JP2003301026A - 液状封止樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
液状封止樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置Info
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- JP2003301026A JP2003301026A JP2002107046A JP2002107046A JP2003301026A JP 2003301026 A JP2003301026 A JP 2003301026A JP 2002107046 A JP2002107046 A JP 2002107046A JP 2002107046 A JP2002107046 A JP 2002107046A JP 2003301026 A JP2003301026 A JP 2003301026A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液状樹脂組成物を用いて半導体チップ、特に
回路面に突起電極を有する半導体チップを封止するエリ
ア実装法において、従来と同様に電気絶縁性に優れ、封
止時間が短く、また本液状樹脂材料組成物において、今
まで困難であったフィラー高充填化しても実装接続信頼
性が確保できる樹脂組成物とその製造方法である。 【解決手段】 （Ａ）２個以上のエポキシ基を有するエ
ポキシ樹脂，（Ｂ）フラックス作用を有し、１分子あた
り少なくとも２個以上のフェノール性水酸基と１分子当
たり少なくとも１個以上のカルボン酸基を有する化合
物、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）ジシロキサン構造を有す
るシリコーン変性液状エポキシ樹脂、及び（Ｅ）無機フ
ィラーを有する液状封止樹脂組成物である。
回路面に突起電極を有する半導体チップを封止するエリ
ア実装法において、従来と同様に電気絶縁性に優れ、封
止時間が短く、また本液状樹脂材料組成物において、今
まで困難であったフィラー高充填化しても実装接続信頼
性が確保できる樹脂組成物とその製造方法である。 【解決手段】 （Ａ）２個以上のエポキシ基を有するエ
ポキシ樹脂，（Ｂ）フラックス作用を有し、１分子あた
り少なくとも２個以上のフェノール性水酸基と１分子当
たり少なくとも１個以上のカルボン酸基を有する化合
物、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）ジシロキサン構造を有す
るシリコーン変性液状エポキシ樹脂、及び（Ｅ）無機フ
ィラーを有する液状封止樹脂組成物である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バンプ接合が可能
な樹脂組成物であり、信頼性に優れ、かつ組み立て工程
を簡略できるような樹脂組成物で封止された半導体装置
及び半導体装置の製造方法に関するものである。
な樹脂組成物であり、信頼性に優れ、かつ組み立て工程
を簡略できるような樹脂組成物で封止された半導体装置
及び半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年半導体パッケージの軽薄短小化の技
術革新は目覚しいものがあり、さまざまなパッケージ構
遣が提唱され、製品化されている。従来のリードフレー
ム接合に代わり、半田のような突起電極により、回路基
板(マザーボード)に接合するエリア実装方式は特に重要
である。
術革新は目覚しいものがあり、さまざまなパッケージ構
遣が提唱され、製品化されている。従来のリードフレー
ム接合に代わり、半田のような突起電極により、回路基
板(マザーボード)に接合するエリア実装方式は特に重要
である。
【０００３】その中で半導体チップの回路面に直接突起
電極が具備されたフリップチップはパッケージを最小化
できる方法のひとつである。フリップチップ実装は、半
田電極の場合、半田電極の表面の酸化膜を除去するため
にフラックスで処理した後リフロー等の方法で接合す
る。その為半田電極、回路基板等の周囲にフラックスが
残存し、不純物として問題となるためフラックスを除去
する洗浄を行った後液状封止を行う。その理由として
は、直接回路基板(マザーボード)に突起電極で接合する
ため、温度サイクル試験のような信頼性試験を行うと、
チップと回路板の線膨張係数の差により電極接合部の電
気的不良が発生するためである。
電極が具備されたフリップチップはパッケージを最小化
できる方法のひとつである。フリップチップ実装は、半
田電極の場合、半田電極の表面の酸化膜を除去するため
にフラックスで処理した後リフロー等の方法で接合す
る。その為半田電極、回路基板等の周囲にフラックスが
残存し、不純物として問題となるためフラックスを除去
する洗浄を行った後液状封止を行う。その理由として
は、直接回路基板(マザーボード)に突起電極で接合する
ため、温度サイクル試験のような信頼性試験を行うと、
チップと回路板の線膨張係数の差により電極接合部の電
気的不良が発生するためである。
【０００４】液状樹脂による封止は、チップの一辺また
は複数面に液状封止樹脂を塗布し毛細管現象を利用して
樹脂を回路板とチップの間隙に流れ込ませる。しかしこ
の方法はフラックス処理、洗浄を行うため工程が長くな
りかつ洗浄廃液の処理問題等環境管理を厳しくしなけれ
ばならない。更に液状封止を毛細管現象で行うため封止
時間が長くなり、生産性に問題があった。
は複数面に液状封止樹脂を塗布し毛細管現象を利用して
樹脂を回路板とチップの間隙に流れ込ませる。しかしこ
の方法はフラックス処理、洗浄を行うため工程が長くな
りかつ洗浄廃液の処理問題等環境管理を厳しくしなけれ
ばならない。更に液状封止を毛細管現象で行うため封止
時間が長くなり、生産性に問題があった。
【０００５】そこで直接回路基板に樹脂を塗布し、はん
だ電極を持ったチップをその上から搭載し半田接合と樹
脂封止を同時に行う方法か考案された（米国特許ＵＳ5,
128,746）。この場合、半田を回路基板に接合させるため
に、熱硬化製樹脂、硬化剤からなる樹脂組成物にフラック
ス作用を有する成分を添加することが特徴である。しか
し，フラックス作用を有する物質として、酸性度の強い
カルボン酸が例示されており、封止樹脂に添加する場合
はイオン性不純物または電気伝導性が増加する恐れがあ
