JPS60169167A - 光学通信システム - Google Patents

光学通信システム

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JPS60169167A
JPS60169167A JP60004841A JP484185A JPS60169167A JP S60169167 A JPS60169167 A JP S60169167A JP 60004841 A JP60004841 A JP 60004841A JP 484185 A JP484185 A JP 484185A JP S60169167 A JPS60169167 A JP S60169167A
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/43—Arrangements comprising a plurality of opto-electronic elements and associated optical interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/80—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water
    • H04B10/801—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water using optical interconnects, e.g. light coupled isolators, circuit board interconnections

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］ 本発明は光学通信システムに関するもので。 とくに半導体基板りに設けた複数のチップ間で互いに通
信を行なうシステムに係わるものである。 ［従来の技術１ 従来の複合半導体回路は多くの場合９合成樹脂またはセ
ラミックの回路板に半導体パッケージを装着し、該回路
板上に形成した導体を介して。 個々の半導体パッケージを互いに連結ないし導通させて
いる。　このような回路板においては９回路を構成する
各素子を回路板の表面に十分広く形成することにより、
熱の発散やクロストーク等の問題を最小限に留めている
。　上記のような従来の半導体回路においてはさらに、
伝送する信号のクロックレートが約５０メガヘルツ以上
になると。 印刷回路板りの導体がそれ自体伝送ライン（分布定数線
路）としてはたらくようになり、キャパシタンスやイン
ダクタンスの影響が出始める。　このため９通常の伝送
ラインの場合と同様、インビーグンスマ−７チングを適
正にして９反射現象等が起らないようにするなど適宜の
対策を講じる必要がある。　ただし、このような問題は
比較的軽微なものであるため、これまでは伝送する信号
のクロックレートが約５０メガヘルツ以下の場合、一般
にはとくに関心事となることはなかった。　しかしなが
ら１回路素子での動作の高速化および集積回路チップ自
体の小型化が進み、印刷回路板の集積度向上に対する要
望が高まるにともなって、上記のような問題が次第にネ
ックとなるに至っている。　たとえば集積回路パッケー
ジの入出力ビンの本数は、該集積回路パッケージに含ま
れる回路素子の個数が急速に増大するにつれて増大し続
けており、このため、各ビンやこれにつらなる伝送路に
ついて、いかにして上述のような反射現象その他の伝送
ラインに附随する問題を解決するかという課題が増大し
ている。　さらにまた、印刷回路板上におけるチップの
集積度のみならず１個々のチップにおける回路素子の集
積度が増大した結果、入出力ドライバ回路における発熱
の問題もある。 １問題点を解決しようとするための手段］上述のような
従来技術における問題を軽減すべ〈１本発明はシリコン
元素により切片状に形成した回路板と、好ましくは第■
−ｖ族化合物により形成した半導体集積回路として構成
した回路構成要素とからなる複合回路を提供するもので
ある、　各集積回路からの信号は、当該回路板上の他の
集積回路あるいは該回路板外部の集積回路に。 通常の印刷導電路、あるいは好ましくは各集積回路の各
出力素子に形成されてシリコン回路板内の光伝導素子を
介して、当該回路板上の他の集積回路の入力素子を構成
する感光素子に光信号を伝えて、該回路板外部に伝送す
