JPS62241814A - 窒化アルミニウム粉末 - Google Patents
窒化アルミニウム粉末Info
- Publication number
- JPS62241814A JPS62241814A JP61083638A JP8363886A JPS62241814A JP S62241814 A JPS62241814 A JP S62241814A JP 61083638 A JP61083638 A JP 61083638A JP 8363886 A JP8363886 A JP 8363886A JP S62241814 A JPS62241814 A JP S62241814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum nitride
- powder
- nitride powder
- thermal conductivity
- plane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims abstract description 52
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 101150027068 DEGS1 gene Proteins 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000001272 pressureless sintering Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000872198 Serjania polyphylla Species 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- 101100124718 Canis lupus familiaris HP gene Proteins 0.000 description 1
- AJXBBNUQVRZRCZ-UHFFFAOYSA-N azanylidyneyttrium Chemical compound [Y]#N AJXBBNUQVRZRCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005467 ceramic manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は工ａ等の半導体装置用基板等に利用される窒化
アルミニウム焼結体を製造するための原料粉末である窒
化アルミニウム粉末に関する。
アルミニウム焼結体を製造するための原料粉末である窒
化アルミニウム粉末に関する。
近年、半導体素子の高速化、高密度化及び大型化に伴な
い、半導体素子の発熱量の増大が大きな問題となってい
る。そこで、半導体装置用基板についても、放熱性の改
良、即ち基板全体としての板厚方向の熱伝導性の改良が
一層要求されている。
い、半導体素子の発熱量の増大が大きな問題となってい
る。そこで、半導体装置用基板についても、放熱性の改
良、即ち基板全体としての板厚方向の熱伝導性の改良が
一層要求されている。
その結果、従来から半導体装置用基板として用いられて
きたアルミナ焼結体は熱伝導率が低く、放熱性が不充分
であるため、上記の如き半導体装置の発熱量の増大に対
応できなくなりつつある。
きたアルミナ焼結体は熱伝導率が低く、放熱性が不充分
であるため、上記の如き半導体装置の発熱量の増大に対
応できなくなりつつある。
そこで、アルミナ基板に代わるものとして高熱伝導性の
ベリリア基板が検討されているが、べＩＪ ＩＪアはベ
リリウムを含むために毒性が強く、取扱いが困難である
ばかりか、供給量も少なく高価である等の欠点がある。
ベリリア基板が検討されているが、べＩＪ ＩＪアはベ
リリウムを含むために毒性が強く、取扱いが困難である
ばかりか、供給量も少なく高価である等の欠点がある。
一方、窒化アルミニウム（Ａ４Ｎ）焼結体は、本来材質
的に絶縁性及び熱伝導性に優れ、毒性もないため、半導
体工業において基板等の絶縁材料やパッケージ材料とし
て注目を集めている。
的に絶縁性及び熱伝導性に優れ、毒性もないため、半導
体工業において基板等の絶縁材料やパッケージ材料とし
て注目を集めている。
しかし、従莱知られている窒化アルミニウム焼結体の熱
伝導率は緻密質なものでも６０〜１００Ｗ／ｍ−に程度
であり、アルミナ焼結体（約３０Ｗ／ｍ−Ｋ）の数倍の
レベルに留まり、窒化アルミニウム単結晶の理論熱伝導
率（３２０Ｗ／ｍ−Ｋ）に比較して著しく低い値であっ
た。
伝導率は緻密質なものでも６０〜１００Ｗ／ｍ−に程度
