JPS62234356A - パツケ−ジング装置 - Google Patents
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- JPS62234356A JPS62234356A JP62083676A JP8367687A JPS62234356A JP S62234356 A JPS62234356 A JP S62234356A JP 62083676 A JP62083676 A JP 62083676A JP 8367687 A JP8367687 A JP 8367687A JP S62234356 A JPS62234356 A JP S62234356A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
ジング装置に関するものである。
デバイスのパッケージングは、好結果をもたらすウェハ
・スケールの集積回路（ｗａｆｅｒ−ｓｃａｌｅｉｎｔ
ｅｇｒａｔｉｏｎ、 ＷＳｉ）をうまく実現するのに大
きな障害となっている。ＷＳＩは、１５．２４ｃｍ（６
インチ）の直径等を有するシリコン・ウェハの基板全体
を覆う大規模集積回路（ＬＳＩ）を意味する。個別のパ
ッケージングのためにウェハを小チップにダイジングす
る代わりにウェハ・スケールの回路をそのままにするこ
とによって、集積回路の通常のパッケージング問題がさ
らに深刻になる。
・スケールの集積回路（ｗａｆｅｒ−ｓｃａｌｅｉｎｔ
ｅｇｒａｔｉｏｎ、 ＷＳｉ）をうまく実現するのに大
きな障害となっている。ＷＳＩは、１５．２４ｃｍ（６
インチ）の直径等を有するシリコン・ウェハの基板全体
を覆う大規模集積回路（ＬＳＩ）を意味する。個別のパ
ッケージングのためにウェハを小チップにダイジングす
る代わりにウェハ・スケールの回路をそのままにするこ
とによって、集積回路の通常のパッケージング問題がさ
らに深刻になる。
一般に、集積回路は、シリコン・ウェハにかかる過剰の
応力等による破損を非常に受は易い。このような応力は
細線回路を破損させたり、存在する多様な材料の電気的
特性を変えたり、または、ウェハ自身を破砕させること
がある。衝撃負荷や曲げ等、外側から印加させる負荷か
らウェハを守るため、ウェハは通常支持基板に何らかの
手段で堅く取り付けられる。しかしながら、この保護構
造自身がウェハを破損させる力をウェハ上に作りだして
しまうことがある。過剰の応力はウェハとその支持基板
間における熱膨張の差違の結果生ずることがある。また
、支持構造べのウェハの装着機構はウェハに印加される
高い締結力、張力、圧碕、又は曲げ負荷等によってウェ
ハに応力を与える場合もある。
応力等による破損を非常に受は易い。このような応力は
細線回路を破損させたり、存在する多様な材料の電気的
特性を変えたり、または、ウェハ自身を破砕させること
がある。衝撃負荷や曲げ等、外側から印加させる負荷か
らウェハを守るため、ウェハは通常支持基板に何らかの
手段で堅く取り付けられる。しかしながら、この保護構
造自身がウェハを破損させる力をウェハ上に作りだして
しまうことがある。過剰の応力はウェハとその支持基板
間における熱膨張の差違の結果生ずることがある。また
、支持構造べのウェハの装着機構はウェハに印加される
高い締結力、張力、圧碕、又は曲げ負荷等によってウェ
ハに応力を与える場合もある。
第２図に、従来の−ＳＩパッケージングを示す。
ウェハ１は、クランプ３およびギまたは接着結合（ａｄ
ｈｅｓｉｖｅ ｂｏｎｄ） ４の系によって支持基板
２に固着される。どちらの場合でも、ウェハ１と支持基
板２の材質の熱膨張の差違によって生じるウェハ１上に
加えられる応力を最小化するため、支持基板２材質は、
ウェハｌの熱膨張係数と適合するように慎重に選ばなけ
ればならない。この材質としてモリブデン及び多種のセ
ラミックスが用いられていた。これら材質は、高価で製
造が困難であり、さらに必ずしも入手可能な最適の熱伝
導体ではなかった。
ｈｅｓｉｖｅ ｂｏｎｄ） ４の系によって支持基板
２に固着される。どちらの場合でも、ウェハ１と支持基
板２の材質の熱膨張の差違によって生じるウェハ１上に
加えられる応力を最小化するため、支持基板２材質は、
ウェハｌの熱膨張係数と適合するように慎重に選ばなけ
ればならない。この材質としてモリブデン及び多種のセ
ラミックスが用いられていた。これら材質は、高価で製
造が困難であり、さらに必ずしも入手可能な最適の熱伝
導体ではなかった。
従って、本発明の目的は、ウェハにひずみや応力を与え
ないようなパッケージング装置を提供することにある。
ないようなパッケージング装置を提供することにある。
本発明は、シリコン・ウェハ全体の、又は、大きなシリ
コン・ウェハのパッケージング装置を提供する。本装置
は、ウェハの支持体を備え、熱的又はパッケージングに
よって誘導されるウェハの応力を除去し、モして、最適
の熱伝導性を与えるために装着する基板材質の選択を可
能にする。パッケージの外側から熱を除去する方法は従
来より周知であり、本願考案には含まれない。
コン・ウェハのパッケージング装置を提供する。本装置
は、ウェハの支持体を備え、熱的又はパッケージングに
よって誘導されるウェハの応力を除去し、モして、最適
の熱伝導性を与えるために装着する基板材質の選択を可
能にする。パッケージの外側から熱を除去する方法は従
来より周知であり、本願考案には含まれない。
本発明は第１図によって詳述される。ウェハ５は極めて
平坦に作製された支持基板６上に設置されるが、支持基