るようにしたレーザを介して伝送される。　この場合各
発光出力素子は好ましくはこれをレーザダイオード等に
より構成し、また各受光入力素子は好ましくはこれを感
光ダイオード等により構成する。 光信号はある集積回路の出力から、一つの集積回路の入
力に、あるいは当該回路板外部のデバイスに、光伝導素
子を介して伝送される。　これら光伝導素子は、光伝導
ロッドを該回路板の表面上に配設するか、あるいは回路
板に形成した溝内に埋設する等として形成することがで
きる。　あるいはまた、シリコンの回路板を選択的に酸
化することによって二酸化シリコン光導電路を形成し′
て、これら二酸化シリコン光導電路により上記光伝導素
子を得てもよい、　いずれにしても各光伝導素子は、あ
る集積回路からの発光出力素子と他の集積回路の受光入
力素子との間を結合するか。 あるいは当該回路板のエツジ部に延在して該回路板外部
への伝送を確保する。　個々の回路板間等で光周波数の
伝送を行なうことにより、多数のビンを用いるデバイス
やコネクタにおいて従来必要とされていた伝送路を、わ
ずか１本の光伝送路ですますことが可能となり、従って
従来の櫟準的な非光周波数型の回路板間における通信に
用いる電力を供給するのに必要とされていたドライバ回
路が不要となるのみならず、上述したような従来の問題
も解消することができるのである。 光伝導素子を発光出力素子および受光入力素子に連結す
るには、公知の光導電性エポキシ等の通常の結合手段を
用いる。　このような結合技術としてはたとえばｒ　Ｐ
ｈｏｔｏ−Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｌｏｇｉｃ　−Ａ　Ｈａｐ
ｅｆｕｌ　ＰｒｏｓｐｅｃｔＪ　（Ｄ、　Ａ、フレーザ
ー、　３１−３４頁）、　ｒｃｏｕｐｌｉｎｇ　Ｌｉｇ
ｈｔ　５ｏｕｒｃｅｓ　ｔｏ　ＦｉｂｅｒｓＪ　（マー
クＩＩＬ拳ダクス、　Ｌａ５ｅｒ　Ｆｏｃｕｓ　１９７
５年１２月号３１−３４頁）、　ｒｏｐｔｉｃａｌ　Ｗ
ａｖｅｇｕｉｄｅｓ　Ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ　ｂｙ　Ｐ
ｙｅｆｅｒａｎｔｉａｌ　Ｅｔｃｈｉｎｇ　Ｊ　（ウォ
ン・チェ７・ツアン、チェン参チュン・ツエン、シー争
ワン、　Ａｐｐｌｉｅｄ　０ｐｔｉｃｓ　第１４巻第５
号、　１９７５年５月、　１２００−１２０６頁）、　
ｒＯｐｔｉｃａｌ　Ｃｏｕｐｌｉｎｇ　ｆｒｏｍ　Ｆｉ
ｂｅｒｓ　ｔｏ　Ｃｈａｎｎｅｌ　Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ
ｓ　Ｆｏｒｍｅｄ　ｏ＋ｓ　５ｉｌｉｃｏｎＪ　（Ｊ、
　Ｔ。 ボイド、Ｓ、スライラム、ｒＡｐｐｌｉｅｄ　０ｐｔｉ
ｃｓＪ第１７巻第６号、　１１１７８年３月１５日、　
８９５−８９８頁）、「＾Ｌｏｗ−５ｃａｔｔｅｒｉｎ
ｇ　Ｇｒａｄｅｄ−Ｉｎｄｅｘ　５ｉ０２　Ｐｌａｎａ
ｒ　０ｐｔｉｃａｌ　Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ　Ｔｈｅｒ＋
５ａｌｌｙ　Ｇｒｗｏｎ　ｏｎ　５ｉｌｉｃｏｎＪ　（
デーピッドＥ、ゼルモン他、　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙ
ｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ第４２巻第７号、　１１３８
３年４月１日、　Ｅ１８５−８８８頁）、　ｒ　ＧａＡ
ｓ　０ｐｔｉｃａｌ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｄｅｖｉ
ｃｅｓ　ｆｏｒ　Ｓｉｇｎａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ
　ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎＪ　（Ｌ、　Ｒ，）　−ムセ
ッター、　５ＰＩＥ　第１７６巻ｒＧｕｉｄｅｄ　Ｗａ
ｖｅ　０ｐｔｉｃａｌ　Ｓｙｓｔｅｍｓ　ａｎｄ　Ｄｅ
ｖｉｃｅｓ　ＩＩＪ　１１１−１１４頁）等にその記載
がある。
【実施例】
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。　第１図
および第２図において９回路板１はシリコン切片により
形成され、その表面には複数個の半導体チップ３を設け
