JPH0151171B2 - - Google Patents

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JPH0151171B2
JPH0151171B2 JP16580881A JP16580881A JPH0151171B2 JP H0151171 B2 JPH0151171 B2 JP H0151171B2 JP 16580881 A JP16580881 A JP 16580881A JP 16580881 A JP16580881 A JP 16580881A JP H0151171 B2 JPH0151171 B2 JP H0151171B2
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ethanol
crystals
analysis
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hydrogen
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Fumio Kataoka
Fusaji Shoji
Isao Obara
Kazunari Takemoto
Ataru Yokono
Tokio Isogai
Mitsumasa Kojima
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Hitachi Ltd
Resonac Corp
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Hitachi Chemical Co Ltd
Hitachi Ltd
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/008Azides

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はネガ型のフオト又は放射線レジストに
用いる新規なビスアジド系感光剤に関する。
本発明による感光剤と構造的に関連している化
合物としては米国特許第2940853号に記載されて
いる2,6−ビス(P−アジドベンジリデン)シ
クロヘキサノン、2,6−ビス(P−アジドベン
ジリデン)−4−メチルシクロヘキサノンあるい
は米国特許第3749713号に記載されている2,6
−ビス(P−アジドベンジリデン)−4−ヒドロ
キシシクロヘキサノン、2,6−ビス(P−アジ
ドシンナミリデン)−4−ヒドロキシシクロヘキ
サノンなどが挙げられるが、シクロヘキサノン環
の4位(一般式〔I〕で表わされる化合物のX)
の置換基の違いに於いて本発明と異なつている。
半導体工業における素子微細加工技術の分野な
どにおいて、ビスアジド化合物は微細パターンの
形成に際して使用されるフオト又は放射線レジス
トの感光剤として有用に用いられている。近年の
半導体工業の急速な進歩に伴ない、フオトレジス
トの製造に於いても広範な機能、特性向上が求め
られているが初め引用したビスアジド化合物群は
有機溶剤に対する溶解性およびベース樹脂との相
溶性の制約からポリイソプレン、ポリブタジン等
のゴム系フオトレジストに使用が限られていた。
第2に引用した化合物群は溶解性の観点から前記
ビスアジドに改良を加えたものであるが、前駆体
たる4−ヒドロキシシクロヘキサノンの市販原料
からの収率が著しく低い(16.5%、D.E Emmert
and D.Lednicer、Org.Prep.Proced.、1(2)、127
−129(1969)ことなどから実用性に問題があつ
た。
この他にも現用のビスアジド化合物には以下の
点に改善又は特性向上が望まれている。
アルカリ水溶液による現像はレジスト膨潤が少
ないため微細パターン形成に有効な方法として知
られているが、上記ビスアジド化合物はアルカリ
水溶液に対する溶解性が乏しいためこの現像法を
用いることができない。
又、半導体基板とレジストとの接着性は素子微
細加工の精度、歩止りに重要な役割を果すので向
上の望まれている特性であるが、現用ビスアジド
化合物は基板表面(無機質)との相互作用に乏し
いため接着性の面では寄与が少ない。
又、ビスアジド化合物は光のみならず放射線に
対しても感応するが、エネルギーの吸収効率が低
いためこれを用いたレジストは感度が低い。
本発明の目的は、上記した現用ビスアジド化合
物の欠点をなくしたフオト又は放射線レジスト用
感光剤を提供するにある。
上記目的を達成するために鋭意検討した結果、 一般式 〔但し、nは0又は1、Xは−R1−OH、−
COOR2、−SiR3 3、−OR4、ハロゲン(R1は低級ア
ルキレン基、R2は水素又は低級アルキル基、R3
R4は低級アルキル基を表わす。)から選択された
