JP2721525B2 - 立方晶窒化ほう素焼結体およびその製造方法 - Google Patents
立方晶窒化ほう素焼結体およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2721525B2 JP2721525B2 JP63318573A JP31857388A JP2721525B2 JP 2721525 B2 JP2721525 B2 JP 2721525B2 JP 63318573 A JP63318573 A JP 63318573A JP 31857388 A JP31857388 A JP 31857388A JP 2721525 B2 JP2721525 B2 JP 2721525B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- boron nitride
- temperature
- cubic boron
- cbn
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、マイクロ波素子、半導体レーザー等の電子
装置用ヒートシンクや超精密切削工具として好適な特性
を有する立方晶窒化ほう素焼結体とその製造方法に関す
るものである。
装置用ヒートシンクや超精密切削工具として好適な特性
を有する立方晶窒化ほう素焼結体とその製造方法に関す
るものである。
立方晶窒化ほう素（cBN）はダイヤモンドに近い硬
度、熱伝導率および高い電気絶縁性を有し、さらにダイ
ヤモンドにはない鉄族金属に対する化学的安定性を有す
るため、従来の難削材用砥粒としての利用に加え、マイ
クロ波素子等の電子装置用ヒートシンク、鉄族金属の超
精密切削工具としての利用が種々試みられており、特に
cBN緻密焼結体が注目されている。
度、熱伝導率および高い電気絶縁性を有し、さらにダイ
ヤモンドにはない鉄族金属に対する化学的安定性を有す
るため、従来の難削材用砥粒としての利用に加え、マイ
クロ波素子等の電子装置用ヒートシンク、鉄族金属の超
精密切削工具としての利用が種々試みられており、特に
cBN緻密焼結体が注目されている。
従来、cBN焼結体の製造方法としては次の（イ）〜
（ヘ）等が提案されている。
（ヘ）等が提案されている。
（イ）触媒を使用せずに低結晶性の六方晶窒化ほう素
（hBN）粉末を出発原料として高温高圧条件下に処理す
る方法（温度:1250℃以上、好ましくは1450〜1600℃以
上、圧力:60kbar以上；「マテリアルス・リサーチ・ブ
リチン（Mat.Res.Bull.）７,999（1972）） （ロ）低結晶性のhBN粉末にAlN等を添加混合したものを
出発原料として高温高圧条件下に処理する方法（温度:1
700〜1800℃、圧力:75kbar:特開昭49−22925号公報） （ハ）気相から析出させたhBNである熱分解窒化ほう素
（パイロリテイツクボロンナイトライド）の成形体を直
接高温高圧下に処理する方法（温度:1800℃以上、好ま
しくは2100〜2500℃、圧力:60kbar以上、好ましくは65k
bar以上；特開昭54−33510号公報） （ニ）hBNのホツトプレス焼結体にMg3B2N4等の触媒を拡
散含浸させたものを高温高圧処理する方法（温度:1510
〜1550℃、圧力:5.2〜5.7GPa:特公昭60−28782号公報） （ホ）市販の熱分解窒化ほう素成形体にMg3BN3等の触媒
を拡散含浸させたものを高温高圧処理する方法（温度:1
300℃以上、圧力:4万気圧以上：特開昭62−108772号公
報） （ヘ）気相合成法を用いて析出させることにより生成す
る金属窒化物を含有する熱分解窒化ほう素成形体を高温
高圧処理する方法（温度:1300℃以上、圧力:4万気圧以
上；特開昭62−108718号公報） しかし、これらの方法には以下に示すような問題があ
り、これらの方法によつて得られる立方晶窒化ほう素焼
結体はヒートシンク用および鉄族金属の超精密切削用工
具用としては十分に満足するものではなかつた。
（hBN）粉末を出発原料として高温高圧条件下に処理す
る方法（温度:1250℃以上、好ましくは1450〜1600℃以
上、圧力:60kbar以上；「マテリアルス・リサーチ・ブ
リチン（Mat.Res.Bull.）７,999（1972）） （ロ）低結晶性のhBN粉末にAlN等を添加混合したものを
