JP2019040040A - 光機能モジュール、これを用いた光トランシーバ、及び光機能モジュールの製造方法 - Google Patents
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前記光導波路回路基板は、基板表面に対して垂直方向の側壁を有する凹部を有し、
前記光半導体素子は出力端面が前記側壁と対向するように前記凹部に配置され、
前記側壁は、前記側壁の表面から基板内部に所定の角度で切り込まれた第1端面と、前記側壁の表面で前記第1端面と連続する第2端面を有し、
前記第1端面と、前記光半導体素子の前記出力端面との間に非平行のギャップが設けられ、
前記第1端面で前記第1の光導波路の導波路端面が露出し、前記光半導体素子から出力される出力光は、前記ギャップを介して、前記第1の光導波路に結合される。
ギャップ25の両側の側壁21に位置する端面212(図面では「端面2」とも標記されている)と端面213(図面では「端面3」とも標記されている)は、同一面内に位置し、光半導体素子10の出力端面11と平行である。端面212と端面211の間の角度は180°−θ1である。
フォトリソグラフィ技術を用いて端面211のX方向の長さを数μm程度に形成できるため、光半導体素子10の出力端面111を光導波路回路基板20の端面212、213に突き当てる場合でも、光半導体素子10を十分に小さく作ることができる。
図8は、図6及び図7の配置の変形例1を示す。実施例1では、側壁21に形成された切り込みの端面211がX方向と平行に延びる例を示した。変形例1では、端面211はX方向から所定の角度傾いて位置し、端面212と端面213が、X方向と平行に位置する。光半導体素子10の出力端面11もX方向と平行に位置する。
図9は、変形例2を示す。実施例1では、光半導体素子10の素子導波路12が出力端面11に対して垂直に延設されている例を示した。変形例2では、光半導体素子10の素子導波路12は、出力端面11の垂線から所定の角度で斜めに延設されている。
n1×sinθ1=n2×sinθ2、かつ
n1’×sinθ1’=n1×sinθ2’
が成立する。
図10は、変形例3として、複数チャネル(マルチチャネル型)の光半導体素子10Mを用いる。光半導体素子10Mは、出力端面11に対して垂直に形成された4本の平行な素子導波路12−1〜12−4を有する。光導波路回路基板20の凹部22の側壁21には、4つのギャップ25−1〜25−4が形成されており、それぞれのギャップから光導波路23−1〜23−4が延設されている。
図12は、実施形態の光機能モジュール100の光トランシーバ1への適用例を示す。光トランシーバ1は、パッケージ基板2上に配置された光機能モジュール100と、光機能モジュール100に実装された電子回路チップ40と、外部光配線52を接続するコネクタ51を有する。電子回路チップ40は、たとえばシリコン基板に形成されたドライバ回路やトランスインピーダンスアンプなどの電子回路を含む。外部光配線52は、たとえば複数の光ファイバがテープ被覆で保持されたファイバリボンである。
ギャップ255−1〜255−4から対応する光導波路223−1〜223−4が延びている。光半導体素子10−1〜10−4は、その出力端面が側壁221−1〜221−4と平行になるように、凹部22でY方向から斜めに傾いて配置されている。光半導体素子10−1〜10−4から出力される光は、ギャップ255−1〜255−4を通って光導波路223−1〜223−4に光学的に結合する。
(付記1)
第1の光導波路を有する光導波路回路基板と、
前記光導波路回路基板に実装された光半導体素子と、
を有し、
前記光導波路回路基板は、基板表面に対して垂直方向の側壁を有する凹部を有し、
前記光半導体素子は出力端面が前記側壁と対向するように前記凹部に配置され、
前記側壁は、前記側壁の表面から基板内部に所定の角度で切り込まれた第1端面と、前記側壁の表面で前記第1端面と連続する第2端面を有し、
前記第1端面と、前記光半導体素子の前記出力端面との間に非平行のギャップが設けられ、
前記第1端面で前記第1の光導波路の導波路端面が露出し、
前記光半導体素子から出力される出力光は、前記ギャップを介して、前記第1の光導波路に結合されることを特徴とする光機能モジュール。
(付記2)
前記光半導体素子は、前記出力端面と直交する第2の光導波路を有し、
前記第1端面と前記第2端面との間の角度は、前記出力光の前記第1端面への入射角をθ1とすると180°−θ1になるように形成されていることを特徴とする付記1に記載の光機能モジュール。
(付記3)
前記光半導体素子は、前記出力端面の垂線に対して所定の角度で傾斜する第2の光導波路を有し、
前記出力光の出射角をθ2’、前記出力光の前記第1端面への入射角をθ1とすると、前記第1端面と前記第2端面との間の角度は、180°−θ1−θ2’になるように形成されていることを特徴とする付記1に記載の光機能モジュール。
(付記4)
前記第2端面は、前記光導波路回路基板のひとつの辺と平行に形成され、前記光半導体素子は前記ひとつの辺と直交する方向に前記側壁に突き当てられていることを特徴とする付記1〜3のいずれかに記載の光機能モジュール。
(付記5)
前記第1端面は、前記光導波路回路基板のひとつの辺と平行に形成され、前記光半導体素子は前記凹部で前記ひとつの辺に対して斜めに配置されて前記側壁に突き当てられていることを特徴とする付記1〜3のいずれかに記載の光機能モジュール。
