JPS62235315A - 封止枠形成用樹脂組成物及びそれにより形成された封止枠を有する半導体素子搭載用回路基板 - Google Patents
封止枠形成用樹脂組成物及びそれにより形成された封止枠を有する半導体素子搭載用回路基板Info
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- JPS62235315A JPS62235315A JP61079011A JP7901186A JPS62235315A JP S62235315 A JPS62235315 A JP S62235315A JP 61079011 A JP61079011 A JP 61079011A JP 7901186 A JP7901186 A JP 7901186A JP S62235315 A JPS62235315 A JP S62235315A
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 27
- 238000000465 moulding Methods 0.000 title 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 29
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 20
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 abstract description 19
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- CEGOLXSVJUTHNZ-UHFFFAOYSA-K aluminium tristearate Chemical compound [Al+3].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O CEGOLXSVJUTHNZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract description 2
- 229940063655 aluminum stearate Drugs 0.000 abstract description 2
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 abstract 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 48
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 48
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 12
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 12
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 6
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 6
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- -1 amine compounds Chemical class 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 3
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 3
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 2
- 238000010019 resist printing Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CCC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-methylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1CC1=CC=CC=C1 FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWYHGNUFMPSTTR-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-4-(4-methylphenoxy)benzene Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1OC1=CC=C(C)C=C1 YWYHGNUFMPSTTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000000440 bentonite Substances 0.000 description 1
- 229910000278 bentonite Inorganic materials 0.000 description 1
- SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N bentoquatam Chemical compound O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- IFDVQVHZEKPUSC-UHFFFAOYSA-N cyclohex-3-ene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCC=CC1C(O)=O IFDVQVHZEKPUSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000986 disperse dye Substances 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- PTCGDEVVHUXTMP-UHFFFAOYSA-N flutolanil Chemical compound CC(C)OC1=CC=CC(NC(=O)C=2C(=CC=CC=2)C(F)(F)F)=C1 PTCGDEVVHUXTMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- QDYTUZCWBJRHKK-UHFFFAOYSA-N imidazole-4-methanol Chemical compound OCC1=CNC=N1 QDYTUZCWBJRHKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 1
