JPS62237329A - 照度センサ - Google Patents

照度センサ

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JPS62237329A
JPS62237329A JP62075774A JP7577487A JPS62237329A JP S62237329 A JPS62237329 A JP S62237329A JP 62075774 A JP62075774 A JP 62075774A JP 7577487 A JP7577487 A JP 7577487A JP S62237329 A JPS62237329 A JP S62237329A
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JP62075774A
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アラン ピロ
マルセル グラッセン
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Societe Francaise dEquipements pour la Navigation Aerienne SFENA SA
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    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
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    • G01MEASURING; TESTING
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    • G01J1/02Details
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は広い照度範囲、例えば2000001LIX 
 (ルクス)の範囲において照度に比例した電気的情報
を発生すべくなされた照度センサに関する。
背景技術 一般的に、照度を測定する装置は、通常、例えば、フォ
トダイオード若しくはフォトトランジスタの4口き光電
素子からなるか、若しくはこれらを用いたセンサを冑す
る。
今日においては、かかる装置を作るために該光電素子か
用いられるが、該光電素子は、しばしば、多くの欠点を
をする。かかる欠点のうちの第1の欠点は、照度の関数
として該センサによって発生せしめられる信号が非直線
性であり、該非直線性のため、該センサの下段において
比較的複雑で且つ高価な直線化回路を使用する必要があ
ることである。第2の欠点は、照度が増すと該光電素子
は極めて急速に飽和し、これによって該光電素子が7I
lll定できる照度範囲が限定される点である。第3の
欠点は該光電素子の開口角が極めて狭く、該開口角を拡
げることを目的として広角光学装置、あるいは光学案内
回路を用いなければならなくなる点である。
発明の目的 本発明はかかる欠点を解消すべく、極めて構造か簡単で
あり1つ低順なセンサの構造を提供することを目的とす
る。
発明の要点 本発明によるセンサは、特に、半透明材料から形成され
且つ測定さるべき光線に対して露呈される底部を釘する
スリーブと、該スリーブ内に配設され且つ該スリーブの
底部に対して連設された受光面を有する光電素子と、該
光電素子と該スリーブとを接合する手段とを有する。
該センサにおける該底部は、該半透明材料の拡散特性に
よって、入射光を該光電素子の光電的視野内における無
限遠光源に変換する役割を果す。
これによって、光電素子の開口角に関する問題点が解決
される。
従って、90°に近い入射角を有する光線によって発生
される照度を測定することが、平坦な外周1mを一qす
る底部の場合において可能となる。
従って、凸形状例えば、円錐形若しくは球形の外側の面
を有する底部を用いることによって著しく改良された結
果が得られる。
更に、凸形状外側の而と凹形状内側の面とからなる凹凸
形状の底部を用いることによって、拡散光か該光電素子
の感光面上に集光せしめられる。
史に、該底部によって拡散された光線を捕集することに
よって該センサの性能を改良することかできる。この目
的のために、該スリーブの内壁、少なくとも該底部と該
光電素子との間の領域を光学的反射部Hによって被覆す
ることかできる。
該底部に配設される物質の厚みによって、入射光線に対
する該拡散光の減衰率が決定されることは重要である。
従って、該減衰率は該光電素子の飽和を防止して該光電
素子の応答が照度の関数として直線的に変化する領域に
おいて該光電素子が動作することを保証すべく配設され
るのである。
上記の理由から、本発明は底部が比較的分厚いスリーブ
を提供し、該底部の厚みは調整され且つ所望の使用法に
合うようにユーザによって機械加工される。
本発明の他の特徴に従って、該光電素子を該スリーブ内
に固定する手段は、例えば、エラストマの如き透明材料
からなる被覆から形成され、少なくとも該光電素子及び
その接続部材と該スリーブとの間の自由な容積が該被覆
によって満たされる。
該被覆は、かかる固定機能に加えて、該スリーブの底部
と、一般的に、該光電素子の感光部に対して連設される
該光電素子の窓との間の光学的連続性を提供する。
該被覆の屈折率は該窓を形成する透明材料の屈折率と略
等しくなるように選ばれるのが有利である。
実施例 第1図に示すように、フォトトランジスタ1はケース3
に囲繞された半導体2からなり、ケース3は光線に感応
する半導体素子2の受光面に対して連設された窓4を有
する。窓4はガラスをインサートして形成され、その外
側の面は凸状である。
半導体素子2は、更に、図に示した実施例においては、
正電圧源6、例えば15Vに接続されたコレクタ電極5
と、例えば720Ωの抵抗8を介して接地されているエ
ミッタ電極7とを有する。
第2図は0から200000Iuxまで変化する照度に
対してフォトトランジスタ1内を流れる電流1cの変化
を示す曲線8′を示している。第2図から明らかなよう
に、電流Icは零から始まって直線的に急速に増加し2
5000Iuxの照度において約15mAに達する。曲
線8′はこの値において弯曲し、次に、電流ICは21
00001uxの照度範囲まで20mAのレベルに安定
せしめられる。該電流値の安定はフォトトランジスタ1
の飽和現象によるものである。該飽和現象のために、フ
ォトトランジスタ1は限られた照度範囲、すなわち、こ
