはそのままで、このアルカ
リ相に加える。該ポリカーボネートに適した溶媒を加え
た後、二相の混合物が生成するが、この中へ約０および
６０℃の間でホスゲンを通す。触媒を添加すると高分子
量のポリカーボネートが得られる。該混合物を、有機相
を洗いそして次に例えば非蒸発押出し成形４中で約２８
０および３３０℃の間の温度に於いて溶媒を留去させる
ことにより仕上げる。

ポリカーボネートおよび式（［［［）の化合物に適した
有機溶媒は、例えばメチレンクロリド、クロロベンゼン
およびそれらの混合物の如き、ポリカーボネートの合成
に対しては公知のものである。

好適な触媒は、例えばトリエチルアミンおよびトリブチ
ルアミンの如き、ポリカーボネートの合成に対しては公
知のものである。

２、均一な相の系に於けるポリカーボネートの製造（ピ
リジン法） 一般式（［Ｉ）に従うジフェノールおよび一般式（１）
に従う連鎖調節剤を、例えばピリジンの如き有機塩基中
に溶解させる。咳ポリカーボネートに適した溶媒を加え
た後、約０および６０℃の間の温度に於いてホスゲンを
通す。

反応の間に生成するピリジンハイドロクロリドを戸別し
、そして有機層を希ＨＣＩで洗いそして次に中性になる
まで水で洗浄する。仕上げは、また。

１）のもとで記述した如く１例えば非蒸発スクリュー中
で溶媒を留去させることにより行なう。

ピリジンの他、適当な有機塩基の例はトリエチルアミン
およびトリブチルアミンである。メチレンクロリドおよ
びクロロベンゼンおよびそれらの混合物をポリカーボネ
ートの溶媒として使用することができる。

もし、式（ＩＩ）のジフェノールに加えて、或いはジフ
ェノールのかわりに、それらのもののクロロ炭酸エステ
ルを使用する場合は、１）および２）の方法に必要な連
鎖停止剤の晴は、式（ｆｆ）のビスフェノールおよびそ
れらのもののクロロ炭酸エステルの和から生起する構造
単位２から適宜に計算される。

原理的には、ポリカーボネートと整合する光開始剤は全
て本発明に従うポリカーボネートの改良に適している。

かくて、例えば、最も広い意味での脂肪族および芳香族
ケトンを基材とする、グリオキナレートおよびキノンも
包含する光開始剤が適している。もう少し狭い意味での
ケトンおよびグリオキサレートの例は、アセトフェノン
、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、
ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾフェノン、Ｐ
−クロロ−ベンゾフェノン、と−ベンゾイルベンゾフェ
ノン、ジベンジルケトン、ベンゾイルアセトン、ベンジ
ルアセトン、デオキシベンゾイン、２．４−ジメチル−
ベンゾフェノン、２．５−ジメチルベンゾフェノン、瓜
４−ジメチルベンゾフェノン、４−ベンゾイルジフェニ
ル、９−フルオレノン、４，４−ビス−（ジメチルアミ
ノ）−ベンゾフエノン、４−ジメチルアミノ−ベンゾフ
ェノン、ジベンジルケトン、４−メチルベンゾフェノン
、プロピオフェノン、ベンズアンスロン、エチルフェニ
ルグリオキナレート、ｔ−ブチルフェニルグリオキサレ
ート、トリメチルシリルフェニルグリオキナレート等々
である。

芳香族ケトンまたはグリオキサレートが好ましい。ベン
ゾフェノン、ベンゾイン、Ｐ−ベンゾイルベンゾフェノ
ン、ｔ−ブチルフェニルグリオキサレートおよびトリメ
チルシリルフェニルグリオキナレートが殊に好ましい。

キノン、例えばアントラキノン、１−クロロアントラキ
ノン、２−クロロ−アントラキノン、２−エチルアント
ラキノン、１−メチルアントラキノン、２−メチルアン
トラキノン、２−フェニルアントラキノン等々もまた光
開始剤として使用することができる。好ましいキノンは
２−メチルアントラキノン、２−クロロアントラキノン
、および２−エチルアントラキノンである。

