JP2507829Y2

JP2507829Y2 - 半導体素子搭載用回路基板

Info

Publication number: JP2507829Y2
Application number: JP1993056923U
Authority: JP
Inventors: 力小泉; 敏彦安江; 司山元
Original assignee: Ibiden Co Ltd; Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd; Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1993-10-21
Filing date: 1993-10-21
Publication date: 1996-08-21
Anticipated expiration: 2001-06-26
Also published as: JPH077149U

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本考案は、半導体素子を基板の所
定の位置に搭載し、この半導体素子に対して封止用樹脂
をポッティングさせることにより当該半導体素子の封止
を行ない直接実装法に使用するための半導体素子搭載用
回路基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子時計あるいは電卓等の半導体素子を
使用した各種の電子機器では、その小型化及び薄型化が
商品としての付加価値を高めるための重要な要素となっ
ているため、これらの電子機器に組込まれる回路基板に
対して、できるだけ厚さを薄くできる封止構造の開発が
望まれている。従来のこのような封止構造として採用さ
れているものは、半導体素子を回路基板に直接ダイボン
ディングし、半導体素子のパッドと回路基板のパターン
との間を金線等のワイヤーによってボンディングして、
さらにこれらの上をエポキシ樹脂等の液状樹脂あるいは
所定形状に成型した樹脂ペレットによってポッティング
封止するものである。

【０００３】この封止構造においては、エポキシ樹脂等
の封止用樹脂によって半導体素子をできる限り薄く封止
すること、並びに封止用樹脂の周囲への広がりを防止す
ることが重要な課題であり、この点に関し様々な提案が
なされている。

【０００４】すなわち、従来の封止用樹脂の周囲への広
がりを防止する構造としては、回路基板の半導体素子搭
載部の周囲に封止用樹脂流出防止枠（以下封止枠とい
う）を設ける構造が採用されている。ここで使用される
封止枠としては、スクリーン印刷等の方法により枠状体
を形成し、その後硬化させるものが一般的である。この
場合、封止枠の構成材料として様々の樹脂が提案されて
いるが、（イ) シリコン樹脂等の撥水性を有する樹脂、
（ロ）エポキシ樹脂等を主成分とするソルダーレジスト
インク、（ハ）紫外線硬化型樹脂とに大別される。

【０００５】上記（イ）のシリコン樹脂等の撥水性を有
する樹脂から形成される封止枠は、主として実公昭４０
−４３８７３号、特開昭５３−２０７８号、特開昭５５
−１３８２４０号、公報において提案されている。これ
らの公報に記載されている従来技術は、封止枠の高さが
低くても、その撥水作用により非常に優れた封止効果を
示すが、撥水効果が非常に高いため、逆に、封止用樹脂
が封止枠内に完全に広がりきらないこと、封止枠と封止
用樹脂との接点部分において、封止用樹脂の接触角が大
きくなり、硬化後の樹脂厚を薄くすることができないこ
となど重大な問題点を有しており、実用化されるには到
っていない。

【０００６】上記（ロ）のエポキシ樹脂等を主成分とす
るソルダーレジストインクから形成される封止枠は、主
として実開昭５５−２５３８１号、実開昭５７−２６５
８号、実開昭５７−２００３８号公報において提案され
ている。これらの公報に記載されている従来技術は、封
止用樹脂との親和性が高いので、封止用樹脂が封止枠内
の全面に完全に広がり、しかも、封止枠と封止用樹脂と
の接触角は非常に小さいので、硬化後の樹脂厚を薄くで
きる利点がある。しかし逆に、封止効果が専ら封止枠の
高さにのみ支配されるため、比較的大きな封止枠高さ
を、しかも均一に確保することが要求されている。これ
に対して、従来の考案におけるソルダーレジストインク
は、通常１０〜３０μｍの薄膜を広い面積に形成するに
は適しているが、本考案において対象としている封止枠
のように、限られた幅で、しかもある程度の高さを要求
される用途には本質的に適していないという欠点があ
る。つまり、従来の考案におけるソルダーレジストイン
クから形成される封止枠は、形成から硬化に到る工程に
おいてダレ等を生じやすく、封止枠としての高さを確保
することが困難であること、ダレ等により回路基板のワ
イヤーボンディング部が汚染されることなど大きな問題
点を有している。