基、Y、Zは水素又は−N3又は−SO2N3を表わ
し、Yが水素の時Zは−N3又は−SO2N3、Zが
水素の時Yは−N3又は−SO2N3である。〕で表わ
されるビスアジド化合物が置換基Xの違いによつ
て前述した個々の目的に合致したフオト又は放射
線レジスト用感光剤となることを見い出し、これ
らを合成した。
以下、本発明について詳細に説明する。
置換基Xを−R4−OH(但し、R1は低級アルキ
レン基を表わす。)とした場合、分子内に極性な
水酸基が導入されるため、Xがアルキルの場合に
比べて化合物〔I〕の極性溶剤に対する溶解性は
大幅に向上する。この場合〔I〕は1級アルコー
ルであるので、2級アルコールであるX=−OH
の場合に比べてもより極性が高まり、極性溶剤に
対する溶解性が大幅に向上すると共に極性ポリマ
との相溶性も良くなつた。この結果、フオト又は
放射線レジスト用ベースポリマも極性ポリマを含
んだ広い範囲から選択できるようになつた。
置換基Xを−COOHとした場合、ビスアジド
化合物の分子内に酸性基が導入されるためアルカ
リ水溶性に対する溶解性が大きくなる。このた
め、従来のビスアジド化合物を用いたフオトレジ
ストでは問題点のあつたアルカリ現像が本化合物
を用いることにより極めて容易となつた。
置換基Xを−SiR3 3(但し、R3は低級アルキル基
を表わす。)とした場合、基板下地の無機質との
相互作用が有機成分のみからなるビスアジド化合
物に比べて増大するためこれを感光剤とするレジ
ストは半導体基板との接着性が大幅に向上する。
置換基Xを−OR4(但し、R4は低級アルキル基
を表わす。)とした場合、分子内に極性なメトキ
シ基が導入されるためXがアルキル基に比べて化
合物〔I〕の極性溶剤に対する溶解性、極性ポリ
マに対する相溶性が向上する。但し、Xが水酸基
の場合に比べると上記のいずれの特徴においても
その効果は若干低い傾向にある。しかしながら本
化合物が大きな特徴とするところは前駆体の収率
が極めて高い点にあり工業的観点からの効果は極
めて大きい。即ち、前駆体である4−メトキシシ
クロヘキサノンはP−メトキシフエノールから水
素添加とそれに続くクロム酸酸化によつて70%以
上の高収率で得ることができる。
置換基Xをハロゲンとした場合、従来のビスア
ジド化合物とは異なつて分子を構成する原子群の
中に密度の高い重原子ハロゲンを含むため、電子
線、X線などの放射線エネルギー吸収効率が増大
する。このため放射線レジスト用感光剤として用
いた場合には放射線感応性が大きくなりハロゲン
を含まないものに比べレジスト感度が向上する。
以下、本発明によつて提供されるビスアジド化
合物とその合成法を実施例によつて説明する。
実施例 1 2,6−ジ(4′−アジドベンザル)−4−ヒド
ロキシメチルシクロヘキサノン M.E.Jung、R.W.Brownらの方法
(Tetrahadron Lett.、2771〜2774(1978))に従
つて合成した4−ヒドロキシメチルシクロヘキサ
ノン1g、パラアジドベンズアルデヒド3gをエタ
ノール10mlに溶解し、0.4gの水酸化ナトリウムを
0.4mlの水に溶解した溶液を1/5量加え、かつ色フ
ラスコ中室温で2日間反応させた。吸引口過によ
つて生成した結晶を分け取り、エタノール洗浄後
エチルセロソルブから再結晶して分解点145−155
℃(示差熱分析法、昇温速度5℃/min)の黄色
結晶0.5gを得た。この生成物はスペクトル分析に
より題記の化合物であることを確認した。以下に
生成物の構造に特徴的な赤外吸収スペクトルのデ
ータ及び元素分析値を示す。赤外吸収:1600cm-1
(C=0)、2130cm-1(−N3)。元素分析:
C21H18O2N6としての計算値:C、65.3;H、
4.7;N、21.8実験値:C、65.5;H、4.7;N;
22.0。
2,6−ジ(4′−アジドベンザル)−4−ヒド
ロキシシクロヘキサノンに比べ、本生成物は3倍
以上のメチルセロソルブに対する溶解性を示し
た。
実施例 2 2,6−ジ(4′−アジドシンナミリデン)−4
−ヒドロキシメチルシクロヘキサノン 4−ヒドロキシメチルシクロヘキサノン1g、
パラアジドケイ皮アルデヒド3.5g、エタノール15
mlから成るけん濁液に水酸化ナトリウム0.5g、水
0.8gから成る溶液を加えかつ色フラスコ中室温2
日間撹拌した。生成した結晶を吸引ロ過によつて
分け取りエタノールで洗浄した後、エチルセロソ
ルブから再結晶して分解点160−165℃(示差熱分
析法、昇温速度5℃/min)の橙色結晶0.6gを得
た。この生成物はスペクトル分析により題記の化
合物であることを確認した。赤外吸収:1600cm-1
(C=0)、2150cm-1(−N3)。元素分析:
C25H22O2N6としての計算値:C、68.5;H、
5.0;N、19.2実験値:C、68.7;H、4.7;H;
18.9。