の場合には0から25000Luxの範囲においてしか
直接使用することができないことが明らかである。
第3図に示す曲線9から明らかなように、該センサにお
ける電流1cの50%の減衰率(δ−Ic/I頓)に対
する開口角θは極めて小さい(±18°)。
第4図に示すセンサはこれらの3つの欠点を全て解消す
るものである。
該センサは円筒形断面を有するスリーブ内に装管された
第1図に示すタイプのフォトトランジスタ10を有し、
該スリーブの底部12は厚さがeであり且つ円錐形の凸
面13と同じく円錐形の内側四面14とを有する。明ら
かに、スリーブ11の大きさは用いられるフォトトラン
ジスタの大きさに依存する。従って、一般的に使用され
るフォトトランジスタ、例えばRTC社によって商品化
されたBPX31タイプのフォトトランジスタの場合に
は、スリーブ11の外径は3.4mmであり、長さは1
0mm以下である。既に延べたように、スリーブ11は
光線の拡散性が高い半透明物質によって形成することが
できる。スリーブ11は該センサを機械的に保護するの
に十分な堅牢性ををする。更に、スリーブ11は光学的
特性が変化しないぐらい腐食に対して充分強く且つ不活
性である。
更に、スリーブ11の底部12は受光領域を形成し、全
ての光学的部品と同様に完全に清掃されていなければな
らないが、スリーブ11の耐腐食強度及び腐食進行度は
、底部12の外表面の清帰剤に光学的特性が変化するこ
となく充分耐える程度でなければならない。
デュポン社によって商品化された「デルリン」という白
い半透明プラスチック材料によって極めて良好な結果が
得られる。
該センサにおいては、フォトトランジスタ10と電気計
dl11回路との間の電気的接続はフォトトランジスタ
10のエミッタとコレクタに各接続された導線15.1
6によってなされ、導線15.16はスリーブ11内を
軸方向に伸長せしめられ且つ底部12の反対側開口部1
7を介して外に出ている。
フォトトランジスタ10はスリーブ11内に配設された
導線15.16と共に透明プラスチック何科18、例え
ばフォトトランジスタ10の窓を形成するガラス・イン
サート20に近い屈折率を有するエラストマによって被
覆されることによって保持される。
かかるエラストマによって被覆する目的は単に機械的機
能のためだけではない。
実際、これによって該センサの完全なシールもなされる
のである。更に、該エラストマ被覆によってフォトトラ
ンジスタ10の受光面と底部12間の容積が埋められて
底部12によって拡散せしめられた光学的放射線の連続
性か確保される。特に、もし該容積の屈折率が異なる場
合(例えば譲容積が空洞である場合)には、その光学的
不連続性によってフォトトランジスタ10のインサート
20の表面において該光学的放射線が影響されるか、か
かる影響が上記光学的連続性によって防止される。 第
4図に示すセンサの場合、底部]2の外側の而13にお
ける円錐形の頂角は該センサの開口角を出来るだけ大き
くすべく略240°になされている。
上記のセンサの特性を第5図及び第6図に示す。
第5図は電流1c(曲線22)は照度Eの関数として直
線間に従うことを示しており、該直線性は200000
 l ux以上の照度に対しても維持される。
更に、第6図から明らかなように、電流Icの5096
減衰に対する開口角は±60°に増加せしめられ、一方
、有効角度は±90°に維持され且つその場合の減衰率
(曲線23)は75%である。
また、スリーブ11が円筒形であることによって、該セ
ンサの装着は極めて簡素化される。図から明らかなよう
に、スリーブ11は、例えば担持構造24における対応
する直径を有する孔に容易に嵌合せしめられる。
言うまでもなく、本発明は上記の形状のスリーブに限定
されるものではない。
従って、該スリーブの外側の面は第7図において実線(
参照符号25)によって示すように平坦であってもよい
。第6図において破線にて示した曲線26から明らかな
ように、かかる平坦な面を有するセンサにおいては、性
能は低下するけれども高入射角の場合には重要である。
更に、該スリーブの底部を比較的分厚く (該スリーブ
の厚みの数倍程度に)してもよく、これによって、ユー
ザは口論み通りの応用方法を得ることができる。第7図
においては、かかる分厚くなれた底部が破線にて示され
ている(参照符27)。
特に、オペレータは該底部の厚さを、例えば、破線28
て示す厚さに調整して所望の減衰率を得ることができる
言うまでもなく、オペレータは担持部の前面を連続形状
とし且つ該センサが担持面から突出したり凹んたりしな
いようにすべく、該底部を調整することかできる。
従って、第7図においては破線で示された曲線2つは該
担Fjj部(同様に、破線にて図示)の前面の30の曲
率に適した該底部の外径を示す。
第8図に示す実施例においては、フォトトランジスタ1
0と底部12との間に配設されたスリーブ32の内側円
筒面31は反射コーティング33によって被覆され、フ
ォトトランジスタ10の受光面−Lに底部12によって
拡散された光線の一部が反射コーティング33によって
反射される。
以上のごとく、本発明によるセンサは特に極めて厳密な
環境状態の元で使用できる点、小型であること及びその
外形形状、構造及び使用方法が簡単である点、センサ感
度が所望の照度様式に容易に適合し得る点、開口角は多
少減少せしめられるものの、許容適応範囲内に維持され
る程度に該センサの端部形状を形成し得る点において特
に有利である。
結果として、該センサは高度な技術分野においてのみな
らず、一般的な分野においても用いることかできる。
【図面の簡単な説明】 第1図は従来のフォトトランジスタの組立品を示す図で
あり、第2図及び第3図は各、従来のフオドトランジス
タの応用曲線を照度の関数として示したグラフ及び減衰
率を光線の入射角の関数として示したグラフであり、第
4図は本発明によるセンサの軸方向の断面図であり、第
5図及び第6図は第4図に示したセンサの性能を示した
第2図及び第3図と同様のグラフであり、第7図及び第
8図は本発明によるセンサの構造の変形例を軸方向断面
によって示した図である。 −主要部分の符号の説明 1.10・・・・・・フォトトランジスタ2・・・・・
・半導体素子   3・・・・・・ケース4・・・・・
・窓       5・・・・・・コレクタ電極7・・
・・・・エミッタ電極 8・・・・・・抵抗     11・・・・・・スリー
ブ12・・・・・・底部     13・・・・・・凸
表面14・・・・・・内側凹面   15.16・・・
・・・導線17・・・・・・開口部 18・・・・・・透明プラスチック材料20・・・・・
・ガラス・インサート