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N methylimidazole Natural products CC1=CNC=N1 XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- QOHMWDJIBGVPIF-UHFFFAOYSA-N n',n'-diethylpropane-1,3-diamine Chemical compound CCN(CC)CCCN QOHMWDJIBGVPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- UFDHBDMSHIXOKF-UHFFFAOYSA-N tetrahydrophthalic acid Natural products OC(=O)C1=C(C(O)=O)CCCC1 UFDHBDMSHIXOKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(Ir、業−Lの利用分野)
本発明は半導体素子なM>載し、この半導体素子に対し
て封1に用樹脂をボッティングさせることにより、当該
半導体素子の封止を行う直接実装方式に使用するだめの
回路基板の封止枠形成用の樹脂組成物及びそれにより形
成されたJ1止枠を右する゛i導体素子搭載用回路基板
に関するものである。
て封1に用樹脂をボッティングさせることにより、当該
半導体素子の封止を行う直接実装方式に使用するだめの
回路基板の封止枠形成用の樹脂組成物及びそれにより形
成されたJ1止枠を右する゛i導体素子搭載用回路基板
に関するものである。
(従来の技術)
電T一時計あるいは電1:L等の半導体素子を使用した
各種の電子機器では、その小型化及び錦η!化が商品と
しての付加価イ1を高めるための東要な黄素る回路ノ^
板に対しで、てきるたけ厚さを薄くできる封1F構造の
開発か望まれている。従来のこのような封1に構造とし
て採用されているものは、半導体素子を回路基板に直接
ダイボンディングし、半4体素子のバッドと回路基板の
パターンとの間を金線等のワイヤーによりてボンディン
グしで、さらにこれらの−1−をエポキシ樹脂等の液状
樹脂によってボッティング封1トするものである。
各種の電子機器では、その小型化及び錦η!化が商品と
しての付加価イ1を高めるための東要な黄素る回路ノ^
板に対しで、てきるたけ厚さを薄くできる封1F構造の
開発か望まれている。従来のこのような封1に構造とし
て採用されているものは、半導体素子を回路基板に直接
ダイボンディングし、半4体素子のバッドと回路基板の
パターンとの間を金線等のワイヤーによりてボンディン
グしで、さらにこれらの−1−をエポキシ樹脂等の液状
樹脂によってボッティング封1トするものである。
この封止構造においては、エポキシ樹脂象の液状樹脂に
よって半導体素子をできる限り薄く封止すること、及び
液状樹脂の周囲への広がりを防止することか玉要てあり
、この点に関し種々な提案かなされている。
よって半導体素子をできる限り薄く封止すること、及び
液状樹脂の周囲への広がりを防止することか玉要てあり
、この点に関し種々な提案かなされている。
すなわち、従来のボッティングM11−シた液状樹脂の
周囲への広がりを防止する構造としては1回路ノ^板の
半導体素子各a部の周囲に封11枠を設ける構造が採用
されている。この封止枠を形成する方式としては、 (イ)熱I11塑性及び熱硬化性樹脂等から成形した枠
状体(封1に枠)を回路基板とに接若する方法 (ロ)スクリーン印刷等の方法により枠状体を形成し、
その後硬化させる方法 とかあるが、枠形状の変化への対応か容易であること、
生産性が高いことなどの理由からし記(ロ)の方法が採
用される傾向にある。
周囲への広がりを防止する構造としては1回路ノ^板の
半導体素子各a部の周囲に封11枠を設ける構造が採用
されている。この封止枠を形成する方式としては、 (イ)熱I11塑性及び熱硬化性樹脂等から成形した枠
状体(封1に枠)を回路基板とに接若する方法 (ロ)スクリーン印刷等の方法により枠状体を形成し、
その後硬化させる方法 とかあるが、枠形状の変化への対応か容易であること、
生産性が高いことなどの理由からし記(ロ)の方法が採
用される傾向にある。
1−記(ロ)のスクリーン印刷等の方法により枠状体を
形成し、その後硬化させる方法においては、シリコン樹
脂等の撥水性を有する樹脂を使用する場合と1通常のソ
ルダーレジストインクを使用する場合とに大別される。
形成し、その後硬化させる方法においては、シリコン樹
脂等の撥水性を有する樹脂を使用する場合と1通常のソ
ルダーレジストインクを使用する場合とに大別される。
シリコン樹I#1等の撥水性を有する樹脂からなる枠状
体は、実公昭49−43873号、特開昭53−207
8号、特開昭53−2079号、特開昭55−1382
40号公報において提案されているように、その撥水作
用により非常に優れた月lヒ効果を示すが、これらの発
明または考案により得られる封止枠は、次のような重大
な問題かある。
体は、実公昭49−43873号、特開昭53−207
8号、特開昭53−2079号、特開昭55−1382
40号公報において提案されているように、その撥水作
用により非常に優れた月lヒ効果を示すが、これらの発
明または考案により得られる封止枠は、次のような重大
な問題かある。
第一・は、これらの発明または考案におけるシリコン樹
脂等の撥水性を有する樹脂をスクリーン印刷等の方法に
より回路基板の所定の位置に枠形成し、その後硬化させ
る工程においで、シリコン樹脂等の撥水性を有する樹脂
中の低分子量の七ツマ−あるいはオリゴマーが浸み出す
ことは絶対に避けられないことである。この硬化中に浸
み出した低分子量の千ツマ−あるいはオリゴマーは、そ
れ自体も8然撥水性を有するものであり、これらのもの
か浸み出している部分に対しては、ボウティング封+1
される液状樹脂がはじかれてしまい、その部分は封Iに
されない状mになるのである。
脂等の撥水性を有する樹脂をスクリーン印刷等の方法に
より回路基板の所定の位置に枠形成し、その後硬化させ
る工程においで、シリコン樹脂等の撥水性を有する樹脂
中の低分子量の七ツマ−あるいはオリゴマーが浸み出す
ことは絶対に避けられないことである。この硬化中に浸
み出した低分子量の千ツマ−あるいはオリゴマーは、そ
れ自体も8然撥水性を有するものであり、これらのもの
か浸み出している部分に対しては、ボウティング封+1
される液状樹脂がはじかれてしまい、その部分は封Iに
されない状mになるのである。
第二は、これらの発明あるいは考案におけるシリコン樹
脂等の撥水性を有する樹脂は、樹脂そのものの引裂強度
か小さくしかも接着力も一般的に小さいため1回路ノ1
(板から剥かれ易く、欠落した封止枠の一部からボッデ
ィング封+L L/だ液状樹脂が流れ出してしまい、良
好な封止が行われない。
脂等の撥水性を有する樹脂は、樹脂そのものの引裂強度
か小さくしかも接着力も一般的に小さいため1回路ノ1
(板から剥かれ易く、欠落した封止枠の一部からボッデ