2,6−ジ(4′−アジドシンナミリデン)−4
−ヒドロキシシクロヘキサノンに比べ、本生成物
は2倍以上のメチルセロソルブに対する溶解性を
示した。
実施例 3 2,6−ジ(4′−アジドベンザル)−4−カル
ボキシルシクロヘキサノン 4−メトキシカルボニルシクロヘキサノン5g、
パラアジドベンズテルデヒド10gを50mlのエタノ
ールに溶解し、2gの水酸化ナトリウムを4mlの
水に溶解した溶液を加え、かつ色フラスコ中で6
時間還流した。吸引ロ過によつて生成した結晶を
分け取り、次いでこれを希塩酸で数回処理した。
水による洗浄の後、メタノールから再結晶して分
解点150−155℃(示差熱分析法、昇温速度5℃/
min)の黄橙色結晶1.8gを得た。この生成物はス
ペクトル分析、元素分析、ブロモチモールブルー
によるカルボキシル基の比色試験により題記の化
合物であることを確認した。赤外吸収:1600cm-1
(C=0)、2130cm-1(−N3)。元素分析:
C21H16O3N6としての計算値:C、63.0;H、
4.0;N、21.0、実測値:C、62.6;H、3.9;
N;20.6。
実施例 4 2,6−ジ(4′−アジドシンナミリデン)−4
−カルボキシルシクロヘキサノン 4−メトキシカルボニルシクロヘキサノン1g、
パラアジドケイ皮アルデヒド2gを10mlのエタノ
ールに溶解し、0.4gのNaOHを4mlの水に溶解し
た溶液を加え、かつ色フラスコ中で50℃6時間反
応させた。吸引口過によつて生成した結晶を分け
取り、次いでこれを希塩酸で数回処理した。水に
よる洗浄の後メチルセロソルブから再結晶して分
解点165−170℃(示差熱分析法、昇温速度5℃/
min)の橙色結晶0.3gを得た。この生成物はスペ
クトル分析、元素分析、ブロモチモールブルーに
よる比色試験により題記の化合物であることを確
認した。赤外吸収:1595cm-1(C=0)、2140cm
-1(−N3)。元素分析:C25H20O3N6としての計算
値:C、66.4;H、4.4;N、18.6、実測値:C、
59.9;H、4.5;N;18.2。
実施例 5 2,6−ジ(4′−アジドベンザル)−4−エト
キシカルボニルシクロヘキサノン 実施例3で得られた2,6−ジ(4′−アジドベ
ンザル)−4−カルボキシルカルボニルシクロヘ
キサノン0.8gを10mlのエタノールに加えてけん濁
液とした。次に濃硫酸を数滴加えた後6時間還流
した。冷却後、得られた結晶を吸引口過によつて
分け取り、水洗浄の後アルコールから再結晶して
分解点150−155℃(示差熱分析法、昇温速度5
℃/min)の黄橙色の結晶0.5gを得た。この生成
物はスペクトル分析、元素分析から題記の化合物
であることを確認した。赤外吸収:1595cm-1
C=0)、2140cm-1(−N3)。元素分析:
C27H24O3N6としての計算値:C、67.5;H、
5.0;N、17.5、実測値:C、67.3;H、4.9;
N;16.9。
実施例 6 2,6−ジ(4′−アジドベンザル)−4−トリ
メチルシリルシクロヘキサノン 4−トリメチルシリルシクロヘキサノン17g、
パラアジドベンズアルデヒド22gを100mlのエタ
ノールに溶解し、1gの水酸化ナトリウムを1ml
の水に溶解した溶液を加え、かつ色フラスコ中室
温で2日間反応させた。吸引口過によつて生成し
た結晶を分け取り、エタノールとエチルセロソル
ブの混合液から再結晶して分解点145−150℃(示
差熱分析法、昇温速度5℃/min)の黄色結晶
4.2gを得た。この生成物はスペクトル分析及び元
素分析により題記の化合物であることを確認し
た。赤外吸収:1600cm-1(C=0)、2130cm-1
(−N3)。元素分析:C23H24ON6Siとしての計算
値:C、64.5;H、5.6;N、19.6、実験値:C、
64.7;H、5.2;N;19.5。
実施例 7 2,6−ジ(4′−アジドシンナミリデン)−4
−トリメチルシクロヘキサノン 4−トリメチルシリルシクロヘキサノン1.5g、
パラアジドケイ皮アルデヒド2.5g、エタノール15
mlから成るけん濁液に水酸化ナトリウム0.2g、水
0.4gから成る溶液を加え、かつ色フラスコ中室温
で2日間撹拌した。生成した結晶を吸引口過によ
つて分け取りエタノールで洗浄後、エチルセロソ
ルブから再結晶して分解点165−170℃(示差熱分
析法、昇温速度5℃/min)の橙色結晶0.4gを得
た。この生成物はスペクトル分析及び元素分析に
より題記の化合物であることを確認した。赤外吸
収:1595cm-1(C=0)、2150cm-1(−N3)。元
素分析:C27H28ON6Siとしての計算値:C、
67.5;H、5.8;N、17.5、実験値:C、67.4;
H、5.7;N;17.2。
実施例 8 2,6−ジ(4′−アジドベンザル)−4−メト