り、特に吸湿処理したときの封止材料の絶縁性に問題を
起こす可能性があった。
だ電極を持ったチップをその上から搭載し半田接合と樹
脂封止を同時に行う方法か考案された（米国特許ＵＳ5,
128,746）。この場合、半田を回路基板に接合させるため
に、熱硬化製樹脂、硬化剤からなる樹脂組成物にフラック
ス作用を有する成分を添加することが特徴である。しか
し，フラックス作用を有する物質として、酸性度の強い
カルボン酸が例示されており、封止樹脂に添加する場合
はイオン性不純物または電気伝導性が増加する恐れがあ
り、特に吸湿処理したときの封止材料の絶縁性に問題を
起こす可能性があった。
【０００６】上記問題点を解決するために、硬化剤とフ
ラックス活性を同時に有する化合物を用いることにより
フラックス活性物質を最終的に熱硬化マトリックスの中
に取り込み、信頼性の高い半導体素子を得る方法が検討
されている。その中で１分子あたり少なくとも２個以上
のフェノール性水酸基と１分子当たり少なくとも１個以
上のカルボン酸基を有する化合物はフラックス活性を有
し、且つ硬化剤としての役割を示すことが見出されてい
る（公開２００１−１０６７７０号公報）。
ラックス活性を同時に有する化合物を用いることにより
フラックス活性物質を最終的に熱硬化マトリックスの中
に取り込み、信頼性の高い半導体素子を得る方法が検討
されている。その中で１分子あたり少なくとも２個以上
のフェノール性水酸基と１分子当たり少なくとも１個以
上のカルボン酸基を有する化合物はフラックス活性を有
し、且つ硬化剤としての役割を示すことが見出されてい
る（公開２００１−１０６７７０号公報）。
【０００７】直接回路基板に樹脂を塗布し、はんだ電極
を持ったチップをその上から搭載し半田接合と樹脂封止
を同時に行う方法であると、−般的に接合部の噛み込み
の懸念点から、フィラーレス系が用いられるが、信頼性
に劣るという欠点がある。これを補う為、通常無機シリ
カのようなフィラーが添加されるが、噛み込みやフラッ
クス活性濃度の低下による接合不良か生してしまう可能
性からフィラーの添加量は２０〜３０重量％が限度であ
った。
を持ったチップをその上から搭載し半田接合と樹脂封止
を同時に行う方法であると、−般的に接合部の噛み込み
の懸念点から、フィラーレス系が用いられるが、信頼性
に劣るという欠点がある。これを補う為、通常無機シリ
カのようなフィラーが添加されるが、噛み込みやフラッ
クス活性濃度の低下による接合不良か生してしまう可能
性からフィラーの添加量は２０〜３０重量％が限度であ
った。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、液状
樹脂組成物を用いて半導体チップ、特に回路面に突起電
極を有する半導体チップを封止するエリア実装法におい
て、従来と同様に電気絶縁性に優れ、封止時間が短く、
また液状樹脂材料組成物において，今まで困難であった
フィラーを高充填化しても実装接続信頼性が確保ができ
る樹脂組成物とその製造方法である。
樹脂組成物を用いて半導体チップ、特に回路面に突起電
極を有する半導体チップを封止するエリア実装法におい
て、従来と同様に電気絶縁性に優れ、封止時間が短く、
また液状樹脂材料組成物において，今まで困難であった
フィラーを高充填化しても実装接続信頼性が確保ができ
る樹脂組成物とその製造方法である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、これらの問題
を解決する為鋭意検討した結果、(Ａ)２個以上のエポキ
シ基を有するエポキシ樹脂、(Ｂ)フラックス作用を有
し、１分子あたり少なくとも２個以上のフェノール性水
酸基と１分子当たり少なくとも１個以上のカルボン酸基
を有する化合物、(Ｃ)硬化促進剤、（Ｄ）ジシロキサン
構造を有するシリコーン変性液状エポキシ樹脂、及び
（Ｅ）無機フィラーを有する液状封止樹脂組成物であ
る。
を解決する為鋭意検討した結果、(Ａ)２個以上のエポキ
シ基を有するエポキシ樹脂、(Ｂ)フラックス作用を有
し、１分子あたり少なくとも２個以上のフェノール性水
酸基と１分子当たり少なくとも１個以上のカルボン酸基
を有する化合物、(Ｃ)硬化促進剤、（Ｄ）ジシロキサン
構造を有するシリコーン変性液状エポキシ樹脂、及び
（Ｅ）無機フィラーを有する液状封止樹脂組成物であ
る。
【００１０】更に好ましい形態としては、ジシロキサン
構造を有するシリコーン変性液状エポキシ樹脂が、一般
式（１）で示される液状封止樹脂組成物であり、ジシロ
キサン構造を有するシリコーン変性液状エポキシ樹脂
が、一般式（１）で示されるシリコーン変性液状エポキ
シ樹脂のｍが０であるシリコーン変性液状エポキシ樹脂
と一般式（２）で表されるフェノール類とを加熱反応に
より合成したものである液状封止樹脂組成物である。ま
た、一般式（１）で示されるシリコーン変性液状エポキ
シ樹脂のｍが０であるシリコーン変性液状エポキシ樹脂
（ａ）と一般式（２）で表されるフェノール類（ｂ）と
のモル比[（ａ）のエポキシ基モル比／（ｂ）の水酸基
モル比]が、１〜１０の範囲であり、全エポキシ樹脂中
に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂が７５〜
９５重量％含まれ、フラックス作用を有し、１分子あた
り少なくとも２個以上のフェノール性水酸基と１分子当
たり少なくとも１個以上のカルボン酸基を有する化合物
の粒径または長さが最大３０μｍ以下であり、無機フィ
ラーの平均粒径が０．５〜１０ｕｍ、かつ最大粒径が２
７μｍ以下であり、液状封止樹脂組成物に対して無機フ
ィラーを２０〜６０重量％含む液状封止樹脂組成物であ
る。
構造を有するシリコーン変性液状エポキシ樹脂が、一般
式（１）で示される液状封止樹脂組成物であり、ジシロ
キサン構造を有するシリコーン変性液状エポキシ樹脂
が、一般式（１）で示されるシリコーン変性液状エポキ
シ樹脂のｍが０であるシリコーン変性液状エポキシ樹脂
と一般式（２）で表されるフェノール類とを加熱反応に
より合成したものである液状封止樹脂組成物である。ま
た、一般式（１）で示されるシリコーン変性液状エポキ
シ樹脂のｍが０であるシリコーン変性液状エポキシ樹脂
（ａ）と一般式（２）で表されるフェノール類（ｂ）と
のモル比[（ａ）のエポキシ基モル比／（ｂ）の水酸基
モル比]が、１〜１０の範囲であり、全エポキシ樹脂中
に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂が７５〜