であり、アルミナ焼結体（約３０Ｗ／ｍ−Ｋ）の数倍の
レベルに留まり、窒化アルミニウム単結晶の理論熱伝導
率（３２０Ｗ／ｍ−Ｋ）に比較して著しく低い値であっ
た。
そこで、従来の窒化アルミニウム焼結体においては、熱
伝導率を阻害する要因、即ちフォノンの散乱要因が未だ
多数存在するものと考えられ、これらを除去する努力が
なされている。具体的には、酸素や金属陽イオン等の不
純物の含有量を低減することが検討され、その結果とし
て例えば、酸素含有量が１．５重量％以下及び陽イオン
含有量が０．３重量％以下の高純度窒化アルミニウム粉
末の製法が提案されている。しかし、この高純度窒化ア
ルミニウム粉末を用いて製造した焼結体であっても、そ
の熱伝導率は１４０ Ｗ／ｍ−Ｋが最高限度であった。
伝導率を阻害する要因、即ちフォノンの散乱要因が未だ
多数存在するものと考えられ、これらを除去する努力が
なされている。具体的には、酸素や金属陽イオン等の不
純物の含有量を低減することが検討され、その結果とし
て例えば、酸素含有量が１．５重量％以下及び陽イオン
含有量が０．３重量％以下の高純度窒化アルミニウム粉
末の製法が提案されている。しかし、この高純度窒化ア
ルミニウム粉末を用いて製造した焼結体であっても、そ
の熱伝導率は１４０ Ｗ／ｍ−Ｋが最高限度であった。
このように従来の窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率は
６０〜１４０Ｗ／ｍ−にの範囲に留まっており、一層高
度な熱伝導率分有する窒化アルミニウム焼結体の提供が
望まれている。
６０〜１４０Ｗ／ｍ−にの範囲に留まっており、一層高
度な熱伝導率分有する窒化アルミニウム焼結体の提供が
望まれている。
本発明は従来とは全く異なる観点からフォノン散乱要因
を検討し、より一層高度な熱伝導率を有する窒化アルミ
ニウム焼結体を製造できる原料としての窒化アルミニウ
ム粉末を提供することを目的とするものである。
を検討し、より一層高度な熱伝導率を有する窒化アルミ
ニウム焼結体を製造できる原料としての窒化アルミニウ
ム粉末を提供することを目的とするものである。
本発明は、Ｃｕ−に線を用いたＸ線回折において窒化ア
ルミニウム粉末の（２１３）面からの回折ピークの半値
幅が２０で０．３５ ｄｅｇ以下であることな特徴とす
る、窒化アルミニウム焼結体製造用の窒化アルミニウム
粉末を提供する。
ルミニウム粉末の（２１３）面からの回折ピークの半値
幅が２０で０．３５ ｄｅｇ以下であることな特徴とす
る、窒化アルミニウム焼結体製造用の窒化アルミニウム
粉末を提供する。
本発明者等はフォノン散乱要因として微、細な結晶構造
的欠陥、即ち格子欠陥や積層欠陥等に着目し、窒化アル
ミニウム粉末自体の格子歪を低減させることによってＯ
ｕ−に線を用いたＸ線回折における窒化アルミニウム粉
末の（２１３）面からの回折ピークの半値幅を２０で０
．３５ｄｅｇ以下にすることができ、この粉末を用いて
製造した窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率す１６０〜
２２０ Ｗ／ｍ−にの範囲まで大幅に向上でさることを
見出したものである。
的欠陥、即ち格子欠陥や積層欠陥等に着目し、窒化アル
ミニウム粉末自体の格子歪を低減させることによってＯ
ｕ−に線を用いたＸ線回折における窒化アルミニウム粉
末の（２１３）面からの回折ピークの半値幅を２０で０
．３５ｄｅｇ以下にすることができ、この粉末を用いて
製造した窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率す１６０〜
２２０ Ｗ／ｍ−にの範囲まで大幅に向上でさることを
見出したものである。
Ｘ線回折による半値幅が小さいことは回折ピークがシャ
ープであること、即ち窒化アルミニウム粉末自身の格子
歪が少ないことを意味している。
ープであること、即ち窒化アルミニウム粉末自身の格子
歪が少ないことを意味している。
本発明の窒化アルミニウム粉末では全ての回折ピークに
半値幅減少の傾向が現われるが、特に２θ＝１２５．０
２°付近の（２１３）面の回折ピークが強度が強く且つ
９０°以上のハイアングルのために半値幅の測定が容易
且つ正確にできるので、この回折ピークを採用したもの
である。第１図に本発明の’Ｊ化テアルミニウム粉末（
２１３）面での回折パターンの代表的な測定例を示す。
半値幅減少の傾向が現われるが、特に２θ＝１２５．０
２°付近の（２１３）面の回折ピークが強度が強く且つ
９０°以上のハイアングルのために半値幅の測定が容易
且つ正確にできるので、この回折ピークを採用したもの
である。第１図に本発明の’Ｊ化テアルミニウム粉末（