てなるものである。 これら半導体チップ３は好ましくは第■−Ｖ族物質によ
り形成され１回路板１の上面に適宜の接着方法により固
設されている。　回路板１の内部もしくはその表面上に
は、後述する態様で複数の光フアイバチャンネル５が形
成されている。　各チップ３は第３図に示すように、少
なくとも１個の発光出力素子９および同じく少なくとも
１個の受光入力素子１１．あるいは少なくともその一方
を有し、結合素子７により該出力素子９は上記光ファイ
バチャンネル５に、またこれら光フアイバチャンネル５
は受光入力素子１１に、それぞれ接続されている。　発
光出力素子９は、好ましくは、レーザダイオードで構成
され、一方、受光入力素子１１は。 好ましくは、ホト感光ダイオードで構成され２両者は、
光フアイバチャンネル５に接続されている、　第３図に
示されるように１個々の光フアイバチャンネル５は、さ
らに、複数の回路板どうし。 あるいは回路板と外部の発光出力素子および受光入力素
子あるいはその一方を互いに連結する役割を果たすもの
である。 光フアイバチャンネル５は各種の方法でこれを形成する
ことができる。　第一の実施例では。 上記回路板ｌの上面に溝を設けて、この溝内に通常の光
フアイバ素子を埋設して光フアイバチャンネル５とする
。　このように通常の光フアイバ素子を用いる場合は１
回路板を形成する材料は必ずしもシリコンでなくともよ
く、一般に回路板に用い得る材料ならばどのようなもの
を用いても差し支えない、　光フアイバチャンネル５を
形成する第二の実施例は９回路板ｌとしては結晶シリコ
ンを用いて９通常の半導体酸化技術により光フアイバチ
ャンネル５を形成するものである。　この場合には、た
とえば回路板１の表面にシリコン窒化物のパターンを形
成し９次いで、光フアイバチャンネルを形成すべき領域
にキッチングを施すことにより、シリコンの露出部を酸
化させて、該光フアイバチャンネルのための溝を二酸化
シリコンで満たすか、あるいは上述のようにシリコン窒
化物のパターンを形成した後、シリコン露出部を酸化さ
せ、必要あるいは所望ならば適宜の厚さに形成された二
酸化シリコン層の裏側を選択的にエツチングすることに
より、光フアイバチャンネル５を形成する等とする。　
このようにシリコンの回路板を酸化させることによって
形成された二酸化シリコン層は、光フアイバチャンネル
としての役割を果たすもので、前掲の公知文献にも示さ
れているように、光伝導性をもつものである。 半導体チップ３は前述のように好ましくは第ｍ−ｖ族化
合物、さらに好ましくは砒化ガリウム（ＧａＡｓ）によ
り形成され、従って回路の個々の構成素子のみならず、
レーザダイオード等により構成のうち少なくも一つ、も
しくはこれら両者をチツプの各々内に形成することによ
り、各チップにおける信号の出入りを可能として、Ｉ１
０端子を構成することができる。　なお、各チップには
複数個の光学出力素子９および同じく複数個の光学入力
素子１１を設けることができる。 前記光フアイバチャンネルないし光導路５の各々は光の
伝送路を構成するものであり、また使用する光信号の帯
域Ｉ’ｌｌは約２ＧＨｚまでとすることができるため、
たとえばそれぞれ２００ＭＨｚの帯域１１をもつ電気信
号１０個を１本の光フアイバチャンネル５ですますこと
が可能となる。　従って、同一の伝送ラインに複数の信
号を流すことができるため、それに応じた数の入出力端
子をチップ自体から物理的に消去することができ、チッ
プのスペースに対する必要条件が相当に緩和されること
となる、　さらにまた、光信号を用いているため、高周
波を用いた場合に附随するインピダンスマッチングその
他の問題が解消されるとともに、光信号を光伝導手段と
しての光フアイバ内に閉じ込めているため、チャンネル
間にクロストークが生じるという問題もない、また光伝
送方式としたため。 発熱の問題も実質的に最小限とすることもできる第４図
に本発明の第三の実施例を示す、　この実施例において
は、シリコンの回路板２１の表面の所定の領域に複数の
メサ部２３を形成し、いわゆる「フリップチップ」とし
て知られるタイプの砒化ガリウムチップ２７の表面に形
成した整合孔２５に、これらメサ部２３を対向させたも
のである。　該メサ部２３は通常のオリエンテーション
・デペンデント・エラチャン）　（ＯＤＥ）を用いて形
成することにより所望のメサ部形状とする。　チー２プ
２７はレーザダイオード２９を有し、前記メサ部２３を