出発原料として高温高圧条件下に処理する方法（温度:1
700〜1800℃、圧力:75kbar:特開昭49−22925号公報） （ハ）気相から析出させたhBNである熱分解窒化ほう素
（パイロリテイツクボロンナイトライド）の成形体を直
接高温高圧下に処理する方法（温度:1800℃以上、好ま
しくは2100〜2500℃、圧力:60kbar以上、好ましくは65k
bar以上；特開昭54−33510号公報） （ニ）hBNのホツトプレス焼結体にMg3B2N4等の触媒を拡
散含浸させたものを高温高圧処理する方法（温度:1510
〜1550℃、圧力:5.2〜5.7GPa:特公昭60−28782号公報） （ホ）市販の熱分解窒化ほう素成形体にMg3BN3等の触媒
を拡散含浸させたものを高温高圧処理する方法（温度:1
300℃以上、圧力:4万気圧以上：特開昭62−108772号公
報） （ヘ）気相合成法を用いて析出させることにより生成す
る金属窒化物を含有する熱分解窒化ほう素成形体を高温
高圧処理する方法（温度:1300℃以上、圧力:4万気圧以
上；特開昭62−108718号公報） しかし、これらの方法には以下に示すような問題があ
り、これらの方法によつて得られる立方晶窒化ほう素焼
結体はヒートシンク用および鉄族金属の超精密切削用工
具用としては十分に満足するものではなかつた。
まず（イ）〜（ヘ）の方法で得られるcBN焼結体の常
温熱伝導率は数〜10W/cm・Ｋである。cBNの理論熱伝導
率はスラツク（Slack）によれば13W/cm・Ｋ（「ジャー
ナル・オブ・フイジカル・ケミストリー・オブ・ソリツ
ズ（J.Phys.Chem.Solids）」，34,321（1973））である
から、これらの方法で得られるcBN焼結体の熱伝導率は
いずれも理論熱伝導率よりかなり低く、ヒートシンクに
要求される高熱伝導性を満たしていなかつた。
温熱伝導率は数〜10W/cm・Ｋである。cBNの理論熱伝導
率はスラツク（Slack）によれば13W/cm・Ｋ（「ジャー
ナル・オブ・フイジカル・ケミストリー・オブ・ソリツ
ズ（J.Phys.Chem.Solids）」，34,321（1973））である
から、これらの方法で得られるcBN焼結体の熱伝導率は
いずれも理論熱伝導率よりかなり低く、ヒートシンクに
要求される高熱伝導性を満たしていなかつた。
一方、鉄族金属の超緻密切削工具には鋭利な切刃が要
求される。（イ）〜（ヘ）の方法で得られるcBN焼結体
を構成するcBN結晶粒子の平均粒径は数10μｍ以下と小
さいため、切刃上の結晶粒界の位置に凹凸が生じ、鋭利
な切刃を有する工具は作製できない。
求される。（イ）〜（ヘ）の方法で得られるcBN焼結体
を構成するcBN結晶粒子の平均粒径は数10μｍ以下と小
さいため、切刃上の結晶粒界の位置に凹凸が生じ、鋭利
な切刃を有する工具は作製できない。
本発明は、cBN焼結体をヒートシンクまたは鉄族金属
の超緻密切削用工具として利用する場合の上述したcBN
焼結体の問題点を改善するものであつて、高熱伝導性で
しかも粒径の大きいcBN焼結体を提供しようとするもの
である。
の超緻密切削用工具として利用する場合の上述したcBN
焼結体の問題点を改善するものであつて、高熱伝導性で
しかも粒径の大きいcBN焼結体を提供しようとするもの
である。
すなわち本発明は、以下を要旨とするcBN焼結体およ
びその製造方法である。
びその製造方法である。
1.平均粒径100μｍ以上の立方晶窒化ほう素粒子からな
り、10W/cm・Ｋ以上の常温熱伝導率を有することを特徴
とする立方晶窒化ほう素焼結体。
り、10W/cm・Ｋ以上の常温熱伝導率を有することを特徴
とする立方晶窒化ほう素焼結体。
2.熱分解窒化ほう素成形体にアルカリ金属もしくはアル
カリ土類金属の窒化物もしくはほう窒化物を0.1〜５モ
ル％の割合で拡散含有させ、これを立方晶窒化ほう素の
熱力学的安定条件下に、５万気圧以上の圧力および1500
℃以上の温度で立方晶窒化ほう素に変換する方法におい
て、 1300℃以上の温度における昇温速度を 500℃／分以上とすることを特徴とする立方晶窒化ほ
う素焼結体の製造方法。
カリ土類金属の窒化物もしくはほう窒化物を0.1〜５モ
ル％の割合で拡散含有させ、これを立方晶窒化ほう素の