２１３）面での回折パターンの代表的な測定例を示す。
この例での半値幅は２θで０．２００ ｄｅｇであった
。比較のために、従来用いられていた窒化アルミニウム
粉末の（２１３）面での回折パターンの代表的な測定例
を第２図に示す。この例での半値幅は２θで０．４６３
ｄｅｇであった。
。比較のために、従来用いられていた窒化アルミニウム
粉末の（２１３）面での回折パターンの代表的な測定例
を第２図に示す。この例での半値幅は２θで０．４６３
ｄｅｇであった。
本発明の窒化アルミニウム粉末は公知の合成法における
温度、時間、圧力及び雰囲気等の合成条件を最適化する
ことにより製造できる。窒化アルミニウム粉末の合成法
としては、金属アルミニウム粉末を窒素ガス又はアンモ
ニアガスで窒化する方法、及びアルミナと炭素の混合粉
末を窒素ガス又はアンモニアガス中で焼成する方法等が
あり、例えば後者の方法で合成条件を次のように設定す
ることにより得られる。
温度、時間、圧力及び雰囲気等の合成条件を最適化する
ことにより製造できる。窒化アルミニウム粉末の合成法
としては、金属アルミニウム粉末を窒素ガス又はアンモ
ニアガスで窒化する方法、及びアルミナと炭素の混合粉
末を窒素ガス又はアンモニアガス中で焼成する方法等が
あり、例えば後者の方法で合成条件を次のように設定す
ることにより得られる。
アルミナ粉末として、純度９９．９９％以上で平均粒径
が０．１μｍ以下のγアルミナ粉末を用い、炭素粉末と
して灰分０．３％以下で平均粒径が１μｍ以下のカーボ
ンブラックを用い、これをアルミナ、炭素比で１０：４
の重量比に均一混合する。更にこの混合粉末を窒素ガス
を含む雰囲気中で１７００〜２１００ Ｃの温度で焼成
し反応させる。反応物はケーキ状に固化しているが、容
易に粉砕可能であり通常のセラミックス製造のプロセス
に供すること〔作用〕 本発明の窒化アルミニウム粉末を使用することにより１
６０〜２２０Ｗ／ｍ−にの高熱伝導率の窒化アルミニウ
ム焼結体ができる理由は、格子歪の少ない窒化アルミニ
ウム粉末を用いることにより、得られる焼結体の結晶構
造的欠陥が大幅に減少するためと考えられる。実際、本
発明の窒化アルミニウム粉末を用いて得られた焼結体を
透過型電子顕微鏡で観察した結果、従来の焼結体に比べ
転位、積層欠陥等の微細な結晶構造的欠陥が大幅に減少
していることが確認された。
が０．１μｍ以下のγアルミナ粉末を用い、炭素粉末と
して灰分０．３％以下で平均粒径が１μｍ以下のカーボ
ンブラックを用い、これをアルミナ、炭素比で１０：４
の重量比に均一混合する。更にこの混合粉末を窒素ガス
を含む雰囲気中で１７００〜２１００ Ｃの温度で焼成
し反応させる。反応物はケーキ状に固化しているが、容
易に粉砕可能であり通常のセラミックス製造のプロセス
に供すること〔作用〕 本発明の窒化アルミニウム粉末を使用することにより１
６０〜２２０Ｗ／ｍ−にの高熱伝導率の窒化アルミニウ
ム焼結体ができる理由は、格子歪の少ない窒化アルミニ
ウム粉末を用いることにより、得られる焼結体の結晶構
造的欠陥が大幅に減少するためと考えられる。実際、本
発明の窒化アルミニウム粉末を用いて得られた焼結体を
透過型電子顕微鏡で観察した結果、従来の焼結体に比べ
転位、積層欠陥等の微細な結晶構造的欠陥が大幅に減少
していることが確認された。
更に、異なる（２１３）面の回折ピークの半値幅を有す
る窒化アルミニウム粉末を使用してホットプレス法と常
圧焼結法で各々同一工程及び同一条件で焼結体を製造し
、得られた焼結体の熱伝導率と原料粉末の半値幅との関
係を検討（下記実施例２参照）し、結果を第３図に示し
た。こ（で用いた窒化アルミニウム粉末の粒子径は、走
査型電子顕微鏡での観察の結果、−次粒子で０．５〜３
μｍの範囲であり、粒子径が半値幅に及ぼす影響は殆ん
ど無視できるので、半値幅は粉末の格子歪に比例してい
ると考えてよい。第３図から判るように、窒化アルミニ
ウム粉末の（２１３）面からの回折ピークの半値幅が２
０で０．３５ｄｅｇ以下において、得られた焼結体の熱
伝導率に著しい向上がみられた。
る窒化アルミニウム粉末を使用してホットプレス法と常
圧焼結法で各々同一工程及び同一条件で焼結体を製造し
、得られた焼結体の熱伝導率と原料粉末の半値幅との関
係を検討（下記実施例２参照）し、結果を第３図に示し
た。こ（で用いた窒化アルミニウム粉末の粒子径は、走
査型電子顕微鏡での観察の結果、−次粒子で０．５〜３
μｍの範囲であり、粒子径が半値幅に及ぼす影響は殆ん
ど無視できるので、半値幅は粉末の格子歪に比例してい
ると考えてよい。第３図から判るように、窒化アルミニ
ウム粉末の（２１３）面からの回折ピークの半値幅が２
