DE3720153A1 - Anordnung zur optoelektronischen kopplung von integrierten schaltungen, die in mindestens zwei halbleiterscheiben enthalten sind - Google Patents
Anordnung zur optoelektronischen kopplung von integrierten schaltungen, die in mindestens zwei halbleiterscheiben enthalten sindInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title claims abstract description 44
- 230000008878 coupling Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/80—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
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Description
Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur optoelektronischen
Kopplung von integrierten Schaltungen, die in mindestens zwei
Halbleiterscheiben enthalten sind.
Zur Realisierung von hochkomplexen integrierten Schaltungen
werden integrierte Schaltungen enthaltende Halbleiterscheiben
übereinander gestapelt und die Schaltungen miteinander ver
koppelt. Die Kopplung kann durch Verdrahtung erfolgen. Diese
Lösung ist jedoch zur Zeit sehr kostenintensiv. Ein weiterer
Nachteil ist, daß Elemente in der Mitte eines Chips nicht ohne
weiteres miteinander verdrahtet werden können. Eine bekannte
Lösung für Siliziumscheiben besteht darin, auf Siliziumscheiben
GaAs-Dioden durch epitaktische Abscheidung aufzubringen. Das
von den GaAs-Dioden ausgesandte Licht kann von Siliziumphoto
dioden empfangen werden, da es eine kürzere Wellenlänge hat,
als es dem Bandabstand im Silizium entspricht. Silizium ist für
das von GaAs-Dioden ausgesandte Licht undurchlässig. Deshalb
ist die Kopplungsart für eine Verkopplung von mehreren über
einander gestapelten integrierten Schaltungen ungeeignet.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine weitere Möglich
keit zur optoelektronischen Kopplung für integrierte Schal
tungen, die in mindestens zwei Halbleiterscheiben enthalten
sind, anzugeben.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß mit einer Anordnung nach dem
Oberbegriff des Anspruchs 1 gelöst, wie dies im kennzeichnen
den Teil des Anspruchs 1 angegeben ist.
Ein Vorteil dieser Lösung ist, daß eine Verkopplung insbe
sondere in der Mitte der Scheibe ohne weiteres möglich ist. Da
ein direkter Kontakt der Halbleiterscheiben nicht benötigt
wird, kann zwischen den gestapelten Halbleiterscheiben zur
Kühlung Luft zirkulieren.
Die Anordnung nach Anspruch 4 hat den Vorteil, daß auf den
Erfahrungsschatz der Siliziumtechnologie für die zu verkoppeln
den Schaltungen zurückgegriffen werden kann.
Die Anordnung nach Anspruch 5 hat den Vorteil, daß die
Reflektionen an der Grenzfläche Luft-Halbleiter vermindert
werden. Dadurch wird die Transmission des ausgesandten Lichts
in das Halbleitermaterial optimiert, und die Lichtverluste
werden verringert. Ferner werden Störungen durch reflektiertes
Licht vermieden.
Die Anordnung nach Anspruch 6 hat den Vorteil, daß das ausge
sandte Licht gut gerichtet ist. Bei der Verwendung von Halb
leiterlaserdioden kann das gut gebündelte Licht direkt auf den
Empfänger gerichtet werden. Streuung aus dem Lichtbündel heraus
kann vernachlässigt werden.
Die Anordnung nach Anspruch 7 hat den Vorteil, daß statt der
kostspieligen und empfindlichen Laserdioden kostengünstigere
und robustere LED′s (Licht emittierende Dioden) verwendet
werden. Da LED′s mit geringerem Strom betrieben werden, wird
der Schaltungsaufwand viel einfacher; außerdem sind LED′s im
Gegensatz zu Laserdioden auch für die Übermittlung analoger
Signale geeignet.
Beim Aufbau der Anordnung nach Anspruch 8 entfallen Justier
schritte für die optischen Elemente, da die LED′s selbst
justiert in die zuvor geätzen Gruben abgeschieden werden.
Die Anordnung nach Anspruch 9 sichert eine störungsfreie Ver
kopplung der integrierten Schaltungen. Die Maske absorbiert
gestreutes Licht, das außerhalb der Kopplungsbereiche auftritt,
und verhindert dadurch eine Störung der Schaltung durch
Streuung.
Die Anordnung nach Anspruch 10 ermöglicht einen kompakten
Aufbau von Schaltungen in gestapelten Halbleiterscheiben, da
eine direkte Kopplung verschiedener Elemente auch über größere
Entfernungen hinweg möglich ist.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung gehen aus den übrigen
Unteransprüchen hervor.
Die Erfindung wird anhand der Figur näher erläutert.