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1) 広い照度範囲に亘って照度に比例した電気的情
    報を発生すべくなされた照度センサであり、半透明材料
    から形成され且つ照度測定さるべき光線に露呈される底
    部を有するスリーブと、前記スリーブ内に配設され且つ
    前記底部に対して連設された受光面を有する光電素子と
    、前記光電素子と前記スリーブとを接合する手段とから
    なる照度センサ。 (2) 前記底部の外側の面が平坦若しくは凸形状であ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のセンサ
    。 (3) 前記底部の外側の面が円錐形若しくは球形であ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項及び第2項の
    うちいずれか1つに記載のセンサ。(4) 前記底部の
    内側の面が凹形状であることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項ないし第3項のうちのいずれか1つに記載のセ
    ンサ。 (5) 前記底部が凸形状外面と凹形状内面とからなる
    凹凸形状になされていることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項ないし第4項のうちのいずれか1つに記載のセ
    ンサ。 (6) 前記底部の厚さが調整自在であることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項ないし第5項のうちのいずれ
    か1つに記載のセンサ。 (7) 前記底部は前記スリーブの厚さの数倍の厚さを
    有し、ユーザが切断及び/または機械加工によって加工
    できるようになされていることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項ないし第6項のうちのいずれか1つに記載の
    センサ。 (8) 前記底部によって拡散された光線を捕集するた
    めの手段を有することを特徴とする特許請求の範囲第1
    項ないし第7項のうちのいずれか1つに記載のセンサ。 (9) 前記拡散光捕集手段は前記スリーブ内における
    前記光電素子と前記底部との間に配設された少なくとも
    1つの光学的反射部材からなることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項ないし第8項のうちのいずれか1つに記
    載のセンサ。 (10) 前記スリーブ内に前記光電素子を固定するた
    めの前記手段は透明プラスチック材料から形成された被
    覆からなることを特徴とする特許請求の範囲第1項ない
    し第9項記載のセンサ。(11) 前記プラスチック材
    料がエラストマであることを特徴とする特許請求の範囲
    第10項記載のセンサ。 (12) 前記プラスチック材料は前記光電素子の透明
    な窓と略等しい屈折率を有することを特徴とする特許請
    求の範囲第10項及び第11項のうちのいずれか1つに
    記載のセンサ。 (13) 前記スリーブを形成する材料が半透明プラス
    チック材料であることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項ないし第12項のうちの1つに記載のセンサ。 (14) 前記プラスチック材料が白い「デルリン」で
    あることを特徴とする特許請求の範囲第13項記載のセ
    ンサ。 (15) 前記光電素子がフォトトランジスタであるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第14項の
    うちのいずれか1つに記載のセンサ。
JP62075774A 1986-03-28 1987-03-27 照度センサ Pending JPS62237329A (ja)