(付記6)
前記側壁は、のこぎり歯状に配置される複数の側壁面を有し、前記複数の側壁面の各々に前記第1端面が形成され、前記複数の側壁面の各々に対応して、複数の前記光半導体素子の各々が前記凹部に配置されていることを特徴とする付記1〜5のいずれかに記載の光機能モジュール。
(付記7)
前記側壁は、複数の前記第1端面を有し、前記光半導体素子は、前記第1端面の各々に対応する複数の前記第2の光導波路を有するマルチチャネル型光半導体素子であることを特徴とする付記2または3に記載の光機能モジュール。
(付記8)
前記側壁は、前記ギャップを挟んで前記第2端面と反対側に位置する第3端面を有し、
前記第2端面と前記第3端面は同一の面内に位置し、前記光半導体素子の前記出力端面は前記第2端面及び前記第3端面と平行に位置することを特徴とする付記1〜7のいずれかに記載の光機能モジュール。
(付記9)
前記光半導体素子は同じ端面に入力導波路と出力導波路を有する反射型の半導体光増幅器であり、前記出力導波路の出射端が前記ギャップと対向して配置されることを特徴とする付記1〜8のいずれかに記載の光機能モジュール。
(付記10)
前記ギャップの屈折率をn1、前記第1の光導波路の等価屈折率をn2、前記出力光の前記第1端面への入射角をθ1とすると、前記第1の光導波路は、前記第1端面の垂線に対して、n1×sinθ1=n2×sinθ2を満たす角度θ2だけ傾いて配置されていることを特徴とする付記1〜9のいずれかに記載の光機能モジュール。
(付記11)
付記1〜10のいずれかに記載の光機能モジュールと、
前記光機能モジュールに接続される外部光配線と、
前記光機能モジュールに集積された光機能素子に接続される送受信回路を含む電子回路チップと、
を有することを特徴とする光トランシーバ。
(付記12)
第1の光導波路が形成された光導波路回路基板に、基板表面に対して垂直な側壁を有する凹部を形成し、
前記凹部の側壁に、前記側壁の表面から基板内部に所定の角度で切り込まれた第1端面を形成して、前記第1の光導波路の導波路端面を前記第1端面に露出し、
光半導体素子の出力端面が前記第1端面を向くように、前記光半導体素子を前記凹部に配置して、前記第1端面と前記出力端面の間に非平行のギャップを形成する、
工程を含み、前記第1端面は、前記光半導体素子から出力される出力光が前記ギャップを通って前記第1の光導波路に光学結合する角度で形成されることを特徴とする光機能モジュールの製造方法。
(付記13)
前記光半導体素子には前記出力端面と直交する第2の光導波路が形成されており、
前記出力光の前記第1端面への入射角をθ1としたときに、前記第1端面を、前記側壁の表面で前記第1端面と連続する第2端面との間の角度が180°−θ1になるように形成することを特徴とする付記12に記載の光機能モジュールの製造方法。
(付記14)
前記光半導体素子には前記出力端面の垂線に対して所定の角度で傾斜する第2の光導波路が形成されており、
前記出力光の出射角をθ2’、前記出力光の前記第1端面への入射角をθ1としたときに前記第1端面を、前記側壁の表面で前記第1端面と連続する第2端面との間の角度が180°−θ1−θ2’になるように形成することを特徴とする付記12に記載の光機能モジュールの製造方法。
10、10M 光半導体素子
10A 半導体レーザ
11 出力端面
12 素子導波路(第2の光導波路)
20 光導波路回路基板
21 側壁
22 凹部
23、23−1〜23−4、223−1〜223−4 光導波路(第1の光導波路)
40 電子回路チップ
70−1、70−2 SOA
80 反射型MMI−SOA
100,100A 光機能モジュール
211 端面(第1端面)
212 端面(第2端面)
213 端面(第3端面)
Claims (9)
- 第1の光導波路を有する光導波路回路基板と、
前記光導波路回路基板に実装された光半導体素子と、
を有し、
前記光導波路回路基板は、基板表面に対して垂直方向の側壁を有する凹部を有し、
前記光半導体素子は出力端面が前記側壁と対向するように前記凹部に配置され、
前記側壁は、前記側壁の表面から基板内部に所定の角度で切り込まれた第1端面と、前記側壁の表面で前記第1端面と連続する第2端面を有し、
前記第1端面と、前記光半導体素子の前記出力端面との間に非平行のギャップが設けられ、
前記第1端面で前記第1の光導波路の導波路端面が露出し、
前記光半導体素子から出力される出力光は、前記ギャップを介して、前記第1の光導波路に結合されることを特徴とする光機能モジュール。 - 前記光半導体素子は、前記出力端面と直交する第2の光導波路を有し、
前記第1端面と前記第2端面との間の角度は、前記出力光の前記第1端面への入射角をθ1とすると180°−θ1になるように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光機能モジュール。 - 前記光半導体素子は、前記出力端面の垂線に対して所定の角度で傾斜する第2の光導波路を有し、
前記出力光の出射角をθ2’、前記出力光の前記第1端面への入射角をθ1とすると、前記第1端面と前記第2端面との間の角度は、180°−θ1−θ2’になるように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光機能モジュール。 - 前記第2端面は、前記光導波路回路基板のひとつの辺と平行に形成され、前記光半導体素子は前記ひとつの辺と直交する方向に前記側壁に突き当てられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の光機能モジュール。
