JPS62241389A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS62241389A JPS62241389A JP8476186A JP8476186A JPS62241389A JP S62241389 A JPS62241389 A JP S62241389A JP 8476186 A JP8476186 A JP 8476186A JP 8476186 A JP8476186 A JP 8476186A JP S62241389 A JPS62241389 A JP S62241389A
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- semiconductor laser
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F3/00—Optical logic elements; Optical bistable devices
- G02F3/02—Optical bistable devices
- G02F3/026—Optical bistable devices based on laser effects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光通信や光情報処理装置に用いられる半導体
レーザ装置に関するものである。
レーザ装置に関するものである。
（従来の技術）
近年、半導体レーザ装置は、光ファイバを伝送路とする
光通信、コンパクトディスクをはじめとする光ディスク
の信号の記録再生、そしてレーザプリンタの光源にと、
光産業において中心的な役割を果たしている。
光通信、コンパクトディスクをはじめとする光ディスク
の信号の記録再生、そしてレーザプリンタの光源にと、
光産業において中心的な役割を果たしている。
ところで、現在実用化に入っている光通信は、電気信号
を光信号に変換して伝送するだけで、基本的には従来の
電気通信と変わりはない。従って次の段階としては、光
によるシステムの制御が考えられる。即ち光自体によっ
て増幅や波形整形。
を光信号に変換して伝送するだけで、基本的には従来の
電気通信と変わりはない。従って次の段階としては、光
によるシステムの制御が考えられる。即ち光自体によっ
て増幅や波形整形。
記憶、演算などを行なうことが課題となる。この方式を
用いると、高速大容量の光情報伝送や処理システムをも
たらす可能性があり、注目されている。
用いると、高速大容量の光情報伝送や処理システムをも
たらす可能性があり、注目されている。
さて、このようなシステムを構成する機能デバイスの一
つに、光入出力間でヒステリシス特性を持つ光双安定素
子がある。この素子は、光学的に非線形応答を示す媒質
と帰還機構とを組み合せることにより構成することがで
きる。
つに、光入出力間でヒステリシス特性を持つ光双安定素
子がある。この素子は、光学的に非線形応答を示す媒質
と帰還機構とを組み合せることにより構成することがで
きる。
（発明が解決しようとする問題点）
帰還を光で行ない、利得を有し、しかも集積化に適した
索子は、半導体レーザ共振器内に、透過率が非線形な可
飽和吸収体を設ける構造が適している。
索子は、半導体レーザ共振器内に、透過率が非線形な可
飽和吸収体を設ける構造が適している。
（問題点を解決するための手段）
半導体レーザ内の共振器方向に、電流注入を独立して行
なえるように電気的に分離した領域を並置する。
なえるように電気的に分離した領域を並置する。
（作 用）
電気的に分離した領域の注入電流を制御することにより
、励起領域と非励起領域を共振器内に設ける。そして非
励起領域を過飽和吸収体として作用させることにより、
レーザ出力に双安定性を実現することができる。
、励起領域と非励起領域を共振器内に設ける。そして非
励起領域を過飽和吸収体として作用させることにより、
レーザ出力に双安定性を実現することができる。
（実施例）
第１図は１本発明の一実施例の半導体レーザ索子の構造
を示したものである。ｐ−ＧａＡｓ基板１上に、電流阻
止のためのｎ−ＧａＡｓ層（Ｔｅドープ）２が形成され
ている。この層２には、メサ３の上にＶ字形の溝４が設
けられており、注入電流はこの溝４を通してＧａＡＱＡ
ｓ活性層５に流れ込み、レーザ発振が起こる。メサ３は
ＧａＡｓ基板１をエツチングして形成されるが、第１図
のＡとＢの２箇所でメサが分断されている。また、この