０で０．３５ｄｅｇ以下において、得られた焼結体の熱
伝導率に著しい向上がみられた。
同じ粉末を用いても、常圧焼結法よりホットプレス法の
方かや−高い熱伝導率の焼結体が得られたが、この差は
両方法の設定条件及び焼結助剤の違いによるものと考え
られる。
方かや−高い熱伝導率の焼結体が得られたが、この差は
両方法の設定条件及び焼結助剤の違いによるものと考え
られる。
以下の実施例により本発明の詳細な説明する。
実施例１
純度９９．９９％、平均粒径０．１μｍのγアルミナ粉
末１００ｇと、灰分０．１％で平均粒子径０．５μｍの
カーボンブラック４０ ｇとを乾式ボールミルニヨリ１
０時間混合した。この混合粉末をカーボン容器に入れ、
窒素ガスをｓ ｔ７分流しながら１８００ ｒの温度で
３時間加熱した。反応混合物は空気中にて７００Ｃ，４
時間加熱し未反応のカーボンを酸化除去した。一部ケー
キ状に固化した粉末は、乾燥空気中で乾式粉砕した。
末１００ｇと、灰分０．１％で平均粒子径０．５μｍの
カーボンブラック４０ ｇとを乾式ボールミルニヨリ１
０時間混合した。この混合粉末をカーボン容器に入れ、
窒素ガスをｓ ｔ７分流しながら１８００ ｒの温度で
３時間加熱した。反応混合物は空気中にて７００Ｃ，４
時間加熱し未反応のカーボンを酸化除去した。一部ケー
キ状に固化した粉末は、乾燥空気中で乾式粉砕した。
この粉末のＸ線回折パターンはＡ４Ｎのみのピークを示
し、アルミナの回折線は無かった。又、Ｃ！ｕ−に線を
用いたＸ線回折において窒化アルミニウム粉末の（２１
３）面からの回折ピークの半値幅は２θで０．２５ｄｅ
ｇであった。
し、アルミナの回折線は無かった。又、Ｃ！ｕ−に線を
用いたＸ線回折において窒化アルミニウム粉末の（２１
３）面からの回折ピークの半値幅は２θで０．２５ｄｅ
ｇであった。
上記混合粉末を１７００ ｔ？未満の温度で加熱した場
合、上記半値幅は２０で０．３５ ｄｅｇを超えた。又
、２１００ Ｃを超える温度では粉末が固く焼結し、粉
砕が困難であった。
合、上記半値幅は２０で０．３５ ｄｅｇを超えた。又
、２１００ Ｃを超える温度では粉末が固く焼結し、粉
砕が困難であった。
実施例２
Ｃｕ−に線を用いたＸ線回折において窒化アルミニウム
粉末の（２１３）面からの回折ピークの半値幅が２０で
０．１５ ｄｅｇＳＯ，２０ｄｅｇｓ Ｏ，２５ｄｅｇ
、 ０．３５ ｄｏｇ。
粉末の（２１３）面からの回折ピークの半値幅が２０で
０．１５ ｄｅｇＳＯ，２０ｄｅｇｓ Ｏ，２５ｄｅｇ
、 ０．３５ ｄｏｇ。
０．４１ｄｅｇｓ及び０．４９ｄｅｇである窒化アルミ
ニウム粉末を夫々用意した。
ニウム粉末を夫々用意した。
各人ＩＮ粉末に５重量％の窒化イツトリウムを混合し、
ボールミルにて１２時間粉砕混合して混合粉末を作成し
た。この混合粉末を各々２等分し、名分にはポリビニル
ブチラール系バインダーを添加してｉ、ｓｔｘの圧力で
金型成形し、１気圧のＮ２ガス雰囲気中で１９００ Ｃ
にて３時間常圧焼結した。
ボールミルにて１２時間粉砕混合して混合粉末を作成し
た。この混合粉末を各々２等分し、名分にはポリビニル
ブチラール系バインダーを添加してｉ、ｓｔｘの圧力で
金型成形し、１気圧のＮ２ガス雰囲気中で１９００ Ｃ
にて３時間常圧焼結した。
残りの半分の各混合粉末は黒鉛ダイスに入れ、１気圧の
Ｎガス雰囲気中において１００〜伽の圧力、２０００
Ｃの温度で２時間ホットプレス焼結を行なった。
Ｎガス雰囲気中において１００〜伽の圧力、２０００
Ｃの温度で２時間ホットプレス焼結を行なった。
得られた各焼結体の密度は全て３．３０ ＋ ０．０２
ν論３２Ｈに加工し、レーザーフラッシュ法にて熱伝導
率を測定した。結果を第１表及び第３図にまとめた０ 第 １ 表 試料番号 半値幅 焼結方法 熱伝導率１
０、１５ ｄｏｇ ＨＰ ２２０ Ｗ／ｍ−
に２ ＃ ＮＳ １８０３
０．２０ ＨＰ ２
１０４ ｔｔ ＮＳ
１７０５ ０．２５
ＨＰ ２００６
ＮＳ １６５７
０．３５ ＨＰ １９０８
ＮＳ
１６０９ ０．４１ ＨＰ １
４２１Ｑ ｔｔ Ｎ
Ｓ １０７１１ ０．４９
ＨＰ １１９１２ Ｎ Ｓ
８０（註）焼成方法においてＨＰ・・ホット
プレス焼結ＮＳ・・常圧焼結 本発明にか＼る試料番号１〜８は、ホットプレス焼結で
１９０〜２２０ Ｗ／ｍ４及び常圧焼結で１６０〜Ｉ
Ｒ１’ｌ Ｗ／ｍ −Ｋ Ｉ７′１ｔｄＬ 郡迦電テ訊
六Ｆ＋ ｔ、−８，） Ｉ ＆ ｍ ｍｌ −７％あ
る試料番号９〜１２では、ホットプレス焼結で１１９〜
１４２Ｗ／ｍ−Ｋ及び常圧焼結で８０〜１０７ Ｗ／ｍ
−にと極めて低い熱伝導率に留まった。
ν論３２Ｈに加工し、レーザーフラッシュ法にて熱伝導
率を測定した。結果を第１表及び第３図にまとめた０ 第 １ 表 試料番号 半値幅 焼結方法 熱伝導率１