板６に固着されない。熱伝導性の粘性又は手帖性流体（
ｖｉｓｃｏｕｓ ｏｒ ｓｅｍｉ−ｖｔｓｃｏｕｓｔｈ
ｇｒｍａｌｌｙ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｆｌｕｉｄ）
７の薄層をウェハ５と支持基板６の間に設ける。流
体７は、ウェハ５上の回路によって発生する熱を除去す
るのに必要で、ウェハ５とその支持基板６ （そして、
そこから外部環境）間に、熱伝導路を供給する。ウェハ
５は、流体７の表面張力によって支持基板６へＺ軸方向
に保持されるが、ウェハ５に対して応力を誘導すること
なしに、自由に膨張、収縮または支持基板６に対してＸ
−Ｙ軸面上の動きが可能である。ウェハ５の位置は、ウ
ェハの電気的相互接続にもまた関与するフレックス回路
（ｆｌｅｘ ｃｉｇｃｕｉｔ）８によって緩く保持され
る。フレックス回路８は、規定された安全ゾーンに動き
を制限しながら、ウェハ５にある動きが可能となるよう
に、ウェハ５と支持基板６に取付けられる。フレックス
回路８は非常に柔軟であることより、それらは、ウェハ
５上に感知可能な大きさの圧縮、張力、又は曲げ？ 負荷を与えない。ある弾性体１を設けて、小さな弾性力
をＺ軸方向に与えることによって、大きな衝撃的負荷が
加わってもウェハ５とその支持基板６間の接触を保つこ
とができる。この弾性体９は、Ｘ−Ｙ軸面上におけるウ
ェハ５の動き又は位置をきつく制約しないように選ばれ
る。取付けられる基板６は、極めて平坦であるため、そ
して、弾性体９がｘ−ｙ軸方向のウェハ５位置を制限し
ないため、弾性体９で印加された応力によってウェハ５
には極めて小さい応力がかかる。カバー１０は、ウェハ
５の周囲環境を維持し、そして、ウェハ５を保護するた
めに設けられる。
平坦に作製された支持基板６上に設置されるが、支持基
板６に固着されない。熱伝導性の粘性又は手帖性流体（
ｖｉｓｃｏｕｓ ｏｒ ｓｅｍｉ−ｖｔｓｃｏｕｓｔｈ
ｇｒｍａｌｌｙ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｆｌｕｉｄ）
７の薄層をウェハ５と支持基板６の間に設ける。流
体７は、ウェハ５上の回路によって発生する熱を除去す
るのに必要で、ウェハ５とその支持基板６ （そして、
そこから外部環境）間に、熱伝導路を供給する。ウェハ
５は、流体７の表面張力によって支持基板６へＺ軸方向
に保持されるが、ウェハ５に対して応力を誘導すること
なしに、自由に膨張、収縮または支持基板６に対してＸ
−Ｙ軸面上の動きが可能である。ウェハ５の位置は、ウ
ェハの電気的相互接続にもまた関与するフレックス回路
（ｆｌｅｘ ｃｉｇｃｕｉｔ）８によって緩く保持され
る。フレックス回路８は、規定された安全ゾーンに動き
を制限しながら、ウェハ５にある動きが可能となるよう
に、ウェハ５と支持基板６に取付けられる。フレックス
回路８は非常に柔軟であることより、それらは、ウェハ
５上に感知可能な大きさの圧縮、張力、又は曲げ？ 負荷を与えない。ある弾性体１を設けて、小さな弾性力
をＺ軸方向に与えることによって、大きな衝撃的負荷が
加わってもウェハ５とその支持基板６間の接触を保つこ
とができる。この弾性体９は、Ｘ−Ｙ軸面上におけるウ
ェハ５の動き又は位置をきつく制約しないように選ばれ
る。取付けられる基板６は、極めて平坦であるため、そ
して、弾性体９がｘ−ｙ軸方向のウェハ５位置を制限し
ないため、弾性体９で印加された応力によってウェハ５
には極めて小さい応力がかかる。カバー１０は、ウェハ
５の周囲環境を維持し、そして、ウェハ５を保護するた
めに設けられる。
本発明に係るパッケージング装置の好適な一実施例を第
１図に示し、以下に詳述する。支持基板６の表面は表面
研削、ラップ仕上げ、二重円板研削等によって非常に平
坦に作製されている。このような支持基板６の平坦な表
面を作り出す方法は旋削処理よりも好ましい。旋削処理
は回転部の軸と工具路がミスアライメントされているこ
とにより、円すい状の表面に仕上がる。このような円す
い形状は、弾性体９、重力、衝撃、又はその他の負荷に
よるＺ軸方向の負荷がウェハ５に加えられる場合、ウェ
ハ５にひずみを生じさせる。上述の方法では、この傾向
を有せず、また、良好に開発され、安価である。支持基
板６の材料は、任意の適当な材料であ、す、費用、熱伝
導性、又は関連する他のパラメータを基盤に選択される
。材料選択はウェハ５と近い熱膨張係数を有する材料に
制限されない。支持基板６の材料として例えばアルミニ
ウムが適当である。
１図に示し、以下に詳述する。支持基板６の表面は表面
研削、ラップ仕上げ、二重円板研削等によって非常に平
坦に作製されている。このような支持基板６の平坦な表
面を作り出す方法は旋削処理よりも好ましい。旋削処理
は回転部の軸と工具路がミスアライメントされているこ
とにより、円すい状の表面に仕上がる。このような円す
い形状は、弾性体９、重力、衝撃、又はその他の負荷に
よるＺ軸方向の負荷がウェハ５に加えられる場合、ウェ
ハ５にひずみを生じさせる。上述の方法では、この傾向
を有せず、また、良好に開発され、安価である。支持基
板６の材料は、任意の適当な材料であ、す、費用、熱伝
導性、又は関連する他のパラメータを基盤に選択される
。材料選択はウェハ５と近い熱膨張係数を有する材料に
制限されない。支持基板６の材料として例えばアルミニ
ウムが適当である。
フレックス回路８はポリイミド等の薄い、柔軟な基板上
に金属導電体が設置されたものである。
に金属導電体が設置されたものである。