- 前記第1端面は、前記光導波路回路基板のひとつの辺と平行に形成され、前記光半導体素子は前記凹部で前記ひとつの辺に対して斜めに配置されて前記側壁に突き当てられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の光機能モジュール。
- 前記側壁は、のこぎり歯状に配置される複数の側壁面を有し、前記複数の側壁面の各々に前記第1端面が形成され、前記複数の側壁面の各々に対応して、複数の前記光半導体素子の各々が前記凹部に配置されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の光機能モジュール。
- 前記側壁は、複数の前記第1端面を有し、前記光半導体素子は、前記第1端面の各々に対応する複数の前記第2の光導波路を有するマルチチャネル型光半導体素子であることを特徴とする請求項2または3に記載の光機能モジュール。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の光機能モジュールと、
前記光機能モジュールに接続される外部光配線と、
前記光機能モジュールに集積された光機能素子に接続される送受信回路を含む電子回路チップと、
を有することを特徴とする光トランシーバ。 - 第1の光導波路が形成された光導波路回路基板に、基板表面に対して垂直な側壁を有する凹部を形成し、
前記凹部の側壁に、前記側壁の表面から基板内部に所定の角度で切り込まれた第1端面を形成して、前記第1の光導波路の導波路端面を前記第1端面に露出し、
光半導体素子の出力端面が前記第1端面を向くように、前記光半導体素子を前記凹部に配置して、前記第1端面と前記出力端面の間に非平行のギャップを形成する、
工程を含み、前記第1端面は、前記光半導体素子から出力される出力光が前記ギャップを通って前記第1の光導波路に光学結合する角度で形成されることを特徴とする光機能モジュールの製造方法。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06230237A (ja) * | 1993-02-02 | 1994-08-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光回路 |
JPH11167035A (ja) * | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光機能素子と光結合方法 |
JPH11326711A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光モジュール及び受光素子 |
JP2001356230A (ja) * | 2000-06-13 | 2001-12-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路部品およびこれを利用する光モジュール |
WO2002073269A2 (en) * | 2001-03-09 | 2002-09-19 | Bookham Technology Plc | Optical coupling for mounting an optical fibre on a substrate |
JP2015184667A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | 光デバイス、光コネクタ・アセンブリおよび光接続方法 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06230237A (ja) * | 1993-02-02 | 1994-08-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光回路 |
JPH11167035A (ja) * | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光機能素子と光結合方法 |
JPH11326711A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光モジュール及び受光素子 |
JP2001356230A (ja) * | 2000-06-13 | 2001-12-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路部品およびこれを利用する光モジュール |
WO2002073269A2 (en) * | 2001-03-09 | 2002-09-19 | Bookham Technology Plc | Optical coupling for mounting an optical fibre on a substrate |
JP2015184667A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | 光デバイス、光コネクタ・アセンブリおよび光接続方法 |
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