ィング封+L L/だ液状樹脂が流れ出してしまい、良
好な封止が行われない。
第三は、ボッティング封止した液状樹脂が封止枠と大き
な接触角を保持したままで硬化するため、&f!化後の
樹脂厚を薄くすることかできない。
な接触角を保持したままで硬化するため、&f!化後の
樹脂厚を薄くすることかできない。
このように、シリコン樹脂等の撥水性を有する樹脂から
なる枠状体の場合は、封止効果そのものは極めて高いが
、逆に、ボッティング封【1−シた液状樹脂が充分に広
がりきらない状態や、接触角が大きくなり、硬化後の樹
脂厚を薄くすることができないなど重大な問題点を有し
ており、実用化されるには到っていない。
なる枠状体の場合は、封止効果そのものは極めて高いが
、逆に、ボッティング封【1−シた液状樹脂が充分に広
がりきらない状態や、接触角が大きくなり、硬化後の樹
脂厚を薄くすることができないなど重大な問題点を有し
ており、実用化されるには到っていない。
また、通常のソルダーレジストインク笠の非撥水性の樹
脂からなる枠状体は、実開昭55−25381号、 ’
1HIVis7−2658号、実聞開57−17845
11号、実開閉57−2000’la号公報において提
案されているように、ボッティング封1F−されるエポ
キシ樹脂等の液状樹脂との親和性か高いので、ボッディ
ング封1ヒした液状樹脂は封1に枠内に完全に広がり、
しかも、ボッティング封止した液状樹脂と封!ヒ枠との
接触角は非常に小さいので、ポツプインク封1トした液
状樹脂か盛り−1−かることかなく、硬化後の樹脂厚を
薄くできるなどの利点がある。しかしながら、これらの
考案により得られる封止枠は、次のような重大な問題か
ある。
脂からなる枠状体は、実開昭55−25381号、 ’
1HIVis7−2658号、実聞開57−17845
11号、実開閉57−2000’la号公報において提
案されているように、ボッティング封1F−されるエポ
キシ樹脂等の液状樹脂との親和性か高いので、ボッディ
ング封1ヒした液状樹脂は封1に枠内に完全に広がり、
しかも、ボッティング封止した液状樹脂と封!ヒ枠との
接触角は非常に小さいので、ポツプインク封1トした液
状樹脂か盛り−1−かることかなく、硬化後の樹脂厚を
薄くできるなどの利点がある。しかしながら、これらの
考案により得られる封止枠は、次のような重大な問題か
ある。
これら非撥水性の樹脂からなる枠状体のM1ト効果は、
ボッティング封止されるエポキシ樹脂等の液状樹脂を封
止枠との親和性が高いため、専ら封止枠の高さにのみ支
配される。これに対しで、従来の考案におけるソルダー
レジストインク等のエポキシ樹脂は、通常20〜30g
mの膜形成には適しているが1本発明において対象とし
ている半導体素子搭載用回路基板の半導体素子の周囲に
形成する封止枠のように、限られた幅で、しかもある程
度の高さを要求される用途には木質的に適していないと
いう欠点かある。つまり、従来の樹脂により枠形成した
場合には、だれを生じ回路)&板を汚染すること、たれ
により封11−枠高さか減少し、ボウティング封Iヒさ
れる液状樹脂か封1枠を越えて流れ出し、ボンディング
ワイヤーか露出することなど、゛h導体素子搭佐川用路
基板としての信頼性に関する重大な問題点を有しており
、¥用化されるには到っていない。
ボッティング封止されるエポキシ樹脂等の液状樹脂を封
止枠との親和性が高いため、専ら封止枠の高さにのみ支
配される。これに対しで、従来の考案におけるソルダー
レジストインク等のエポキシ樹脂は、通常20〜30g
mの膜形成には適しているが1本発明において対象とし
ている半導体素子搭載用回路基板の半導体素子の周囲に
形成する封止枠のように、限られた幅で、しかもある程
度の高さを要求される用途には木質的に適していないと
いう欠点かある。つまり、従来の樹脂により枠形成した
場合には、だれを生じ回路)&板を汚染すること、たれ
により封11−枠高さか減少し、ボウティング封Iヒさ
れる液状樹脂か封1枠を越えて流れ出し、ボンディング
ワイヤーか露出することなど、゛h導体素子搭佐川用路
基板としての信頼性に関する重大な問題点を有しており
、¥用化されるには到っていない。
本発明は、以Hのような封1に枠を有する半導体素子搭
載用回路基板における各種問題点を解決すべくなされた
もので、その目的とするところは。
載用回路基板における各種問題点を解決すべくなされた
もので、その目的とするところは。
ボッティング封止されるエポキシ樹脂簿の液状樹脂か゛
誘導体ぶ千MS4!LiIIを囲む封止枠内部全面に広
がり、しかも封止枠を越えて流出しないような」11L
枠を簡単な構成によって提供することにある。
誘導体ぶ千MS4!LiIIを囲む封止枠内部全面に広
がり、しかも封止枠を越えて流出しないような」11L
枠を簡単な構成によって提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
■−記の目的を達成するために1本発明の発明者が鋭、
a研究を市ねた結果1次に示すM+E枠用横用樹脂組成
物それにより形成された111F枠を有する半導体素子
搭載用回路基板が、従来のものに比べ格段に優れている
ことを見出した。
a研究を市ねた結果1次に示すM+E枠用横用樹脂組成
物それにより形成された111F枠を有する半導体素子
搭載用回路基板が、従来のものに比べ格段に優れている
ことを見出した。
すなわち1本発明は、エポキシ樹脂、硬化剤、充填剤及
びチキソ剤を含む組成物であっで、B型粘度計における
温度25℃、すり速度1sec−’の粘度か2(10〜
5oopsで、かつ(B型粘度計によるずり速度1se
c−’の粘度)/(B型粘度計によるずり速度1110
sec −’の粘度)で示すチキソトロピラフ指数か2
0〜60であることを特徴とする半導体素子搭載用回路
基板の封止枠形成用樹脂組I&物3よびそれにより形成
された封1ト枠を有する半導体素子搭載用回路基板であ
る。
びチキソ剤を含む組成物であっで、B型粘度計における
温度25℃、すり速度1sec−’の粘度か2(10〜
5oopsで、かつ(B型粘度計によるずり速度1se
c−’の粘度)/(B型粘度計によるずり速度1110
sec −’の粘度)で示すチキソトロピラフ指数か2
0〜60であることを特徴とする半導体素子搭載用回路
基板の封止枠形成用樹脂組I&物3よびそれにより形成
された封1ト枠を有する半導体素子搭載用回路基板であ
る。
次に、未発11に係る封+h枠形成用樹脂組成物につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
本発明のエポキシ樹脂としては1例えばビスフェノール
A、ビスフェノールF、フェノールノボラック樹脂、ク
レゾールノボラ・νり樹脂等の多価フェノール類のクリ
シシルエーテル、ツタンジオール、ポリプロピレングリ
コール等の多価アルコール類のクリシジルエーテル、フ
タル酸、テトラヒドロフタル酸等のカルボン酸類のグリ
シジルニスデル等のグリシジル型エポキシ樹脂や、分子
内のオルフィン結合を過酢酸等でエポキシ化して得られ