他の好適な光開始剤は熟達した人々には公知であり、次
の出版物から知ることもできる。Ｊ、Ｋｏｓａｒ。

「Ｌｉｇｈｔ−８ｅｎｓｉｔｉｖ＠Ｓｙｓｔｅｍｓ　Ｊ
　、Ｊｏｈｎ　Ｗ１１ｅｙ＆　５ｏｎｓ、　Ｎ＠Ｗ　Ｙ
ｏｒｋ、　１９６５年、第４章（［Ｕｎｉａｔｕｒａ　
−ｔｅｄ　（７ｏｒｎｐｏｕｎｄｓ　ｌ　）、第５章（
ｒＰｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒｌ−ｚａｔｌｏｎ　Ｐｒｏ
ｃｅｓｓｅｓ　Ｊ　）および第８章（Ｐｈｏｔｏｐｏｌ
ｙ−ｍ＠ｒｌｚａｔｌｏｎ　ｏｆ　Ｖｌｎｙｌ　Ｍｏｎ
ｏｍ＠ｒｓ　）、「ｃｈｅｍ。

几ｅｖｔ−Ｊ　ｇ　６８巻、１２５乃至１５１Ｗ（１９
６８年）、Ｊ、Ｆ、Ｒａｂ＠ｋ　　ｒＰｈｏｔｏｓ＠ｎ
ｍ１ｔｉｚ＠ｄ　　Ｐｒｏｔｅｓｓｅｓｌｎ　　Ｐｏｌ
ｙｍｅｒ　　Ｏｈ＠ｍ１ｓｔｒｙ、Ａ　　Ｒ＠ｖｌｒｗ
Ｊ　　、Ｐｈｏｔｏ−ｅｈｅｍ、Ｐｈｏｔｏｂｊ　ｏｌ
、　’！Ｐｒ　７巻、５乃至５７９（１９６８年）、Ｇ
、Ｄｅｌｚ＠ｎｎｅ１［Ｓ＠ｎ５１ｔｉｚ＠ｒｓ　ｏｆ
　Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙ−ｍ＠ｒｉｚａｔｉｏｎ　Ｊ　、
　　Ｉｎｄ、（７ｈｉｍ、Ｂ＠１ｇｏ第２４巻、７３９
乃至７６４　Ｎ（１９５９年）、およびＯ，Ｍ。

Ｍｅ　０１ｏｓｋｅｙおよびＪ、Ｂｏｎｄ、　「Ｐｈｏ
ｔｏｓｓｎｓｌｔｌｚｅｒｓＦｏｒ　Ｐｏ１ｙｅｓｔ＠
ｙ−ｖＩｎｙｌ　　Ｐｏ１ｙｒｎｅｒｉｚａｔｉｏｎ　
Ｊ。

Ｉｎｄ、Ｅｎｇ、Ｏｈｅｍ、第４７巻、２１２５乃至２
１２９頁（１９５５年）。

本発明に従うポリカーボネートの変性に必要な紫外光照
射は、市販で得られる紫外ランプ、例えばフィリップス
ＨＴＱ４または７、Ｈａｎｏマ１ａランプ等々を用いた
紫外光で達せられる。照射時間は、用いる光開始剤の含
有率および試料の仲買に応じて約２０乃至１８０秒とす
る。

本発明に従うポリカーボネートの変性に適した難燃化剤
の例は、公知であって且つポリカーボネートを耐炎性に
するのに適した化合物、および。

西ドイツ国特許出願公開明細書第２，０４９，５５８号
および同２．２５＆０７２号、米国特許第３７７５．５
６７号および同５．８３１５，４９０号および他の文献
に記載されているものの如き、協同作用を有する物質で
ある。

