JPS6224454A - 光デイスク基板の製造方法 - Google Patents
光デイスク基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS6224454A JPS6224454A JP16348285A JP16348285A JPS6224454A JP S6224454 A JPS6224454 A JP S6224454A JP 16348285 A JP16348285 A JP 16348285A JP 16348285 A JP16348285 A JP 16348285A JP S6224454 A JPS6224454 A JP S6224454A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- stamper
- resin
- pregroove
- thermosetting resin
- Prior art date
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- Pending
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
熱硬化樹脂を被覆した金属基板にスタンパのプリグルー
ブパターンを転写した後にエツチングして、該金属基板
にプリグループを形成する光ディスク基板の製造方法。
ブパターンを転写した後にエツチングして、該金属基板
にプリグループを形成する光ディスク基板の製造方法。
本発明は金属基板を用いた光ディスク基板の形成方法に
関する。
関する。
光ティスフはレーザ光を用いて高密度の情報記録を行う
メモリであり、記録容量が大きく、非接触で記録と再生
を行うことができ、また塵埃の影響を受けないなど優れ
た特徴をもっている。
メモリであり、記録容量が大きく、非接触で記録と再生
を行うことができ、また塵埃の影響を受けないなど優れ
た特徴をもっている。
すなわちレーザ光はレンズによって直径が約1μmの小
さなスポットに絞り込むことが可能であり、従って1ビ
ットの情報記録に要する面積が約1μm2程度で足りる
。
さなスポットに絞り込むことが可能であり、従って1ビ
ットの情報記録に要する面積が約1μm2程度で足りる
。
そのため磁気ディスク或いは磁気テープがlビットの情
報記録に数10〜数100μm2の面積が必要なと較べ
て海かに少なくて済み、従って大容量記録が可能である
。
報記録に数10〜数100μm2の面積が必要なと較べ
て海かに少なくて済み、従って大容量記録が可能である
。
またレンズで絞り込まれたレーザ光の焦点面までの距離
は1〜2璽■とれるため、磁気ディスクで問題となるヘ
ッドクラッシュを避けることができ、また光ディスク基
板の上面で光ビームは約111径となるので基板の上面
に大きさが数10はμmのの塵埃が存在していても記録
と再生に殆ど影響を与えずに済ませることができる。
は1〜2璽■とれるため、磁気ディスクで問題となるヘ
ッドクラッシュを避けることができ、また光ディスク基
板の上面で光ビームは約111径となるので基板の上面
に大きさが数10はμmのの塵埃が存在していても記録
と再生に殆ど影響を与えずに済ませることができる。
本発明は光ディスク基板の新しい製造方法に関するもの
である。
である。
第3図は従来の光ディスク基板の構成を示す断面図であ
る。
る。
すなわちポリメチルメタクリエイト(略称PMMA)や
ポリカーボネート(略称PC)などのプラスチックやガ
ラスからなる透明基板1の上に情報の記録位置を示すプ
リグループが鋳型された樹脂層3があり、その上に記録
層4が形成されているまた記録層4の上には酸化防止或
いは耐湿性の向上のための保護膜5が設けられている。
ポリカーボネート(略称PC)などのプラスチックやガ
ラスからなる透明基板1の上に情報の記録位置を示すプ
リグループが鋳型された樹脂層3があり、その上に記録
層4が形成されているまた記録層4の上には酸化防止或
いは耐湿性の向上のための保護膜5が設けられている。
そして情報の記録と再生を行うレーザ光6は透明基板1
の側から投射し、反射光により検出が行われている。
の側から投射し、反射光により検出が行われている。
然しながらプラスチック基板は基板回転時にうねりが大
きいとか、光学サーボ系の追随性が良くないとか、吸湿
性があるとか、70℃程度の加熱でも変形するなどの問
題がある。
きいとか、光学サーボ系の追随性が良くないとか、吸湿
性があるとか、70℃程度の加熱でも変形するなどの問
題がある。
またガラス基板は高価であり、基板回転時に割れ易いな
どの問題があり、改良が必要とされている。
どの問題があり、改良が必要とされている。
以上記したように従来の光ディスク基板はプラスチック
或いはガラス製の透明基板がらなり、プラスチック製の
ものについては光学サーボ系の追随性が良くない以外に
熱的に不安定であり、またガラス製の場合は高速回転に
際して壊れ易いのが問題である。
或いはガラス製の透明基板がらなり、プラスチック製の
