JPS6128144B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、リードオンメモリ（ROM）の記
憶情報保護回路に関するものである。

一般に、記憶情報を外部から読み取られたくな
いという場合がしばしば発生する。例えばROM
を内蔵したいわゆるワンタツチマイコン等におい
ては、一旦プログラム（データ）が正しくROM
に記憶されていることが確認されれば、あとはワ
ンタツチマイコン外部への続み出しは不要とな
る。従つて記憶情報の機密保護の立場からいえば
（例えば製品のデツドコピーを避けるため）、一旦
正しいことが確認されたプログラム（データ）は
外部に読み出せなくすることが望ましい。

この発明は上記の点にかんがみなされたもの
で、FAMOS（フローテイング・ゲート・アバラ
ンシエ・インジエクシヨンMOS）構造の消去可
能ROM（EPROM）セル群と、さらにそれとは
別個に同じくFAMOS構造のEPROMセルからな
るフラツグを設け、そのフラツグ内容（消去状
態、つまり導通状態にあるか、書き込み状態、つ
まり非導通状態にあるか）に従つて、EPROMセ
ル群の外部への読み取り動作を行うか否かを決め
るようにしたものであり、FAMOS構造の
EPROMセルが紫外線消去型であることを利用し
ている。

例えば上記フラツグ（以下IRF：Inhibit−
Reading Flagという）が書き込み状態のとき、
EPROMセルが読み出し禁止状態にあるとする。
このとき、仮にEPROMセル群の内容を読み出そ
うとすればIRFを消去しなくてはならない。しか
し、IRFを消去しようとして紫外線を照射する
と、同時にデータの記憶されているFAMOS構造
のEPROMセル群のデータも消去されてしまう。
つまりIRFを消去してEPROMセルの読み出し可
能状態にあつたときには、読み取るべきデータも
消去されてしまうので、結局記憶データを外部に
読み出される心配はない。以下この発明について
説明する。

図面はこの発明の一実施例を示す構成図であ
る。この図で、１はFAMOS構造のEPROMセル
群で、プログラム（データ）の記憶媒体となる。
２は前記EPROMセル群１の出力線、３は
FAMOS構造のEPROMセルから構成されるフラ
ツグ（以下IRFという）で、その状態（消去状態
にあるかまたは書き込み状態にあるか）によつて
EPROMセル群１の出力線２を最終出力線７へ出
力するか否かを決定する。４は前記IRF３への書
き込み線、５は前記IRF３の状態出力線、６は
AND機能素子、７はEPROM記憶情報の最終出力
線である。

次に動作について説明する。いま、仮に
EPROMセル群１、IRF３は消去状態にあるもの
とする。ここで、IRF３は消去状態では読み出し
可能状態、すなわち状態出力線５の論理値は
「１」であり、書き込み状態では読み出し禁止状
態、すなわち状態出力線５の論理値は「０」とす
る。

いま、EPROMセル群１にプログラム（デー
タ）を書き込んだとする。このとき正しく書き込
まれているか否かは最終出力線７の値を読み取る
ことにより可能である。なぜならば、IRF３は消
去状態、すなわち読み出し可能状態にあるため、
IRF３の状態出力線５には論理値「１」が出さ
れ、従つてEPROMセル群１の出力線２が最終出
力線７へ伝達されるからである。

さて、このようにして正しくプログラム（デー
タ）が書き込まれたことが確認できたら、次に外
部へのデータの読み出しを禁止することになる。
そのためには、IRF３への書き込み線４より書き
込み信号を与えてIRF３を書き込み状態にすれば
よい。すなわちIRF３に書き込むことによりIRF
３の状態出力線５は論理値「０」になり、従つて
EPROMセル群１の出力線２は最終出力線７へ伝
達されなくなる。もし、外部から読み出そうとす
れば、IRF３を消去状態にしなければならない。
そのために紫外線を照射すると、同時に本来のデ
ータであるEPROMセル群１の情報も消去される
ので、結局EPROMセル群１の情報が外部に読み
出される心配はない。

また、一度IRF３を消去すれば、再びEPROM
セル群１へ新なデータを書き込み、それを最終出
力線７を用いて確認できる。

IRF３をヒユーズの溶断か否かで構成した場
合、一旦外部読み出し禁止状態にしたときには再
び外部読み出し可能なROMとして使用できない
のに対し、この発明によれば、IRF３を紫外線で
消去することにより、再び外部読み出し可能な
ROMとして使用できるという特徴を有する。さ
らに、マスクROM（記憶すべき内容を入れたホ
トマスクを用意し、これを用いてROM製作時に
記憶内容をデバイスにつくりつけたもの）の場合
には、電気的な外部読み出しを禁止できても、マ
スクROMを構成する集積回路の幾可学的形状
（パターン）を調べることにより、ROMの記憶内
容を解続できたのに対し、この発明の場合には
FAMOS構造のため、データ値によつて集積回路
のパターンが変化することもないのでデータの解
読は前記電気的はもちろん、電気的以外のいかな
るものでも不可能である。

なお、上記実施例では、IRF３の状態によつて
EPROMセル群１の出力が最終出力線７へ伝達す
るか否かを決定しているが、この発明の主旨は、
FAMOS構造から成り立つIRF３の状態によつて
EPROMセル群１の内容が外部に読み出せなくす
るものである。従つて、例えば図においてAND
機能素子６を省略して、IRF３の状態出力線５を
用い、EPROMセル群１の動作自体を禁じると
か、EPROMセル群１へのアドレス入力を禁じる
とかしてもよい。

以上説明したようにこの発明は、データを書き
込むFAMOS構造のEPROMセル群において、こ
れとは別のFAMOS構造のEPROMセルからなる
フラツグを設け、このフラツグの内容に従つて
EPROMセル群の外部読み出しを行うか否かを決
めるようにしたので、一旦書き込まれたデータ
は、従来のように読み出すことはできず、従つて
情報の機密保持が十分にはかれる利点がある。

【図面の簡単な説明】

図面はこの発明の一実施例を示す構成図であ
る。 図中、１はFAMOS構造のEPROMセル群、２
は出力線、３はフラツグ、４は書き込み線、５は
状態出力線、６はAND機能素子、７は最終出力
線である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ FAMOS構造のEPROMセル群において、こ
   のEPROMセル群とは別個に設けられたフラツグ
   と、このフラツグが導通状態にあるか非導通状態
   であるかによつて前記EPROMセル群に記憶され
   ている情報の外部への読み取り動作を行うか否か
   の手段とからなる装置において、前記フラツグが
   FAMOS構造のEPROMからなり、かつ前記
   EPROMセル群と同一基板上に形成されたことを
   特徴とする記憶情報保護回路。