【０００７】上記（ハ）の紫外線硬化型樹脂から形成さ
れる封止枠は、主として実開昭５５−１５６４４７号、
特開昭５８−４８４４２号公報において提案されてい
る。これらの公報に記載されている従来技術は、短時間
で硬化するためダレ等の発生が少なく封止枠としての高
さを確保することは比較的容易であるが、回路基板表面
のエポキシ樹脂等との接着力が弱く、取り扱い中に剥れ
易いこと、樹脂自体の耐水性が低いため、封止枠を形成
する工程順序が限定されること、硬化時における紫外線
に対する人体の保護対策が必要であること、並びに樹脂
自体が非常に高価であることなど実用化に対しては大き
な問題を有している。

【０００８】

【考案が解決しようとする課題】本考案は、以上のよう
な従来技術の封止枠を有する半導体素子搭載用回路基板
における各種問題点を解決すべくなされたものであっ
て、その目的とするところは、封止枠が必要な高さを有
するものとなっていて、封止用樹脂が封止枠内の全面に
均一に広がり、しかも封止枠を越えて流出しないように
構成された半導体素子搭載用回路基板を提供することに
ある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに、本考案の採った手段は、実施例において使用する
符号を付して説明すると、「スクリーン印刷された封止
枠２内に封止用樹脂８をポッティングし、半導体素子を
封止する半導体素子搭載用回路基板において、封止枠２
は、封止用樹脂８と同質のエポキシ樹脂を主要構成成分
とし、硬化剤、充填剤及びチキソ剤を含有するスクリー
ン印刷された熱硬化型樹脂からなり、幅が３００〜１２
００μｍ、高さが５０〜３００μｍ、断面が略台形の形
状であることを特徴とする半導体素子搭載用回路基板
１」である。

【００１０】次に、本考案に係る半導体素子搭載用回路
基板１について詳細に説明する。本考案における半導体
素子搭載用回路基板１は、ＩＣ、ＬＳＩ等の能動部品を
直接搭載することができる回路基板を総称するものであ
り、材質はガラスエポキシ樹脂、ポリイミドフィルム等
の有機質基板、アルミナ等のセラミック基板あるいはア
ルミ等の金属基板等何れでもよく、特に限定するもので
はない。

【００１１】この半導体素子搭載用回路基板１の半導体
素子搭載部は、回路基板に対してザグリ加工により凹部
が形成されている場合（図１）と、形成されていない場
合（図２）とに大別される。本考案は、この両方を含む
ものであるが、回路基板に対してザグリ加工により凹部
が形成されているものでは、樹脂封止後の回路基板の厚
さを薄くすることができるので、より望ましい構造とい
える。この場合には、当然、封止枠２の幅及び高さにつ
いては、ザグリ加工のない場合と異った適正な範囲が存
在することになるが、この点については後述することに
する。

【００１２】本考案の封止枠２の構成材料としては、封
止用樹脂８との親和性が高く、封止用樹脂８が封止枠２
内の全面に広がること、封止枠２と封止用樹脂８との接
触角が小さいので硬化後の厚さを薄くできること、並び
に回路基板及び封止用樹脂８との接着性が高いので、封
止用樹脂８の耐湿性を向上する効果があることなどの理
由により、同質のエポキシ樹脂が最適である。しかしな
がら、従来のエポキシ樹脂を主成分とするソルダーレジ
ストインクの組成では、封止枠としての用途に対しては
不適当であることは、既に述べた通りである。本考案の
高チキソ組成物は、エポキシ樹脂を主要構成材料として
含むものであるが、その他に硬化剤、充てん剤及びチキ
ソ剤を適正な割合で配合することにより、従来のソルダ
ーレジストインクの特性を大きく変えたものである。

【００１３】以下に、本考案の高チキソ組成物の構成材
料について詳しく述べる。エポキシ樹脂としては、例え
ばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノールノ
ボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等の多価フェ
ノール類のグリシジルエーテル、ブタンジオール、ポリ
プロピレングリコール等の多価アルコール類のグリシジ
ルエーテル、フタル酸、テトラヒドロフタル酸等のカル
ボン酸類のグリシジルエステルなどのグリシジル型エポ
キシ樹脂や、分子内のオレフィン結合を過酢酸等でエポ
キシ化して得られる脂環型エポキシ樹脂など各種のもの
が挙げられる。