０、１５ ｄｏｇ ＨＰ ２２０ Ｗ／ｍ−
に２ ＃ ＮＳ １８０３
０．２０ ＨＰ ２
１０４ ｔｔ ＮＳ
１７０５ ０．２５
ＨＰ ２００６
ＮＳ １６５７
０．３５ ＨＰ １９０８
ＮＳ
１６０９ ０．４１ ＨＰ １
４２１Ｑ ｔｔ Ｎ
Ｓ １０７１１ ０．４９
ＨＰ １１９１２ Ｎ Ｓ
８０（註）焼成方法においてＨＰ・・ホット
プレス焼結ＮＳ・・常圧焼結 本発明にか＼る試料番号１〜８は、ホットプレス焼結で
１９０〜２２０ Ｗ／ｍ４及び常圧焼結で１６０〜Ｉ
Ｒ１’ｌ Ｗ／ｍ −Ｋ Ｉ７′１ｔｄＬ 郡迦電テ訊
六Ｆ＋ ｔ、−８，） Ｉ ＆ ｍ ｍｌ −７％あ
る試料番号９〜１２では、ホットプレス焼結で１１９〜
１４２Ｗ／ｍ−Ｋ及び常圧焼結で８０〜１０７ Ｗ／ｍ
−にと極めて低い熱伝導率に留まった。
実施例３
実施例２と同様のＡ／Ｎ粉末を使用し、焼結助剤として
５重量％の酸化セリウムを添加した以外、実施例２と同
様にして焼結体を製造し、その熱伝導率を測定した。結
果を第２表に示した。
５重量％の酸化セリウムを添加した以外、実施例２と同
様にして焼結体を製造し、その熱伝導率を測定した。結
果を第２表に示した。
第 ２ 表
試料番号 半値幅 焼結方法 熱伝導率１３
０、１５ ｄｅｇ ＨＰ ２１５ Ｗ／ｍ
−に１４ ｔｔ ＮＳ
１７６１５ ０．２０
ＨＰ ２０７１６
Ｎ Ｓ １６７１７
０．２５ ＨＰ
１９４１８ ＮＳ
１６０１９ ０．３５ ＨＰ
１８８２０ ｐ ＮＳ
１５８２１ ０．４１ Ｈ
Ｐ １３５２２
Ｎ Ｓ １００２３
０．４９ ＨＰ １１６
２４ Ｎ Ｓ
７５〔発明の効果〕 本発明の窒化アルミニウム粉末は粉末自身の格子歪が少
ないために、これを用いて製造した窒化アルミニウム焼
結体は従来よりも格段に高い熱伝導率を達成することが
可能になった。か＼る窒化アルミニウム焼結体は高速化
、高密度化及び大型高出力化の進行する半導体装置の放
熱材料及びパッケージ材料として有用である。具体的に
は、サーディツプ用基板、サーバツク用基板、ハイブリ
ッドＩＯ用基板等の半導体装置用基板のみならずパワー
トランジスタ、パワーダイオード及びレーザダイオード
用のヒートシンク、更にレーザ発振器用部品あるいはべ
ＩＪ １７７代替え用絶縁性薄板として好適である。
０、１５ ｄｅｇ ＨＰ ２１５ Ｗ／ｍ
−に１４ ｔｔ ＮＳ
１７６１５ ０．２０
ＨＰ ２０７１６
Ｎ Ｓ １６７１７
０．２５ ＨＰ
１９４１８ ＮＳ
１６０１９ ０．３５ ＨＰ
１８８２０ ｐ ＮＳ
１５８２１ ０．４１ Ｈ
Ｐ １３５２２
Ｎ Ｓ １００２３
０．４９ ＨＰ １１６
２４ Ｎ Ｓ
７５〔発明の効果〕 本発明の窒化アルミニウム粉末は粉末自身の格子歪が少
ないために、これを用いて製造した窒化アルミニウム焼
結体は従来よりも格段に高い熱伝導率を達成することが
可能になった。か＼る窒化アルミニウム焼結体は高速化
、高密度化及び大型高出力化の進行する半導体装置の放
熱材料及びパッケージ材料として有用である。具体的に
は、サーディツプ用基板、サーバツク用基板、ハイブリ
ッドＩＯ用基板等の半導体装置用基板のみならずパワー
トランジスタ、パワーダイオード及びレーザダイオード
用のヒートシンク、更にレーザ発振器用部品あるいはべ
ＩＪ １７７代替え用絶縁性薄板として好適である。
第１図はＯｕ−に線を用いたＸ線回折における本発明の
窒化アルミニウム粉末の代表例の（２１３）面からの回
折ピークを示す図であり、第２図はＯｕ−に線を用いた
Ｘ線回折における従来の窒化アルミニウム粉末の代表例
の（２１３）面からの回折ピークを示す図であり、第３
図は窒化アルミニウム粉末の（２１３）面からの回折ピ
ークの２０での半値幅とその粉末を用いて得られた窒化
アルミニウム焼結体の熱伝導率との関係を示すグラフで
ある。
窒化アルミニウム粉末の代表例の（２１３）面からの回
折ピークを示す図であり、第２図はＯｕ−に線を用いた
Ｘ線回折における従来の窒化アルミニウム粉末の代表例
の（２１３）面からの回折ピークを示す図であり、第３
図は窒化アルミニウム粉末の（２１３）面からの回折ピ
ークの２０での半値幅とその粉末を用いて得られた窒化
アルミニウム焼結体の熱伝導率との関係を示すグラフで
ある。
Claims (1)
- （１）Ｃｕ−Ｋ＿α線を用いたＸ線回折において、窒化
アルミニウム粉末の（２１３）面からの回折ピークの半
値幅が２θで０．３５ｄｅｇ以下であることを特徴とす
る、窒化アルミニウム焼結体製造用の窒化アルミニウム