熱力学的安定条件下に、５万気圧以上の圧力および1500
℃以上の温度で立方晶窒化ほう素に変換する方法におい
て、 1300℃以上の温度における昇温速度を 500℃／分以上とすることを特徴とする立方晶窒化ほ
う素焼結体の製造方法。
以下、さらに詳しく本発明について説明する。
cBN焼結体の説明 本発明のcBN焼結体の第１の特徴は、平均粒径が100μ
ｍ以上であり、従来のcBN焼結体の平均粒径（数〜数10
μｍ）よりも大きいことである。平均粒径の上限値につ
いては特に制限を受けることはなく、1mm程度まで可能
である。
ｍ以上であり、従来のcBN焼結体の平均粒径（数〜数10
μｍ）よりも大きいことである。平均粒径の上限値につ
いては特に制限を受けることはなく、1mm程度まで可能
である。
平均粒径は以下のように測定される。焼結体を研磨
し、研磨面を顕微鏡で観察すると、平滑な面が不規則な
曲線で区切られた組織像が観察される。この平滑な面が
個々のcBN焼結粒子の断面であり、不規則な曲線が結晶
粒子同士の境界すなわち粒界である。この像より最近接
の粒界間の平均距離を求め、この距離に1.5を乗じた長
さが平均粒径である。（セラミツクプロセシング（技報
堂出版、1985）、p.194参照）。
し、研磨面を顕微鏡で観察すると、平滑な面が不規則な
曲線で区切られた組織像が観察される。この平滑な面が
個々のcBN焼結粒子の断面であり、不規則な曲線が結晶
粒子同士の境界すなわち粒界である。この像より最近接
の粒界間の平均距離を求め、この距離に1.5を乗じた長
さが平均粒径である。（セラミツクプロセシング（技報
堂出版、1985）、p.194参照）。
本発明のcBN焼結体の第２の特徴は、常温における熱
伝導率が10W/cm・Ｋ以上であり、従来のcBN焼結体の常
温における熱伝導率よりも高いことである。
伝導率が10W/cm・Ｋ以上であり、従来のcBN焼結体の常
温における熱伝導率よりも高いことである。
絶縁性固体物質中の熱は格子振動（フオノン）により
伝えられる。完全な単結晶ではフオノンは散乱されてい
ないため熱伝導率は理論値になるが、焼結体の場合フオ
ノンの散乱源を有するため、熱伝導率は理論値よりも小
さい。焼結体の粒界はこのフオノンの散乱源の１つであ
る。従つて粒界が少ない焼結体熱伝導率は高くなる。本
発明のcBN焼結体が従来のcBN焼結体よりも熱伝導率が高
いのは、粒径が大きいので粒界の総面積が小さい、すな
わち粒界が少ないためである。
伝えられる。完全な単結晶ではフオノンは散乱されてい
ないため熱伝導率は理論値になるが、焼結体の場合フオ
ノンの散乱源を有するため、熱伝導率は理論値よりも小
さい。焼結体の粒界はこのフオノンの散乱源の１つであ
る。従つて粒界が少ない焼結体熱伝導率は高くなる。本
発明のcBN焼結体が従来のcBN焼結体よりも熱伝導率が高
いのは、粒径が大きいので粒界の総面積が小さい、すな
わち粒界が少ないためである。
cBN焼結体製造方法の説明 本発明のcBN焼結体の原料である熱分解窒化ほう素
（Ｐ−BN）成形体は、化学気相蒸着法（CVD法）によつ
て製造される。CVD法によるＰ−BNの合成は、例えば米
国特許第3152006号に開示されているように、三塩化ほ
う素（BCl3）等のハロゲン化ほう素ガスとアンモニアガ
スとを原料とし、50Torr以下の減圧下に1400〜2300℃の
温度で、黒鉛等の基材の表面に窒化ほう素を気相から析
出させることにより行われる。
（Ｐ−BN）成形体は、化学気相蒸着法（CVD法）によつ
て製造される。CVD法によるＰ−BNの合成は、例えば米
国特許第3152006号に開示されているように、三塩化ほ
う素（BCl3）等のハロゲン化ほう素ガスとアンモニアガ
スとを原料とし、50Torr以下の減圧下に1400〜2300℃の
温度で、黒鉛等の基材の表面に窒化ほう素を気相から析
出させることにより行われる。
一方、Ｐ−BNは、本来酸素不純物や金属不純物をほと
んど含まない高純度の窒化ほう素であるので、それをcB
N焼結体の原料に用いた場合、生成するcBN焼結体は不純
物をほとんど含まず、高い熱伝導性を有することが期待
される。上述の高純度のＰ−BN成形体は所望の形状・寸
法に加工され、ついでcBNへの変換触媒であるアルカリ
金属もしくはアルカリ土類金属の窒化物もしくはほう窒
化物が拡散含浸される。拡散含浸の方法は、例えば変換