選択的に形成することにより、このレーザダイオード２
９は回路板２１の表面に設けられた光学的結合素子ない
しリンク３１と整合し、同一の直線上にある、　この光
学的結合素子ないしりンク３１は９回路板２１に形成さ
れた溝内に光ファイバを埋設するかあるいは１回路２１
の表面上に配設して構成可能である。　あるいは前掲公
知文献に教示されているように、前述のようにして回路
板２１に二酸化シリコンに形成した伝送路によりこれを
構成してもよい、　第４図の実施例においてはさらに、
チップ３３を前記のメサ部２３と同様のメサ部３５上に
設け。 このチップ３３のホトトランジスタ３７を前記光学的結
合子ないしリンク３１と整合させる。　このような構成
とすることにより、レーザダイオード２８から発した光
周波数の情報は、光学的結合素子ないしリンク３１を介
してホトトランジスタ３７に送られることとなる。　な
おこの第三の実施例においては、ＯＤＥメサ部２３は上
述のようにダイオードレーザ２８とホトトランジスタ３
７との間を整合させるほかに、チップ２７．３３上のパ
ッドと連結されて電圧源や接地端子、さらには信号の入
出力素子を構成するものである。 以上第１図ないし第４図につき説明した回路板は第５図
に示すように、これを複数桟瓦いに積層して用いること
ができる。　この場合積層した個々の回路板間の接続は
通常の電気的結線によってもよく、あるいはこれとは別
に、または該電気的結線と組み合わせて、光学的結合素
子ないしリンクを回路板間に設けてもよい、　第５図に
示す例では４枚の回路板５１が互いに上下に積層され。 個々の回路板５１には砒化ガリウムチップ５３が配設さ
れ、各回路板上で光学的結合素子ないしリンク５５によ
り互いに連結されているほか、各回路板５１上の光学的
結合素子ないしリンク５５と他の光学的結合素子ないし
リンク５５との間には、光ファイバ（図示せず）が延在
して個々の回路板間を光学的に導通させている。 以上記載したごとく、本発明によれば、それ自体を好ま
しくはシリコン基板とした単一の回路板上のチップ間で
通信を行なうに当って２通常の集積回路製作技術を用い
て該回路板自体に光ファイバを形成するとともに、その
回路板自体を介して伝送される光信号の送出および受光
用に第■−Ｖ族化合物の半導体デバイスを用いることを
可能としたものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による複合電子回路を示す平面図、第２
図は第１図の破線２−２に沿う断面を示す図、第３図は
レーザダイオードおよびホトトランジスタを介して一対
の光フアイバチャンネルに光学的に、結合されたチップ
を示す概略図、第４図は本発明による回路の他の実施例
を示す概略断面図、第５図は本発明による回路を複数個
積層して用いた実施例を示す斜視図である。 １、２１．５１．　、　、回路板。 ３　、２７．３３．５３．　、　、半導体チ・ツブ。 ５、、、、光フアイバチャンネル。 ７、３］、　５５．　、　、結合素子。 ９．２９．、、発光出力素子 （レーザダイオード）。 １１．３７．　、　、受光入力素子 （ホトトランジスタ）。 ２３、３５．　、　、メサ部。 ０　２　３　４ Ｆｔ’ｇ、／ Ｆｔ７．２ Ｆｔ’１．３ どｌ Ｆｔ’１．４ Ｆｔ’ｇ、５

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１）　（ａ）結晶シリコンにより形成された支持手段
    と。 （ｂ）この支持手段上に配設された光周波数伝送手段と
    。 （ｃ）前記支持手段−ヒに配設され、かつ前記周波数伝
    送手段と光学的に結合された光周波数出力装置を含む第
    一の半導体デバイスと。 （ｄ）前記支持手段に支持され、かつ前記周波数伝送手
    段と光学的に結合された光周波数入力装置を含む第二の
    半導体デバイスとからなることを特徴とする光学通信シ
    ステム。 （２）　前記第一の半導体デバイスはこれを第ｍ−Ｖ族
    物質により形成してなる特許請求の範囲第１項に記載の
    光学通信システム。 （３）　前記第■−Ｖ族物質はこれを砒化ガリウムとし
    てなる特許請求の範囲第２項に記載の光学通信システム
    。 （４）　前記周波数伝送手段はこれを前記支持手段に設
    けた光伝導性ファイバにより構成してなる特許請求の範
    囲第１項に記載の光学通信システム。 （５）　前記周波数伝送手段はこれを前記支持手段に設