【００１４】硬化剤としては、ジエチルアミノプロピル
アミン、メタフェニレンジアミン等のアミン系化合物、
無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸等の酸無水物
系化合物、ダイマー酸とポリアミンとの縮合により生成
するポリアミド系化合物、２−エチル−４−メチルイミ
ダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシ
メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物、フェノー
ルノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等の多価
フェノール化合物、三フッ化ホウ素−アミンコンプレッ
クス、ジシアンジアミド及びその誘導体、有機酸ヒドラ
ジッドなどが挙げられる。これらの硬化剤は、前述のエ
ポキシ樹脂の種類及び使用条件に応じて適宜選択するも
のであり、２種類以上を併用することがあっても良い。

【００１５】充てん剤としては、溶融シリカ、結晶シリ
カ、アルミナ、水酸化アルミニウム、酸化ジルコニウ
ム、ケイ酸ジルコニウム、炭酸カルシウム、タルク、酸
化チタン、沈降性硫酸バリウム、マイカ等が挙げられ
る。

【００１６】チキソ剤としては、シリカ、酸化マグネシ
ウム等の無機質の微粉末、ステアリン酸アルミニウム、
オクタン酸アルミニウム等の金属石けん、有機ベントナ
イトなどが挙げられる。これらのチキソ剤は、本考案の
高チキソ組成物のチキソトロピック指数に大きな影響を
もつものであり重要な構成成分である。本考案の高チキ
ソ組成物は、前記エポキシ樹脂、硬化剤、充てん剤およ
びチキソ剤を少なくとも含有するものであり、その他必
要に応じて、有機溶剤、着色剤、消泡剤などを適宜配合
することができる。

【００１７】有機溶剤としては、例えばｉ−ブチルアル
コール、ｎ−ブチルアルコール、メチルイソブチルカル
ビトール、オキシトール、メチル−ｎ−ブチルケトン、
シクロヘキサノン、α−ターピニノールなどがある。こ
れらの有機溶剤は、本考案の高チキソ組成物の粘度を調
整する目的で必要に応じて配合するものである。着色剤
としては、無機及び有機の顔料、分散染料などが、ま
た、消泡剤としてはシリコーンオイルなどを有利に使用
できる。

【００１８】本考案の高チキソ組成物は、スクリーン印
刷等の印刷法により封止枠２を形成するのに適した特性
を有するものである。つまり、従来のソルダーレジスト
インクと比較して、優れた印刷適正と形状保持性とを兼
ね備えたものである。この高チキソ組成物は、Ｂ型粘度
計による温度２５℃、ずり速度１ｓｅｃ^-1の粘度が２５
０〜４５０ＰＳで、かつ（Ｂ型粘度計によるずり速度１
ｓｅｃ^-1の粘度）／（Ｂ型粘度計によるずり速度１００
ｓｅｃ^-1の粘度）で示すチキソトロピック指数が２５〜
４５の範囲にあるときが、封止枠２用として最適であ
る。この高チキソ組成物は、非ニュートン性流体である
ため、その粘度を限定する場合は、粘度計の種類及び測
定条件を規定する必要がある。粘度の測定にＢ型粘度計
を使用し、測定条件として温度２５℃、ずり速度１ｓｅ
ｃ^-1と規定したとき、本考案の高チキソ組成物は２５０
〜４５０ＰＳの粘度を有するものが最適である。その理
由は、粘度が２５０ＰＳ未満の場合は、スクリーン印刷
において版裏へ樹脂が回り込み、にじみ等が発生し易く
なること、逆に、粘度が４５０ＰＳを越えるとスクリー
ンのメッシュからの樹脂の出が悪くなり、かすれ等が発
生し易くなることなどによるものである。この粘度の最
適範囲は、スクリーン印刷適性から決められるものであ
り、通常のソルダーレジストインクと何等変らない印刷
適性を確保するものである。

【００１９】次に、チキソトロピック指数を（Ｂ型粘度
計によるずり速度１ｓｅｃ^-1の粘度）／（Ｂ型粘度計に
よるずり速度１００ｓｅｃ^-1の粘度）で規定したとき、
本考案の高チキソ組成物は２５〜４５のチキソトロピッ
ク指数を有するものが最適である。その理由は、チキソ
トロピック指数が２５未満の場合は、スクリーン印刷等
により形成された固定形状にダレ等を生じ易いこと、及
び、粘度が比較的高い場合には、スクリーン印刷時の版
離れ性が悪いこと、逆に、チキソトロピック指数が４５
を越える場合は、スクリーン印刷時にスキージあるいは
スクレッパー等で樹脂を移動させるとき、スキージある
いはスクレッパーから樹脂が流れ落ちず、いわゆる空刷
りの状態となること、印刷後の封止枠の表面にスクリー
ンのメッシュの跡が残り、凹凸になることなどによるも
のである。