触媒もしくはＰ−BNと反応して触媒となる物質の粉末中
にＰ−BN成形体を埋め込んで非酸化性雰囲気中で加熱処
理を行いＰ−BN成形体中に反応拡散させる方法がある。
変換触媒であるアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属
の窒化物もしくはほう窒化物としては、例えばMg3BN3、
Ca3BN3、Sr3BN3、Ba3BN3等をあげることができる。触媒
含有量は加熱処理の温度や時間の条件で調節することが
できる。cBN焼結体製造に必要な触媒含有量は0.1〜５モ
ル％程度である。
んど含まない高純度の窒化ほう素であるので、それをcB
N焼結体の原料に用いた場合、生成するcBN焼結体は不純
物をほとんど含まず、高い熱伝導性を有することが期待
される。上述の高純度のＰ−BN成形体は所望の形状・寸
法に加工され、ついでcBNへの変換触媒であるアルカリ
金属もしくはアルカリ土類金属の窒化物もしくはほう窒
化物が拡散含浸される。拡散含浸の方法は、例えば変換
触媒もしくはＰ−BNと反応して触媒となる物質の粉末中
にＰ−BN成形体を埋め込んで非酸化性雰囲気中で加熱処
理を行いＰ−BN成形体中に反応拡散させる方法がある。
変換触媒であるアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属
の窒化物もしくはほう窒化物としては、例えばMg3BN3、
Ca3BN3、Sr3BN3、Ba3BN3等をあげることができる。触媒
含有量は加熱処理の温度や時間の条件で調節することが
できる。cBN焼結体製造に必要な触媒含有量は0.1〜５モ
ル％程度である。
次いで、触媒が拡散含浸されたＰ−BN成形体は、例え
ばベルト型のような高温高圧装置内で５万気圧以上の圧
力および1500℃以上の温度で数10分間高温高圧処理が行
われる。高温高圧処理では反応容器に充填された原料に
対し、まず圧力が、続いて熱が加えられて所定の圧力お
よび温度に保持される。加熱時の昇温速度は従来200℃
／分以下であつた。この場合、cBN焼結体の生成速度は1
500℃以上では非常に速く、例えば直径10mm、厚さ1mmの
Ｐ−BN原料ならば、５分以内で完全にcBN焼結体に変換
してしまう。一方保持温度は高いほどcBN焼結粒子の成
長速度が大きくなるため、生成するcBN焼結体の粒径は
大きくなる。従来の昇温速度では保持温度をいかに高く
しても昇温途中の低い温度でcBN焼結体の生成がほぼ完
結してしまうために実質的なcBN焼結体生成温度が保持
温度よりも低く、cBN結晶粒子の平均粒径が数10μｍ以
下でしかなかつた。
ばベルト型のような高温高圧装置内で５万気圧以上の圧
力および1500℃以上の温度で数10分間高温高圧処理が行
われる。高温高圧処理では反応容器に充填された原料に
対し、まず圧力が、続いて熱が加えられて所定の圧力お
よび温度に保持される。加熱時の昇温速度は従来200℃
／分以下であつた。この場合、cBN焼結体の生成速度は1
500℃以上では非常に速く、例えば直径10mm、厚さ1mmの
Ｐ−BN原料ならば、５分以内で完全にcBN焼結体に変換
してしまう。一方保持温度は高いほどcBN焼結粒子の成
長速度が大きくなるため、生成するcBN焼結体の粒径は
大きくなる。従来の昇温速度では保持温度をいかに高く
しても昇温途中の低い温度でcBN焼結体の生成がほぼ完
結してしまうために実質的なcBN焼結体生成温度が保持
温度よりも低く、cBN結晶粒子の平均粒径が数10μｍ以
下でしかなかつた。
これに対し、本発明では、特に1300℃以上の温度にお
いて500℃／分以上とするものである。このため、昇温
途中ではcBN結晶粒子はほとんど成長せず、保持温度に
到達して初めて成長する。従つて、本発明によれば、平
均粒径100μｍ以上の立方晶窒化ほう素粒子からなり、1
0W/cm・Ｋ以上の常温熱伝導率を有する高熱伝導率性cBN
焼結体を製造することができる。
いて500℃／分以上とするものである。このため、昇温
途中ではcBN結晶粒子はほとんど成長せず、保持温度に
到達して初めて成長する。従つて、本発明によれば、平
均粒径100μｍ以上の立方晶窒化ほう素粒子からなり、1
0W/cm・Ｋ以上の常温熱伝導率を有する高熱伝導率性cBN
焼結体を製造することができる。
