JPS62232987A - 光・電子集積回路アレイ - Google Patents
光・電子集積回路アレイInfo
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- JPS62232987A JPS62232987A JP7692486A JP7692486A JPS62232987A JP S62232987 A JPS62232987 A JP S62232987A JP 7692486 A JP7692486 A JP 7692486A JP 7692486 A JP7692486 A JP 7692486A JP S62232987 A JPS62232987 A JP S62232987A
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- electronic
- circuits
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- electronic circuits
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
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- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
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- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体レーザと光検知素子と電子回路とがユニットを構
成し、共通の半導体基板上に複数のユニットが並んで形
成された光・電子集積回路アレイにおいて、 ユニット内を縦並びにし、電子回路が互いに隣接するよ
うにユニットを横並びに配列することにより、 ユニット間ピッチの縮小と配線層による電子回路間の接
続とを可能にしたものである。
成し、共通の半導体基板上に複数のユニットが並んで形
成された光・電子集積回路アレイにおいて、 ユニット内を縦並びにし、電子回路が互いに隣接するよ
うにユニットを横並びに配列することにより、 ユニット間ピッチの縮小と配線層による電子回路間の接
続とを可能にしたものである。
本発明は、半導体レーザと光検知素子と電子回路とがユ
ニットを構成し、共通の半導体基板上に複数のユニット
が並んで形成された光・電子集積回路アレイに関す。
ニットを構成し、共通の半導体基板上に複数のユニット
が並んで形成された光・電子集積回路アレイに関す。
半導体レーザは、光ファイバを用いた光通信の信号源な
どに用いられ、光出力を一定に保つためのモニター用光
検知素子や駆動用電子回路と共に共通の半導体基板上に
〔所謂モノリシック（Ｍｏｎｏ−１ｉｔｈｉｃ）に〕形
成される傾向にある。
どに用いられ、光出力を一定に保つためのモニター用光
検知素子や駆動用電子回路と共に共通の半導体基板上に
〔所謂モノリシック（Ｍｏｎｏ−１ｉｔｈｉｃ）に〕形
成される傾向にある。
そして光ファイバの本数が複数の場合には、上記光検知
素子および電子回路を含め半導体レーザを複数個並べて
モノリシックにアレイ化することが考えられている。
素子および電子回路を含め半導体レーザを複数個並べて
モノリシックにアレイ化することが考えられている。
このアレイ化では、半導体レーザ相互間のピッチが大き
くならないようにすると共に信頼性を確保することが望
まれる。
くならないようにすると共に信頼性を確保することが望
まれる。
第２図は半導体レーザ・光検知素子・電子回路を集積し
た集積回路従来例の模式平面図である。
た集積回路従来例の模式平面図である。
同図において、１は半導体レーザ、２はレーザｌから出
射し不図示の光ファイバに結合する出射光、３は出射光
２と反対側の出射光を受けてレーザ１の出力をモニター
する半導体光検知素子、４はレーザ１に対する駆動回路
などが組み込まれた半導体電子回路である。
射し不図示の光ファイバに結合する出射光、３は出射光
２と反対側の出射光を受けてレーザ１の出力をモニター
する半導体光検知素子、４はレーザ１に対する駆動回路
などが組み込まれた半導体電子回路である。
光検知素子３はレーザ１の背後に配置され、電子回路４
はレーザ１および光検知素子３の横倒に配置されて、レ
ーザ１と共にモノリシックに形成されている。
はレーザ１および光検知素子３の横倒に配置されて、レ
ーザ１と共にモノリシックに形成されている。
また電子回路４には、電源および信号を接続するためワ
イヤボンディング用の接続バッド５が設けられている。
イヤボンディング用の接続バッド５が設けられている。
第３図は本発明に係る光・電子集積回路アレイの従来例
の模式平面図である。
の模式平面図である。
同図において、６は複数個並んでアレイを構成するユニ
ットである。ユニット６は、内部の構成が第２図図示集
積回路の構成と同一になっており、出射光２の方向を揃
えて横並びに配置されている。
ットである。ユニット６は、内部の構成が第２図図示集
積回路の構成と同一になっており、出射光２の方向を揃
えて横並びに配置されている。
そして電源および信号の接続は、個々の電子回路４それ
ぞれの接続パッド５にワイヤボンディングしてなされる
。
ぞれの接続パッド５にワイヤボンディングしてなされる
。
上記構成のアレイは、隣合うレーザ１の間に電子回路４
が配置されるためレーザ１相互間のピッチが大きくなり
、複数の光ファイバと結合する結合部の幅が大きくなる