そして、ウェハ５への全ての電気的接続を行なう。
フレックス回路８は安全ゾーン内にウェハ５の位置を拘
束するようにウェハ５の周囲に設置される。
束するようにウェハ５の周囲に設置される。
それらは、ウェハ５にどの方向においても問題になるよ
うな力を加えないので、ウェハ５上にひずみを誘導させ
ない。
うな力を加えないので、ウェハ５上にひずみを誘導させ
ない。
弾性体９は、ゴム又は低密度泡（ｌｏｗ ｄｅｎｓｉｔ
ｙｆｏａｍ）等であり、カバー１０に固着される。しか
し、それは摩擦によってのみ、ウェハ５に取り付けられ
る。弾性体９とウェハ間の、これら２つの材料の界面に
おける相対的な動きはなく、全ての場合でも極めて小さ
いウェハ５の動きは、弾性体９のひずみとして変換され
る。
ｙｆｏａｍ）等であり、カバー１０に固着される。しか
し、それは摩擦によってのみ、ウェハ５に取り付けられ
る。弾性体９とウェハ間の、これら２つの材料の界面に
おける相対的な動きはなく、全ての場合でも極めて小さ
いウェハ５の動きは、弾性体９のひずみとして変換され
る。
カバー１０は、都合のよい材料で形成され、ウェハ５を
覆うように設置される。そして、それは、支持基板６に
堅固に取り付けられる。カバー１０はウェハ５を保護し
、弾性体９を把えつける。
覆うように設置される。そして、それは、支持基板６に
堅固に取り付けられる。カバー１０はウェハ５を保護し
、弾性体９を把えつける。
以上説明したように、本発明では、粘性あるいは生活性
流体の薄層をウェハと支持基板間に設けることによって
、その表面張力でウェハの垂直運動を制限することがで
きる。それは、ウェハ上に生じた熱を支持基板へ伝える
熱伝導路としても機能する。さらに、ウェハと電気的に
接続するフラット回路を備えることによって、ウェハの
水平運動を制限することも可能となる。また、突発的な
衝撃に対して、ウェハ全体を覆うカバーとウェハ間に弾
性体を設けることによって、弾性体の有する弾力で防御
することができる。
流体の薄層をウェハと支持基板間に設けることによって
、その表面張力でウェハの垂直運動を制限することがで
きる。それは、ウェハ上に生じた熱を支持基板へ伝える
熱伝導路としても機能する。さらに、ウェハと電気的に
接続するフラット回路を備えることによって、ウェハの
水平運動を制限することも可能となる。また、突発的な
衝撃に対して、ウェハ全体を覆うカバーとウェハ間に弾
性体を設けることによって、弾性体の有する弾力で防御
することができる。
第１図は、本発明の一実施例であるパッケージング装置
の概略図。第２図は、従来のパッケージング装置の概略
図。 ■、５：ウエハ、２．６＝支持基板、３：クランプ、４
：接着ボンド、７：流体、８：フラット回路、９：弾性
体７．１０：カバー。
の概略図。第２図は、従来のパッケージング装置の概略
図。 ■、５：ウエハ、２．６＝支持基板、３：クランプ、４
：接着ボンド、７：流体、８：フラット回路、９：弾性
体７．１０：カバー。
Claims (1)
- ウェハのパッケージングにおいて、支持基板と前記ウェ
ハと前記支持基板間に設け、前記ウェハ平面に対して表
面張力によって垂直方向のウェハ運動を制限する手段を
含むことを特徴とするパッケージング装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US847410 | 1986-04-03 | ||
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Cited By (1)
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Families Citing this family (26)
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|---|---|---|---|---|
| DE3777324D1 (de) * | 1986-10-15 | 1992-04-16 | Sanyo Electric Co | Integrierte hybridschaltungsanordnung, die in einen sockel eingesteckt werden kann. |
| US4855868A (en) * | 1987-01-20 | 1989-08-08 | Harding Ade Yemi S K | Preformed packaging arrangement for energy dissipating devices |
| US4829403A (en) * | 1987-01-20 | 1989-05-09 | Harding Ade Yemi S K | Packaging arrangement for energy dissipating devices |
| KR970007840B1 (ko) * | 1987-06-26 | 1997-05-17 | 미다 가쓰시게 | 반도체 장치 |
| US4831495A (en) * | 1987-07-20 | 1989-05-16 | Harding Ade Yemi S K | Unitized packaging arrangement for an energy dissipating device |