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FR8604526 1986-03-28
FR8604526A FR2596516B1 (fr) 1986-03-28 1986-03-28 Capteur d'eclairement perfectionne

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US (1) US4795899A (ja)
EP (1) EP0239443B1 (ja)
JP (1) JPS62237329A (ja)
DE (1) DE3786576T2 (ja)
FR (1) FR2596516B1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011040026A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 パナソニック株式会社 冷蔵庫

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2072800B1 (es) * 1992-07-17 1996-02-16 Corral Enrique Gallar Regulador de intensidad de arco en tubos fluorescentes.
DE4407792C1 (de) * 1994-03-09 1995-07-13 Nat Rejectors Gmbh Vorrichtung zur optischen Prüfung von Münzen
US6393927B1 (en) * 1995-03-24 2002-05-28 Li-Cor, Inc. Method and apparatus for real-time determination and application of nitrogen fertilizer using rapid, non-destructive crop canopy measurements
DE19624494A1 (de) * 1996-06-19 1998-01-02 Sick Ag Sensoranordnung

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4946782B1 (ja) * 1971-06-29 1974-12-12
JPS6059125B2 (ja) * 1983-06-18 1985-12-24 豊田合成株式会社 合成樹脂成形装置
JPS62212531A (ja) * 1986-03-06 1987-09-18 フュージョン・システムズ・コーポレーション 光の強さをモニタする装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1028357B (de) * 1955-03-22 1958-04-17 Patra Patent Treuhand Beleuchtungsmesservorsatz fuer cos-richtige Beleuchtungsstaerkemessungen
FR1355752A (fr) * 1963-02-07 1964-03-20 Détecteur d'éclairs nucléaires
CH408211A (de) * 1963-09-27 1966-02-28 Landis & Gyr Ag Fühler für eine lichtelektrische Schalteinrichtung
DE1240295B (de) * 1964-02-06 1967-05-11 Kodak Ag Vorrichtung zur Belichtungsmessung mit einer Fotozelle und einem das vom zu fotografierenden Objekt einfallende Licht integrierenden Diffusor
US3709615A (en) * 1969-02-28 1973-01-09 Calumet Photographic Inc Integrating light meter with movable meter mechanism
US3880528A (en) * 1973-07-02 1975-04-29 Tektronix Inc Light probe
FR2262794A1 (en) * 1974-02-28 1975-09-26 Scit Photosensitive element light reception adjuster - has translucent or transparent screw with opaque head in light path
DE2654465C3 (de) * 1976-12-01 1981-12-03 Erwin Sick Gmbh Optik-Elektronik, 7808 Waldkirch Mischkammer in Form eines innen verspiegelten optischen Kanals
US4178101A (en) * 1977-03-16 1979-12-11 Booth Charles R Scalar irradiance meter

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4946782B1 (ja) * 1971-06-29 1974-12-12
JPS6059125B2 (ja) * 1983-06-18 1985-12-24 豊田合成株式会社 合成樹脂成形装置
JPS62212531A (ja) * 1986-03-06 1987-09-18 フュージョン・システムズ・コーポレーション 光の強さをモニタする装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011040026A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 パナソニック株式会社 冷蔵庫

Also Published As

Publication number Publication date
DE3786576D1 (de) 1993-08-26
EP0239443B1 (fr) 1993-07-21
FR2596516A1 (fr) 1987-10-02
US4795899A (en) 1989-01-03
FR2596516B1 (fr) 1988-06-10
DE3786576T2 (de) 1994-01-05
EP0239443A3 (en) 1990-02-07
EP0239443A2 (fr) 1987-09-30

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