【００２０】従来の発明及び考案において封止枠の構成
材料として、エポキシ樹脂及びこれを主成分とするソル
ダーレジストインクを使用する例があるが、これらの組
成物はチキソトロピック指数に対する配慮が全くなされ
ていないため、封止枠としての幅及び厚さを確保するこ
とが全く不可能である。これに対して、本考案者は、厚
膜印刷を可能とし、しかも硬化までの形状を保持するた
めには、粘度とチキソトロピック指数の両方を、限られ
た最適な範囲に入れることが不可欠であることを見い出
し、本考案を完成するに到ったものである。

【００２１】また、本考案の高チキソ組成物は、エポキ
シ樹脂、硬化剤、充てん剤及びチキソ剤を含む組成物で
あり、上述のような所定範囲の粘度及びチキソトロピッ
ク指数を有するものであり、いわゆる一液型、二液型な
どの区別には無関係である。即ち、二液型の場合でも、
混合して使用する状態における粘度及びチキソトロピッ
ク指数が所定の範囲にあるものは全て本考案の高チキソ
組成物に含まれるものである。

【００２２】本考案の高チキソ組成物は、従来のソルダ
ーレジストインクと比較して、優れた印刷適性と形状保
持性とを兼ね備えたものであり、封止枠２用として最適
なものであるが、以下に述べる有機含リン化合物を配合
することにより、その形状保持性を更に高めることがで
きる。本考案に用いられる有機含リン化合物は、有機第
３ホスホニウム塩化合物、第３ホスフィン化合物及び有
機第３ホスファイト化合物を指称するものである。有機
第３ホスホニウム塩化合物としては、例えば、トリエチ
ルベンジルホスホニウムクロライド、トリ−ｎ−ブチル
アリルホスホニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルホ
スホニウムクロライド等が挙げられる。有機第３ホスフ
ィン化合物としては、例えば、トルメチルホスフィン、
トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ
シクロヘキシルホスフィン等が挙げられる。有機第３ホ
スファイト化合物としては、例えば、トリフェニルフォ
スファイト等が挙げられる。

【００２３】これらの有機含リン化合物の添加効果は、
高温における組成物のゲル化時間を短縮するため、硬化
時の加熱による組成物の低粘化によるダレ等の発生がよ
り少なくなり、印刷により形成される固定形状が硬化す
るまで良く保持されることになる。この有機含リン化合
物は２種類以上を混合して使用しても良いが、その配合
割合は、エポキシ樹脂及び硬化剤の種類により変りうる
ものであるが、一般的にはエポキシ樹脂１００重量部に
対し０．００５〜２重量部の範囲とすることが望まし
い。これは、配合量が０．００５重量部未満の場合は硬
化促進効果が小さいこと、２重量部を越える場合は硬化
物の耐湿性等の性能が低下することなどの理由によるも
のである。

【００２４】本考案の半導体素子搭載用回路基板１にお
いて、封止枠２による樹脂の封止効果は、封止枠２の高
さにより大きく支配されることは極めて当然なことであ
り、この点からは封止枠２の高さは高ければ高いほど望
ましい。しかしながら、封止効果を高さのみに依存する
場合には、その高さのばらつきを考慮してやや高めに設
定することが必要であり、印刷法により封止枠２を形成
する本来の目的である半導体素子搭載用回路基板１の薄
型化とは逆行するものとなる。これに対して、本考案者
は封止枠２の封止効果を高さのみでなく、幅によっても
前記効果を高めることが可能であることを見い出した。
即ち、本考案の高チキソ組成物は、エポキシ樹脂を主要
構成材料とするものであるから、封止用樹脂８として一
般的に使用されるエポキシ樹脂等の液状樹脂あるいは所
定形状に成型した樹脂ペレットとの親和性が高いことを
利用するものである。

【００２５】本考案の高チキソ組成物により形成される
封止枠２とポッティング封止された封止用樹脂８との接
触部の状況は、図３の（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に示す
ようにポッティング封止される封止用樹脂８の量により
様々な状態を示す。このうち、図３の（ｃ）に示す場合
が、封止枠２に一定の幅を設けた効果を示すものであ
る。この封止枠の幅が、３００μｍ未満の場合には、封
止枠の頂部における上記効果が小さくなり、逆に、封止
枠の幅が１２００μｍを越える場合には、半導体素子搭
載用回路基板１の小型化と逆行することになる。