以下、実施例および比較例をあげてさらに具体的に説
明する。
明する。
実施例１〜５ 比較例１〜２ 三塩化ほう素とアンモニアを原料ガスとして、圧力3T
orr、温度1940℃、蒸着速度100μm/hrとして1mm厚のＰ
−BN板を析出させた。このＰ−BNの格子定数（Co）をＸ
線回折測定により測定したところ、6.82Åであつた。ま
た金属不純物量を発光分析により測定したところ、Siお
よびMgが1ppmずつ検出された以外はいかなる金属も検出
されなかつた。
orr、温度1940℃、蒸着速度100μm/hrとして1mm厚のＰ
−BN板を析出させた。このＰ−BNの格子定数（Co）をＸ
線回折測定により測定したところ、6.82Åであつた。ま
た金属不純物量を発光分析により測定したところ、Siお
よびMgが1ppmずつ検出された以外はいかなる金属も検出
されなかつた。
このＰ−BN板から直径12mm、厚さ1.5mmの円板を作製
し、これを窒化マグネシウム（Mg3N2）粉末中に埋め込
み、窒素気流中1250℃で５時間保持し、Mg3BN30.7モル
％を拡散含有させた。これを原料として、ベルト型装置
を用い、表１に示す高温高圧処理条件下で30分間保持し
てcBN焼結体を製造した。得られた焼結体について、外
観観察、Ｘ線回折測定による生成相の同定、顕微鏡観察
による粒径の測定、定常法熱伝導率測定装置（理学電機
社製、TS/Lλ−8550型）による常温（25℃）熱伝導率の
測定を実施した。それらの結果を表１に示す。
し、これを窒化マグネシウム（Mg3N2）粉末中に埋め込
み、窒素気流中1250℃で５時間保持し、Mg3BN30.7モル
％を拡散含有させた。これを原料として、ベルト型装置
を用い、表１に示す高温高圧処理条件下で30分間保持し
てcBN焼結体を製造した。得られた焼結体について、外
観観察、Ｘ線回折測定による生成相の同定、顕微鏡観察
による粒径の測定、定常法熱伝導率測定装置（理学電機
社製、TS/Lλ−8550型）による常温（25℃）熱伝導率の
測定を実施した。それらの結果を表１に示す。
実施例６〜８ 高温高圧処理条件を表２に示す条件にしたこと以外は
実施例１〜５と同様にしてcBN焼結体を製造し、物性を
測定した。それらの結果を表２に示す。
実施例１〜５と同様にしてcBN焼結体を製造し、物性を
測定した。それらの結果を表２に示す。
比較例３、４ 酸化ほう素（B2O3）粉末とメラミン（C3N6H6）粉末を
モル比で3:1の割合で混合した粉末を、窒素雰囲気下で1
200℃に加熱してhBN粉末を製造した。hBN粉末のｃ軸方
向の格子定数（C0）を測定したところ、6.95Åで結晶性
の低いhBNであることが判つた。この粉末をMo製カプセ
ルに充填しベルト型装置を用い、表２に示す高温高圧処
理条件下で30分間保持してcBN焼結体を製造した。得ら
れた焼結体について実施例と同様にして物性を測定し
た。それらの結果を表２に示す。
モル比で3:1の割合で混合した粉末を、窒素雰囲気下で1
200℃に加熱してhBN粉末を製造した。hBN粉末のｃ軸方
向の格子定数（C0）を測定したところ、6.95Åで結晶性
の低いhBNであることが判つた。この粉末をMo製カプセ
ルに充填しベルト型装置を用い、表２に示す高温高圧処
理条件下で30分間保持してcBN焼結体を製造した。得ら
れた焼結体について実施例と同様にして物性を測定し
た。それらの結果を表２に示す。
比較例５ 比較例３と同じhBN粉末に、AlN粉末をモル比で4:1の
割合で混合した。この粉末をMo製カプセルに充填しベル
ト型装置を用い、表２に示す高温高圧処理条件下で30分
間保持してcBN焼結体を製造した。得られた焼結体につ
いて実施例と同様にして物性を測定した。それらの結果
を表２に示す。
割合で混合した。この粉末をMo製カプセルに充填しベル
ト型装置を用い、表２に示す高温高圧処理条件下で30分
間保持してcBN焼結体を製造した。得られた焼結体につ
いて実施例と同様にして物性を測定した。それらの結果
を表２に示す。
実施例９、比較例６ 実施例３のcBN焼結体を1mm×1mm×0.5mmの角板に加工
し、ニツケルと金を500Åずつスパツタリングでコーテ
イングしてヒートシンクとして完成した。このヒートシ
ンク上に半導体レーザ素子をはんだ付けし、リード線を
接続した。この半導体レーザに電流を200mA流し、素子