Die Anordnung enthält z. B. vier Halbleiterscheiben 1, von
denen drei übereinander gestapelt sind und eine seitlich von
dem Stapel angeordnet ist. Die Halbleiterscheiben 1 bestehen
z. B. aus Silizium.
Auf den Halbleiterscheiben 1 sind Lichtsender 2 und Licht
empfänger 3 angeordnet. Lichtsender 2 und Lichtempfänger 3
werden z. B. epitaktisch auf die Halbleiteroberfläche aufge
bracht. Sie sind mit der in der Halbleiterscheibe 1 enthaltenen
integrierten Schaltungen elektrisch verbunden. Die Wellenlänge
des Lichts, das von den Lichtsendern 2 emittiert wird und auf
das die Lichtempfänger 3 empfindlich sind, ist so auf das Halb
leitermaterial der Halbleiterscheiben 1 abgestimmt, daß die
Halbleiterscheiben 1 für das Licht durchlässig sind. In dem
Beispiel von Halbleiterscheiben 1 aus Silizium eignen sich
z. B. InP-Dioden, da das Licht von InP-Dioden langwelliger ist,
als es dem Bandabstand im Silizium entspricht. Damit ist
Silizium für InP-Licht durchlässig.
Als Lichtsender 2 können z. B. LED′s verwendet werden.
Für eine störungsfreie Kopplung ist es nötig, daß das Licht nur
in Richtung des Lichtempfängers 3 ausgesandt wird. In andere
Richtungen ausgestrahltes Licht führt zu unerwünschten Kopp
lungen. Das Licht einer LED wird in alle Richtungen ausge
sandt. Die erforderliche Richtcharakteristik senkrecht zur
Halbleiteroberfläche muß durch optische Elemente hergestellt
werden. Dazu werden vor dem Aufbringen der Lichtsender 2 Gruben
5 in die Oberfläche der Halbleiterscheiben 1 geätzt. In die
Gruben 5 werden die Lichtsender 2 epitaktisch aufgebracht. Die
Oberfläche der Gruben 5 wirkt wie ein Parabolspiegel. Das Licht
des Lichtsenders 2 wird ähnlich wie in einem Scheinwerfer ge
bündelt. Die Verwendung von LED′s als Lichtsender 2 ist vor
teilhaft, weil LED′s kostengünstig und robust sind. Sie erfor
dern wegen des Fehlens eines Schwellenstroms keine aufwendige
Ansteuerung und sind für die Analogtechnik geeignet. Ferner
ist die Stromaufnahme und damit die Erwärmung im Betrieb von
LED′s so, daß keine Einrichtungen zur Wärmeableitung wie z. B.
Wärmesenken erforderlich sind.
Da die Halbleiterscheiben 1 für das Licht der Lichtsender 2
durchlässig sind, ist es möglich, die Lichtempfänger 3 auf
einer dem zugehörigen Lichtsender 2 abgewandten Seite der Halb
leiterscheibe 1 anzubringen. Es ist ferner möglich, Licht
sender 2 und Lichtempfänger 3 auf nicht unmittelbar benachbar
ten Halbleiterscheiben 1 zu koppeln, da die dazwischenliegen
den Halbleiterscheiben 1 durchstrahlt werden können.
Beim Durchgang von Licht durch Materie, z. B. durch Halbleiter
scheiben 1, wird an jeder Grenzfläche zwischen Luft und Materie
ein Teil des Lichtes reflektiert. Dieses reflektierte Licht
sollte beim Durchgang durch die Halbleiterscheiben 1 minimiert
werden, um störende Reflexe zu vermeiden und um die Trans
mission des Lichts in die Halbleiterscheibe 1 zu optimieren.
Dazu kann auf die Unterseite der Halbleiterscheiben 1 eine
Schicht 4 zur optischen Vergütung aufgebracht werden.
Eine weitere Maßnahme, mit der Reflexe und Streulicht vermie
den werden können, besteht darin, daß zwischen den zu ver
koppelnden Halbleiterscheiben 1 Masken 6 angeordnet werden. Die
Masken 6 bestehen aus einem lichtundurchlässigen Material. Sie
sind an einzelnen Stellen lichtdurchlässig, z. B. durch Bohrun
gen, und gewährleisten so, daß nur dort, wo eine Verkopplung
erwünscht ist, Licht von einem Lichtsender 2 zu dem zugehörigen
Lichtempfänger 3 gelangen kann.
Da die Lichtsender 2 und die Lichtempfänger 3 in der Ober
fläche der Halbleiterscheibe 1 integriert sind, ist es ohne
weiteren Aufwand möglich, Kopplungen in der Mitte der Halb
leiterscheiben 1 anzubringen.