好適な化合物の例は、アルカリ金属塩、殊に、例えばイ
ソオクタン酸カリウム、イソオクタン酸ナトリウム、イ
ソオクタン酸リチウム、ペルフルオロオクタン酸カリウ
ム、ペルフルオロオクタン酸ナトリウム、ベルフルオロ
オグタン酸リチウム、５−エチル−ジオキチン−１，３
−イル−５−カルボン酸のカリウム塩、イソオクタン酸
ルビジウム。

ペルフルオロオクタン酸ルビジウムおよびペルフルオロ
メタンスルホン酸カリウム、ペルフルオロオクタンスル
ホン酸カリウムおよびペルフルオロブタンスルホン酸カ
リウムの如きペルフルオロアルカンスルホン酸のアルカ
リ金属塩の如き、ポリカーボネート中に可溶なアルカリ
金属塩である。

更に、ラウリン酸、ステアリン酸、オレイン酸、フター
ル酸モノベンジルエステル、アジピン酸モノブチルエス
テル、Ｐ−オクチル安息香酸、１Ｏ−ｔ−ブチル安息香
酸、３−（５，Ｓ−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）−プロピオン酸およびジグリコール酸モノデシ
ルエステルのアルカリ金属塩を使用することもできる。

本発明に従うポリカーボネートの変性は二段で達成する
ことができる。最初の段階は、ａ）　溶解しフィルムと
して単離することによるか、或いは ｂ）　約２８０および３３０℃の間で混合し、場合によ
りポリカーボネートをシートまたは他の射出成形体へ成
形することにより、光開始剤および場合により難燃化剤
および／または光還元剤を組み入れる段階で、第二の段
階は架橋が達成されるまでの紫外光照射である。

ｂ）の段階を進める際は１例えばベンゾフェノンの如き
物質を、混合前にポリカーボネートに加え、光開始剤を
活性化するのが好ましい、光開始剤と一緒に光還元剤を
使用することは文献でよく知られている。（Ｊ、Ａｍ、
Ｏｈｅｍ、８ｏｅ、　８３巻、２７９５頁（１９６１年
）、Ｊ、Ａｍ、Ｏｈｅｍ、Ｓｏｅ、第８９巻、３４７１
　Ｎ（１９６７年）枯よびＡｎｇ＠ｗ、Ｏｈ＠ｒｎ、１
０３２日（１９７２年）参照）。

好〕１穐な物質は、例えばメシチレン、ジベンジルエー
テル、安息香酸ベンジルエステル等々の如き、不安定な
ａｎ結合を有する化合物である。不安定なｃｒｉｇ合を
有するポリマー、例えばポリグリコールエーテル、脂肪
族ポリエステルおよび他の化合物もまた該活性化に適し
ている。

工程変＠ｂ）に従う本発明のポリカーボネートの変性の
ための光開始剤の活性化のもう一つの可能性は、光開始
剤を含有するポリカーボネートを照射に先立って不安定
なＣＩ（結合を有する有機化合物の蒸気に１ｍ　Ｌ、、
そして、その後直ちに紫外光照射によって架橋を行なわ
せるということから成る。

ここで考慮すべ赴有機化合物は１例えば、テトラヒドロ
フラン、ジオキチン、クロロホルム、トルエン、キシレ
ン、Ｃ！）１ｔ０１．および同様の化合物である。

組み入れるべき光還元剤の量は組み入れられた光開始剤
の量によるが、一般には光開始剤を基準にして等モルの
量の光還元剤を加える。

釘に１組み入れられた光開始剤の量に応じて、蒸気状態
で使用される光還元剤の量は、主に、架橋さハるべき表
面およびポリカーボネート成形体の構造並びに望みの架
橋反応の程度による。