    けた光伝導性ファイバにより構成してなる特許請求の範
    囲第２項に記載の光学通信システム。 （８）　前記卿波数伝送手段はこれを前記支持手段に設
    けた光伝導性ファイバにより構成してなる特許請求の範
    囲第３項に記載の光学通信システム。 （７）　前記周波数伝送手段はこれを前記支持手段から
    形成したシリコン酸化物の伝送路により構成してなる特
    許請求の範囲第１項に記載の光学通信システム、 （８）　前記周波数伝送手段はこれを前記支持手段から
    形成したシリコン酸化物の伝送路により構成してなる特
    許請求の範囲第２項に記載の光学通信システム。 （９）　前記周波数伝送手段はこれを前記支持手段から
    形成したシリコン酸化物の伝送路により構成してなる特
    許請求の範囲第３項に記載の光学通信システム。 （１０）前記支持手段の表面に複数個のメサ部を形成し
    、これらメサ部のうち所定のメサ部に前記第一および第
    二の半導体デバイスを設けてなる特許請求の範囲第１項
    に記載の光学通信システム。 （１１）前記支持手段の表面に複数個のメサ部を形成し
    、これらメサ部のうち所定のメサ部に前記第一および第
    二の半導体デバイスを設けてなる特許請求の範囲第２項
    に記載の光学通信システム。 （１２）　前記支持手段の表面に複数個のメサ部を形成
    し、これらメサ部のうち所定のメサ部に前記第一および
    第二の半導体デバイスを設けてなる特許請求の範囲第３
    項に記載の光学通信システム。 （１３）　前記支持手段の表面に複数個のメサ部を形成
    し、これらメサ部のうち所定のメサ部に前記第一および
    第二の半導体デバイスを設けてなる特許請求の範囲第４
    項に記載の光学通信システム。 （１４）前記支持手段の表面に複数個のメサ部を形成し
    、これらメサ部のうち所定のメサ部に前記第一および第
    二の半導体デバイスを設けてなる特許請求の範囲第５項
    に記載の光学通信システム。 （１５）前記支持手段の表面に複数個のメサ部を形成し
    、これらメサ部のうち所定のメサ部に前記第一および第
    二の半導体デバイスを設けてなる特許請求の範囲第６項
    に記載の光学通信システム。 （１６）前記支持手段の表面に複数個のメサ部を形成し
    、これらメサ部のうち所定のメサ部に前記第一および第
    二の半導体デバイスを設けてなる特許請求の範囲第７項
    に記載の光学通信システム。 （１７）前記支持手段の表面に複数個のメサ部を形成し
    、これらメサ部のうち所定のメサ部に前記第一および第
    二の半導体デバイスを設けてなる特許請求の範囲第８項
    に記載の光学通信システム。 （１８）前記支持手段の表面に複数個のメサ部を形成し
    、これらメサ部のうち所定のメサ部に前記第一および第
    二の半導体デバイスを設けてなる特許請求の範囲第９項
    に記載の光学通信システム。 （１８）前記第一および第二の半導体デ／ヘイスの各々
    には前記メサ部と接触する導電性パッドを設け、かつ該
    メサ部はこれを導電性としてなる特許請求の範囲第１０
    項に記載の光学通信システム。 （２０）　前記第一および第二の半導体デバイスの各々
    には前記メサ部と接触する導電性パッドを設け、かつ該
    メサ部はこれを導電性としてなる特許請求の範囲第１１
    項に記載の光学通信システム。 （２１）前記第一および第二の半導体デバイスの各々に
    は前記メサ部と接触する導電性パッドを設け、かつ該メ
    サ部はこれを導電性としてなる特許請求の範囲第１２項
    に記載の光学通信システム。 （２２）　前記第一および第二の半導体デバイスの各々
    には前記メサ部と接触する導電性パッドを設け、かつ該
    メサ部はこれを導電性としてなる特許請求の範囲第１３
    項に記載の光学通信システム。 （２３）　前記第一および第二の半導体デバイスの各々
    には前記メサ部と接触する導電性パッドを設け、かつ該
    メサ部はこれを導電性としてなる特許請求の範囲第１４
    項に記載の光学通信システム。 （２４）前記第一および第二の半導体デバイスの各々に
    は前記メサ部と接触する導電性パッドを設け、かつ該メ
    サ部はこれを導電性としてなる特許請求の範囲第１５項