粉末。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61083638A JPH0651561B2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 窒化アルミニウム粉末 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61083638A JPH0651561B2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 窒化アルミニウム粉末 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62241814A true JPS62241814A (ja) | 1987-10-22 |
| JPH0651561B2 JPH0651561B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=13807999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61083638A Expired - Lifetime JPH0651561B2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 窒化アルミニウム粉末 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0651561B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02102109A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-13 | Sumitomo Chem Co Ltd | 窒化アルミニウム粉末およびその製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60176910A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-11 | Tokuyama Soda Co Ltd | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 |
| JPS60195160A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-03 | Tokuyama Soda Co Ltd | 複合シ−ト |
| JPS616105A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-11 | Tokuyama Soda Co Ltd | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 |
| JPS61155210A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-14 | Toshiba Corp | 易焼結性窒化アルミニウム粉末の製造方法 |
| JPS62100405A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-09 | Shin Nippon Kagaku Kogyo Co Ltd | 窒化アルミニウム粉末およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-04-11 JP JP61083638A patent/JPH0651561B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60176910A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-11 | Tokuyama Soda Co Ltd | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 |
| JPS60195160A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-03 | Tokuyama Soda Co Ltd | 複合シ−ト |
| JPS616105A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-11 | Tokuyama Soda Co Ltd | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 |
| JPS61155210A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-14 | Toshiba Corp | 易焼結性窒化アルミニウム粉末の製造方法 |