９５重量％含まれ、フラックス作用を有し、１分子あた
り少なくとも２個以上のフェノール性水酸基と１分子当
たり少なくとも１個以上のカルボン酸基を有する化合物
の粒径または長さが最大３０μｍ以下であり、無機フィ
ラーの平均粒径が０．５〜１０ｕｍ、かつ最大粒径が２
７μｍ以下であり、液状封止樹脂組成物に対して無機フ
ィラーを２０〜６０重量％含む液状封止樹脂組成物であ
る。
【００１１】また、液状封止樹脂組成物がエリア実装方
式に使用される液状封止樹脂組成物であり、液状封止樹
脂組成物を用いて製作された半導体装置である。
式に使用される液状封止樹脂組成物であり、液状封止樹
脂組成物を用いて製作された半導体装置である。
【化３】
【化４】
（Ｒｌ〜Ｒ５は、Ｈ、アルキル基、アリル基の中から選
択される基であり、ｎは０以上の整数である。）
択される基であり、ｎは０以上の整数である。）
【００１２】また、回路基板に、回路面に突起電極が具
備された半導体チップを接合するエリア実装法におい
て、回路基板または半導体チップの回路面（突起電極形
成面）かつ又はこれを受ける回路基板に、上記の液状封
止樹脂組成物を塗布し、電極が電気接合されるように回
路基板と半導体チップとを位置合わせした後、加熱する
ことによって突起電極と回路基板を電気的に接合し、樹
脂を硬化させて製造する半導体装置の製造方法であり、
前述の製造方法により製作された半導体装置である。
備された半導体チップを接合するエリア実装法におい
て、回路基板または半導体チップの回路面（突起電極形
成面）かつ又はこれを受ける回路基板に、上記の液状封
止樹脂組成物を塗布し、電極が電気接合されるように回
路基板と半導体チップとを位置合わせした後、加熱する
ことによって突起電極と回路基板を電気的に接合し、樹
脂を硬化させて製造する半導体装置の製造方法であり、
前述の製造方法により製作された半導体装置である。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明を詳細に説明する。本発明
で用いられるエポキシ樹脂は、平均エポキシ当量が２以
上であれば、既存のビスフェノール系シグリシジルエー
テル類、またそれらの水素添加反応により芳香環を飽和
炭化水素化したもの、フェノールノボラックとエピクロ
ールヒドリンとの反応で得られるグリシジルエーテルで
常温で液状のもの等、またはそれらを混合したものが挙
げられる。またこれらの液状樹脂にジヒドロキシナフタ
レンのジグリシジルエーテル、テトラメチルビフェノー
ルのシグリシジルエーテル等の結晶性のエポキシ樹脂を
混合し、液状にしたものを使用することもできる。
で用いられるエポキシ樹脂は、平均エポキシ当量が２以
上であれば、既存のビスフェノール系シグリシジルエー
テル類、またそれらの水素添加反応により芳香環を飽和
炭化水素化したもの、フェノールノボラックとエピクロ
ールヒドリンとの反応で得られるグリシジルエーテルで
常温で液状のもの等、またはそれらを混合したものが挙
げられる。またこれらの液状樹脂にジヒドロキシナフタ
レンのジグリシジルエーテル、テトラメチルビフェノー
ルのシグリシジルエーテル等の結晶性のエポキシ樹脂を
混合し、液状にしたものを使用することもできる。
【００１４】次に本発明に用いられる１分子あたり少な
くとも２個以上のフェノール性水酸基と１分子当たり少
なくとも１個以上の芳香族カルホン酸を有する化合物の
例としては、例えば、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、
２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ
安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジ
ヒドロキシ安息香酸、没食子酸、１，４−ジヒドロキシ
−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフト
エ酸、フェノールフタリン、ジフェノール酸等がある。
この硬化剤としての１分子あたり少なくとも２個以上の
フェノール性水酸基と１分子当たり少なくとも１個以上
の芳香族カルボン酸を有する化合物はフラックス作用が
あり、エリア実装方式の樹脂封止用のエポキン樹脂の硬
化剤として好ましい。ここて、フラックス性とは通常用
いられているようなフラックス剤と同様に、金属酸化膜
を還元し、その酸化膜を除去しうる性質を示す。
くとも２個以上のフェノール性水酸基と１分子当たり少
なくとも１個以上の芳香族カルホン酸を有する化合物の
例としては、例えば、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、
２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ
安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジ
ヒドロキシ安息香酸、没食子酸、１，４−ジヒドロキシ
−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフト
エ酸、フェノールフタリン、ジフェノール酸等がある。
この硬化剤としての１分子あたり少なくとも２個以上の
フェノール性水酸基と１分子当たり少なくとも１個以上
の芳香族カルボン酸を有する化合物はフラックス作用が
あり、エリア実装方式の樹脂封止用のエポキン樹脂の硬
化剤として好ましい。ここて、フラックス性とは通常用
いられているようなフラックス剤と同様に、金属酸化膜
を還元し、その酸化膜を除去しうる性質を示す。
【００１５】またこれらの硬化剤はいずれも結晶性であ
り、その最大粒径または最大長さは特に制限されないが
３０ｕｍ以下であることが好ましい。上限値より大きい
と結晶中に取り込まれた揮発分または結晶凝集物内に取
り込まれた揮発分の量が多くなり、硬化中の急激な温度
上昇により揮発分がボイドとなり、また、分散度が低下
し、硬化物のむらが生成し、そこからひけを生してしま
う可能性がある。
り、その最大粒径または最大長さは特に制限されないが
３０ｕｍ以下であることが好ましい。上限値より大きい
と結晶中に取り込まれた揮発分または結晶凝集物内に取
り込まれた揮発分の量が多くなり、硬化中の急激な温度
上昇により揮発分がボイドとなり、また、分散度が低下
し、硬化物のむらが生成し、そこからひけを生してしま
う可能性がある。
