JPS62235741A - 半導体基板 - Google Patents
半導体基板Info
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- JPS62235741A JPS62235741A JP8051586A JP8051586A JPS62235741A JP S62235741 A JPS62235741 A JP S62235741A JP 8051586 A JP8051586 A JP 8051586A JP 8051586 A JP8051586 A JP 8051586A JP S62235741 A JPS62235741 A JP S62235741A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板に関し、特に欠陥層の形成に関する
。
。
シリコン半導体基板のゲッタリング技術には、大きく分
けてイントリンシックゲッタリング技術とエクストリン
シックゲッタリング技術とがあシ、有害不純物などをゲ
ッタリングする欠陥層を半導体基板中に形成させる方法
としては、従来、イントリンシックゲッタリング技術に
おいては、チ目りラルスキー法で引き上げたシリコン単
結晶中にもともと過剰に含まれた溶存酸素の析出を利用
して、シリコン半導体基板のバルクに欠陥層を形成させ
ている。また一方、エクストリンシックゲッタリング技
術においては、半導体基板裏面に歪を導入し、この歪層
をゲッタリング源としている。
けてイントリンシックゲッタリング技術とエクストリン
シックゲッタリング技術とがあシ、有害不純物などをゲ
ッタリングする欠陥層を半導体基板中に形成させる方法
としては、従来、イントリンシックゲッタリング技術に
おいては、チ目りラルスキー法で引き上げたシリコン単
結晶中にもともと過剰に含まれた溶存酸素の析出を利用
して、シリコン半導体基板のバルクに欠陥層を形成させ
ている。また一方、エクストリンシックゲッタリング技
術においては、半導体基板裏面に歪を導入し、この歪層
をゲッタリング源としている。
ここで半導体基板裏面に歪を導入するには、たとえば半
導体基板裏面に機械的損傷を与えたね、あるいは半導体
基板裏面にリンなどを拡゛散し、格子不整谷帳位網を発
生させたり、Ａｒなどをイオン注入してダメージを与え
るなどの方法がある。さらにまた半導体基板裏面に多結
晶半導体膜を成長させ、との多ｍａ膜の結晶粒界によっ
てゲッタリング作用を与える方法などもある。
導体基板裏面に機械的損傷を与えたね、あるいは半導体
基板裏面にリンなどを拡゛散し、格子不整谷帳位網を発
生させたり、Ａｒなどをイオン注入してダメージを与え
るなどの方法がある。さらにまた半導体基板裏面に多結
晶半導体膜を成長させ、との多ｍａ膜の結晶粒界によっ
てゲッタリング作用を与える方法などもある。
しかしながら上述した従来の方法によるゲッタリング技
術は、まずイントリンシックゲッタリング技術において
は、酸素析出の制御が困難である丸め、゛欠陥層の溶成
が十分でなかっ九′り逆に無欠陥であるべき領域に欠陥
が発生したりして、半導体装置の歩留りに影響を与える
。
術は、まずイントリンシックゲッタリング技術において
は、酸素析出の制御が困難である丸め、゛欠陥層の溶成
が十分でなかっ九′り逆に無欠陥であるべき領域に欠陥
が発生したりして、半導体装置の歩留りに影響を与える
。
一部エクストリンシックゲッタリング技術においては、
まず半導体基板裏面に機械的損傷を与えたり、多結晶膜
などを形成する方法では半導体基板の両面の形状および
熱膨張係数が極端に異なるため、半導体基板が変形しゃ
す〈々る。また特に機械的損傷を与える方法では、損傷
を与えた層の一部がはがれて汚染物になることもあり、
半導体装置の歩留りを低下させる。
まず半導体基板裏面に機械的損傷を与えたり、多結晶膜
などを形成する方法では半導体基板の両面の形状および
熱膨張係数が極端に異なるため、半導体基板が変形しゃ
す〈々る。また特に機械的損傷を与える方法では、損傷
を与えた層の一部がはがれて汚染物になることもあり、
半導体装置の歩留りを低下させる。
また、裏面にリンなどを拡散する方法では、表面側への
不純物の拡散やオートドーピングが起とってしまうため
、この方法が利用できるプロセスは非常に限られてしま
う。
不純物の拡散やオートドーピングが起とってしまうため
、この方法が利用できるプロセスは非常に限られてしま
う。
またイオン注入を利用したゲッタリング方法では、形成
されたダメージが、プロセス中で加えられる熱サイクル
によって容易にアニールアウトされてゆき、効果が薄れ
るという欠点を持つ。
されたダメージが、プロセス中で加えられる熱サイクル
によって容易にアニールアウトされてゆき、効果が薄れ
るという欠点を持つ。
本発明は上記欠点を解消し、熱処理行程を重ねてもゲッ
タリング効果が持続しかつ半導体装置に二次的な悪影響
を与えることのない欠陥層を、半導体基板中に極めて制
御性よく形成することにより、信頼性の高い半導体装置
を高歩留りで製造するための半導体基板を提供すること
である。
タリング効果が持続しかつ半導体装置に二次的な悪影響
を与えることのない欠陥層を、半導体基板中に極めて制
御性よく形成することにより、信頼性の高い半導体装置
を高歩留りで製造するための半導体基板を提供すること
である。
本発明の半導体基板は、単結晶半導体基板の裏面に炭素
原子の添加によって結晶格子を部分的に歪めた単結晶半
導体膜を有している。
原子の添加によって結晶格子を部分的に歪めた単結晶半
導体膜を有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
シリコン基板１の裏面に、不純物原子３としてたとえば
炭素を含む単結晶シリコンｍ２をエピタキシャル成長に
よって形成する。ここで、シリコンのエピタキシャル成
長におけるドーピング不純物源としてはたとえばメタン
（ＣＨＩ ）を用いることができる。
炭素を含む単結晶シリコンｍ２をエピタキシャル成長に
よって形成する。ここで、シリコンのエピタキシャル成
長におけるドーピング不純物源としてはたとえばメタン
（ＣＨＩ ）を用いることができる。
この単結晶シリコン膜２は不純物炭素原子の存在によっ
て部分的に格子歪が生じ、これがプロセス中で、シリコ
ン基板１内に発生する格子欠陥や有害不純物に対してゲ
ッタリング源として働く。