の表面温度を測定した。比較例６として、比較例１のcB
N焼結体を用いて同様に表面温度を測定したところ、実
施例９のほうが比較例１よりも約20℃低いことが判つ
た。
し、ニツケルと金を500Åずつスパツタリングでコーテ
イングしてヒートシンクとして完成した。このヒートシ
ンク上に半導体レーザ素子をはんだ付けし、リード線を
接続した。この半導体レーザに電流を200mA流し、素子
の表面温度を測定した。比較例６として、比較例１のcB
N焼結体を用いて同様に表面温度を測定したところ、実
施例９のほうが比較例１よりも約20℃低いことが判つ
た。
実施例10、比較例７ 実施例１の焼結体を用い、刃先ノーズ半径1.0mm、す
くい角０゜の切削加工用バイトを作製した。これを用い
てステンレス鋼（SUS316）を被削材として、切削速度18
0m/分、送り量５μm/rev、切込み２μｍ、切削距離100m
の切削条件で切削した。切削後、被削材の表面粗さを測
定したところ、最大粗さ（Rmax）が0.03μｍであつた。
くい角０゜の切削加工用バイトを作製した。これを用い
てステンレス鋼（SUS316）を被削材として、切削速度18
0m/分、送り量５μm/rev、切込み２μｍ、切削距離100m
の切削条件で切削した。切削後、被削材の表面粗さを測
定したところ、最大粗さ（Rmax）が0.03μｍであつた。
比較のため、市販のcBN焼結体工具（粒径３μｍ）を
用いて同一切削条件で切削した。切削後、被削材のRmax
を測定したところ、0.08μｍであつた。
用いて同一切削条件で切削した。切削後、被削材のRmax
を測定したところ、0.08μｍであつた。
本発明のcBN焼結体は、平均粒径が大きい。従つて超
精密切削工具に用いると鋭利な切れ刃が得られるので、
高精度の切削性能を長期にわたり持続する。さらに本発
明のcBN焼結体は高熱伝導性である。従つて高出力半導
体レーザ用ヒートシンクに用いると、安定した高い放熱
特性を長期にわたり持続する。
精密切削工具に用いると鋭利な切れ刃が得られるので、
高精度の切削性能を長期にわたり持続する。さらに本発
明のcBN焼結体は高熱伝導性である。従つて高出力半導
体レーザ用ヒートシンクに用いると、安定した高い放熱
特性を長期にわたり持続する。
本発明のcBN焼結体の製造方法によれば、穏やかな高
温高圧処理条件下において、平均粒径が大で熱伝導率の
高いcBN焼結体を製造することができる。
温高圧処理条件下において、平均粒径が大で熱伝導率の
高いcBN焼結体を製造することができる。
Claims (2)
- 【請求項１】平均粒径100μｍ以上の立方晶窒化ほう素
粒子からなり、10W/cm・Ｋ以上の常温熱伝導率を有する
ことを特徴とする立方晶窒化ほう素焼結体。 - 【請求項２】熱分解窒化ほう素成形体にアルカリ金属も
しくはアルカリ土類金属の窒化物もしくはほう窒化物を
0.1〜５モル％の割合で拡散含有させ、これを立方晶窒
化ほう素の熱力学的安定条件下に、５万気圧以上の圧力
および1500℃以上の温度で立方晶窒化ほう素に変換する
方法において、 1300℃以上の温度における昇温速度を 500℃／分以上とすることを特徴とする立方晶窒化ほう
素焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63318573A JP2721525B2 (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 立方晶窒化ほう素焼結体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63318573A JP2721525B2 (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 立方晶窒化ほう素焼結体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02164774A JPH02164774A (ja) | 1990-06-25 |