【００１６】本願で使用されるエポキシ樹脂に対する１
分子あたり少なくとも２個以上のフェノール性水酸基と
１分子当たり少なくとも１個以上の芳香族カルボン酸を
有する化合物の添加量は、エポキシ樹脂に対し５〜６０
重量％、好ましくは５〜５０重量％である。この範囲を
外れると、架橋密度が減少し、特に接着強度が低下する
という問題が起こる可能性がある。また添加量が多い場
合はカルボン酸が遊離する可能性がある。化合物は単独
または複数添加することもできる。
分子あたり少なくとも２個以上のフェノール性水酸基と
１分子当たり少なくとも１個以上の芳香族カルボン酸を
有する化合物の添加量は、エポキシ樹脂に対し５〜６０
重量％、好ましくは５〜５０重量％である。この範囲を
外れると、架橋密度が減少し、特に接着強度が低下する
という問題が起こる可能性がある。また添加量が多い場
合はカルボン酸が遊離する可能性がある。化合物は単独
または複数添加することもできる。
【００１７】本発明の効果を損なわない範囲で本発明の
１分子あたり少なくとも２個以上のフェノール性水酸基
と１分子当たり少なくとも１個以上の芳香族カルボン酸
を有する化合物以外の硬化剤を添加することも可能であ
る。その例としては、フェノールノボラック樹脂、オル
ソクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂、各種
２官能以上のフェノール化合物、及びイミダゾール、ジ
アザ化合物、ヒドラジッド化合物、ジシアンジアミド等
のアミン系化合物等が挙げられる。その添加量は全硬化
剤中５０重量％以下であることが好ましい。これを上回
るとフラックスとしての効果が減少する可能性がある。
１分子あたり少なくとも２個以上のフェノール性水酸基
と１分子当たり少なくとも１個以上の芳香族カルボン酸
を有する化合物以外の硬化剤を添加することも可能であ
る。その例としては、フェノールノボラック樹脂、オル
ソクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂、各種
２官能以上のフェノール化合物、及びイミダゾール、ジ
アザ化合物、ヒドラジッド化合物、ジシアンジアミド等
のアミン系化合物等が挙げられる。その添加量は全硬化
剤中５０重量％以下であることが好ましい。これを上回
るとフラックスとしての効果が減少する可能性がある。
【００１８】本発明で用いる硬化促進剤としては、一般
的にエポキシ樹脂の硬化促進剤として用いられるもので
あり、例えば、イミダゾール類、リン化合物、ジアザ化
合物、第三級アミン等をあげることができる。
的にエポキシ樹脂の硬化促進剤として用いられるもので
あり、例えば、イミダゾール類、リン化合物、ジアザ化
合物、第三級アミン等をあげることができる。
【００１９】本発明で用いられる無機フィラーの例とし
ては、例えば、炭酸カルシウム、シリカ、アルミナ、窒
化アルミ等があげられる。用途によりこれらを複数混合
してもよいが、信頼性、コストの点でシリカが好まし
い。その添加量は特に制限がないが、封止樹脂としての
特性（耐湿性、作業性等）を保つため液状封止樹脂組成
物の８０重量％以下であることが好ましい。より好まし
くは２０〜７０重量％であり、更に好ましくは３０〜７
０重量％である。上限値を超えると、接合の際、絶縁性
のフィラーが半導体素子の突起電極と回路板電極との接
合を妨げる可能性がある。
ては、例えば、炭酸カルシウム、シリカ、アルミナ、窒
化アルミ等があげられる。用途によりこれらを複数混合
してもよいが、信頼性、コストの点でシリカが好まし
い。その添加量は特に制限がないが、封止樹脂としての
特性（耐湿性、作業性等）を保つため液状封止樹脂組成
物の８０重量％以下であることが好ましい。より好まし
くは２０〜７０重量％であり、更に好ましくは３０〜７
０重量％である。上限値を超えると、接合の際、絶縁性
のフィラーが半導体素子の突起電極と回路板電極との接
合を妨げる可能性がある。
【００２０】また無機フィラーの形状は球状であること
が好ましい。いわゆる破砕型フィラーの場合はその鋭利
な面により半導体素子表面の回路を破壊する可能性があ
る。無機フィラーの平均粒径としては特に制限されない
が、０．ｌ〜５μｍが好ましい。下限値より小さいと無
機フィラーの表面積が増加し、粘度が増加する可能性が
あり、上限値より大きいと半導体素子の接合を妨げる可
能性がある。
が好ましい。いわゆる破砕型フィラーの場合はその鋭利
な面により半導体素子表面の回路を破壊する可能性があ
る。無機フィラーの平均粒径としては特に制限されない
が、０．ｌ〜５μｍが好ましい。下限値より小さいと無
機フィラーの表面積が増加し、粘度が増加する可能性が
あり、上限値より大きいと半導体素子の接合を妨げる可
能性がある。
【００２１】本発明で用いられる一般式（１）で表され
るジシロキサン構造を有するシリコーン変性エポキシ樹
脂としては、その骨格中に一般式（１）で示されるモノ
ジシロキサン結合を有することが必要である。その例と
しては、一般式（１）で示されるシリコーン変性エポキ
シ樹脂を単独、又は該シリコーン変性エポキシ樹脂と、
該シリコーン変性エポキシ樹脂と反応しうる置換期を有
する化合物とを反応して得られるもの、又はビスフェノ
ールＡやビスフェノールＦ型エポキシ樹脂のようなジシ
ロキサン構造を有さない市販エポキシ樹脂と、エポキシ
基とカルボン酸、アミン、チオール類の反応しうる置換
基を有し、かつ一般式（１）で示されるモノジシロキサ
ン構造を有する化合物と反応して得られるもの等が挙げ
られるがこの限りではない。また、これらの反応はエポ
キシ樹脂過剰下のもとで行うのが望ましい。その中で、
一般式（１）で示され、且つｍ＝０であるシリコーン変
性エポキシ樹脂とビスフェノール類をエポキシ樹脂過剰
下のもとで反応させて得られる反応物が本発明に好適で
ある。ｍ＝１以上であっても弾性率を低下させて耐熱衝
撃性を発現させることは可能であるが、密着性を損なう
可能性が存在するので、ｍ＝０がより好ましい。
るジシロキサン構造を有するシリコーン変性エポキシ樹
脂としては、その骨格中に一般式（１）で示されるモノ
ジシロキサン結合を有することが必要である。その例と
しては、一般式（１）で示されるシリコーン変性エポキ
シ樹脂を単独、又は該シリコーン変性エポキシ樹脂と、
該シリコーン変性エポキシ樹脂と反応しうる置換期を有
する化合物とを反応して得られるもの、又はビスフェノ
ールＡやビスフェノールＦ型エポキシ樹脂のようなジシ