る脂環型エポキシ樹脂などが挙げられる。
A、ビスフェノールF、フェノールノボラック樹脂、ク
レゾールノボラ・νり樹脂等の多価フェノール類のクリ
シシルエーテル、ツタンジオール、ポリプロピレングリ
コール等の多価アルコール類のクリシジルエーテル、フ
タル酸、テトラヒドロフタル酸等のカルボン酸類のグリ
シジルニスデル等のグリシジル型エポキシ樹脂や、分子
内のオルフィン結合を過酢酸等でエポキシ化して得られ
る脂環型エポキシ樹脂などが挙げられる。
硬化剤としては、ジエチルアミノプロビルアミン、メタ
フェニレンシアミン等のアミン系化合物、無水フタル酸
、テトラヒドロ無水フタル酸茅の酸無水物系化合物、ダ
イマー酸とポリアミンとの縮合により生成するポリアミ
ド系化合物、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2
−フェニルイミタゾール、2−フェニル−4−メチル−
5−ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミタゾール化
合物、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラッ
ク樹脂等の多価フェノール化合物、Eフッ化ホウ東−ア
ミンコンプレックス、ジシアンジアミドおよびその誘導
体、有機酸ヒ1くラシットなどが挙げられる。これらの
硬化剤は、前述のエポキシ樹脂の種類、および使用条件
に応じて適宜選択するものである。
フェニレンシアミン等のアミン系化合物、無水フタル酸
、テトラヒドロ無水フタル酸茅の酸無水物系化合物、ダ
イマー酸とポリアミンとの縮合により生成するポリアミ
ド系化合物、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2
−フェニルイミタゾール、2−フェニル−4−メチル−
5−ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミタゾール化
合物、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラッ
ク樹脂等の多価フェノール化合物、Eフッ化ホウ東−ア
ミンコンプレックス、ジシアンジアミドおよびその誘導
体、有機酸ヒ1くラシットなどが挙げられる。これらの
硬化剤は、前述のエポキシ樹脂の種類、および使用条件
に応じて適宜選択するものである。
充Ihi剤としては、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミ
ナ、水酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、ケイ酸ジ
ルコニウム、炭酸カルシウム、タルク、酸化チタン、沈
降性硫酸バリウム、マイカ等が挙げられる。
ナ、水酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、ケイ酸ジ
ルコニウム、炭酸カルシウム、タルク、酸化チタン、沈
降性硫酸バリウム、マイカ等が挙げられる。
チキソ剤としては、シリカ、酸化マグネシウム等の焦機
賀の微粉末、ステアリン酸アルミニウム、オクタン酸ア
ルミニウム等の金属石けん、有機ベントナイトなどが挙
げられろ、これらのチキソ剤は1本発明の封IL枠形成
用樹脂組J&、物のチキソトロピック指数に大きな影響
をもつものであり重要な構成成分である。
賀の微粉末、ステアリン酸アルミニウム、オクタン酸ア
ルミニウム等の金属石けん、有機ベントナイトなどが挙
げられろ、これらのチキソ剤は1本発明の封IL枠形成
用樹脂組J&、物のチキソトロピック指数に大きな影響
をもつものであり重要な構成成分である。
本発明の封1F枠形成用樹脂組1&物は、前記エポキシ
樹脂、硬化剤、充填剤およびチキソ剤を含むM1成物で
あるが、その他必要に応しで、有機溶剤、 7+色剤、
消泡剤などを適宜配合することかてきる。
樹脂、硬化剤、充填剤およびチキソ剤を含むM1成物で
あるが、その他必要に応しで、有機溶剤、 7+色剤、
消泡剤などを適宜配合することかてきる。
有機酊削としては、例えばi−ブチルアルコール、n−
ブチルアルコール、メチルイソブチルカルピトール、オ
キシトール、メチル−n−ブチルケトン、シクロヘキサ
ノンなどがある。これらの有機溶剤は、本発明の封止枠
形成用樹脂組成物の粘度を調整する[1的で必要に応じ
て配合するものである。R色剤としては無機および有機
の顔料、分散染料などが、また、消泡剤としてはシリコ
ーンオイルなどが使用できる。
ブチルアルコール、メチルイソブチルカルピトール、オ
キシトール、メチル−n−ブチルケトン、シクロヘキサ
ノンなどがある。これらの有機溶剤は、本発明の封止枠
形成用樹脂組成物の粘度を調整する[1的で必要に応じ
て配合するものである。R色剤としては無機および有機
の顔料、分散染料などが、また、消泡剤としてはシリコ
ーンオイルなどが使用できる。
本発明の封止枠形成用樹脂組成物は、スクリーン印刷あ
るいはスタンプ印刷等の印刷法により枠状体を形成する
のに適した特性を有するものである。つまり、B型粘度
計における温度25℃、ずり速度1sec”’の粘度が
200〜500PSで、かっ(B型粘度計によるずり速
度1sec−’の粘度)/(B型粘度計によるずり速度
100sec−’の粘度)て示すチキソトロピック指数
が20〜60であることを特徴とするものである。
るいはスタンプ印刷等の印刷法により枠状体を形成する
のに適した特性を有するものである。つまり、B型粘度
計における温度25℃、ずり速度1sec”’の粘度が
200〜500PSで、かっ(B型粘度計によるずり速
度1sec−’の粘度)/(B型粘度計によるずり速度
100sec−’の粘度)て示すチキソトロピック指数
が20〜60であることを特徴とするものである。
本発明の封止枠形成用樹脂組成物は、非ニユートン性流
体であるため、その粘度を限定する場合は粘度計のJI
li類および測定条件を規定する必要かある。粘度の測
定にB型粘度計を使用し、測定条件としで、温度25℃
、すり速度1sec−’と規定したとき、本発明の封1
1−枠形成川樹脂組成物は2011〜50旧)Sの粘度
を有するものである。粘度が20013S未満の場合は
、スクリーン印刷において版裏へ樹脂か回り込み、にじ
に等が発生し易くなること、逆に、粘度が500PSを
越えるとスクリーンのメツシュからの樹脂の出が悪くな
り、かすれ等が発生し易くなることなどの理由により、
粘度は200〜500P!’iが印刷法に適したものと
なる。本発明の14+l−枠形成用樹脂組I&物を使用
lノで、スクリーン印刷法により成形される封11−枠
は1通常のツルターレジストの印刷における膜厚よりも
、かなり厚くすることか一般的であるため、n+)−枠
形成用樹脂組成物の粘度は、300〜400PSとする
ことが、より好ましい。
体であるため、その粘度を限定する場合は粘度計のJI
li類および測定条件を規定する必要かある。粘度の測