場合により炎遅延剤を組み入れた後の、光開始剤を用い
、場合により光還元剤を用いた１本発明のポリカーボネ
ートを提供するためのもう一つ別の方法は、それぞれの
ポリカーボネート成形体を、よく知られている方法、例
えば米国特許第５．８９２，８８９号の方法と類似の方
法を用いて、光開始剤の溶液および場合によりポリカー
ボネートに対して不活性な溶媒中の光還元剤を使用して
、浸漬または噴霧することである。

用いるべき光開始剤および場合により光還元剤の１膿よ
、これも、主として、架橋されるべき表面およびポリカ
ーボネート成形体の構造並びに望みの架橋反応の程度に
よる。光開始剤および場合により光還元剤の、この後者
の工程変数に従う、ポリカーボネート表面に使用すべき
型は、架橋されるべき平均１００μの表面層に対しそれ
ぞれ１Ｑ−３ｊｊ／ｒｓｌ　の大きさの程度である。処
理されたポリカーボネート成形体は次によく知られた方
法で乾燥させ、紫外光照射で改良する。

他の高エネルギー線源、例えば礪子線、殊に陰極線もま
た、場合により増感剤の添加後１本発明のポリカーボネ
ートの照射に使用することができる。

本発明に従って得ることができる変性されたポリカーボ
ネート成形組成物は有機溶媒に対して抵抗力があり、そ
して通常のポリカーボネートと比較すると、応力亀裂に
対する改善された抵抗力によって区別できる。もし難燃
化剤を加元てあれば、はんの少しの添加であっても、Ｕ
Ｌサプノエクト９４に従うとｖＯと評価される生成物が
得られる。

本発明に従って得ることができる変性されたポリカーボ
ネートは、応力亀裂に対する高い抵抗力と同時に有機溶
媒に対する高い抵抗力が要求される全ての場合に、フィ
ルムおよＣ／／＆形体として使用することができる。

以下の実施例は本発明の上口を実に詳細に例示する目的
のものである。示した相対粘度は、メチレンクロリド中
、２５℃および濃度５ｇ／ｉに於いて測定した。

なお、下記におけるＵＬサブジェクト９４試験は、−試
料につき１０本ずつの寸法１２７Ｘ１２゜７　Ｘ　１．
６　ｍｍ（’／＋ａ″）および１２７Ｘ１２，７Ｘ３゜
２Ｉ（１八“）の射出成形された試験棒を用いての燃焼
試験によって、当該試料の難燃性をｖＯｌｖｌおよ（／
Ｖ２のいずれかの等級に分類するものであって、その分
類基準は次の通りである。

ＶＯ：、α火炎を取り去った後の平均の燃焼および／ま
たはくすぶりが５秒を越えず、且つ、脱脂綿に着火する
滴下粒を生じない。

ｖｌ：５貞火炎を取り去った後の平均の燃焼および／ま
たはくすぶりが２５秒を越えず、且つ脱脂綿に着火する
滴下粒を生じない。

■２：点火炎を取り去った後の平均の燃焼および／また
はくすぶりが２５秒を越えないが、脱脂綿に着火する滴
下粒を生ずる。

ただし、各試料はすべての試験棒が特定のＶ等級に適合
することを必要とし、さもなくば、当該試料には最も悪
い試験棒のｗ？級が付される０例えば、１本の試験棒が
ｖ２と等級付けられ、他の９本の試験棒が■０と等級付
けられた場合には、当該試料は■２と評価される。

夫産例−二し 連鎖停止剤としてメタクリロイルクロリド３゜２７モル
％を用いて製造したポリカーボネート。

２．２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−フロノ（
ン（ビス７エ／−ルＡ）３，１９２ｋｇ（１４モル）、
濃度４５％の水酸化ナトリウム水溶［２，５二（ｋｌ？
および蒸留水１５２から１つの溶液を作る。メチレンク
ロリド３４ｋｇを加えた後、メチレンクロ１）１１ｋｇ
中に溶かしたメタクリロイルクロリド５２゜２ｇ（約０
．５モル）を、室温に於−１で攪袢しな力Ｃら加える。