ロキサン構造を有さない市販エポキシ樹脂と、エポキシ
基とカルボン酸、アミン、チオール類の反応しうる置換
基を有し、かつ一般式（１）で示されるモノジシロキサ
ン構造を有する化合物と反応して得られるもの等が挙げ
られるがこの限りではない。また、これらの反応はエポ
キシ樹脂過剰下のもとで行うのが望ましい。その中で、
一般式（１）で示され、且つｍ＝０であるシリコーン変
性エポキシ樹脂とビスフェノール類をエポキシ樹脂過剰
下のもとで反応させて得られる反応物が本発明に好適で
ある。ｍ＝１以上であっても弾性率を低下させて耐熱衝
撃性を発現させることは可能であるが、密着性を損なう
可能性が存在するので、ｍ＝０がより好ましい。
【００２２】一般式（１）で示されるシリコーン変性エ
ポキシ樹脂とフェノール類の反応例としては、一般式
（１）のエポキシ樹脂（ａ）と一般式（２）で表される
ようなフェノール類（ｂ）(ｎ＝０，ＲはＨ，アルキル
基又はアリル基)とを混合し、必要により溶媒を加え１
００℃以上の条件て反応させる。当量比[（ａ）のエポ
キシ当量／（ｂ）の水酸基当量]としては、エポキシ基
の過剰な存在下での加熱反応が好ましく、(ａ)／（ｂ）
が１〜１０であることがより望ましい。これは、１未満
であるとエポキシ基が残存しないので液状フェノールを
添加しても、もはや反応しないためであり、１０以上に
なると未反応原料であるシリコーン変性エポキシ樹脂が
残り、硬化中にアウトガスとして周辺部材を汚染するお
それがあるためである。これら反応物の添加量として
は、全エポキシ樹脂に対し、５〜４０重量部であること
が望ましい。下限値より少ないと、シリコーン変性エポ
キシ樹脂としての特性である濡れ性の向上が発現せず、
フィラー高充填系にした場合にシリカの排除性に欠け、
本方式で用いた場合に噛み込みなとの接合不良を及ぼす
可能性がある。また上限値より多いと，熱可塑的な働き
が強まり、Ｔｇの低下や密着性の低下などを導く可能性
がある。
ポキシ樹脂とフェノール類の反応例としては、一般式
（１）のエポキシ樹脂（ａ）と一般式（２）で表される
ようなフェノール類（ｂ）(ｎ＝０，ＲはＨ，アルキル
基又はアリル基)とを混合し、必要により溶媒を加え１
００℃以上の条件て反応させる。当量比[（ａ）のエポ
キシ当量／（ｂ）の水酸基当量]としては、エポキシ基
の過剰な存在下での加熱反応が好ましく、(ａ)／（ｂ）
が１〜１０であることがより望ましい。これは、１未満
であるとエポキシ基が残存しないので液状フェノールを
添加しても、もはや反応しないためであり、１０以上に
なると未反応原料であるシリコーン変性エポキシ樹脂が
残り、硬化中にアウトガスとして周辺部材を汚染するお
それがあるためである。これら反応物の添加量として
は、全エポキシ樹脂に対し、５〜４０重量部であること
が望ましい。下限値より少ないと、シリコーン変性エポ
キシ樹脂としての特性である濡れ性の向上が発現せず、
フィラー高充填系にした場合にシリカの排除性に欠け、
本方式で用いた場合に噛み込みなとの接合不良を及ぼす
可能性がある。また上限値より多いと，熱可塑的な働き
が強まり、Ｔｇの低下や密着性の低下などを導く可能性
がある。
【００２３】本発明で用いる一般式（２）で表されるよ
うなフェノール類としてはビスフェノール類であり、低
粘度の反応生成物が出来るために好ましい。その例とし
ては、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、
ビスフェノールＳ、テトラメチルビスフェノールＡ、テ
トラメチルビスフェノールＦ、テトラメチルビスフェノ
ールＳ、ジヒドロキシジフェニルエーテル、ジヒドロキ
シベンゾフェノン、o−ヒドロキシフェノール、m-ヒド
ロキシフェノール、p-ヒドロキシフェノール、ビフェノ
ール、テトラメチルビフェノール、エチリデンビスフェ
ノール、メチルエチリデンビス（メチルフェノール）、
α-メチルベンジリデンビスフェノール、シクロへキシ
リデンビスフェノール、アリル化ビスフェノール等が挙
げられ、またその他一般的なフェノールとして公知であ
るフェノールノボラック、ナフタレン骨格型フェノー
ル，ビフェニル型フェノール、トリスヒドロキシフェニ
ルエタン等を用いても差し支えない。また、これらは単
独でも混合して用いてもよい。
うなフェノール類としてはビスフェノール類であり、低
粘度の反応生成物が出来るために好ましい。その例とし
ては、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、
ビスフェノールＳ、テトラメチルビスフェノールＡ、テ
トラメチルビスフェノールＦ、テトラメチルビスフェノ
ールＳ、ジヒドロキシジフェニルエーテル、ジヒドロキ
シベンゾフェノン、o−ヒドロキシフェノール、m-ヒド
ロキシフェノール、p-ヒドロキシフェノール、ビフェノ
ール、テトラメチルビフェノール、エチリデンビスフェ
ノール、メチルエチリデンビス（メチルフェノール）、
α-メチルベンジリデンビスフェノール、シクロへキシ
リデンビスフェノール、アリル化ビスフェノール等が挙
げられ、またその他一般的なフェノールとして公知であ
るフェノールノボラック、ナフタレン骨格型フェノー
ル，ビフェニル型フェノール、トリスヒドロキシフェニ
ルエタン等を用いても差し支えない。また、これらは単
独でも混合して用いてもよい。
【００２４】本発明の液状封止樹脂組成物は、前記液状
エポキン樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機フィラー以外
に、必要に応じて反応性希釈材、顔料、染料、レベリン
グ剤、消泡剤、カップリング材等の添加剤を混合し、真
空脱泡することにより製造することができる。
エポキン樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機フィラー以外
に、必要に応じて反応性希釈材、顔料、染料、レベリン
グ剤、消泡剤、カップリング材等の添加剤を混合し、真
空脱泡することにより製造することができる。
【００２５】本発明の液状封止樹脂組成物を用いて、フ
リップチップ、ＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）
等の半導体素子を封止することが出来る。本発明の液状
封止樹脂組成物ではフラックスを添加せず、例えば、直
接回路基板に本発明の樹脂を塗布し、はんだ電極を持っ
たチップをその上から搭載して加熱硬化することにより