定にB型粘度計を使用し、測定条件としで、温度25℃
、すり速度1sec−’と規定したとき、本発明の封1
1−枠形成川樹脂組成物は2011〜50旧)Sの粘度
を有するものである。粘度が20013S未満の場合は
、スクリーン印刷において版裏へ樹脂か回り込み、にじ
に等が発生し易くなること、逆に、粘度が500PSを
越えるとスクリーンのメツシュからの樹脂の出が悪くな
り、かすれ等が発生し易くなることなどの理由により、
粘度は200〜500P!’iが印刷法に適したものと
なる。本発明の14+l−枠形成用樹脂組I&物を使用
lノで、スクリーン印刷法により成形される封11−枠
は1通常のツルターレジストの印刷における膜厚よりも
、かなり厚くすることか一般的であるため、n+)−枠
形成用樹脂組成物の粘度は、300〜400PSとする
ことが、より好ましい。
つぎに、スクリーン印刷特性と大きな関係かあるチキソ
1−ロピツク指数を(B型粘度計によるずり速度1se
c−’の粘度)/(B型粘度計によるずり速度100s
ec−’の粘度)で規定すると、本発明の封!I―枠形
成用樹脂組成物は20〜60のチキソトロピック指数を
有するものである。チキソトロピック指数が20未満の
場合は、スクリーン印刷茅により形成された固定形状に
ダレを生じ易いこと、および、粘度か比較的高い場合に
は、スクリーン印刷時の版離れ性が悪いことなどの問題
点かある。
1−ロピツク指数を(B型粘度計によるずり速度1se
c−’の粘度)/(B型粘度計によるずり速度100s
ec−’の粘度)で規定すると、本発明の封!I―枠形
成用樹脂組成物は20〜60のチキソトロピック指数を
有するものである。チキソトロピック指数が20未満の
場合は、スクリーン印刷茅により形成された固定形状に
ダレを生じ易いこと、および、粘度か比較的高い場合に
は、スクリーン印刷時の版離れ性が悪いことなどの問題
点かある。
逆に、チキソトロピック指数が60を越える場合は、ス
クリーン印刷時にスキージあるいはスクレッパー等で樹
脂を移動させるとき、スキージあるいはスクレッパーか
ら樹脂か流れ落ちず、いわゆる空刷りの状iEiとなっ
てしまうこと、などの理由により、チキソドロピンク指
数は20〜GOか望ましい範囲となる。本発明の封止枠
形成用樹脂組成物を使用しで、スクリーン印刷法により
形成される封11ユ枠は、通常のソルダーレジストの印
刷における膜厚よりも、かなり厚くすることか一般的で
あること、更に、封1ト枠の高さの制限か厳しい場合に
は、封II:枠表面の凹凸をできる限り小さくすること
か必要となるため、チキソ1−ロピツク指数としては、
30〜40の範囲がより望ましい。
クリーン印刷時にスキージあるいはスクレッパー等で樹
脂を移動させるとき、スキージあるいはスクレッパーか
ら樹脂か流れ落ちず、いわゆる空刷りの状iEiとなっ
てしまうこと、などの理由により、チキソドロピンク指
数は20〜GOか望ましい範囲となる。本発明の封止枠
形成用樹脂組成物を使用しで、スクリーン印刷法により
形成される封11ユ枠は、通常のソルダーレジストの印
刷における膜厚よりも、かなり厚くすることか一般的で
あること、更に、封1ト枠の高さの制限か厳しい場合に
は、封II:枠表面の凹凸をできる限り小さくすること
か必要となるため、チキソ1−ロピツク指数としては、
30〜40の範囲がより望ましい。
本発明のj41F枠形成川樹脂用成物は、エポキシ樹脂
、硬化剤、充填剤およびチキソ剤を含む組成物であり、
所定範囲の粘度およびチキソトロピック指数を有するも
のであり、いわゆる−液層、二液型などの区別には関係
しないものである。 l!Ilち、二液型の場合でも、
混合して使用する状態における粘度およびチキソトロピ
ック指数が所定の範囲にあるものは全て本発明の封1に
枠形成用樹脂組成物に含まれるものである。
、硬化剤、充填剤およびチキソ剤を含む組成物であり、
所定範囲の粘度およびチキソトロピック指数を有するも
のであり、いわゆる−液層、二液型などの区別には関係
しないものである。 l!Ilち、二液型の場合でも、
混合して使用する状態における粘度およびチキソトロピ
ック指数が所定の範囲にあるものは全て本発明の封1に
枠形成用樹脂組成物に含まれるものである。
次に、前記封11−枠形成用樹脂組成物により形成され
たJ411−枠を有する半導体素子搭載用回路ノふ板に
ついてより詳細に説IIする。
たJ411−枠を有する半導体素子搭載用回路ノふ板に
ついてより詳細に説IIする。
本発明における゛h導体に了・搭載用回路ノふ板(1)
は、IC−LSI7の能動部品を直接搭載することので
きる回路基板を総称するものであり、材質はガラスエポ
キシ樹脂、ポリイミドフィルム等の右a質ノ、(板、ア
ルミナ等のセラミラフ基板あるいいはアルミ等の金属)
^板等何れでもよく、特に限定するものてはない。
は、IC−LSI7の能動部品を直接搭載することので
きる回路基板を総称するものであり、材質はガラスエポ
キシ樹脂、ポリイミドフィルム等の右a質ノ、(板、ア
ルミナ等のセラミラフ基板あるいいはアルミ等の金属)
^板等何れでもよく、特に限定するものてはない。
この゛i導体票子搭硫川用路基板(1)の半導体素r−
搭a部は基板に対して四部を形成したものでも、あるい
は形成していないものでも全く関係はない。
搭a部は基板に対して四部を形成したものでも、あるい
は形成していないものでも全く関係はない。
本発明の封止枠(5)は、エポキシ樹脂、硬化剤充填剤
及びチキソ剤を含みB型粘度計における温度25℃、ず
り速度 1 s e c−’の粘度か200〜5001
)Sで、かつ(B型粘度計によるずり速度1sec”の
粘度)/(B型粘度計によるずり速度100sec−’
の粘度)て示すチキソトロピック指数が20〜60の組
成物により形成されてなることが特徴である。
及びチキソ剤を含みB型粘度計における温度25℃、ず
り速度 1 s e c−’の粘度か200〜5001
)Sで、かつ(B型粘度計によるずり速度1sec”の
粘度)/(B型粘度計によるずり速度100sec−’
の粘度)て示すチキソトロピック指数が20〜60の組
成物により形成されてなることが特徴である。
この封1ヒ枠(5)の主・冴構成成分であるエポキシ樹
脂および硬化剤は1回路基板との接着性か良く、表面硬
度も高いので一定の固定形状を有するものとしての封1
1〕枠を形成する。成分としては最適なものである。ま
た、他の一つの主要構成成分である充填剤は1組成物と
しての粘度を6″轟くするため、スクリーン印刷等によ
り枠状に塗布してから硬化するまでの間のだれを抑える
効果かあり、封IL枠としての一定の固定形状を保持す
るために重要なものである。
脂および硬化剤は1回路基板との接着性か良く、表面硬
度も高いので一定の固定形状を有するものとしての封1
1〕枠を形成する。成分としては最適なものである。ま
た、他の一つの主要構成成分である充填剤は1組成物と
しての粘度を6″轟くするため、スクリーン印刷等によ
り枠状に塗布してから硬化するまでの間のだれを抑える
効果かあり、封IL枠としての一定の固定形状を保持す
