JPS6224631A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6224631A JPS6224631A JP16295985A JP16295985A JPS6224631A JP S6224631 A JPS6224631 A JP S6224631A JP 16295985 A JP16295985 A JP 16295985A JP 16295985 A JP16295985 A JP 16295985A JP S6224631 A JPS6224631 A JP S6224631A
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- Japan
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- phosphorus
- gettering
- solution
- semiconductor
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に、欠陥のゲ
ッタリング法について新しい手段を採用した半導体の製
造方法に関する。
ッタリング法について新しい手段を採用した半導体の製
造方法に関する。
本発明は半導体装置の製造方法において、半導体基板の
半導体素子作成側と反対の面にリンを含む溶液を付着さ
せる工程と、該半導体基板を熱処理する工程とを用いる
ことにより、簡便でかつを効なゲッタリングを可能なし
めたものである。
半導体素子作成側と反対の面にリンを含む溶液を付着さ
せる工程と、該半導体基板を熱処理する工程とを用いる
ことにより、簡便でかつを効なゲッタリングを可能なし
めたものである。
半導体装置の製法において、結晶中の欠陥を電気的に不
活性にすることは、電気特性を良好に保つ上で重要であ
る。結晶欠陥は半導体素子形成プロセスや、素子特性に
種々の影響を与えるからである。これら欠陥や結晶中の
不純物を除去する手段として、従来よりゲッタリング技
術が用いられている。
活性にすることは、電気特性を良好に保つ上で重要であ
る。結晶欠陥は半導体素子形成プロセスや、素子特性に
種々の影響を与えるからである。これら欠陥や結晶中の
不純物を除去する手段として、従来よりゲッタリング技
術が用いられている。
ゲッタリング技術としては、リンゲッタ法、Ｐｏ１ｙ
３ｉ ゲッタ法、裏面サンドブラスト法、イントリ
ンシックゲッタ（１，Ｇ、 ）法等が使われている。
３ｉ ゲッタ法、裏面サンドブラスト法、イントリ
ンシックゲッタ（１，Ｇ、 ）法等が使われている。
この中で最も有効で広く使われているのが、リンゲッタ
法である。
法である。
リンゲッタ法は、シリコン半導体に用いる場合、素子作
成中に素子作成側と反対側の面をＳｉ面とし、９００〜
１２００℃の炉の中に入れてｐｏｃｚ、等の液中をバブ
リングした酸素雰囲気中に触れさせるものである。この
手法により、リンを高濃度に含む層を形成すると、結晶
中の重金属などの不純物がその店に吸収されて、欠陥が
除去される。
成中に素子作成側と反対側の面をＳｉ面とし、９００〜
１２００℃の炉の中に入れてｐｏｃｚ、等の液中をバブ
リングした酸素雰囲気中に触れさせるものである。この
手法により、リンを高濃度に含む層を形成すると、結晶
中の重金属などの不純物がその店に吸収されて、欠陥が
除去される。
しかし上記リンゲッタ法は、次のような問題点ををする
。
。
即ち、従来のリンゲッタ法にあっては、素子作成側を絶
縁物でコートしておく必要があり、また高温の炉に入れ
るため、素子部の拡散がすすんでしまう。かつＰＯＣＩ
−ｒ など危険なガスを使用するので、操作の安全面や
炉の保守等の点で問題がある。更に半導体ウェハーが大
口径になると、熱処理で逆に転位等を発生することがあ
る。
縁物でコートしておく必要があり、また高温の炉に入れ
るため、素子部の拡散がすすんでしまう。かつＰＯＣＩ
−ｒ など危険なガスを使用するので、操作の安全面や
炉の保守等の点で問題がある。更に半導体ウェハーが大
口径になると、熱処理で逆に転位等を発生することがあ
る。
本発明は上述の問題点を解決した、を効なゲッタリング
を行う新手法を提案するものである。特に、今後の半導
体製造技術、とりわけＬＳＩ製造において必要とされる
、低温プロセスを可能ならしめる技術を提供せんとする
ものである。
を行う新手法を提案するものである。特に、今後の半導
体製造技術、とりわけＬＳＩ製造において必要とされる
、低温プロセスを可能ならしめる技術を提供せんとする
ものである。
本発明においては、半導体装置の製造に際して、半導体
基板の半導体素子作成側と反対の面にリンを含む溶液を
付着させる工程（第１図の工程Ｉ）と、該半導体基板を
熱処理する工程（第１図の工程■）とを用いることによ
り、上記従来技術の問題点を解決する。
基板の半導体素子作成側と反対の面にリンを含む溶液を
付着させる工程（第１図の工程Ｉ）と、該半導体基板を
熱処理する工程（第１図の工程■）とを用いることによ
り、上記従来技術の問題点を解決する。
リンを含む溶液を付着させる工程では、例えばリン酸を
該当表面にコートするなどの手法を用いることができる
。熱処理工程は、そのような溶液中のリンが拡散し得る