Claims (11)
1. Anordnung zur optoelektronischen Kopplung von integrierten
Schaltungen, die in mindestens zwei Halbleiterscheiben ent
halten sind, dadurch gekennzeichnet, daß die
Halbleiterscheiben (1) Lichtsender (2) und Lichtempfänger (3)
enthalten, die Licht in einem Wellenlängenbereich senden bzw.
empfangen, in dem die Halbleiterscheiben (1) lichtdurchlässig
sind.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß die Lichtsender (2) und die Lichtempfänger (3)
Dioden aus III-V-Verbindungen sind.
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Lichtsender (2) und die Licht
empfänger (3) epitaktisch auf die Halbleiterscheiben (1)
aufgebracht sind.
4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheiben (1)
aus Silizium bestehen.
5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß auf der Unterseite der
Halbleiterscheiben (1) eine Schicht (4) zur optischen Vergütung
vorgesehen ist.
6. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß als Lichtsender (2) Halb
leiterlaserdioden vorgesehen sind.
7. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß als Lichtsender (2) LED′s
vorgesehen sind und daß das Licht der LED′s durch optische
Elemente auf den zugehörigen Lichtempfänger (3) gerichtet ist.
8. Anordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeich
net, daß in die Oberfläche der Halbleiterscheiben (1)
Gruben (5) geätzt sind, in denen die LED′s angeordnet sind und
die als Parabolspiegel für das LED-Licht wirken.
9. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, daß mindestens eine Maske (6)
vorgesehen ist, die zwischen je zwei Halbleiterscheiben (1)
gelegt ist und die nur dort lichtdurchlässig ist, wo eine
optische Kopplung erwünscht ist.
10. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß mehr als zwei Halbleiter
scheiben (1) vorgesehen sind, daß Lichtsender (2) und zuge
hörige Lichtempfänger (3) auf nicht unmittelbar benachbarten
Halbleiterscheiben (1) angeordnet sind, so daß Halbleiter
scheiben (1), die nicht unmittelbar aufeinander folgen, mit
einander verkoppelt werden und die dazwischen liegenden Halb
leiterscheiben (1) vom Licht durchstrahlt werden.
11. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch
gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheiben (1)
so angeordnet sind, daß sich die zugehörigen Lichtempfänger (3)
und Lichtsender (2) auf aneinander angrenzenden Halbleiterober
flächen befinden.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19873720153 DE3720153A1 (de) | 1987-06-16 | 1987-06-16 | Anordnung zur optoelektronischen kopplung von integrierten schaltungen, die in mindestens zwei halbleiterscheiben enthalten sind |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19873720153 DE3720153A1 (de) | 1987-06-16 | 1987-06-16 | Anordnung zur optoelektronischen kopplung von integrierten schaltungen, die in mindestens zwei halbleiterscheiben enthalten sind |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3720153A1 true DE3720153A1 (de) | 1988-12-29 |
DE3720153C2 DE3720153C2 (de) | 1993-06-03 |
Family
ID=6329837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19873720153 Granted DE3720153A1 (de) | 1987-06-16 | 1987-06-16 | Anordnung zur optoelektronischen kopplung von integrierten schaltungen, die in mindestens zwei halbleiterscheiben enthalten sind |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3720153A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0571609A1 (de) * | 1991-12-11 | 1993-12-01 | Motorola, Inc. | Integriertes schaltungsmodul mit durch elektromagnetische wellen verbundenen einrichtungen |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4533833A (en) * | 1982-08-19 | 1985-08-06 | At&T Bell Laboratories | Optically coupled integrated circuit array |
EP0150929A2 (de) * | 1984-01-16 | 1985-08-07 | Texas Instruments Incorporated | Substrat mit optischen Verbindungssystemen zwischen den auf dem Substrat montierten Bausteinen |
-
1987
- 1987-06-16 DE DE19873720153 patent/DE3720153A1/de active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4533833A (en) * | 1982-08-19 | 1985-08-06 | At&T Bell Laboratories | Optically coupled integrated circuit array |
EP0150929A2 (de) * | 1984-01-16 | 1985-08-07 | Texas Instruments Incorporated | Substrat mit optischen Verbindungssystemen zwischen den auf dem Substrat montierten Bausteinen |
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---|---|---|---|---|
EP0571609A1 (de) * | 1991-12-11 | 1993-12-01 | Motorola, Inc. | Integriertes schaltungsmodul mit durch elektromagnetische wellen verbundenen einrichtungen |
EP0571609A4 (de) * | 1991-12-11 | 1994-03-21 | Motorola Inc | Integriertes schaltungsmodul mit durch elektromagnetische wellen verbundenen einrichtungen. |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3720153C2 (de) | 1993-06-03 |
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8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |