JPS6224420B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6224420B2 JPS6224420B2 JP26105985A JP26105985A JPS6224420B2 JP S6224420 B2 JPS6224420 B2 JP S6224420B2 JP 26105985 A JP26105985 A JP 26105985A JP 26105985 A JP26105985 A JP 26105985A JP S6224420 B2 JPS6224420 B2 JP S6224420B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bisazide
- compound
- photosensitive
- photosensitive composition
- bisazide compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfone Chemical compound C=1C=CC=CC=1S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXIPVTKHYLBLMZ-UHFFFAOYSA-N Sodium azide Chemical compound [Na+].[N-]=[N+]=[N-] PXIPVTKHYLBLMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M sodium nitrite Chemical compound [Na+].[O-]N=O LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MLIWQXBKMZNZNF-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis[(4-azidophenyl)methylidene]-4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound O=C1C(=CC=2C=CC(=CC=2)N=[N+]=[N-])CC(C)CC1=CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 MLIWQXBKMZNZNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- -1 diamine compound Chemical class 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 235000010288 sodium nitrite Nutrition 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- KRPUDHQXDFRBGF-UHFFFAOYSA-N 1-azido-4-(4-azidophenyl)sulfonylbenzene Chemical compound C1=CC(N=[N+]=[N-])=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 KRPUDHQXDFRBGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZNOMHUYXSAUPB-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis[(4-azidophenyl)methylidene]cyclohexan-1-one Chemical compound C1=CC(N=[N+]=[N-])=CC=C1C=C(CCC1)C(=O)C1=CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 UZNOMHUYXSAUPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenyl)sulfonylaniline Chemical compound NC1=CC=CC(S(=O)(=O)C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004604 Blowing Agent Substances 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 1
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ビスアジド化合物に関する。
半導体や集積回路の製造に用いられる感光性組
成物としてビスアジド化合物と高分子化合物とを
組み合わせた感光性組成物が用いられていること
は広く知られている。ビスアジド化合物として
は、２，６―ジ（4′―アジドベンザル）―シクロ
ヘキサノンもしくは２，６―ジ（4′―アジドベン
ザル）―４―メチルシクロヘキサノンがある
（U.S.P.2940853）。
成物としてビスアジド化合物と高分子化合物とを
組み合わせた感光性組成物が用いられていること
は広く知られている。ビスアジド化合物として
は、２，６―ジ（4′―アジドベンザル）―シクロ
ヘキサノンもしくは２，６―ジ（4′―アジドベン
ザル）―４―メチルシクロヘキサノンがある
（U.S.P.2940853）。
これらのビスアジド系感光性組成物は、いずれ
も波長300〜500nmに感光波長域を有し、白色光
照明下では、カブリもしくは光分解を生ずる。こ
れを防ぐために黄色光を安全光とした黄暗室を必
要としている。しかしながら、この黄暗室は一般
的な作業条件と全く異なる照明下の作業を余儀な
くさせるため、黄暗室で作業する人間が生理的体
適不順をきたすことが知られている。
も波長300〜500nmに感光波長域を有し、白色光
照明下では、カブリもしくは光分解を生ずる。こ
れを防ぐために黄色光を安全光とした黄暗室を必
要としている。しかしながら、この黄暗室は一般
的な作業条件と全く異なる照明下の作業を余儀な
くさせるため、黄暗室で作業する人間が生理的体
適不順をきたすことが知られている。
本発明は、作業環境改善のため、黄暗室を必要
とせず、白色光照明下で使用可能な感光性組成物
に用いるビスアジド化合物を提供することを目的
とする。
とせず、白色光照明下で使用可能な感光性組成物
に用いるビスアジド化合物を提供することを目的
とする。
本発明のビスアジド化合物は、一般式
（ただし、Ｘは、Ｈ又はN3なる元素又は置換
基を表わし、Ｚは、ＸがＨであるときはN3なる
置換基を、またＸがN3であるときはＨなる元素
を表わす）で表わされるビスアジド化合物である
ことを特徴とする。
基を表わし、Ｚは、ＸがＨであるときはN3なる
置換基を、またＸがN3であるときはＨなる元素
を表わす）で表わされるビスアジド化合物である
ことを特徴とする。
これらのビスアジド化合物の合成は、対応する
ジアミン化合物を水容液中で、塩酸と亜硝酸ナト
リウムと反応させ、ジアゾ化する。生成したジア
ゾニウ塩容液にアジ化ナトリウムを加えて、アジ
ド化合物を得る。
ジアミン化合物を水容液中で、塩酸と亜硝酸ナト
リウムと反応させ、ジアゾ化する。生成したジア
ゾニウ塩容液にアジ化ナトリウムを加えて、アジ
ド化合物を得る。
たとえば４，4′―ジアミノジフエニルスルホン
を、上記のように反応させて４，4′―ジアジドジ
フエニルスルホンとする。
を、上記のように反応させて４，4′―ジアジドジ
フエニルスルホンとする。
この方法で対応するジアミンより合成される化
合物は、４，4′―ジアジドジフエニルスルホン
（融点；163℃）、３，3′―ジアジドジフエニルス
ルホン（融点；116℃）である。
合物は、４，4′―ジアジドジフエニルスルホン
（融点；163℃）、３，3′―ジアジドジフエニルス
ルホン（融点；116℃）である。
本発明のビスアジド化合物は高分子化合物（例
えば環化ゴム）と混合して感光性組成物とするこ
とができる。または公知の手法によつて発泡剤と
して用いることができる。
えば環化ゴム）と混合して感光性組成物とするこ
とができる。または公知の手法によつて発泡剤と
して用いることができる。
上記のように感光性組成物としたとき、この組
成物の溶液を必要ならば白色照明下において基板
上に塗布乾燥し、膜とし、所定のパターンを有す
る紫外線を照射し、露光された膜を現像してネガ
型の像を得る。
成物の溶液を必要ならば白色照明下において基板
上に塗布乾燥し、膜とし、所定のパターンを有す
る紫外線を照射し、露光された膜を現像してネガ
型の像を得る。
以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明す
る。
る。
実施例 １
３，3′―ジアジドジフエニルスルホンに合成例
につき記載する。2lビーカーに、 ３，3′―ジアジドジフエニルスルホンの合成例
につき記載する。２ビーカーに、 ３，3′−ジアジドジフエニルスルホン50g
（0.2mole）をとり、600mlの水と200mlの35％塩酸
に溶解する。氷浴を用いて冷却すると溶液は懸濁
する。つぎに、15℃以下に保ちつつ、100mlの水
に溶かした亜硝酸ナトリウム35g（0.5mole，1.25
当量）を、約１時間かけて徐々に適下し、撹拌す
る。適下と、撹拌を続けると懸濁は消え、溶液は
オレンジ色を呈する。溶液を少量とり、ヨウ化カ
リウムデンプン紙を茶色に変色することをもつ
て、反応の終点とする。引き続き、150mlの水に
溶かしたアジ化ナトリウム40g（0.6mole，1.5当
量）を徐々に適下すると、窒素を発生しつつ、ク
リーム状の黄色沈澱が生成する。沈澱をロ別し、
冷エタノールで洗浄し、乾燥して粗生成物を得
る。これを700mlのアセトンに溶かし、不溶物が
あればロ過して除去する。ロ液を約400mlに濃縮
すると、沈澱が生成しはじめる。湯浴により沈澱
をとかし、冷蔵庫にて１晩放置すると、３，3′―
ジアジドジフエニルスルホン（3S）の結晶51gが
得られる（収率84％）。融点は116℃であつた。
につき記載する。2lビーカーに、 ３，3′―ジアジドジフエニルスルホンの合成例
につき記載する。２ビーカーに、 ３，3′−ジアジドジフエニルスルホン50g
（0.2mole）をとり、600mlの水と200mlの35％塩酸
に溶解する。氷浴を用いて冷却すると溶液は懸濁
する。つぎに、15℃以下に保ちつつ、100mlの水
に溶かした亜硝酸ナトリウム35g（0.5mole，1.25
当量）を、約１時間かけて徐々に適下し、撹拌す
る。適下と、撹拌を続けると懸濁は消え、溶液は
オレンジ色を呈する。溶液を少量とり、ヨウ化カ
リウムデンプン紙を茶色に変色することをもつ
て、反応の終点とする。引き続き、150mlの水に
溶かしたアジ化ナトリウム40g（0.6mole，1.5当
量）を徐々に適下すると、窒素を発生しつつ、ク
リーム状の黄色沈澱が生成する。沈澱をロ別し、
冷エタノールで洗浄し、乾燥して粗生成物を得
る。これを700mlのアセトンに溶かし、不溶物が
あればロ過して除去する。ロ液を約400mlに濃縮
すると、沈澱が生成しはじめる。湯浴により沈澱
をとかし、冷蔵庫にて１晩放置すると、３，3′―
ジアジドジフエニルスルホン（3S）の結晶51gが
得られる（収率84％）。融点は116℃であつた。
このビスアジド化合物0.3gと環化イソプレンゴ
ム10gを90gのキシレンに溶解し、感光液を作製
した。この感光液を、上部に酸化膜が形成された
シリコンウエーハ２枚の上に塗布乾燥し、うち１
枚は、すぐに超高圧水銀灯を用い、通常の半導体
製造プロセスに従い、マスクを介し露光し、キシ
レンで現像後、残膜率を求めた。他１枚の塗布膜
は、波長400nmより短波長の光を遮蔽した白色照
明下で暴露した。６時間放置後、暴露をしない場
合と全く同一の条件で、露光，現像し、酸膜率を
求めたところ暴露の有無による残膜率の変化は認
められず、かつ形成されたネガ型のパターンも暴
露に有無に拘らず良好であつた。
ム10gを90gのキシレンに溶解し、感光液を作製
した。この感光液を、上部に酸化膜が形成された
シリコンウエーハ２枚の上に塗布乾燥し、うち１
枚は、すぐに超高圧水銀灯を用い、通常の半導体
製造プロセスに従い、マスクを介し露光し、キシ
レンで現像後、残膜率を求めた。他１枚の塗布膜
は、波長400nmより短波長の光を遮蔽した白色照
明下で暴露した。６時間放置後、暴露をしない場
合と全く同一の条件で、露光，現像し、酸膜率を
求めたところ暴露の有無による残膜率の変化は認
められず、かつ形成されたネガ型のパターンも暴
露に有無に拘らず良好であつた。
一方、３，3′―ジアジドジフエニルスルホンの
代わりに、従来の２，６―ジ（4′―アジドベンザ
ル）―４―メチルシクロヘキサノンを用い、同じ
実験を燥り返したところ、６時間暴露をした場合
ビスアジド化合物が除々に分解したため残膜率は
ゼロで、後工程に耐える膜を形成することができ
なかつた。
代わりに、従来の２，６―ジ（4′―アジドベンザ
ル）―４―メチルシクロヘキサノンを用い、同じ
実験を燥り返したところ、６時間暴露をした場合
ビスアジド化合物が除々に分解したため残膜率は
ゼロで、後工程に耐える膜を形成することができ
なかつた。
以上から、ビスアジド化合物として、従来の
２，６―ジ（4′―アジドベンザル）―４―メチル
シクロヘキサノンを用いた感光性組成物は黄暗室
を必要とするが、本発明のビスアジド化合物を用
いた感光性組成物は、黄暗室を必要とせず、上記
白色照明下で何ら支障なく使用できることがわか
つた。
２，６―ジ（4′―アジドベンザル）―４―メチル
シクロヘキサノンを用いた感光性組成物は黄暗室
を必要とするが、本発明のビスアジド化合物を用
いた感光性組成物は、黄暗室を必要とせず、上記
白色照明下で何ら支障なく使用できることがわか
つた。
実施例 ２
実施例１の３，3′―ジアミノジフエニルスルホ
ンの代りに、４，4′―ジアミノジフエニルスルホ
ンを用いて下記以外は同様の処理を行ない、４，
4′―ジアジドジフエニルスルホンを得た。酢酸エ
チルを用いて再結晶した（収率43％）。融点は163
℃であつた。
ンの代りに、４，4′―ジアミノジフエニルスルホ
ンを用いて下記以外は同様の処理を行ない、４，
4′―ジアジドジフエニルスルホンを得た。酢酸エ
チルを用いて再結晶した（収率43％）。融点は163
℃であつた。
このビスアジド化合物を用いた感光性組成物の
塗膜も白色照明下でも支障なく実施例１と同様に
パターンを形成することができた。
塗膜も白色照明下でも支障なく実施例１と同様に
パターンを形成することができた。
本発明のビスアジド化合物は環化ゴムの他、従
来のビスアジド化合物と組合せられて感光性組成
物となる公知の高分子化合物、例えばノボラツク
樹脂、ポリビニルフエノールなどと組合せて感光
性組合物となる。またこのような組成物の塗膜を
空気中で露光しても窒素ガス中の場合と同様の結
果が得られる。
来のビスアジド化合物と組合せられて感光性組成
物となる公知の高分子化合物、例えばノボラツク
樹脂、ポリビニルフエノールなどと組合せて感光
性組合物となる。またこのような組成物の塗膜を
空気中で露光しても窒素ガス中の場合と同様の結
果が得られる。
本発明のビスアジド化合物は、高分子化合物と
組合せて感光性組成物とすることができ、白色照
明下でも感光しないという利点を有する。
組合せて感光性組成物とすることができ、白色照
明下でも感光しないという利点を有する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 （ただし、Ｘは、Ｈ又はN3なる元素又は置換
基を表わし、Ｚは、ＸがＨであるときはN3なる
置換基を、またＸがN3であるときはＨなる元素
を表わす）で表わされるビスアジド化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26105985A JPS61210064A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | ビスアジド化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26105985A JPS61210064A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | ビスアジド化合物 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14787278A Division JPS5574538A (en) | 1978-12-01 | 1978-12-01 | Photosensitive composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61210064A JPS61210064A (ja) | 1986-09-18 |
| JPS6224420B2 true JPS6224420B2 (ja) | 1987-05-28 |
Family
ID=17356500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26105985A Granted JPS61210064A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | ビスアジド化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61210064A (ja) |
-
1985
- 1985-11-22 JP JP26105985A patent/JPS61210064A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61210064A (ja) | 1986-09-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4339522A (en) | Ultra-violet lithographic resist composition and process | |
| JPH052226B2 (ja) | ||
| JPH0326821B2 (ja) | ||
| US3984250A (en) | Light-sensitive diazoketone and azide compositions and photographic elements | |
| EP0129694B1 (en) | Deep ultra-violet lithographic resist composition | |
| US2766118A (en) | Light-sensitive material for the photomechanical reproduction and process for the production of images | |
| JPH07119192B2 (ja) | 新規の感放射線化合物、それで調製された感放射線混合物および複写材料 | |
| JPS59180549A (ja) | 熱現像カラ−感光材料 | |
| JPS59111636A (ja) | 熱現像カラー感光材料およびそれを用いたカラー画像形成方法 | |
| US5380618A (en) | Micropattern-forming material having a low molecular weight novolak resin, a quinone diazide sulfonyl ester and a solvent | |
| JPH0723960B2 (ja) | アゾベンゼン化合物を含有するネガ作用性ホトレジスト組成物 | |
| JPS6224420B2 (ja) | ||
| US3592646A (en) | Diazo compounds and photographic elements | |
| JPS6214821B2 (ja) | ||
| US5851728A (en) | Three-component chemical amplified photoresist composition | |
| JP2577980B2 (ja) | 感光材料およびそれを用いたパターン形成方法 | |
| DK159271B (da) | Analogifremgangsmaade til fremstilling af 3-(1h-tetrazol-5-yl)-4(3h)-quinazolinoner samt 2-aminobenzamider til brug som udgangsmaterialer ved fremgangsmaaden | |
| JPS5922048A (ja) | 還元剤先駆物質を含む画像形成組成物および方法 | |
| JP3199077B2 (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
| JPS5917139B2 (ja) | 感光性化合物 | |
| JPH0151171B2 (ja) | ||
| CN1249825A (zh) | 光敏喹诺酮化合物及其制备方法 | |
| JPH01279240A (ja) | ホトレジスト用感光剤 | |
| JPH0543641A (ja) | 縮合樹脂及びこれを含有する感放射線性樹脂組成物 | |
| JP2935380B2 (ja) | 平版印刷版の処理方法 |