るために重要なものである。
さらに、本発明の封止枠は前記エポキシ樹脂、硬化剤及
び充填剤以外にもチキソ剤を含むものである。このチキ
ソ剤は、組成物としてのチキソトロピック指数を大きく
するため、スクリーン印刷笠により枠状に塗布した状態
を保持する効果か大きく1本発明のMu−枠形成用樹脂
組成物の大きな特徴となっている。
び充填剤以外にもチキソ剤を含むものである。このチキ
ソ剤は、組成物としてのチキソトロピック指数を大きく
するため、スクリーン印刷笠により枠状に塗布した状態
を保持する効果か大きく1本発明のMu−枠形成用樹脂
組成物の大きな特徴となっている。
本発明のJ4+1=枠形成川樹脂組成物は、エポキシ樹
脂、硬化剤、充填剤及びチキソ剤を含み、かつ粘度及び
チキソトロピック指数か特定の範囲に限定されるもので
ある。ここで、組成物の粘度を2+01 ”50(IP
sに限定した理由は七としてスクリーン印刷等により封
11−枠を形成する際の印刷適性によるものであり1組
成物のチキソトロピック指数を20〜60に限定した理
由は主としてスクリーン印刷笠により封1に枠を形成し
てから硬化するまての間の形状保持性によるものである
。
脂、硬化剤、充填剤及びチキソ剤を含み、かつ粘度及び
チキソトロピック指数か特定の範囲に限定されるもので
ある。ここで、組成物の粘度を2+01 ”50(IP
sに限定した理由は七としてスクリーン印刷等により封
11−枠を形成する際の印刷適性によるものであり1組
成物のチキソトロピック指数を20〜60に限定した理
由は主としてスクリーン印刷笠により封1に枠を形成し
てから硬化するまての間の形状保持性によるものである
。
本発明の封11−枠形成用樹脂組成物を通常のスクリー
ンl刷法等の方法により、゛h導体素f−搭佐川用路J
、(&(1)の゛h導体素子塔a部の周囲に形成したi
J +l W (5)は、M1成物の印刷適性及び硬化
時の形状保持特性が優れているため、 +110 hm
以1−の封Il二枠高さであっても、極めてrN?nに
11トることかできる。
ンl刷法等の方法により、゛h導体素f−搭佐川用路J
、(&(1)の゛h導体素子塔a部の周囲に形成したi
J +l W (5)は、M1成物の印刷適性及び硬化
時の形状保持特性が優れているため、 +110 hm
以1−の封Il二枠高さであっても、極めてrN?nに
11トることかできる。
(実施例)
次に本9.明を実施例によりJL体的に説明する。
まず、未発jllのJJ+L枠形成川樹脂用成物の配合
例を説11するが1本発明は以ドの配合例に限定される
ものではない、以Fの配合例において1%」とあるのは
全て「屯驕%」を、α味する。
例を説11するが1本発明は以ドの配合例に限定される
ものではない、以Fの配合例において1%」とあるのは
全て「屯驕%」を、α味する。
酷立與ユ
フェノールノボラ・ンク型エポキシ樹脂(エポキシちに
180)54%にノボラック型フェノール樹脂(フェノ
ール当敬1117 ) 5 + 5%、2−エチル−4
−メチルイミダゾール3%、酸化チタン18%、タルク
4.5%、シリカ微粉末4.5%、メチルイソブチカル
ピトール10.5%を混合し、ホモディスパーにより子
MI混合したのち、三本ロールミルにより混練した。
180)54%にノボラック型フェノール樹脂(フェノ
ール当敬1117 ) 5 + 5%、2−エチル−4
−メチルイミダゾール3%、酸化チタン18%、タルク
4.5%、シリカ微粉末4.5%、メチルイソブチカル
ピトール10.5%を混合し、ホモディスパーにより子
MI混合したのち、三本ロールミルにより混練した。
艶了日11
フェノールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当z1
目B+1)15%、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(
エポキシ当:、;、+qo) :1%に、ジアミノジフ
ェニルメタン8%、タルク3コ%、シリカ微粉末3%、
メチルイソブチルカルピトール18%を混合し、ホモデ
ィスパーにより−(−備混合したのち、三本ロールミル
により混練した。
目B+1)15%、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(
エポキシ当:、;、+qo) :1%に、ジアミノジフ
ェニルメタン8%、タルク3コ%、シリカ微粉末3%、
メチルイソブチルカルピトール18%を混合し、ホモデ
ィスパーにより−(−備混合したのち、三本ロールミル
により混練した。
(立性ユ
フェノールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ511
口an)45%に1−ベンジル−2−メチルイミダゾー
ル7%、結晶シリカ粉末21%、シリカ微粉末4%、メ
チルイソブチルカルピトール23%を混合し、ホモディ
スパーにより予418混合したのち。
口an)45%に1−ベンジル−2−メチルイミダゾー
ル7%、結晶シリカ粉末21%、シリカ微粉末4%、メ
チルイソブチルカルピトール23%を混合し、ホモディ
スパーにより予418混合したのち。
−三本ロールミルにより混練した。
配合例4
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当j、+1
90)34%、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(エポ
キシ5晴+70):+3%に2−エチル−4−メチルイ
ミダゾール3%、溶融シリカ27%、酸化マグネシウム
微粉末3%を混合し、ホモディスパーにより予備混合し
たのら、三本ロールミルにより混練した。
90)34%、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(エポ
キシ5晴+70):+3%に2−エチル−4−メチルイ
ミダゾール3%、溶融シリカ27%、酸化マグネシウム
微粉末3%を混合し、ホモディスパーにより予備混合し
たのら、三本ロールミルにより混練した。
酌立轡j
Ifil還型エ本型エポキシ樹脂キシ当ムt、l:l5
)25%にヘキサヒドロ無水フタルM2コ%、l−ベン
ジル−2−メチルイミダゾール0.3%、溶融シリカ4
8.8%、シリカ微粉末3%を混合し、ホモディスパー
により予備混合したのち、三本ロールミルにより混練し
た。
)25%にヘキサヒドロ無水フタルM2コ%、l−ベン
ジル−2−メチルイミダゾール0.3%、溶融シリカ4
8.8%、シリカ微粉末3%を混合し、ホモディスパー
により予備混合したのち、三本ロールミルにより混練し
た。
1記、各配合例において得られたM1成物のB型粘度計
による温度Z5℃、ずり速度15ec−’の粘度及び(
B型粘度計によるずり速度1 sc(’の粘度)/(B
型粘度計によるずり速度11!0sec−’の粘度)で
示すチキソトロピーyり指数は次のようである。
による温度Z5℃、ずり速度15ec−’の粘度及び(
B型粘度計によるずり速度1 sc(’の粘度)/(B