半田接合と樹脂封止を同時に行うことが可能である。ま
た、チップの上に本発明による樹脂を塗布し、回路基板
の上に搭載して半田接合と樹脂封止を同時に行うことも
可能である。
リップチップ、ＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）
等の半導体素子を封止することが出来る。本発明の液状
封止樹脂組成物ではフラックスを添加せず、例えば、直
接回路基板に本発明の樹脂を塗布し、はんだ電極を持っ
たチップをその上から搭載して加熱硬化することにより
半田接合と樹脂封止を同時に行うことが可能である。ま
た、チップの上に本発明による樹脂を塗布し、回路基板
の上に搭載して半田接合と樹脂封止を同時に行うことも
可能である。
【００２６】本発明の半導体装置の製造方法は、回路基
板に、回路面に突起電極が具備された半導体チップを接
合するエリア実装法において、(１)回路基板または半導
体チップの回路面（突起電極形成面）かつ又はこれを受
ける回路基板に、上記に記載の液状封止樹脂組成物を塗
布する工程、(２)電極が電気接合されるように回路基板
と半導体チップとを位置合わせする工程、(３)加熱する
ことによって該突起電極と回路基板を電気的に接合し、
樹脂を硬化させる工程である。
板に、回路面に突起電極が具備された半導体チップを接
合するエリア実装法において、(１)回路基板または半導
体チップの回路面（突起電極形成面）かつ又はこれを受
ける回路基板に、上記に記載の液状封止樹脂組成物を塗
布する工程、(２)電極が電気接合されるように回路基板
と半導体チップとを位置合わせする工程、(３)加熱する
ことによって該突起電極と回路基板を電気的に接合し、
樹脂を硬化させる工程である。
【００２７】上記の液状封止樹脂組成物を塗布する方法
は、ディスペンス法、印刷法等があり特に制限されな
い。樹脂を予備加熱する場合の条件は、４０〜１００
℃、時間は１つのパノケーシあたり１〜５分程度で搭載
が行われる。電極の電気接合の為の加熱は、リフローや
パルスヒート加熱、ホットプレートなどによる直接加熱
のような方法等が挙げられ特に制限されない。半導体素
子の製造及び半導体装置のその他の製造工程は従来の公
知の方法を用いることが出来る。
は、ディスペンス法、印刷法等があり特に制限されな
い。樹脂を予備加熱する場合の条件は、４０〜１００
℃、時間は１つのパノケーシあたり１〜５分程度で搭載
が行われる。電極の電気接合の為の加熱は、リフローや
パルスヒート加熱、ホットプレートなどによる直接加熱
のような方法等が挙げられ特に制限されない。半導体素
子の製造及び半導体装置のその他の製造工程は従来の公
知の方法を用いることが出来る。
【００２８】
【実施例】〈実施例１−６、比較例１−３〉表１の処方
に従って秤量し、ミキサーにて混練し、真空脱泡後、液
状樹脂組成物を作製した。
に従って秤量し、ミキサーにて混練し、真空脱泡後、液
状樹脂組成物を作製した。
【００２９】次に特性を把握するため以下の代用特性を
評価した。 （１）常態粘度：２５℃において東機産業（株）製Ｅ型
粘度計で初期粘度（コーン回転数２．５ｒｐｍ)及び２
５℃における０．５ｒｐｍ／２．５ｒｐｍという比をチ
キソ比とした。 （２）ボイド評価：通常で使用されるプロセスを模倣す
る為に、ガラススライド上に適当量（フィラー系であれ
ば１６〜１７ｍｇ，フィラーレス系であれば１１〜１２
ｍｇ）液状樹脂組成物をディスペンスし、１０Ｘ１０ｍ
ｍ□のバンプ（バンプ数９００）付きチップを澁谷工業
製フリップチップボンダーにてマウントした。その後、
リフロー（ピーク２１５℃）を用いて接合状態と同しよ
うに熱履歴をかけた後、１５０℃/２ｈｒ後硬化した
後、ボイドの発生具合を顕微鏡にて観察し、ボイド発生
サンプルをカウントした。 （３）Ｔｇ測定：セイコーインスツルメンツ社製ＴＭＡ
装置を用いて、圧縮法にて−１００℃から３００℃まで
昇温速度１０℃／ｍｉｎで上昇させたときの線膨張係数
を測定し、そのときの変曲点をガラス転移温度（Ｔｇ）
とした。 （４）接触角：リードフレーム（８０ピン銅）の上にそ
れぞれ材料組成物の液滴を滴下し、リードフレームとの
接触角を測定することで部材との濡れ性とした。 （５）アスペクト比：Ｃｕ板に各材料組成物を共晶半田
ボールへ転写したサンプルを静置し、それを２１５℃熱
板で加熱してＣｕ板に対する濡れ拡がり性をＡＳＴＭ−
Ｂ−５４５に準じて測定した。 （６）半田バンプ接合率：住商化製品工業社製のバンプ
付きチップ、また対となる厚み０．７５ｍｍの基板を用
いて基板上に液状封止樹脂組成物を塗布し、澁谷工業社
製フリップチップボンダーを用いて仮圧着させた。その
サンプルをピーク温度２３０℃、１８３℃以上の時間が
６０ｓｅｃ、トータル時間が３００ｓｅｃのプロファイ
ルを有するリフローに通してバンプの接合性をテスター
により観察した。 （７）耐リフロー性試験：出来上がったＰＫＧの信頼性
を評価する為に、ＪＥＤＥＣレベル４の吸湿条件を施し
た後、リフロー（ＭＡＸ２３０℃）に３回通すことで、
接合不良をテスターにより評価した。 （８）耐熱衝撃試験：耐熱衝撃試験に対する信頼性を評
価する為に、−４０℃⇔１２５℃（気相）の熱サイクル
試験（５００サイクル）を行い、接合不良をテスターに
より評価し、不良数をカウントした。
評価した。 （１）常態粘度：２５℃において東機産業（株）製Ｅ型
粘度計で初期粘度（コーン回転数２．５ｒｐｍ)及び２
５℃における０．５ｒｐｍ／２．５ｒｐｍという比をチ
キソ比とした。 （２）ボイド評価：通常で使用されるプロセスを模倣す
る為に、ガラススライド上に適当量（フィラー系であれ
ば１６〜１７ｍｇ，フィラーレス系であれば１１〜１２
ｍｇ）液状樹脂組成物をディスペンスし、１０Ｘ１０ｍ
ｍ□のバンプ（バンプ数９００）付きチップを澁谷工業
製フリップチップボンダーにてマウントした。その後、
リフロー（ピーク２１５℃）を用いて接合状態と同しよ
うに熱履歴をかけた後、１５０℃/２ｈｒ後硬化した
後、ボイドの発生具合を顕微鏡にて観察し、ボイド発生
サンプルをカウントした。 （３）Ｔｇ測定：セイコーインスツルメンツ社製ＴＭＡ
装置を用いて、圧縮法にて−１００℃から３００℃まで
昇温速度１０℃／ｍｉｎで上昇させたときの線膨張係数
を測定し、そのときの変曲点をガラス転移温度（Ｔｇ）
とした。 （４）接触角：リードフレーム（８０ピン銅）の上にそ
れぞれ材料組成物の液滴を滴下し、リードフレームとの