キシシクロヘキサノン 4−メトキシシクロヘキサノン10g、パラアジ
ドベンズアルデヒド30gをエタノール100mlに溶
解し、1gの水酸化ナトリウムを1mlの水に溶解
した溶液を加え、かつ色フラスコ中室温で2日間
反応させた。吸引口過によつて生成した結晶を分
け取り、エタノール洗浄後エチルセロソルブから
再結晶して分解点145−150℃(示差熱分析法、昇
温速度5℃/min)の黄色結晶4.7gを得た。この
生成物はスペクトル分析及び元素分析により題記
の化合物であることを確認した。赤外吸収:1600
cm-1(C=0)、2130cm-1(−N3)。元素分析:
C21H18O2N6としての計算値:C、65.3;H、
4.7;N、21.8、実験値:C、65.1;H、4.7;
N;21.5。
実施例 9 2,6−ジ(4′−アジドシンナミリデン)−4
−メトキシシクロヘキサノン 4−メトキシシクロヘキサノン1g、パラアジ
ドケイ皮アルデヒド3.5g、エタノール15mlから成
るけん濁液に水酸化ナトリウム0.5g、水0.8gから
成る溶液を加えかつ色フラスコ中2日間撹拌し
た。本発明した結晶を吸引口過によつて分け取り
エタノールで洗浄した後、エチルセロソルブから
再結晶して分解点165−170℃(示差熱分析法)、
昇温速度5℃/min)の橙色結晶0.5gを得た。こ
の生成物はスペクトル分析、元素分析によつて題
記の化合物であることを確認した。赤外吸収:
1100cm-1(−OCH3)、1600cm-1(C=0)、2150
cm-1(−N3)。元素分析:C25H22O2N6としての計
算値:C、68.5;H、5.0;N、19.2、実験値:
C、68.1;H、4.8;N;19.0。
実施例 10 2,6−ジ(4′−アジドベンザル)−4−クロ
ロシクロヘキサノン 4−クロロシクロヘキサノン1g、パラアジド
ベンズアルデヒド3gをエタノール10mlに溶解し、
0.1gの水酸化ナトリウムを0.1mlの水に溶解した
溶液を加え、かつ色フラスコ中室温で2日間反応
させた。吸引口過によつて生成した結晶を分け取
り、エタノール洗浄後エタノールとエチルセロソ
ルブの混液から再結晶して分解点145−150℃(示
差熱分析法、昇温速度5℃/min)の黄色結晶
0.3gを得た。この生成物はバイルシユタインテス
ト(陽性を示した)、スペクトル分析により題記
の化合物であることを確認した。赤外吸収:1595
cm-1(C=0)、2130cm-1(−N3)。
実施例 11 2,6−ジ(4′−アジドベンザル)−4−ブロ
モシクロヘキサノン 4−ブロモシクロヘキサン1g、パラアジドベ
ンズアルデヒド3gをエタノール10mlに溶解し、
0.1g水酸化ナトリウムを0.1mlの水に溶解した溶
液を加え、かつ色フラスコ中室温で2日間反応さ
せた。吸引口過によつて生成した結晶を分け取
り、エタノール洗浄後エタノールとエチルモロソ
ルブの混液から再結晶して分解点140−150℃(示
差熱分析法、昇温速度5℃/min)の黄色結晶
0.3gを得た。この生成物はバイルシユタインテス
ト(陽性)、スペクトル分析により題記の化合物
であることを確認した。赤外吸収:1600cm-1
C=0)、2130cm-1(−N3)。
以上詳述したように本発明により極性溶剤に対
する溶解性、アルカリ現像性、無機質基板との接
着性、放射線感応性などの点で大幅に特性向上の
なされるフオト又は放射線レジスト用感光剤を提
供することができた。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔但し、nは0又は1、Xは−R1−OH、
    COOR2、−SiR3 3、−OR4、ハロゲン(R1は低級ア
    ルキレン基、R2は水素又は低級アルキル基、R3
    R4は低級アルキル基を表わす。)から選択された
    基、Y、Zは水素又は−N3又は−SO2N3を表わ
    し、Yが水素の時Zは−N3又は−SO2N3O……、
    Zが水素の時Yは−N3又は−SO2N3である。〕で
    表わされる化合物群から選択されたフオト又は放
    射線レジスト用感光剤。 2 一般式〔I〕においてR1は−CH2−、R2
    水素又は−CH3又は−C2H5、R3、R4は−CH3
    ハロゲンとしてはBr又はClである特許請求の範
    囲第1項記載のフオト又は放射線レジスト用感光
    剤。
JP16580881A 1981-10-19 1981-10-19 フオト又は放射線レジスト用感光剤 Granted JPS5868036A (ja)

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JPS5868036A (ja) 1983-04-22

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