問題があり、また、上記接続が繁雑となり信頼性の点で
望ましくない問題がある。
が配置されるためレーザ１相互間のピッチが大きくなり
、複数の光ファイバと結合する結合部の幅が大きくなる
問題があり、また、上記接続が繁雑となり信頼性の点で
望ましくない問題がある。
上記問題点は、半導体レーザの背後に光検知素子と電子
回路とが縦並びしてユニットを構成し、複数の前記ユニ
ットが前記電子回路を互いに隣接するよう横並びに配列
されてモノリシックに形成されてなる本発明の光・電子
集積回路アレイによって解決される。
回路とが縦並びしてユニットを構成し、複数の前記ユニ
ットが前記電子回路を互いに隣接するよう横並びに配列
されてモノリシックに形成されてなる本発明の光・電子
集積回路アレイによって解決される。
上記ユニットでは、電子回路が半導体レーザおよび光検
知素子と縦並びに配置されるため、本アレイでは、ユニ
ットの配列ピッチを従来例より縮めることが可能になり
、光ファイバと結合する結合部の幅を小さくすることが
出来る。
知素子と縦並びに配置されるため、本アレイでは、ユニ
ットの配列ピッチを従来例より縮めることが可能になり
、光ファイバと結合する結合部の幅を小さくすることが
出来る。
また本アレイでは、電子回路が互いに隣接してモノリシ
ックに形成されるため、通常の半導体集積回路（ＩＣ）
の配線層と同様に、複数のユニットに跨って電子回路上
に配線層を設けることが可能になり、その配線層を利用
して電子回路間の接続を行うことが出来る。このことは
先に述べた接続の繁雑さを緩和して信頼性の確保を容易
にする。
ックに形成されるため、通常の半導体集積回路（ＩＣ）
の配線層と同様に、複数のユニットに跨って電子回路上
に配線層を設けることが可能になり、その配線層を利用
して電子回路間の接続を行うことが出来る。このことは
先に述べた接続の繁雑さを緩和して信頼性の確保を容易
にする。
以下、本発明による光・電子集積回路アレイの実施例に
ついて第１図の模式平面図を用い説明する。企図を通じ
同一符号は同一対象物を示す。
ついて第１図の模式平面図を用い説明する。企図を通じ
同一符号は同一対象物を示す。
同図に示すアレイは、第３図図示従来例と比較して、電
子回路が４から４ａにまたユニットが６から６８に変わ
って電子回路４ａが互いに隣接し、電子回路４８間を接
続する配線７と配線７に接続するためのワイヤボンディ
ング用接続バッド５ａとが付加されたものである。
子回路が４から４ａにまたユニットが６から６８に変わ
って電子回路４ａが互いに隣接し、電子回路４８間を接
続する配線７と配線７に接続するためのワイヤボンディ
ング用接続バッド５ａとが付加されたものである。
電子回路４ａは、電子回路４に設けられた接続パッド５
の中から配線７により接続される分即ち主として電源関
係の接続バッド５が、寸法の小さなコンタクト領域に変
わっており、その分電子回路４より小型になっている。
の中から配線７により接続される分即ち主として電源関
係の接続バッド５が、寸法の小さなコンタクト領域に変
わっており、その分電子回路４より小型になっている。
ユニッ）６ａは、電子回路４ａが半導体レーザ１および
光検知素子３と縦並びに配置され、上記電子回路４ａの
小型化も加わり幅がユニット６より小さくなっている。
光検知素子３と縦並びに配置され、上記電子回路４ａの
小型化も加わり幅がユニット６より小さくなっている。
配線７は、電子回路４ａ間に跨って通常のＩＣの配線層
と同様に設けられた配線層により形成されて、電子回路
４ａと上記コンタクト領域で接続され、端部が接続パッ
ド５ａに繋がりワイヤボンディングにより接続される。
と同様に設けられた配線層により形成されて、電子回路
４ａと上記コンタクト領域で接続され、端部が接続パッ
ド５ａに繋がりワイヤボンディングにより接続される。
かく構成された光・電子集積回路アレイは、レーザ１相
互間のピンチが従来例より小さいために光ファイバと結
合する結合部の幅が小さくて済む。
互間のピンチが従来例より小さいために光ファイバと結
合する結合部の幅が小さくて済む。
また配線７によりワイヤボンディングの接続が集約され
るので、接続の繁雑さが少なくなり、従来例より信頼性
の確保が容易である。
るので、接続の繁雑さが少なくなり、従来例より信頼性
の確保が容易である。
以上説明したように本発明の構成によれば、半導体レー
ザと光検知素子と電子回路とがユニットを構成し、共通
の半導体基板上に複数のユニットが並んで形成された光
・電子集積回路アレイにおいて、ユニット間ピッチの縮
小と配線層による電子回路間の接続とが可能になり、光
ファイバとの結合部の幅を小さくさせると共に信頼性の
確保を容易にさせる効果がある。
ザと光検知素子と電子回路とがユニットを構成し、共通
の半導体基板上に複数のユニットが並んで形成された光
・電子集積回路アレイにおいて、ユニット間ピッチの縮
小と配線層による電子回路間の接続とが可能になり、光
ファイバとの結合部の幅を小さくさせると共に信頼性の
確保を容易にさせる効果がある。
第１図は本発明実施例の模式平面図、
第２図はユニットに相当する集積回路従来例の模式平面
図、 第３図はアレイ従来例の模式平面図、 である。 図に゛おいて、 ｌは半導体レーザ、 ２は出射光、 ３は光検知素子、 ４．４ａは電子回路、 ５．５ａは接続パッド、 ６．６ａはユニット、 ７は配線、 である。
図、 第３図はアレイ従来例の模式平面図、 である。 図に゛おいて、 ｌは半導体レーザ、 ２は出射光、 ３は光検知素子、 ４．４ａは電子回路、 ５．５ａは接続パッド、 ６．６ａはユニット、 ７は配線、 である。
Claims (1)