程度でよいので、例えばランプ照射などの光照射等を採
用できる。
該当表面にコートするなどの手法を用いることができる
。熱処理工程は、そのような溶液中のリンが拡散し得る
程度でよいので、例えばランプ照射などの光照射等を採
用できる。
本発明によれば、半導体素子作成側と反対の面に付着さ
れた溶液より、熱処理によってリン成分が基板中に入っ
て、これにより重金属等の不純物のゲッタリングが達成
される。本発明では、リンを含む溶液を付着させ、かつ
その中のリンが基板中に入り得る程度の加熱を行えばよ
いので、表面コートをする必要がなく、工数削減が可能
であり、保守その他が面倒な拡散炉を用いる必要もなく
、工程が筒便である。また、高熱にさらす必要がないの
で、不必要な拡散を抑制できる。従来は困難であった自
動化を達成することもできる。転位などの発生も抑制さ
れ、大口径ウェハーにも好適に使用できる。
れた溶液より、熱処理によってリン成分が基板中に入っ
て、これにより重金属等の不純物のゲッタリングが達成
される。本発明では、リンを含む溶液を付着させ、かつ
その中のリンが基板中に入り得る程度の加熱を行えばよ
いので、表面コートをする必要がなく、工数削減が可能
であり、保守その他が面倒な拡散炉を用いる必要もなく
、工程が筒便である。また、高熱にさらす必要がないの
で、不必要な拡散を抑制できる。従来は困難であった自
動化を達成することもできる。転位などの発生も抑制さ
れ、大口径ウェハーにも好適に使用できる。
以下、本発明を実施例によって説明する。
以下に示す実施例は、本発明を間車なダイオード作成方
法に適用した場合である。
法に適用した場合である。
本例においては、まず第２図（ａ）に示す如くシリコン
基板１に、Ｎ１層１１ ＮＮｌ２．２１層１３を形成し
て、ブレナーＰ−Ｎ接合を形成する。本例では、素子作
成面にはＳ ｉ ＯｔＮ １４を形成した。
基板１に、Ｎ１層１１ ＮＮｌ２．２１層１３を形成し
て、ブレナーＰ−Ｎ接合を形成する。本例では、素子作
成面にはＳ ｉ ＯｔＮ １４を形成した。
次に、リン含有溶液付着工程ｌにおいて、素子作成側と
反対の面にリンを含む溶液を付着する。
反対の面にリンを含む溶液を付着する。
本例では、かかる溶液としてリン酸を用い、これを該当
面にコートすることによって付着させた。
面にコートすることによって付着させた。
これにより第２図（ｂ）の状態を得る。コートする方法
は、スピンオン法、スプレー法などを採用でき、片面デ
ィップなどの手法を用いることもできる。付着方法は適
宜選択すればよいものである。
は、スピンオン法、スプレー法などを採用でき、片面デ
ィップなどの手法を用いることもできる。付着方法は適
宜選択すればよいものである。
次に、熱処理工程■に入る。本例では、ハロゲンランプ
を用いた光照射法を採用した。この加熱処理が終った時
点で、ゲッタリング終了となる。
を用いた光照射法を採用した。この加熱処理が終った時
点で、ゲッタリング終了となる。
即ち、熱処理により、リン含有溶液２ （リン酸）中の
リンが基板１を構成するＳｔ中に入り、Ｎ ＋ ０層３
を形成する。この層３が重金属を吸収して、ゲッタリン
グが行われる。重金属の拡散係数は非常に速いので、数
秒の熱処理で充分である。
リンが基板１を構成するＳｔ中に入り、Ｎ ＋ ０層３
を形成する。この層３が重金属を吸収して、ゲッタリン
グが行われる。重金属の拡散係数は非常に速いので、数
秒の熱処理で充分である。
例えばハロゲンランプで基板１であるウェハーを１００
０℃で数秒（例えば５〜６秒）の熱処理をするのでもよ
く、あるいは、余り高温にしたくないときは更に低温に
して、照射時間を適宜設定すればよい。
０℃で数秒（例えば５〜６秒）の熱処理をするのでもよ
く、あるいは、余り高温にしたくないときは更に低温に
して、照射時間を適宜設定すればよい。
このゲッタリング方法は、特に問題がないので素子形成
プ１コセスの最後に行うことができる。ゲッタリングは
最終的に欠陥を除去するのが目的であるから、最後に行
うのが最も望ましいが、本発明の方法はこの望ましい工
程で実施できる。特に、高温処理の最後にゲッタリング
をもって来れるので、ゲッタリングの効果を充分に発揮
させることができる。
プ１コセスの最後に行うことができる。ゲッタリングは
最終的に欠陥を除去するのが目的であるから、最後に行
うのが最も望ましいが、本発明の方法はこの望ましい工
程で実施できる。特に、高温処理の最後にゲッタリング
をもって来れるので、ゲッタリングの効果を充分に発揮
させることができる。
リンを含む溶液としては、上記リン酸のほか、Ｐ Ｃｌ
ｓ 、Ｐ ＯＣ１ｌ ３ 、また各種無機リン酸系の
物質（各種リン酸、亜リン酸など）を用い得、保守や労
働衛生などの面から適宜好ましいものを選択することが
できる。従来このような溶液によるゲッタリングが行わ
れなかったのは、これを活性層に使用する場合制御が困
難と考えられていたため、採用が想致されなかったため
ではないかと思われる。
ｓ 、Ｐ ＯＣ１ｌ ３ 、また各種無機リン酸系の
物質（各種リン酸、亜リン酸など）を用い得、保守や労
働衛生などの面から適宜好ましいものを選択することが
できる。従来このような溶液によるゲッタリングが行わ
れなかったのは、これを活性層に使用する場合制御が困
難と考えられていたため、採用が想致されなかったため