| US5184211A (en) * | 1988-03-01 | 1993-02-02 | Digital Equipment Corporation | Apparatus for packaging and cooling integrated circuit chips |
| US5038201A (en) * | 1988-11-08 | 1991-08-06 | Westinghouse Electric Corp. | Wafer scale integrated circuit apparatus |
| DE4004068A1 (de) * | 1990-02-10 | 1991-08-14 | Evgenius Stjepanovic Bugajec | Verfahren zur montage von halbleiterkristallen |
| US5175613A (en) * | 1991-01-18 | 1992-12-29 | Digital Equipment Corporation | Package for EMI, ESD, thermal, and mechanical shock protection of circuit chips |
| FR2692719A1 (fr) * | 1992-06-19 | 1993-12-24 | Thomson Composants Militaires | Senseur pyroélectrique et procédé de fabrication. |
| WO1995006544A1 (en) * | 1993-09-01 | 1995-03-09 | Speedfam Corporation | Backing pad for machining operations |
| JPH07240435A (ja) * | 1994-03-02 | 1995-09-12 | Toshiba Corp | 半導体パッケージの製造方法、半導体の実装方法、および半導体実装装置 |
| US5508888A (en) * | 1994-05-09 | 1996-04-16 | At&T Global Information Solutions Company | Electronic component lead protector |
| US5423119A (en) * | 1994-07-08 | 1995-06-13 | Hualon Microelectronics Corporation | Method for manufacturing a hybrid circuit charge-coupled device image sensor |
| US6327146B2 (en) * | 1999-05-21 | 2001-12-04 | Nokia Telecommunications, Oy | Pick and place assembly and reflow soldering for high power active devices with a flange |
| US9713258B2 (en) * | 2006-04-27 | 2017-07-18 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit chip packaging |
| EP2112471A1 (fr) * | 2008-04-22 | 2009-10-28 | Microcomponents AG | Dispositif de montage pour composant électronique |
| US8436255B2 (en) * | 2009-12-31 | 2013-05-07 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Fan-out wafer level package with polymeric layer for high reliability |
| US8466997B2 (en) * | 2009-12-31 | 2013-06-18 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Fan-out wafer level package for an optical sensor and method of manufacture thereof |
| US20110156240A1 (en) * | 2009-12-31 | 2011-06-30 | Stmicroelectronics Asia Pacific Pte. Ltd. | Reliable large die fan-out wafer level package and method of manufacture |
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-
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05121605A (ja) * | 1991-04-08 | 1993-05-18 | Export Contor Aussenhandels Gmbh | 回路配置 |
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| Publication number | Publication date |
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