ものについては光学サーボ系の追随性が良くない以外に
熱的に不安定であり、またガラス製の場合は高速回転に
際して壊れ易いのが問題である。
上記の問題はガラス基板上のホトレジスト膜にプリグル
ーブパターンを選択露光した後に現像してレジスト11
4盤を作り、次に該レジスト原盤に金属の蒸着と電鋳と
を行ってスタンパを形成しておき、熱硬化樹脂を被覆し
た金属基板に前記スタンパを圧着させて前記プリグルー
ブパターンを転写し、加熱硬化させた後、該パターンが
金属基板上に現れるまで酸素プラズマエツチングを行い
、更にエツチングを施して、該金属基板に溝状のプリグ
ルーブパターンを形成し、次に熱硬化樹脂を酸素プラズ
マ処理により除去することを特徴とする光ディスクの製
造方法により解決することができる。
ーブパターンを選択露光した後に現像してレジスト11
4盤を作り、次に該レジスト原盤に金属の蒸着と電鋳と
を行ってスタンパを形成しておき、熱硬化樹脂を被覆し
た金属基板に前記スタンパを圧着させて前記プリグルー
ブパターンを転写し、加熱硬化させた後、該パターンが
金属基板上に現れるまで酸素プラズマエツチングを行い
、更にエツチングを施して、該金属基板に溝状のプリグ
ルーブパターンを形成し、次に熱硬化樹脂を酸素プラズ
マ処理により除去することを特徴とする光ディスクの製
造方法により解決することができる。
本発明は光ディスク基板として機械的強度と面積度に優
れた金属基板を用いることにより、高速回転が可能でう
ねりが少なく、また光学サーボ系の追随性のよい光ディ
スク基板を実現するものであり、その方法は従来の光デ
ィスク基板の製造に使用されているニッケル(Ni)ス
タンパを金属基板上に被覆した熱硬化樹脂に転写し、以
後ドライエツチング法或いはウェットエツチング法を用
いて、金属基板上にプリグループを形成するものである
。
れた金属基板を用いることにより、高速回転が可能でう
ねりが少なく、また光学サーボ系の追随性のよい光ディ
スク基板を実現するものであり、その方法は従来の光デ
ィスク基板の製造に使用されているニッケル(Ni)ス
タンパを金属基板上に被覆した熱硬化樹脂に転写し、以
後ドライエツチング法或いはウェットエツチング法を用
いて、金属基板上にプリグループを形成するものである
。
第2図は、本発明を実施した光ディスクの構成を示すも
ので、金属基板6の表面にエツチングによって直接にプ
リグループ7が設けてあり、この上に記録層8があり、
更にこの上にスピンコード法などにより保護層10が設
けられている。
ので、金属基板6の表面にエツチングによって直接にプ
リグループ7が設けてあり、この上に記録層8があり、
更にこの上にスピンコード法などにより保護層10が設
けられている。
なお、このような構成をとる場合はレーザ光6による記
録N8への情報の記録と再生は従来と異り保護層10の
側から行われることになる。
録N8への情報の記録と再生は従来と異り保護層10の
側から行われることになる。
第1図(A)〜(F)は本発明に係る金属基板へのプリ
グループ形成を示す断面図である。
グループ形成を示す断面図である。
以下金属としてΔlを用いる場合について説明する。
光ディスク基板は記録容量により8〜14インチ−と各
種のものがあり、その大きさによりAI基板の厚さは2
.5〜5龍のものが使用されている。
種のものがあり、その大きさによりAI基板の厚さは2
.5〜5龍のものが使用されている。
まず従来と同様にガラス基板を出発点としてスタンパを
形成しておく。
形成しておく。
この作り方はガラス基板上にホトレジスト(例えばポジ
クイプ)をスピンコード法により0.1 μm程度の厚
さに塗布し、これにアルゴン(Ar)レーザを走査して
プリグルーブパターンを選択露光する。
クイプ)をスピンコード法により0.1 μm程度の厚
さに塗布し、これにアルゴン(Ar)レーザを走査して
プリグルーブパターンを選択露光する。
これを現像してプリグルーブパターンが凹んだガラス原
盤を作り、次にこのガラス原盤にニッケル(Ni)蒸着
を行った後、Ni電鋳を施し、これをガラス原盤から剥
離してスタンパが形成される。
盤を作り、次にこのガラス原盤にニッケル(Ni)蒸着
を行った後、Ni電鋳を施し、これをガラス原盤から剥
離してスタンパが形成される。
本発明の方法は第1図(A)に示すようにA1基板11
の上に熱硬化樹脂(例えばフェノール樹脂。
の上に熱硬化樹脂(例えばフェノール樹脂。
商品名 昭和ユニオン合成りKR2620) 12を約
10μmの厚さにスピンコード法る。
10μmの厚さにスピンコード法る。
このなま乾き状態の熱硬化樹脂12の上に同図(B)に
示すように先に準備しであるスタンパ13を圧着し、プ
リグルーブパターン14を熱硬化樹脂12に転写する。
示すように先に準備しであるスタンパ13を圧着し、プ
リグルーブパターン14を熱硬化樹脂12に転写する。
次にこの状態で大気中で120℃、4時間の熱処理を行
い、樹脂を硬化させてスタンパから剥離すると同図(C
)に示す樹脂層15が得られる。
い、樹脂を硬化させてスタンパから剥離すると同図(C