    に記載の光学通信システム。 （２５）前記第一および第二の半導体デバイスの各々に
    は前記メサ部と接触する導電性パッドを設け、かつ該メ
    サ部はこれを導電性としてなる特許請求の範囲第１８項
    に記載の光学通信システム。 （２６）　前記第一および第二の半導体デバイスの各々
    には前記メサ部と接触する導電性パッドを設け、かつ該
    メサ部はこれを導電性としてなる特許請求の範囲第１７
    項に記載の光学通信システム。 （２７）　前記第一および第二の半導体デバイスの各々
    には前記メサ部と接触する導電性パッドを設け、かつ該
    メサ部はこれを導電性としてなる特許請求の範囲第１８
    項に記載の光学通信システム。 （２８）　（ａ）結晶シリコンにより形成され、かつ互
    いに相隔てて」−下に配設された複数の支持手段を有し
    、これら支持手段の各々は。 （ｂ）該支持手段上に配設された光周波数伝送手段と。 （ｃ）前記支持手段に支持され、かつ前記周波数伝送手
    段と光学的に結合された光周波数出力装置を含む第一の
    半導体デバイスと。 （ｄ）前記支持手段に支持され、かつ前記周波数伝送手
    段と光学的に結合された光周波数入力装置を含む第二の
    半導体デバイスと。 （ｅ）前記支持手段のうち複数の支持手段上の光周波数
    伝送手段を相互に結合する手段とからなることを特徴と
    する光学通信システム。 （２９）　前記第一の半導体デバイスはこれを第ｍ−Ｖ
    族物質により形成してなる特許請求の範囲第２８項に記
    載の光学通信システム。 （３０）前記周波数伝送手段はこれを前記支持手段に設
    けた光伝導性ファイバにより構成してなる特許請求の範
    囲第２８項に記載の光学通信システム。 （３１）前記周波数伝送手段はこれを前記支持手段に設
    けた光伝導性ファイバにより構成してなる特許請求の範
    囲第２８項に記載の光学通信システム。 （３２）　前記周波数伝送手段はこれを前記支持手段か
    ら形成したシリコン酸化物の伝送路により構成してなる
    特許請求の範囲第２８項に記載の光学通信システム。 （３３）前記周波数伝送手段はこれを前記支持手段から
    形成したシリコン酸化物の伝送路により構成してなる特
    許請求の範囲第２８項に記載の光学通信システム。 （３４）　（ａ）結晶シリコンにより形成された第一の
    支持手段と。 （ｂ）第二の支持手段と。 （ｃ）前記第一の支持手段上に配設され、かつ第ｍ−ｖ
    族物質により形成された光送出手段と（ｄ）前記第二の
    支持手段に支持され、かつ前記光送出手段の出力と光学
    的に結合された受光手段とからなることを特徴とする光
    学通信システム。 （３５）前記第二の支持手段はこれを結晶シリコンによ
    り形成してなる特許請求の範囲第３４項に記載の光学通
    信システム。 （３６）前記第■−ｖ族物質はこれを砒化ガリウムとし
    てなる特許請求の範囲第３４項に記載の光学通信システ
    ム。 （３７）前記第■−■族物質はこれを砒化ガリウムとし
    てなる特許請求の範囲第３５項に記載の光学通信システ
    ム。 （３８）前記受光手段はこれを第■−ｖ族物質により形
    成してなる特許請求の範囲第３４項に記載の光学通信シ
    ステム。 （３３）前記受光手段はこれを第■−Ｖ族物質により形
    成してｄる特許請求の範囲第３５項に記載の光学通信シ
    ステム。 （４０）前記受光手段はこれを第■−ｖ族物質により形
    成してなる特許請求の範囲第３８項に記載の光学通信シ
    ステム。 （４１）前記受光手段はこれを第■−■族物質により形
    成してなる特許請求の範囲第３７項に記載の光学通信シ
    ステム。 （４２）前記物質はこれを砒化ガリウムとしてなる特許
    請求の範囲第３８項に記載の光学通信システム（４３）
    前記物質はこれを砒化ガリウムとしてなる特許請求の範
    囲第３８項に記載の光学通信システム（４４）前記物質
    はこれを砒化ガリウムとしてなる特許請求の範囲第４０
    項に記載の光学通信システム（４５）前記物質はこれを
    砒化ガリウムとしてなる特許請求の範囲第４１項に記載
    の光学通信システム
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