型粘度計によるずり速度11!0sec−’の粘度)で
示すチキソトロピーyり指数は次のようである。
次に、封11−枠形成川樹脂組成物として前記配合例1
の組成物により1本発1多1の封1ヒ枠を形成する一実
施例を、より具体的に説明するが、未発明の封1に枠は
以ドの実施例に限定されるものではない。
の組成物により1本発1多1の封1ヒ枠を形成する一実
施例を、より具体的に説明するが、未発明の封1に枠は
以ドの実施例に限定されるものではない。
まず、前記配合例1の組成物を1通常のスクリーン印刷
法により半導体素子搭載用回路J、Ii板の半導体素子
搭載部の周囲に枠状に塗布する。
法により半導体素子搭載用回路J、Ii板の半導体素子
搭載部の周囲に枠状に塗布する。
このとき、ステンレススクリーン(メツシュオープニン
グ178μm 乳剤厚2110gm>を用いで、外形1
0−角、幅0.8−麿の枠形状を印刷したとき1版裏へ
の樹脂の回り込みによるにじみの発生や、スクリーンメ
ツシュからの樹脂の出が悪いことによるかずれの発生や
、印刷時および版離れ時に起こるだれの発生は皆無であ
った。
グ178μm 乳剤厚2110gm>を用いで、外形1
0−角、幅0.8−麿の枠形状を印刷したとき1版裏へ
の樹脂の回り込みによるにじみの発生や、スクリーンメ
ツシュからの樹脂の出が悪いことによるかずれの発生や
、印刷時および版離れ時に起こるだれの発生は皆無であ
った。
つぎに、 Iio記スタスクリーン印刷り形成されたJ
4 +F枠を有する゛詐導体素子搭載用回路基板を温度
140°Cの熱風炉に15分間入れ、封止枠形成用樹脂
を硬化させた。
4 +F枠を有する゛詐導体素子搭載用回路基板を温度
140°Cの熱風炉に15分間入れ、封止枠形成用樹脂
を硬化させた。
このとき、封止枠形成用樹脂は加熱により低粘化するが
、樹脂そのものの形状保持性が高いため、たれ等の発生
はなく印刷時の封11−枠の固定形状か保持されろ。そ
の結果、前記ステンレススクリーンを用いて印刷され形
成された」41枠は1幅が約1.0g+−,高さか約1
)、2■謹の断面が半円形の形状となった。
、樹脂そのものの形状保持性が高いため、たれ等の発生
はなく印刷時の封11−枠の固定形状か保持されろ。そ
の結果、前記ステンレススクリーンを用いて印刷され形
成された」41枠は1幅が約1.0g+−,高さか約1
)、2■謹の断面が半円形の形状となった。
このようにして形成された封止枠(5)を有する半導体
素fMSa用回路基板の半導体素子搭載部に半導体二に
了(6)をダイボンディングし、゛誘導体末子(6)の
パッドと回路ノ、(板のパターン(2)との間を金ワイ
ヤ(7)によってワイヤーボンディングした抄、j4+
F枠(5)の内部へ液状のエポキシ樹脂をボッティング
M 11: L/ 、加熱により硬化さけた。このとき
、液状のエポキシ樹脂と封1枠との親和性が高いので、
シリコン樹脂等の撥水性樹脂により形成されたj4IL
−枠におけるような液状のエポキシ樹脂の盛り1−り現
象は起らず、第2図に示すように、J4tl=枠内の液
状のエポキシ樹脂はフラットな形状で硬化する。また、
本発明の封IE枠形成用樹脂組成物を使用して形成され
た封1ト枠は、印刷により形成された形状がそのまま保
持されるため、封【F枠の高さの均一性が高いので、封
+L枠内にボッティング」111−される液状のエポキ
シ樹脂量に多少の変動があ−)ても、封!■−枠を越え
て流れ出ることはない。
素fMSa用回路基板の半導体素子搭載部に半導体二に
了(6)をダイボンディングし、゛誘導体末子(6)の
パッドと回路ノ、(板のパターン(2)との間を金ワイ
ヤ(7)によってワイヤーボンディングした抄、j4+
F枠(5)の内部へ液状のエポキシ樹脂をボッティング
M 11: L/ 、加熱により硬化さけた。このとき
、液状のエポキシ樹脂と封1枠との親和性が高いので、
シリコン樹脂等の撥水性樹脂により形成されたj4IL
−枠におけるような液状のエポキシ樹脂の盛り1−り現
象は起らず、第2図に示すように、J4tl=枠内の液
状のエポキシ樹脂はフラットな形状で硬化する。また、
本発明の封IE枠形成用樹脂組成物を使用して形成され
た封1ト枠は、印刷により形成された形状がそのまま保
持されるため、封【F枠の高さの均一性が高いので、封
+L枠内にボッティング」111−される液状のエポキ
シ樹脂量に多少の変動があ−)ても、封!■−枠を越え
て流れ出ることはない。
(3i用の効果)
以」二のように本発明の封1に枠形成用樹脂組成物を使
用して形成したJ411−枠を有する半導体素子搭載用
回路基板は、当該組成物の印刷特性及び硬化時の形状保
持性が、封止枠のような大きな印刷厚さか要求される用
途に対してよく適合していること、その結果としで、た
れ等がなく安定した高さの封(1−枠が形成されるため
、置市樹脂による封1トか完全に行なわれること、ボッ
ティングM1トされる液状樹脂か盛り[−らないため、
封止後の厚みを薄くすることができること、スクリーン
印刷等の方法が採用できるので安価であることなど、多
くの効果かあり産又り極めて有用である。
用して形成したJ411−枠を有する半導体素子搭載用
回路基板は、当該組成物の印刷特性及び硬化時の形状保
持性が、封止枠のような大きな印刷厚さか要求される用
途に対してよく適合していること、その結果としで、た
れ等がなく安定した高さの封(1−枠が形成されるため
、置市樹脂による封1トか完全に行なわれること、ボッ
ティングM1トされる液状樹脂か盛り[−らないため、
封止後の厚みを薄くすることができること、スクリーン
印刷等の方法が採用できるので安価であることなど、多
くの効果かあり産又り極めて有用である。
その1−1本発明のJ11]−枠形成用樹脂組成物な使
用しで、゛h導体素子搭載川用路基板の所定の位置にス
クリーン印刷等によりj4【L枠を形成しくす化させた
後、ilびそのj411−枠の上に重ねて印刷しで、封
IL枠の高さを更に高くすることも1本発明の組1&、
物の特性により可能である。
用しで、゛h導体素子搭載川用路基板の所定の位置にス
クリーン印刷等によりj4【L枠を形成しくす化させた
後、ilびそのj411−枠の上に重ねて印刷しで、封
IL枠の高さを更に高くすることも1本発明の組1&、
物の特性により可能である。
第1図は未発Illの封+1−枠形成用樹脂組成物を使
用して形成した封1ト枠を有する半導体よ千MS佐用回
路基板を示す部分拡大断面図、:jXZ図は本発明の封
lト伜形成用樹脂組成物を使用して形成した封11ユ枠
を右する゛誘導体よ子搭技用回路基扱に半導体素子を実
装したのち2液状樹脂によりボウティング封11ニジた
状態を示す部分拡大断面図である。 符 −) の 説 明
用して形成した封1ト枠を有する半導体よ千MS佐用回
路基板を示す部分拡大断面図、:jXZ図は本発明の封
lト伜形成用樹脂組成物を使用して形成した封11ユ枠
を右する゛誘導体よ子搭技用回路基扱に半導体素子を実
装したのち2液状樹脂によりボウティング封11ニジた
状態を示す部分拡大断面図である。 符 −) の 説 明