２０乃至２５℃に於いて、ホスゲン２゜６４ｋｇを通す
。濃度６．５％の水酸化ナトリウム溶液を更に２６．３
にビ加えることによって、ホスゲン化の間ｐＨ値を１３
乃至１４に保持する。トリエチルアミン１５＋＋＋ｊｔ
を次に加え、混合物を更に３０号間攪件する。つぎに上
部の水相を分離し去り、有機相を酸洗し、１！Ｌｉ解質
が無くなるまで洗浄する。次にメチレンクロリドを３０
０℃で有機相からＺＳＫ磯を介して留去し去り、そして
ポリカーボネートを粒剤とする。相対溶融粘度は約１゜
３０であり、分子量は約２８５００である。

Ｋ壜胴−１ インプロペニルフェニルクロロカーボネート３゜４モル
％を用いて製造したポリカーボネート。

製造および仕上げは、実施例１に於いて記載した方法に
従って、インプロペニルフェニルクロロカーボネート３
．４モル％を用いて行なう。相対溶液粘度は約１．３１
であり、分子量は約２９７００である。

Ｘ１匠−±（比較実施例） ｐ−ｔ−ブチル７エ７−ル３．２７モル％を用いて製造
したポリカーボネート。

製造および仕上げは、実施例１に於いて記載した方法に
従って、ｐ−ｔ−ブチルフェノール３．２７モル％を用
いて行なう。相対溶液粘度は約１．３０であり、分子量
は約２８５００ である。

実施例１乃至３からのポリカーボネートをメチレンクロ
リド中に溶かし、そして、ベンゾフェノン１または２重
量％を）１０えてから、厚さ約１００μのフィルムに加
工し、約１２０℃に於いて一晩乾燥する。

Ｗ−工 実施例１のポリカーボネートをメチレンクロリド中に溶
かし、ポリカーボネートのｔｆｌを基準にして１重量％
のベンゾフェノンおよびポリカーボネートの重電を基準
にしてｔ５重ｆＦ１％のジベンジルエーテルをも加えて
から、厚さ約１００μのフィルムに加工し、約１２０℃
に於いニー晩乾燥する。

実施例１乃至４からのフィルムを、次に、フィリップス
Ｈ’ｆ’Ｑ　４紫外ランプ（高圧水銀蒸気ランプ）ヲ用
イて、１５ｃＭｌの距離に於いて、４５および１８０秒
間両面を照射する。フィルムをメチレンクロリドで処理
し架橋した部分を不溶性繊維あるいはフィルム片として
戸別し、乾燥後Ｍｔ法により決定する。実施例１乃至４
からのポリカーボネートの異なる架橋の結果、フィルム
は異なった応力亀裂を起す。

測定のために、幅１ｃＩ！Ｌで厚さ１００μの細片を曲
げて半ｉｋ　５　ｃｍの輪を作り、そして、その輪を四
塩化炭素に浸す。応力亀裂の起った結果フィルムの輪が
壊れるまでの時間を記録する。結果を第１表に要約する
。

実施例　５ 実施例１からのポリカーボネー）４５１６ｇを、ベンゾ
フェノン８０１２１’ｆｌ’ｆｔ’−・、＋）オヨヒベ
ルフルオロブタンスルホン酸カリウム４ｇ（α１重量％
）と、３００℃に於いて、ツインスクリュー型の機械中
で一緒に混合し、該混合物を粒剤とする。

実施例　６ 実施例２からのポリカーボネー）４８７６ｇを、ベンゾ
フェノン１２０ｇおよびペルフルオロブタンスルホン酸
カリウム４ｇと、３００℃に於いて、ツインスクリュー
型の機械中で混合し、該混合物を粒剤とする。

一実過ＬＩＬｕ（比較実施例） 実施例３からのポリカーボネー）４８７６．９を、ベン
ゾフェノン１２０ｇおよびペルフルオロブタンスルホン
酸カリウム４．ｌｉ’と、３００℃に於いて。