- 半導体レーザの背後に光検知素子と電子回路とが縦並び
してユニットを構成し、複数の前記ユニットが前記電子
回路を互いに隣接するよう横並びに配列されて共通の半
導体基板上に形成されてなることを特徴とする光・電子
集積回路アレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7692486A JPS62232987A (ja) | 1986-04-03 | 1986-04-03 | 光・電子集積回路アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7692486A JPS62232987A (ja) | 1986-04-03 | 1986-04-03 | 光・電子集積回路アレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62232987A true JPS62232987A (ja) | 1987-10-13 |
Family
ID=13619259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7692486A Pending JPS62232987A (ja) | 1986-04-03 | 1986-04-03 | 光・電子集積回路アレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62232987A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0602811A1 (en) * | 1992-12-14 | 1994-06-22 | Xerox Corporation | Independently addressable semiconductor diode lasers with integral low loss passive waveguides |
| US5337323A (en) * | 1991-07-24 | 1994-08-09 | Fujitsu Limited | Integrated semiconductor laser array apparatus |
| US5676728A (en) * | 1993-12-03 | 1997-10-14 | Cudos; Jose Luis Alegre | Method for transmitting energy to a plant |
| DE102021101584B3 (de) | 2021-01-25 | 2022-03-10 | Elmos Semiconductor Se | Mechanikloses ISO26262 konformes LIDAR-System |
| DE102021128923A1 (de) | 2021-01-25 | 2022-07-28 | Elmos Semiconductor Se | Mechanikloses ISO26262 konformes LIDAR-System |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55145386A (en) * | 1979-04-30 | 1980-11-12 | Xerox Corp | Hybrid semiconductor laser*detector |
-
1986
- 1986-04-03 JP JP7692486A patent/JPS62232987A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55145386A (en) * | 1979-04-30 | 1980-11-12 | Xerox Corp | Hybrid semiconductor laser*detector |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5337323A (en) * | 1991-07-24 | 1994-08-09 | Fujitsu Limited | Integrated semiconductor laser array apparatus |
| EP0602811A1 (en) * | 1992-12-14 | 1994-06-22 | Xerox Corporation | Independently addressable semiconductor diode lasers with integral low loss passive waveguides |
| US5676728A (en) * | 1993-12-03 | 1997-10-14 | Cudos; Jose Luis Alegre | Method for transmitting energy to a plant |
| DE102021101584B3 (de) | 2021-01-25 | 2022-03-10 | Elmos Semiconductor Se | Mechanikloses ISO26262 konformes LIDAR-System |
| DE102021128923A1 (de) | 2021-01-25 | 2022-07-28 | Elmos Semiconductor Se | Mechanikloses ISO26262 konformes LIDAR-System |
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