接触角を測定することで部材との濡れ性とした。 （５）アスペクト比：Ｃｕ板に各材料組成物を共晶半田
ボールへ転写したサンプルを静置し、それを２１５℃熱
板で加熱してＣｕ板に対する濡れ拡がり性をＡＳＴＭ−
Ｂ−５４５に準じて測定した。 （６）半田バンプ接合率：住商化製品工業社製のバンプ
付きチップ、また対となる厚み０．７５ｍｍの基板を用
いて基板上に液状封止樹脂組成物を塗布し、澁谷工業社
製フリップチップボンダーを用いて仮圧着させた。その
サンプルをピーク温度２３０℃、１８３℃以上の時間が
６０ｓｅｃ、トータル時間が３００ｓｅｃのプロファイ
ルを有するリフローに通してバンプの接合性をテスター
により観察した。 （７）耐リフロー性試験：出来上がったＰＫＧの信頼性
を評価する為に、ＪＥＤＥＣレベル４の吸湿条件を施し
た後、リフロー（ＭＡＸ２３０℃）に３回通すことで、
接合不良をテスターにより評価した。 （８）耐熱衝撃試験：耐熱衝撃試験に対する信頼性を評
価する為に、−４０℃⇔１２５℃（気相）の熱サイクル
試験（５００サイクル）を行い、接合不良をテスターに
より評価し、不良数をカウントした。
【００３０】実施例に用いた原材料の内容は下記のとお
りてある。 ・ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂：粘度；２，０００
ｃｐｓ（室温） ・アリル化ビスフェノールＡ：粘度；４，０００ｃｐＳ
（室温） ・ナフタレン骨格エポキシ樹脂：軟化点６０℃ ・１分子あたり少なくとも２個以上のフェノール性水酸
基と１分子当たり少なくとも１個以上の芳香族カルボン
酸を有する化合物：２，５−ヒト口キシ安息香酸、フェ
ノールフタリン ・硬化促進剤：ジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ） ・シリコーン変性エポキシ樹脂：東芝シリコーン製，商
品名９９０６ ・シリコーン変性エポキシ樹脂の反応物の製造例（変性
樹脂−１）：一般式（２）においてｍ＝０のエポキシ樹
脂（エポキシ当量１８１）１００ｇ、ビスフェノールＡ
（水酸基当量１１４）１８ｇに触媒としてトリフェニル
フォスフィン１ｇを添加し、１８０℃で３時間反応させ
て変性樹脂−１を得た。 ・シリコーン変性エポキシ樹脂の反応物の製造例（変性
樹脂−２）：一般式（２）においてｍ＝１のエポキシ樹
脂（エポキシ当量３３０）１００ｇ、ビスフェノールＦ
（水酸基当量１００）１８ｇに触媒としてトリフェニル
フォスフィン１ｇを添加し、１８０℃で３時間反応させ
て変性樹脂−２を得た。 ・球状シリカ：平均粒径：２μｍ、最大粒径：１０ｕｍ
りてある。 ・ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂：粘度；２，０００
ｃｐｓ（室温） ・アリル化ビスフェノールＡ：粘度；４，０００ｃｐＳ
（室温） ・ナフタレン骨格エポキシ樹脂：軟化点６０℃ ・１分子あたり少なくとも２個以上のフェノール性水酸
基と１分子当たり少なくとも１個以上の芳香族カルボン
酸を有する化合物：２，５−ヒト口キシ安息香酸、フェ
ノールフタリン ・硬化促進剤：ジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ） ・シリコーン変性エポキシ樹脂：東芝シリコーン製，商
品名９９０６ ・シリコーン変性エポキシ樹脂の反応物の製造例（変性
樹脂−１）：一般式（２）においてｍ＝０のエポキシ樹
脂（エポキシ当量１８１）１００ｇ、ビスフェノールＡ
（水酸基当量１１４）１８ｇに触媒としてトリフェニル
フォスフィン１ｇを添加し、１８０℃で３時間反応させ
て変性樹脂−１を得た。 ・シリコーン変性エポキシ樹脂の反応物の製造例（変性
樹脂−２）：一般式（２）においてｍ＝１のエポキシ樹
脂（エポキシ当量３３０）１００ｇ、ビスフェノールＦ
（水酸基当量１００）１８ｇに触媒としてトリフェニル
フォスフィン１ｇを添加し、１８０℃で３時間反応させ
て変性樹脂−２を得た。 ・球状シリカ：平均粒径：２μｍ、最大粒径：１０ｕｍ
【００３１】評価結果を表１に示す。
【表１】
【００３２】表１に示したように、実施例１−５では適
当量の変性樹脂の添加により濡れ性が向上（接触角が低
下）することで部材とのなじみ性が向上し、バンプ間に
存在する樹脂組成物の排除性を高めることで接合性やフ
ラックス活性の指標の一つであるアスペクト比の向上を
示している。それにより半田ハンプの接合状態も良好と
なり、シリカの高充填化で低ＣＴＥされていることから
信頼性も良好な結果を示した。実施例６においては変性
樹脂−２を用いたため、使用可能ではあるが高信頼性が
やや劣るという結果となった。一方、比較例１、２では
変性樹脂が含まれていない為に接触角か高く、部材との
なじみ性が劣り、バンプ間の樹脂組成物の排除性が低下
したために、接合不良を導いたと考えられる。また、接
合が可能であったサンプルに関しても同等の樹脂材料の
物性値を有していても信頼性試験において不良が発生し
ていることから、バンプの接合状態が良好でなく、それ
ゆえにストレスが残留することで不良を発生したことを
示唆している。また、比較例３では樹脂組成物の接触角
が小さく、接合性は良好なものの、フィラーを含まない
為に、その後の信頼性に関しては良好な結果を示さなか
った。
当量の変性樹脂の添加により濡れ性が向上（接触角が低
下）することで部材とのなじみ性が向上し、バンプ間に
存在する樹脂組成物の排除性を高めることで接合性やフ
ラックス活性の指標の一つであるアスペクト比の向上を
示している。それにより半田ハンプの接合状態も良好と
なり、シリカの高充填化で低ＣＴＥされていることから
信頼性も良好な結果を示した。実施例６においては変性
樹脂−２を用いたため、使用可能ではあるが高信頼性が
やや劣るという結果となった。一方、比較例１、２では
変性樹脂が含まれていない為に接触角か高く、部材との
なじみ性が劣り、バンプ間の樹脂組成物の排除性が低下
したために、接合不良を導いたと考えられる。また、接
合が可能であったサンプルに関しても同等の樹脂材料の
物性値を有していても信頼性試験において不良が発生し
ていることから、バンプの接合状態が良好でなく、それ
ゆえにストレスが残留することで不良を発生したことを
示唆している。また、比較例３では樹脂組成物の接触角
が小さく、接合性は良好なものの、フィラーを含まない
為に、その後の信頼性に関しては良好な結果を示さなか
った。
【００３３】
【発明の効果】本発明に従うとエリア実装素子を回路基