| JP2721525B2 true JP2721525B2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=18100643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63318573A Expired - Lifetime JP2721525B2 (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 立方晶窒化ほう素焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2721525B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000042823A (ja) * | 1998-05-26 | 2000-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | フライス用切削工具とその製造方法 |
| WO2007039944A1 (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-12 | Sumitomo Electric Hardmetal Corp. | 高品位高能率加工用切削工具およびそれを用いた切削加工方法 |
-
1988
- 1988-12-19 JP JP63318573A patent/JP2721525B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02164774A (ja) | 1990-06-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0811708A2 (en) | Single crystal of nitride and process for preparing it | |
| JPH11246271A (ja) | 立方晶窒化ホウ素焼結体およびその製造方法 | |
| JP2721525B2 (ja) | 立方晶窒化ほう素焼結体およびその製造方法 | |
| KR20220038898A (ko) | 입방정 질화붕소 분말 및 이의 제조방법 | |
| EP0407946B2 (en) | Cubic boron nitride sintered compact and method of preparing the same | |
| US4772575A (en) | Method of manufacturing sintered compact of cubic boron nitride | |
| TW200526795A (en) | Ceramic sintered compact, method for producing ceramic sintered compact, exothermic element for vapor deposition of metal | |
| JP4110339B2 (ja) | 立方晶窒化ホウ素焼結体 | |
| JP4110338B2 (ja) | 立方晶窒化ホウ素焼結体 | |
| JP3223275B2 (ja) | 立方晶窒化ホウ素焼結体の製造方法 | |
| JPS6213311B2 (ja) | ||
| JP2726693B2 (ja) | 高熱伝導性炭化珪素焼結体及びその製造方法 | |
| JPH0432033B2 (ja) | ||
| JPH0481521B2 (ja) | ||
| JPH0477612B2 (ja) | ||
| JPH07121835B2 (ja) | 立方晶窒化ホウ素被覆体 | |
| JPS62108716A (ja) | 立方晶窒化ほう素の製造方法 | |
| JPS62108718A (ja) | 立方晶窒化ほう素焼結体の製造方法 | |
| JPS6345175A (ja) | 立方晶窒化硼素焼結体の製造方法 | |
| JP2628668B2 (ja) | 立方晶窒化ほう素焼結体 | |
| JP2001179508A (ja) | 切削工具 | |
| JPH0524922A (ja) | ダイヤモンド含有高硬度高密度複合焼結体及びその製造法 | |
| JP2938500B2 (ja) | 立方晶窒化ほう素焼結体用原料の製造方法 | |
| JPH0445474B2 (ja) | ||
| JPH08189B2 (ja) | 立方晶窒化ほう素の製造方法 |