JPS62236055A - Eeprom機密保持回路 - Google Patents

Eeprom機密保持回路

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Publication number
JPS62236055A
JPS62236055A JP61079710A JP7971086A JPS62236055A JP S62236055 A JPS62236055 A JP S62236055A JP 61079710 A JP61079710 A JP 61079710A JP 7971086 A JP7971086 A JP 7971086A JP S62236055 A JPS62236055 A JP S62236055A
Authority
JP
Japan
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data
input
reading
eeprom
rewriting
Prior art date
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Pending
Application number
JP61079710A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Hatakeyama
畠山 伸一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP61079710A priority Critical patent/JPS62236055A/ja
Publication of JPS62236055A publication Critical patent/JPS62236055A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電気的に消去可能な本揮発性半導体メモリ(以
下EEPROMと略す)に関するものである。
従来の技術 従来、E E F ROMは電気的にデータを容易に書
き替えることが出来、また任意にデータを読み出すこと
が出来る。
発明が解決しようとする問題点 このため、データの保持および機密保持上大きな欠陥が
ある。
特にICカード等に応用した場合、重大な問題となる。
本発明はEEPROMの機密保持、データの保持を保証
する手段を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段 本発明は上記問題点を解決するため、EEPROMメモ
リセル・トランジスタ・アレイに暗号記憶部を有し、か
つこの暗号データと入出力端子に与えられたデータとを
比較するデータ比較回路部を有し、またこの2つのデー
タが異なる場合データの書き替え、読み出しを禁止する
書き替え読み出し禁止回路を有するものである。
作  用 本発明は上記した構成により、暗号データと入出力端子
に与えられたデータとを比較してこの2つのデータが異
なる場合書き替え、読み出しを禁止する。
実施例 図は本発明実施例の機密保持、データ保持機能ヲ有スる
EEPROMの構成ブロック図を示す。
暗号データ記憶部を含んだEEPROMメモリ・セル・
アレイ部1.データ比較部2.書き替え読み出し禁止回
路部3.Xデコーダ部4.Yデコーダ部s、Yゲート部
e、入出力回路部7.制御回路部8.昇圧回路部9から
構成される。
暗号データ記憶部にはあらかじめ特定のデータが書き込
まれている。EEFROMメモリセルアレイ部1の書き
込み/消去および読み出しの各サイクルの前には入出力
端子I10φ〜7に暗号データを入力しなければならな
い。暗号データ記憶部に7.    記憶されているデ
ータと入出力端子に与えられたデータはデータ比較部に
よって比較され異なる場合は書き替え読み出し禁止回路
によって書き替え、読み出しが禁止される。2つのデー
タが等しい場合にのみ書き替え、読み出しが許可される
発明の効果 本発明によると、EEPROMメモリ・セル・アレイに
暗号記憶部を設け、入力されたデータと比較することに
より、2つのデータが異なる場合、データの書き替え、
読み出した禁止することによりEEPROMのデータの
保持、機密保持という効果を得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
図は本発明実施例の構成ブロック図である。 1・・・・・・EEPROMメモリ・セル・アレイ部、
2・・・・・・データ比較部、3・・・・・・書き替え
・読出し禁止回路、4・・・・・・Xデコーダ、5・・
・・・・Yデコーダ、6・・・・・・Yゲート、7・・
・・・・入出力回路、8・・・・・・制御回路、9・・
・・・・昇圧回路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電気的に消去可能な半導体不揮発性メモリ・セル・トラ
    ンジスタ・アレイに暗号記憶部を有するとともにこの暗
    号データと入出力端子に与えられたデータとを比較する
    データ比較回路部を有し、この2つのデータが異なる場
    合データの書き替え、読み出しを禁止する書き替え、読
    み出し禁止回路を有することを特徴とするEEPROM
    機密保待回路。
JP61079710A 1986-04-07 1986-04-07 Eeprom機密保持回路 Pending JPS62236055A (ja)

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