板に直接実装することができ、封止プロセスの短縮化と
ともに、フィラー高充填系であっても良好な接続信頼性
を与える封止樹脂を提供てき、パッケージとしての信頼
性も向上する。
板に直接実装することができ、封止プロセスの短縮化と
ともに、フィラー高充填系であっても良好な接続信頼性
を与える封止樹脂を提供てき、パッケージとしての信頼
性も向上する。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 23/31
Ｆターム(参考） 4J002 CD021 CD051 CD061 CD112
CD202 DE148 DE238 DF018
DJ018 EJ066 EU117 EW017
FD018 FD146 FD157 GQ05
4J036 AA01 AA05 AB20 AD04 AD07
AD08 AF06 AF15 AJ21 CA08
CA13 CC01 CC03 CD07 DA02
DA05 DB02 DB16 DC41 FA01
FA03 FA04 FA05 JA07 KA01
4M109 AA01 BA04 CA05 EA03 EA05
EB03 EB04 EB12 EC07
Claims (11)
- 【請求項１】（Ａ）２個以上のエポキシ基を有するエポ
キシ樹脂、（Ｂ）フラックス作用を有し、１分子あたり
少なくとも２個以上のフェノール性水酸基と１分子当た
り少なくとも１個以上のカルボン酸基を有する化合物、
(Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）ジシロキサン構造を有するシ
リコーン変性液状エポキシ樹脂、及び（Ｅ）無機フィラ
ーを有することを特徴とする液状封止樹脂組成物。 - 【請求項２】 ジシロキサン構造を有するシリコーン変
性液状エポキシ樹脂が、一般式（１）で示される請求項
１記載の液状封止樹脂組成物。 【化１】 - 【請求項３】 ジシロキサン構造を有するシリコーン変
性液状エポキシ樹脂が、一般式（１）で示されるシリコ
ーン変性液状エポキシ樹脂のｍが０であるシリコーン変
性液状エポキシ樹脂と一般式（２）で表されるフェノー
ル類とを加熱反応により合成したものである請求項２記
載の液状封止樹脂組成物。 【化２】 （Ｒ１〜Ｒ５は、Ｈ、アルキル基、アリル基の中から選
択される基であり、ｎは０以上の整数である。） - 【請求項４】 一般式（１）で示されるシリコーン変性
液状エポキシ樹脂のｍが０であるシリコーン変性液状エ
ポキシ樹脂（ａ）と一般式（２）で表されるフェノール
類（ｂ）とのモル比｛(ａ）のエポキシ基モル比／
（ｂ）の水酸基モル比｝が、１〜１０の範囲である請求
項３記載の液状封止樹脂組成物。 - 【請求項５】 全エポキシ樹脂中に２個以上のエポキシ
基を有するエポキシ樹脂が７５〜９５重量％含まれる請
求項１記載の液状封止樹脂組成物。 - 【請求項６】 フラックス作用を有し、１分子あたり少
なくとも２個以上のフェノール性水酸基と１分子当たり
少なくとも１個以上のカルボン酸基を有する化合物の粒
径または長さが最大３０μｍ以下である請求項１記載の
液状樹脂組成物。 - 【請求項７】 無機フィラーの平均粒径が０．５〜１０
μｍ、かつ最大粒径が２７μｍ以下であり、液状封止樹
脂組成物に対して無機フィラーを２０〜７０重量％含む
請求項１記載の液状封止樹脂組成物。 - 【請求項８】 液状封止樹脂組成物がエリア実装方式に
使用される請求項１記載の液状封止樹脂組成物。 - 【請求項９】 請求項１〜８のいずれかに記載の液状封
止樹脂組成物を用いて製造された半導体装置。 - 【請求項１０】 回路基板に、回路面に突起電極が具備
された半導体チップを接合するエリア実装法において、
該回路基板または半導体チップの回路面（突起電極形成
面）かつ又はこれを受ける回路基板に、請求項１に記載
の液状封止樹脂組成物を塗布し、電極が電気接合される
ように該回路基板と半導体チップとを位置合わせした
後、加熱することによって該突起電極と該回路基板を電
気的に接合し、樹脂を硬化させて製造することを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の半導体装置の製造
方法を用いて製造された半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002107046A JP3958102B2 (ja) | 2002-04-09 | 2002-04-09 | 液状封止樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002107046A JP3958102B2 (ja) | 2002-04-09 | 2002-04-09 | 液状封止樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003301026A true JP2003301026A (ja) | 2003-10-21 |
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ID=29391188
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002107046A Expired - Fee Related JP3958102B2 (ja) | 2002-04-09 | 2002-04-09 | 液状封止樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3958102B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005314566A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2006008755A (ja) * | 2004-06-23 | 2006-01-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置並びにその組み立て方法 |
| JP2006143795A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状樹脂組成物、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
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