)に示す樹脂層15が得られる。
この状態ではプリグルーブパターンの転写位置には薄く
樹脂層が存在している。
樹脂層が存在している。
そこで酸素(02)プラズマでドライエツチングし、こ
の部分の樹脂層を除くと同図(D)に示すようにプリグ
ループ位置にはAI基板が露出するようになる。
の部分の樹脂層を除くと同図(D)に示すようにプリグ
ループ位置にはAI基板が露出するようになる。
次に塩酸と硫酸の1:1の希薄溶液を用いるウェットエ
ツチング或いは四塩化炭素(CCI4 )を用いるリア
クティブイオンエツチング(略称RIE)などにより樹
脂層15をマスクとしてAI基板11のエツチングを行
い、同図(E)に示すようにへ1基板11にプリグルー
プ16を形成する。
ツチング或いは四塩化炭素(CCI4 )を用いるリア
クティブイオンエツチング(略称RIE)などにより樹
脂層15をマスクとしてAI基板11のエツチングを行
い、同図(E)に示すようにへ1基板11にプリグルー
プ16を形成する。
次に樹脂層15を02プラズマで除去することにより同
図(F)に示すようにプリグループ16を備えたAI基
板11を得ることができる。
図(F)に示すようにプリグループ16を備えたAI基
板11を得ることができる。
以後は先に第2図で説明したようにかかるAI基板11
の上に記録層8と保護層10を形成することにより光デ
ィスク基板ができあがる。
の上に記録層8と保護層10を形成することにより光デ
ィスク基板ができあがる。
以上記したように本発明は従来の透明基板の代りに機械
的強度と面精度に°優れた金属基板を用いるもので、こ
れにより従来の欠点が除去され、高速回転が可能になる
。
的強度と面精度に°優れた金属基板を用いるもので、こ
れにより従来の欠点が除去され、高速回転が可能になる
。
第1図(A)〜(F)は本発明の詳細な説明する断面図
、 第2図は本発明に係る光ディスクの構成断面図、第3図
は従来の光ディスクの構成断面図、である。 図において、 1は透明基板、 3,15は樹脂層、2.7
.16はプリグループ、 4.8は記録層、 6は金属基板、10は保護
層、 11はへl基板、12は熱硬化樹脂
、 13はスタンパ、14はプリグルーブパター
ン、 である。 (E) l乙 CF) 屈°°−吐 察3 図
、 第2図は本発明に係る光ディスクの構成断面図、第3図
は従来の光ディスクの構成断面図、である。 図において、 1は透明基板、 3,15は樹脂層、2.7
.16はプリグループ、 4.8は記録層、 6は金属基板、10は保護
層、 11はへl基板、12は熱硬化樹脂
、 13はスタンパ、14はプリグルーブパター
ン、 である。 (E) l乙 CF) 屈°°−吐 察3 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ガラス基板上のホトレジスト膜にプリグルーブパターン
を選択露光した後に現像してレジスト原盤を作る工程と
、 該レジスト原盤に金属の蒸着と電鋳とを行ってスタンパ
を形成する工程と、 熱硬化樹脂を被覆した金属基板に前記スタンパを圧着さ
せて前記プリグルーブパターンを転写する工程と、 加熱硬化させた後、該パターンが金属基板上に現れるま
で酸素プラズマエッチングを行い、更にエッチングを施
して、該金属基板に溝状のプリグルーブパターンを形成
する工程と、 熱硬化樹脂を酸素プラズマ処理により除去する工程を含
むことを特徴とする光ディスク基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16348285A JPS6224454A (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | 光デイスク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16348285A JPS6224454A (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | 光デイスク基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6224454A true JPS6224454A (ja) | 1987-02-02 |
Family
ID=15774709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16348285A Pending JPS6224454A (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | 光デイスク基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6224454A (ja) |
-
1985
- 1985-07-24 JP JP16348285A patent/JPS6224454A/ja active Pending
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