【００２６】換言すれば、本考案の封止枠２は、封止用
樹脂８に対して、これと同質の樹脂材料から形成されて
いるので親和性が高く、封止枠２の幅によってもある程
度の封止効果が期待できるので、封止枠２の高さはそれ
に応じて低くすることができる。封止枠２の高さとして
は５０〜３００μｍが最適である。これは、５０μｍ未
満の場合は、封止効果が小さいこと、３００μｍを越え
る場合には、本考案の高チキソ組成物を使用しても安定
した膜厚を得ることが困難であること、及び３００μｍ
を越える封止枠高さを必要とする設計に対しては半導体
素子搭載用回路基板１の薄型化と逆行する方向であるこ
となどの理由によるものである。

【００２７】この封止枠２の幅及び高さについては、半
導体素子搭載用回路基板１の半導体素子搭載部がザグリ
加工により凹部を形成している場合には、適正範囲が異
ってくる。即ち、封止枠２の幅が３００〜８００μｍで
高さが５０〜２００μｍのときが最適な範囲となる。こ
の場合、幅及び高さの上限値は、半導体素子搭載用回路
基板１を小形化、薄型化することを前提にして決められ
る数値である。

【００２８】

【考案の作用】以上のように構成した本考案に係る半導
体搭載用回路基板１においては、まずその封止枠２を、
エポキシ樹脂、硬化剤、充填剤及びチキソ剤を少なくと
も含有する高チキソ組成物により形成したので、その組
成物のスクリーン印刷時における形状が、封止枠２とし
て硬化した時においてもほぼ維持されており、結果とし
て、硬化して形成された封止枠２は、封止用樹脂８の保
持を、図３にも示したように、十分かつ確実に行えるも
のとなっているのである。

【００２９】特に、この封止枠２は、エポキシ樹脂を主
剤として含むものであるため、封止用樹脂８との新和性
の良好なものとなっており、封止枠２内の全面における
封止用樹脂８の均一な広がりを可能としているのであ
る。しかも、この封止枠２は、その幅を３００〜１２０
０μｍ、断面を略台形の形状としたから、図３に示した
封止枠の頂部における効果を顕著に生み出すことになる
のである。

【００３０】また、この半導体素子搭載用基板１は、そ
の封止枠２の幅を３００〜１２００μｍ、高さを５０〜
３００μｍのものとしたから、封止用樹脂８の封じ込み
を十分行えるものとなっているだけでなく、回路基板１
そのものの小型化を十分可能にしているのである。

【００３１】

【実施例】次に本考案の半導体素子搭載用回路基板１の
最も代表的な一実施例についてより具体的に説明する。
しかし本考案の回路基板は、以下の実施例に限定される
ものではない。

【００３２】まず、本考案の高チキソ組成物として、以
下の配合のものを使用する。ここで「％」とあるのは全
て「重量％」を意味する。フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂（エポキシ当量１８０）５４％にノボラック型
フェノール樹脂（フェノール当量１０７）５．５％、２
−エチル−４−メチルイミダゾール３％、酸化チタン１
８％、タルク４．５％、シリカ微粉末４．５％、メチル
イソブチルカルビトール１０．５％を混合し、ホモディ
スパーにより予備混合したのち、三本ロールミルにより
混練した。このようにして得られた組成物のＢ型粘度計
による温度２５℃、ずり速度１ｓｅｃ^-1の粘度は３５０
ＰＳであり、（Ｂ型粘度計によるずり速度１ｓｅｃ^-1の
粘度）／（Ｂ型粘度計によるずり速度１００ｓｅｃ^-1の
粘度）で示すチキソトロピック指数は４０であった。

【００３３】つぎに、この組成物を通常のスクリーン印
刷法により半導体素子搭載用回路基板１の半導体素子搭
載部の周囲の所定位置に枠状に塗布する。このとき、ス
テンレススクリーン（メッシュオープニング１７８μ
ｍ、乳剤厚２００μｍ）を用いて、外形１０ｍｍ角、幅
０．６ｍｍの枠形状を印刷したとき、版裏への樹脂回り
込みによるにじみの発生や、スクリーンメッシュからの
樹脂の出が悪いことによるかすれの発生や、印刷時およ
び版離れ時に起こるだれの発生は皆無であった。