分断している位置で、ｔｌ！極（ｎ側オーミック電極）
６も分離している。
を示したものである。ｐ−ＧａＡｓ基板１上に、電流阻
止のためのｎ−ＧａＡｓ層（Ｔｅドープ）２が形成され
ている。この層２には、メサ３の上にＶ字形の溝４が設
けられており、注入電流はこの溝４を通してＧａＡＱＡ
ｓ活性層５に流れ込み、レーザ発振が起こる。メサ３は
ＧａＡｓ基板１をエツチングして形成されるが、第１図
のＡとＢの２箇所でメサが分断されている。また、この
分断している位置で、ｔｌ！極（ｎ側オーミック電極）
６も分離している。
電極を分離している溝７は、ｎ ＧａＡｓコンタクト
層（Ｔｅドープ）８を貫いてエツチングしているので。
層（Ｔｅドープ）８を貫いてエツチングしているので。
１１１７の両側の領域は電気的に分離される。即ち、基
板側の電極（ｐ側オーミック電極）９と電極６のそれぞ
れの部分とで独立して電流を注入することができる。
板側の電極（ｐ側オーミック電極）９と電極６のそれぞ
れの部分とで独立して電流を注入することができる。
第２図は１本実施例の作製工程の一部を示したものであ
る。
る。
（ａ） Ｐ ＧａＡｓ基板１上にメサ３をエツチン
グによって形成する。各部分の寸法は第２図（ａ）に示
す通りにする。なお、共振器長は２００μＩ１１〜４０
０μｍ、共振器端面のメサが分断されている部分は３０
μｍ〜１００ｐ１１が適当である。
グによって形成する。各部分の寸法は第２図（ａ）に示
す通りにする。なお、共振器長は２００μＩ１１〜４０
０μｍ、共振器端面のメサが分断されている部分は３０
μｍ〜１００ｐ１１が適当である。
（ｂ） ｎ−ＧａＡｓ層２を液相エピタキシャル成長
で、メサが埋まり、表面が平らになるように成長させる
。
で、メサが埋まり、表面が平らになるように成長させる
。
（ｃ） エツチングによって、溝４とリッジｌＯを形
成する。このあと、２回目の液相成長を行ない。
成する。このあと、２回目の液相成長を行ない。
活性層５を含むダブルヘテロｐ−ｎ接合を成長させる。
そして、電極６を蒸着してから溝７をエツチングし、電
気的に分離する。
気的に分離する。
第３図は１本実施例の半導体レーザ装置の双安定特性を
示したものである。第３図（ａ）に駆動方法を示す。中
央の領域を励起領域とし、注入電流を工とした。また１
両側の領域は並列にして、その部分の注入電流を工′と
した。第３図（ｂ）、ＣＱ）に、電流駆動による双安定
性の特性を示す。励起領域の電流Ｉと光出力りの間にヒ
ステリシスが現れ、ヒステリシスループ中の電流値にお
いて双安定性が見られる。ヒステリシスループの電流値
及び光出力は、非励起部分の電流■′によって制御する
ことができる。また、外部光注入によっても光出力の０
Ｎ１０ＦＦをさせることができる。この場合は。
示したものである。第３図（ａ）に駆動方法を示す。中
央の領域を励起領域とし、注入電流を工とした。また１
両側の領域は並列にして、その部分の注入電流を工′と
した。第３図（ｂ）、ＣＱ）に、電流駆動による双安定
性の特性を示す。励起領域の電流Ｉと光出力りの間にヒ
ステリシスが現れ、ヒステリシスループ中の電流値にお
いて双安定性が見られる。ヒステリシスループの電流値
及び光出力は、非励起部分の電流■′によって制御する
ことができる。また、外部光注入によっても光出力の０
Ｎ１０ＦＦをさせることができる。この場合は。
ある出力のバイアス光を双安定レーザの端面に入射させ
ておき、その条件下で励起電流工を調節し、双安定レー
ザをヒステリシスループ内にバイアスする。この状況を
第４図（ａ）に示す。そしてバイアス光に正負の光パル
スを重畳させることにより、双安定レーザをトリガする
ことができる。第４ｒｇ（ｂ）には、光パルスにより、
双安定レーザの光出力を０Ｎ１０ＦＦさせる光メモリー
としての動作例を示している。
ておき、その条件下で励起電流工を調節し、双安定レー
ザをヒステリシスループ内にバイアスする。この状況を
第４図（ａ）に示す。そしてバイアス光に正負の光パル
スを重畳させることにより、双安定レーザをトリガする
ことができる。第４ｒｇ（ｂ）には、光パルスにより、
双安定レーザの光出力を０Ｎ１０ＦＦさせる光メモリー
としての動作例を示している。
（発明の効果）
以上説明したように１本発明によれば、簡単な構成で双
安定レーザを実現することができ、光論理回路や光メモ
リーを作製する上で非常に有効である。
安定レーザを実現することができ、光論理回路や光メモ
リーを作製する上で非常に有効である。
第１図は１本発明の一実施例における半導体レーザ装置