Claims (2)
- (1)エポキシ樹脂、硬化剤、充填剤及びチキソ剤を含
む組成物であって、B型粘度計における温度25℃、ず
り速度1sec^−^1の粘度が200〜500PSで
、かつ(B型粘度計によるずり速度1sec^−^1の
粘度)/(B型粘度計によるずり速度100sec^−
^1の粘度)で示すチキソトロピック指数が20〜60
であることを特徴とする半導体素子搭載用回路基板の封
止枠形成用樹脂組成物。 - (2)半導体素子搭載用回路基板の半導体素子搭載部の
周囲に形成された封止枠が、エポキシ樹脂、硬化剤、充
填剤及びチキソ剤を含み、B型粘度計における温度25
℃、ずり速度1sec^−^1の粘度が200〜500
PSで、かつ(B型粘度計によるずり速度1sec^−
^1の粘度)/(B型粘度計によるずり速度100se
c^−^1の粘度)で示すチキソトロピック指数が20
〜60の組成物により形成されてなることを特徴とする
封止枠を有する半導体素子搭載用回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61079011A JPH0691169B2 (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 封止枠形成用樹脂組成物及びそれにより形成された封止枠を有する半導体素子搭載用回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61079011A JPH0691169B2 (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 封止枠形成用樹脂組成物及びそれにより形成された封止枠を有する半導体素子搭載用回路基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62235315A true JPS62235315A (ja) | 1987-10-15 |
JPH0691169B2 JPH0691169B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=13678007
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61079011A Expired - Lifetime JPH0691169B2 (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 封止枠形成用樹脂組成物及びそれにより形成された封止枠を有する半導体素子搭載用回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0691169B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05222270A (ja) * | 1992-02-07 | 1993-08-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及び硬化物 |
FR2793069A1 (fr) * | 1999-04-28 | 2000-11-03 | Gemplus Card Int | Procede de fabrication de dispositif electronique portable a circuit integre protege par resine photosensible |
JP2004083761A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Matsushita Electric Works Ltd | 液状封止材料及び半導体装置 |
JP2017502521A (ja) * | 2013-12-27 | 2017-01-19 | ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電子製品中のダイボンディングプロセス |
-
1986
- 1986-04-04 JP JP61079011A patent/JPH0691169B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05222270A (ja) * | 1992-02-07 | 1993-08-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及び硬化物 |
FR2793069A1 (fr) * | 1999-04-28 | 2000-11-03 | Gemplus Card Int | Procede de fabrication de dispositif electronique portable a circuit integre protege par resine photosensible |
WO2000067316A2 (fr) * | 1999-04-28 | 2000-11-09 | Gemplus | Procede de fabrication de dispositif electronique portable a circuit integre protege par resine photosensible |
WO2000067316A3 (fr) * | 1999-04-28 | 2001-03-29 | Gemplus Card Int | Procede de fabrication de dispositif electronique portable a circuit integre protege par resine photosensible |
US6613609B1 (en) | 1999-04-28 | 2003-09-02 | Gemplus | Method for producing a portable electronic device with an integrated circuit protected by a photosensitive resin |
JP2004083761A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Matsushita Electric Works Ltd | 液状封止材料及び半導体装置 |
JP2017502521A (ja) * | 2013-12-27 | 2017-01-19 | ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電子製品中のダイボンディングプロセス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0691169B2 (ja) | 1994-11-14 |
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