【００３４】つぎに、前記スクリーン印刷により形成さ
れた封止枠を有する半導体素子搭載用回路基板１を温度
１４０℃の熱風炉に１５分入れ、封止枠２を硬化させ
た。印刷により形成された封止枠２を構成する樹脂は、
加熱により低粘化するが、樹脂そのものの形状保持性が
高いため、だれ等の発生はなく印刷時の封止枠２の固定
形状が保持される。その結果、前記ステンレス製のスク
リーンを用いて印刷され形成された封止枠２は、幅が約
７００μｍ、高さが２００μｍの断面が略台形の形状と
なった。

【００３５】このようにして形成された封止枠２を有す
る半導体素子搭載用回路基板１の半導体素子搭載部に半
導体素子６をダイボンディングし、半導体素子６のパッ
ドと回路基板のパターン３との間を金ワイヤ７によって
ワイヤーボンディングした後、封止枠２で囲まれる内部
へ封止用樹脂８をポッティング封止し、加熱により硬化
させた。このとき、封止用樹脂８と封止枠２との親和性
が高いので、第４図に示すように封止枠２内の封止用樹
脂８の盛り上がりは小さい。また、本考案の高チキソ組
成物を使用して形成された封止枠２は高さのみの封止効
果だけでなく、その幅を比較的長くすることによる封止
効果も併せて有するため、封止用樹脂８の量に多少の変
動があっても、封止枠２を越えて流れ出ることはない。

【００３６】なお、スクリーン印刷された封止枠２内に
封止用樹脂８をポッティングし、半導体素子を封止する
本考案に係る半導体素子搭載用回路基板１は、前述した
ように、封止枠２を、封止用樹脂８と同質のエポキシ樹
脂を主要構成成分とし、硬化剤、充填剤及びチキソ剤を
含有し、Ｂ型粘度計による温度２５℃、ずり速度１ｓｅ
ｃ^-1の粘度が２５０〜４５０ＰＳ、（Ｂ型粘度計による
ずり速度１ｓｅｃ^-1の粘度）／（Ｂ型粘度計によるずり
速度１００ｓｅｃ^-1の粘度）で示すチキソトロピック指
数が２５〜４５の熱硬化型樹脂組成物をスクリーン印刷
し、硬化後の幅が３００〜１２００μｍ、高さが５０〜
３００μｍ、断面が略台形の形状のものとすることによ
り、製造されるものである。

【考案の効果】以上のように本考案の半導体素子搭載用
回路基板１は、当該組成物の印刷特性及び形状保持性
が、封止枠２のような厚膜印刷によく適合しているこ
と、封止枠２の幅及び高さを最も適正な範囲に限定する
ことにより、封止効果をより確実なものとすることがで
きること、並びにスクリーン印刷等の方法が採用できる
ので安価であることなど多大の効果を有するものであ
る。

【００３７】また、本考案の回路基板上の封止枠２はエ
ポキシ樹脂を主要構成成分とし、その幅を３００〜１２
００μｍ、断面を略台形の形状としたから、回路基板及
び封止用樹脂８との新和性が高く、強固に接着し、しか
もその高さの割に十分な封止効果を生み出すことができ
るから、薄型でありながらも外部からの湿気等の侵入に
対する信頼性が著しく高い半導体搭載用基板を提供でき
るものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体素子搭載部をザグリ加工により凹部を
形成した本考案の回路基板を示す部分拡大断面図であ
る。

【図２】本考案の別の実施態様の回路基板を示す部分
拡大断面図である。

【図３】（ａ）〜（ｃ）は、封止枠と封止用樹脂との
接触部を模式的に示す部分拡大断面図である。

【図４】図１で示した回路基板において、当該部分を
樹脂封止した状態の部分拡大断面図である。

【符号の説明】

１基板２封止枠３導体パターン４ダイパッド５ソルダーレジスト６半導体素子７ワイヤー８封止用樹脂

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭58−48442（ＪＰ，Ａ) 特開昭58−17646（ＪＰ，Ａ) 特開昭59−50548（ＪＰ，Ａ) 特開昭55−138240（ＪＰ，Ａ) 実開昭55−25381（ＪＰ，Ｕ)

Claims

(57)【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】スクリーン印刷された封止枠内に封止用
樹脂をポッティングし、半導体素子を封止する半導体素
子搭載用回路基板において、前記封止枠は、前記封止用樹脂と同質のエポキシ樹脂を
主要構成成分とし、硬化剤、充填剤及びチキソ剤を含有
するスクリーン印刷された熱硬化型樹脂からなり、幅が
３００〜１２００μｍ、高さが５０〜３００μｍ、断面
が略台形の形状であることを特徴とする半導体素子搭載
用回路基板。