ツインスクリュー型の機械中で混合し、該混合物を粒剤
とする。

実施例５．６および′ｌからの改良したポリカーボネー
トを射出成形して標準的な区験棒を作り、フィリップス
ｌｌ’ｒＱ　　４商圧水銀蒸気ランプを用いて、約１５
ｃｍの距離に於いて約４５秒間この棒の両面を照射する
。見出した、火に対する危険率の分類を第２表に姿約す
る。

ＵＶサブノエクト９４

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、約１０，０００および２００，０００の間の分子量
   ＠Ｍ＠ｗ（重量平均）を有し、ジフエノールおよび一官
   能基の連鎖停止剤を基材とする、一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 式中、Ｚはジフエノールの基を意味し、 ｎは約２０乃至４００の整数を意味し、 Ｅは ▲数式、化学式、表等があります▼ を意味し、該式中 ｍは０または１を意味し、そして ＲはＨまたはＣ＿１〜Ｃ＿３−アルキルを意味する、に
   相当する高分子量の芳香族ポリカーボネートを、これに
   その重量に対して約０．０５および５重量％の間の光開
   始剤を添加したのち、紫外光で照射することを特徴とす
   る、ポリカーボネートの変性方法。 ２、ポリカーボネートの重量に対して約１および３重量
   ％の間の光開始剤を使用することから成る、特許請求の
   範囲第１項記載の方法。 ３、光開始剤を溶液を介して添加し、そして紫外光によ
   る照射に先立ってポリカーボネートをフィルムとして単
   離することから成る、特許請求の範囲第１項記載の方法
   。 ４、紫外光による照射に先立って約２８０および３３０
   ℃の間で光開始剤を混合して加えることから成る、特許
   請求の範囲第１項記載の方法。 ５、照射に先立ち、ポリカーボネートの重量を基準にし
   て約０．０５および５重量％の間の光還元剤をポリカー
   ボネートに加えることから成る、特許請求の範囲第１項
   記載の方法。 ６、紫外光による照射に先立ち光還元剤を溶液を介して
   加えそしてポリカーボネートをフィルムとして単離する
   ことから成る、特許請求の範囲第５項記載の方法。 ７、紫外光による照射に先立ち、約２８０および３３０
   ℃の間で光還元剤を混合して加えることから成る、特許
   請求の範囲第５項記載の方法。 ８、光還元剤を蒸気の形で導入することから成る、特許
   請求の範囲第５項記載の方法。 ９、照射に先立ちポリカーボネートの重量に対して約０
   ．０５および５重量％の間の難燃化剤をポリカーボネー
   トに加えることから成る、特許請求の範囲第１項または
   第５項記載の方法。 １０、ポリカーボネートの重量に対して約０．１および
   ２重量％の間の難燃化剤を使用することから成る、特許
   請求の範囲第９項記載の方法。 １１、紫外光による照射に先立ち難燃化剤を溶液を介し
   て加えポリカーボネートをフィルムとして単離すること
   から成る、特許請求の範囲第９項記載の方法。 １２、紫外光による照射に先立ち約２８０および３３０
   ℃の間で難燃化剤を混合することにより加えることから
   成る、特許請求の範囲第９項記載の方法。 １３、ポリカーボネートを、溶媒が該ポリカーボネート
   に対して不活性であることを特徴とする、（ａ）ポリカ
   ーボネートの重量に対して約０．０５および５重量％の
   間の光開始剤および （ｂ）場合により、ポリカーボネートの重量を基準にし
   て０．０５および５重量％の光還 元剤 を含有する溶媒混合物中に浸し、そして次に紫外光を照
   射することから成る、特許請求の範囲第１項記載の方法
   。 １４、光開始剤および場合により光還元剤を含有する溶
   媒混合物を用いてポリカーボネートに噴霧することから
   成る、特許請求の範囲第１項記載の方法。