て部分的に格子歪が生じ、これがプロセス中で、シリコ
ン基板１内に発生する格子欠陥や有害不純物に対してゲ
ッタリング源として働く。
またこの部分的な格子歪は半導体基板中面より十分深い
所から形成させることができるので、熱処理を繰り返し
てもアニールアウトされることはなく、さらにシリコン
基板１と単結晶シリコン族２とは基本的に同じ格子定数
を持つから、該半導体基板を変型させることはない。
所から形成させることができるので、熱処理を繰り返し
てもアニールアウトされることはなく、さらにシリコン
基板１と単結晶シリコン族２とは基本的に同じ格子定数
を持つから、該半導体基板を変型させることはない。
以上説明したように本発明は、半導体基板の裏面に該半
導体基板中の格子欠陥や有害不純物のシンクとなりうる
不純物原子を含ませ九半導伴膜を形成することにより、
熱処理行程を重ねてもゲッタリング効果が持続し、かつ
半導体装ｆｌｌｌＫ二次的な悪影響を与えることのない
欠陥層を、半導体基板中に極めて制御性よく形成すやこ
とにより、信頼性の高い半導体装置を高歩留抄で製造で
きる効果がある。
導体基板中の格子欠陥や有害不純物のシンクとなりうる
不純物原子を含ませ九半導伴膜を形成することにより、
熱処理行程を重ねてもゲッタリング効果が持続し、かつ
半導体装ｆｌｌｌＫ二次的な悪影響を与えることのない
欠陥層を、半導体基板中に極めて制御性よく形成すやこ
とにより、信頼性の高い半導体装置を高歩留抄で製造で
きる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の縦断、面図である。
１・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・単結晶シ
リコン膜、３−・・・・不純物炭素原子。
リコン膜、３−・・・・不純物炭素原子。
Claims (1)
- 単結晶半導体基板の裏面に、炭素原子の添加によって結
晶格子を部分的に歪めた単結晶半導体膜を有する半導体
基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61080515A JPH0712043B2 (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | 半導体基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61080515A JPH0712043B2 (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | 半導体基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62235741A true JPS62235741A (ja) | 1987-10-15 |
| JPH0712043B2 JPH0712043B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=13720450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61080515A Expired - Lifetime JPH0712043B2 (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | 半導体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0712043B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5539245A (en) * | 1991-11-18 | 1996-07-23 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Semiconductor substrate having a gettering layer |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS586123A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-13 | Nec Corp | 半導体結晶の製造方法 |
| JPS5893334A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Toshiba Corp | 珪素半導体装置の製造方法 |
| JPS6031232A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-18 | Toshiba Corp | 半導体基体の製造方法 |
-
1986
- 1986-04-07 JP JP61080515A patent/JPH0712043B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS586123A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-13 | Nec Corp | 半導体結晶の製造方法 |
| JPS5893334A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Toshiba Corp | 珪素半導体装置の製造方法 |
| JPS6031232A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-18 | Toshiba Corp | 半導体基体の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5539245A (en) * | 1991-11-18 | 1996-07-23 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Semiconductor substrate having a gettering layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0712043B2 (ja) | 1995-02-08 |
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