ではないかと思われる。
なお、上記実施例は本発明を簡明に説明するため、簡単
な構造の半導体装置に適用した例として挙げたが、勿論
本発明はこれに限られるものではなく、更に複雑な各種
半導体装置等にも好適に用いられる。
な構造の半導体装置に適用した例として挙げたが、勿論
本発明はこれに限られるものではなく、更に複雑な各種
半導体装置等にも好適に用いられる。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、特に表面コート
をしないでもよく、従って工数削減が可能であり、保守
その他が面倒な拡散炉を用いる必要もなく、工程が簡便
である。また、高熱にさらす必要がないので、低温プロ
セスが可能であって、不必要な拡散も抑制できる。従来
は困難であった自動化を達成することもできる。転位な
どの発生も抑制され、大口径ウェハーにも好適に使用で
きる。ゲッタリングを最後の工程にもって来ることもで
き、有効なゲッタリングを達成できる。
をしないでもよく、従って工数削減が可能であり、保守
その他が面倒な拡散炉を用いる必要もなく、工程が簡便
である。また、高熱にさらす必要がないので、低温プロ
セスが可能であって、不必要な拡散も抑制できる。従来
は困難であった自動化を達成することもできる。転位な
どの発生も抑制され、大口径ウェハーにも好適に使用で
きる。ゲッタリングを最後の工程にもって来ることもで
き、有効なゲッタリングを達成できる。
第１図は本発明の工程を示す工程図である。第２図（ａ
）〜（ｃ）は各々本発明の一実施例の工程についてを工
程順にしめした工程説明図である。 ■・・・リン含有溶液付着工程、■・・・熱処理工程。 １・・・基板、２・・・リン含有溶液。
）〜（ｃ）は各々本発明の一実施例の工程についてを工
程順にしめした工程説明図である。 ■・・・リン含有溶液付着工程、■・・・熱処理工程。 １・・・基板、２・・・リン含有溶液。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板の半導体素子作成側と反対の面にリンを
含む溶液を付着させる工程と、 該半導体基板を熱処理する工程と を備える半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16295985A JPS6224631A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16295985A JPS6224631A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6224631A true JPS6224631A (ja) | 1987-02-02 |
Family
ID=15764530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16295985A Pending JPS6224631A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6224631A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5296385A (en) * | 1991-12-31 | 1994-03-22 | Texas Instruments Incorporated | Conditioning of semiconductor wafers for uniform and repeatable rapid thermal processing |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49122968A (ja) * | 1973-03-27 | 1974-11-25 | ||
| JPS5655040A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Treatment of semiconductor substrate |
-
1985
- 1985-07-25 JP JP16295985A patent/JPS6224631A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49122968A (ja) * | 1973-03-27 | 1974-11-25 | ||
| JPS5655040A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Treatment of semiconductor substrate |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5296385A (en) * | 1991-12-31 | 1994-03-22 | Texas Instruments Incorporated | Conditioning of semiconductor wafers for uniform and repeatable rapid thermal processing |
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