の構造を示す斜視図、第２図は、同実施例の作製工程の
一部を示す斜視図、第３図は、双安定特性を示す駆動図
及び特性図、第４図は、光メモリとしての機能を示す図
である。 ｌ −ｐ −ＧａＡｓ基板、 ２− ｎ −ＧａＡｓ
層、３・・・メサ、 ４・・・溝、 ５・・・活性層、
６・・・電極、 ７・・・溝、 ８・・・コンタク１
一層、９・・・電極、 ＩＯ・・・リッジ６ 特許出願人 松下電器産業株式会社 ４＠ ＠ 鉄 」 賢 ヱ暉 二 ε 翫 ｋ く哀−（）シシ
の構造を示す斜視図、第２図は、同実施例の作製工程の
一部を示す斜視図、第３図は、双安定特性を示す駆動図
及び特性図、第４図は、光メモリとしての機能を示す図
である。 ｌ −ｐ −ＧａＡｓ基板、 ２− ｎ −ＧａＡｓ
層、３・・・メサ、 ４・・・溝、 ５・・・活性層、
６・・・電極、 ７・・・溝、 ８・・・コンタク１
一層、９・・・電極、 ＩＯ・・・リッジ６ 特許出願人 松下電器産業株式会社 ４＠ ＠ 鉄 」 賢 ヱ暉 二 ε 翫 ｋ く哀−（）シシ
Claims (2)
- （１）メサを有する一導電型の半導体基板上に、前記一
導電型とは反対導電型の層が積層され、前記反対導電型
の層は前記メサ上に、メサと平行な溝とその溝の両側に
それぞれリッジが形成されており、さらにその上にダブ
ルヘテロ接合を有するエピタキシャル成長層、及びコン
タクト層を介してオーミック電極が順次積層され、共振
器の両方又は片方の端面近傍において、前記メサが分断
され、かつその分断位置と一致して前記オーミック電極
及びコンタクト層が分断されていることを特徴とする半
導体レーザ装置。 - （２）共振器長が２００μｍ以上４００μｍ以下で、共
振器端面近傍のメサの分断長さが３０μｍ以上１００μ
ｍ以下であることを特徴とする特許請求の範囲（１）項
記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8476186A JPS62241389A (ja) | 1986-04-12 | 1986-04-12 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8476186A JPS62241389A (ja) | 1986-04-12 | 1986-04-12 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62241389A true JPS62241389A (ja) | 1987-10-22 |
Family
ID=13839665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8476186A Pending JPS62241389A (ja) | 1986-04-12 | 1986-04-12 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62241389A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7515624B2 (en) | 2002-11-11 | 2009-04-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser, semiconductor laser driver and method of driving semiconductor laser reducing feedback-induced noise by modulated optical output |
-
1986
- 1986-04-12 JP JP8476186A patent/JPS62241389A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7515624B2 (en) | 2002-11-11 | 2009-04-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser, semiconductor laser driver and method of driving semiconductor laser reducing feedback-induced noise by modulated optical output |
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