| JPS62100405A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-09 | Shin Nippon Kagaku Kogyo Co Ltd | 窒化アルミニウム粉末およびその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02102109A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-13 | Sumitomo Chem Co Ltd | 窒化アルミニウム粉末およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0651561B2 (ja) | 1994-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6292306B2 (ja) | 窒化ケイ素粉末、窒化ケイ素焼結体及び回路基板、ならびに窒化ケイ素粉末の製造方法 | |
| TW201829299A (zh) | 高純度氮化矽粉末之製造方法 | |
| KR102579987B1 (ko) | 반도체 소결체, 전기·전자 부재 및 반도체 소결체 제조방법 | |
| JPWO2020032060A1 (ja) | 六方晶窒化ホウ素粉末、及び六方晶窒化ホウ素粉末の製造方法 | |
| KR960006248B1 (ko) | 질화알루미늄소결체와 그의 제조방법 | |
| US5482905A (en) | Aluminum nitride sintered body and method of producing the same | |
| CN107663092A (zh) | 一种AlN粉体的制备方法 | |
| JP3472585B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体 | |
| KR100766621B1 (ko) | 질화알루미늄 분말 및 질화알루미늄 소결체의 제조방법 | |
| US6143677A (en) | Silicon nitride sinter having high thermal conductivity and process for preparing the same | |
| US5837633A (en) | Method for production of aluminum nitride sintered body and aluminum nitride powder | |
| JPH11322433A (ja) | 窒化硼素含有複合セラミックス焼結体の製造方法及び同焼結体 | |
| Suehiro et al. | Aluminum nitride fibers synthesized from alumina fibers using gas‐reduction–nitridation method | |
| KR20220038898A (ko) | 입방정 질화붕소 분말 및 이의 제조방법 | |
| JPS62241814A (ja) | 窒化アルミニウム粉末 | |
| RU2433108C1 (ru) | Способ получения теплопроводной керамики на основе нитрида алюминия | |
| JPH09268069A (ja) | 高熱伝導性材料およびその製造方法 | |
| KR100386510B1 (ko) | 자전고온 합성법을 이용한 질화 알루미늄 분말 제조방법 | |
| WO2021100617A1 (ja) | 六方晶窒化ホウ素粉末 | |
| JPS63134570A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
| JP4958353B2 (ja) | 窒化アルミニウム粉末及びその製造方法 | |
| JP2721525B2 (ja) | 立方晶窒化ほう素焼結体およびその製造方法 | |
| JPH0455142B2 (ja) | ||
| JP5033948B2 (ja) | 窒化アルミニウム粉末の製造方法ならびに窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
| JP2000169239A (ja) | 高熱伝導性窒化ケイ素焼結体及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |